JPS63198402A - 静磁波発振器 - Google Patents
静磁波発振器Info
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- JPS63198402A JPS63198402A JP3055487A JP3055487A JPS63198402A JP S63198402 A JPS63198402 A JP S63198402A JP 3055487 A JP3055487 A JP 3055487A JP 3055487 A JP3055487 A JP 3055487A JP S63198402 A JPS63198402 A JP S63198402A
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- JP
- Japan
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- transducer
- magnetostatic wave
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- magnetostatic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 24
- 230000003068 static effect Effects 0.000 title abstract 6
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 29
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 10
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 abstract 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 5
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Waveguides (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、静磁波遅延線を利用し、マイクロ波を励起
する静磁波発振器に関するものである。
する静磁波発振器に関するものである。
（従来の技術〕
第５図は例えばアイイーイー トランザクション オン
マグネテインクス マグ−２ｏ巷、ｈ５゜１９８４年
９月＋１２２９−１２３１ （Ｉ Ｅ Ｅ Ｅ Ｔｒａ
ｎｓａｃｔｉｏｎ 。
マグネテインクス マグ−２ｏ巷、ｈ５゜１９８４年
９月＋１２２９−１２３１ （Ｉ Ｅ Ｅ Ｅ Ｔｒａ
ｎｓａｃｔｉｏｎ 。
ｎ Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ、 ｖｏＩＪＡＧ−２０，ｈｈ
５．５ｅｐｔ、１９８４．ＰＰ１２２９−１２３１）に
示された従来の静磁波発振器を示し、図において、ｌは
マイクロストリップ導体で形成した線状素子、２．３は
複数本の線状素子１より成リ、一端を短絡した入、出力
トランスデユーサ・４は誘電体フィルタを介して、入、
出力トランスデユーサ２．３上に配置した磁性体薄膜、
５は静磁波吸収体、６はケース、７は入、出力トランス
デューサ２，３、磁性体薄膜４．静磁波吸収体５゜ケー
ス６より構成される静磁波遅延線、８は増幅器、９は方
向性結合器、１０は発振出力端子、１１は静磁波遅延線
７．増幅器８．方向性結合器９を互いに接続する線路で
ある。
５．５ｅｐｔ、１９８４．ＰＰ１２２９−１２３１）に
示された従来の静磁波発振器を示し、図において、ｌは
マイクロストリップ導体で形成した線状素子、２．３は
複数本の線状素子１より成リ、一端を短絡した入、出力
トランスデユーサ・４は誘電体フィルタを介して、入、
出力トランスデユーサ２．３上に配置した磁性体薄膜、
５は静磁波吸収体、６はケース、７は入、出力トランス
デューサ２，３、磁性体薄膜４．静磁波吸収体５゜ケー
ス６より構成される静磁波遅延線、８は増幅器、９は方
向性結合器、１０は発振出力端子、１１は静磁波遅延線
７．増幅器８．方向性結合器９を互いに接続する線路で
ある。
なお、磁性体薄膜４に磁界を加えるための磁気回路は、
図では省略している。
図では省略している。
次に動作について説明する。
静磁波遅延線７．増幅器８．方向性結合器９゜及び線路
１１の損失をそれぞれＡｔ（ｒ）、Ａｔ（ｆ）。
１１の損失をそれぞれＡｔ（ｒ）、Ａｔ（ｆ）。
Ａｓ（ｒ） 、 Ａｔ（ｆ）デシベル、電気長をそれぞ
れβｔ（ｆ） 、βｔ（ｒ）、 β５（ｆ）、 β
オ（ｆ）ラジアンとする。ここで、増幅器８は振幅が増
幅されるのでＡ、（ｆ）の符号は負である。またＡ、（
ｆ）〜Ａｔ（ｆ）、 β＋（ｆ）〜β＃（ｆ）は周波数
ｆの関数である。静磁波遅延線７．増幅器８．方向性結
合器９は閉じた回路を形成するため、第１式、第２式の
条件を満たすｆ、（ｎは整数）にて発振が生じる。
れβｔ（ｆ） 、βｔ（ｒ）、 β５（ｆ）、 β
オ（ｆ）ラジアンとする。ここで、増幅器８は振幅が増
幅されるのでＡ、（ｆ）の符号は負である。またＡ、（
ｆ）〜Ａｔ（ｆ）、 β＋（ｆ）〜β＃（ｆ）は周波数
ｆの関数である。静磁波遅延線７．増幅器８．方向性結
合器９は閉じた回路を形成するため、第１式、第２式の
条件を満たすｆ、（ｎは整数）にて発振が生じる。
従来装置では、静磁波遅延線７の入、出力トランスデユ
ーサ２．３にそれぞれ複数本の線状素子１が用いられて
おり、線状素子１の間隔で決定される静磁波が選択的に
励振される。これにより、静磁波遅延線７は、帯域通過
フィルタと同様に特定の周波数帯のマイクロ波が通過す
るように動作する。
ーサ２．３にそれぞれ複数本の線状素子１が用いられて
おり、線状素子１の間隔で決定される静磁波が選択的に
励振される。これにより、静磁波遅延線７は、帯域通過
フィルタと同様に特定の周波数帯のマイクロ波が通過す
るように動作する。
そこで、単一の周波数ｆＮでのみ第１式、第２式を満足
し、他の周波数ｆ、（ｎ≠Ｎ）で第３式の条件を満たす
ように線状素子の数、および間隔を選ぶことにより、単
一の周波数ｆＮでの発振が起きる。
し、他の周波数ｆ、（ｎ≠Ｎ）で第３式の条件を満たす
ように線状素子の数、および間隔を選ぶことにより、単
一の周波数ｆＮでの発振が起きる。
閉ループ内の発振電力の一部は、方向性結合器９を介し
て、発振出力端子１０より取り出される。
て、発振出力端子１０より取り出される。
従来の静磁波発振器は以上のように構成されているので
・全体の静磁波発振器に占める方向性結合器９の容積が
大きく、装置全体の小形化に限度があるという問題点が
あった。また、部品点数が多く、低価格化を図れないと
いう問題点があった。
・全体の静磁波発振器に占める方向性結合器９の容積が
大きく、装置全体の小形化に限度があるという問題点が
あった。また、部品点数が多く、低価格化を図れないと
いう問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、小形化、低価格化を達成できる静磁波発振器
を得ることを目的とする。
たもので、小形化、低価格化を達成できる静磁波発振器
を得ることを目的とする。
この発明に係る静磁波発振器は、静磁波遅延線内に、磁
性体薄膜を伝搬する静磁波の電力の一部を取り出すため
の発振出力取出用トランスデユーサを設けたものである
。
性体薄膜を伝搬する静磁波の電力の一部を取り出すため
の発振出力取出用トランスデユーサを設けたものである
。
この発明においては、発振出力取出し用トランスデユー
サを静磁波遅延線内に設け、磁性体薄膜を伝搬する静磁
波の電力の一部を取り出すようにしたので、方向性結合
器を不要とでき、装置の小形化、低価格化を図ることが
できる。
サを静磁波遅延線内に設け、磁性体薄膜を伝搬する静磁
波の電力の一部を取り出すようにしたので、方向性結合
器を不要とでき、装置の小形化、低価格化を図ることが
できる。
（実施例）
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の第１実施例による静磁波発振器を示
し、図において、１〜８．１０．１１は従来例と同じも
のを示し、１２は磁性体薄膜４に密着して設けた発振出
力取出用トランスデユーサである。また、従来例と同様
、磁性体薄膜４に磁界を加えるための磁気回路は図では
省略する。
し、図において、１〜８．１０．１１は従来例と同じも
のを示し、１２は磁性体薄膜４に密着して設けた発振出
力取出用トランスデユーサである。また、従来例と同様
、磁性体薄膜４に磁界を加えるための磁気回路は図では
省略する。
次に動作について説明する。
ここでは、磁性体薄膜４の膜の面に垂直な磁界を加えた
ときに伝搬可能となる体積前進静磁波（ＭＳＦＶＷ）の
場合について述べる。
ときに伝搬可能となる体積前進静磁波（ＭＳＦＶＷ）の
場合について述べる。
本実施例の静磁波発振器でも、従来例と同様、入カドラ
ンスデューサ２で励振された静磁波が出力トランスデュ
ーサ３まで伝搬し、この静磁波は出力トランスデユーサ
３で再び電気信号に変換された後に、増幅器８に帰還さ
れる。また従来例と同様、入、出力トランスデューサ２
．３にはそれぞれ複数本の線状素子１が用いられ、第１
．第２゜第３式の発振条件を満足するように増幅器８の
利得が調整されて、単−周波数での発振が得られるよう
になっている。
ンスデューサ２で励振された静磁波が出力トランスデュ
ーサ３まで伝搬し、この静磁波は出力トランスデユーサ
３で再び電気信号に変換された後に、増幅器８に帰還さ
れる。また従来例と同様、入、出力トランスデューサ２
．３にはそれぞれ複数本の線状素子１が用いられ、第１
．第２゜第３式の発振条件を満足するように増幅器８の
利得が調整されて、単−周波数での発振が得られるよう
になっている。
ところで、静磁波遅延線７の入カトランスデエーサ２に
より励振される静磁波は、入力トランスジユーサ２の両
側に等しい振幅で伝搬する。従来装置では、両側に伝搬
する静磁波の内、図の左側へ伝搬する静磁波を静磁波吸
収体５により吸収していた。しかしながら、本実施例の
静磁波発振器では、入力トランスジユーサ２の左側に発
振出力取出用トランスデユーサ１２を配置しているので
、従来捨てていた電力が発振信号出力として取り出され
ることとなる。そして、本実施例においては、第１式、
第２式で示した発振条件は、方向性結合器の損失Ａ３（
ｆ ）と電気長β３（ｆ）を除いたものとなる。
より励振される静磁波は、入力トランスジユーサ２の両
側に等しい振幅で伝搬する。従来装置では、両側に伝搬
する静磁波の内、図の左側へ伝搬する静磁波を静磁波吸
収体５により吸収していた。しかしながら、本実施例の
静磁波発振器では、入力トランスジユーサ２の左側に発
振出力取出用トランスデユーサ１２を配置しているので
、従来捨てていた電力が発振信号出力として取り出され
ることとなる。そして、本実施例においては、第１式、
第２式で示した発振条件は、方向性結合器の損失Ａ３（
ｆ ）と電気長β３（ｆ）を除いたものとなる。
このように本実施例では、入力トランスジユーサ２の図
面左側に発振出力取出用トランスデユーサ１２を設けた
ので、方向性結合器を不要とじて装置の小形化、低価格
化を達成することができるとともに、方向性結合器によ
る損失分だけ増幅器の利得を小さくでき、しかも従来捨
てていた発振電力を取り出しているため発振の高効率化
を達成することができる。
面左側に発振出力取出用トランスデユーサ１２を設けた
ので、方向性結合器を不要とじて装置の小形化、低価格
化を達成することができるとともに、方向性結合器によ
る損失分だけ増幅器の利得を小さくでき、しかも従来捨
てていた発振電力を取り出しているため発振の高効率化
を達成することができる。
なお、上記実施例では、静磁波として体積前進静磁波（
ＭＳＦＶＷ）を用いた場合を示したが、体積後進静磁波
（ＭＳＢＶＷ）の場合にも、入力トランスジユーサの両
側に伝搬する静磁波が励振されるので、同様の効果を奏
する。
ＭＳＦＶＷ）を用いた場合を示したが、体積後進静磁波
（ＭＳＢＶＷ）の場合にも、入力トランスジユーサの両
側に伝搬する静磁波が励振されるので、同様の効果を奏
する。
第２図、第３図はそれぞれこの発明の第２．第゛３実施
例による静磁波発振器を示し、第２実施例は入、出力ト
ランスデューサ２．３の間に、また第３実施例は出力ト
ランスチェー９３０図面右側に、それぞれ発振出力取出
用トランスデユーサ１２を配置したものである。これに
よれば、静磁波の伝搬特性が非可逆な表面静磁波（ＭＳ
ＳＷ）を用い、入力トランスジユーサの片側だけに主に
伝搬する静磁波が励振される場合においても、第１実施
例と同様に方向性結合器を不要として装置の小形化、低
価格化を達成することができるとともに、方向性結合器
による損失分だけ増幅器の利得を小さくできる・また、
第３実施例では従来捨てていた発振電力を取り出してい
るので発振器の高効率化を達成することができる。
例による静磁波発振器を示し、第２実施例は入、出力ト
ランスデューサ２．３の間に、また第３実施例は出力ト
ランスチェー９３０図面右側に、それぞれ発振出力取出
用トランスデユーサ１２を配置したものである。これに
よれば、静磁波の伝搬特性が非可逆な表面静磁波（ＭＳ
ＳＷ）を用い、入力トランスジユーサの片側だけに主に
伝搬する静磁波が励振される場合においても、第１実施
例と同様に方向性結合器を不要として装置の小形化、低
価格化を達成することができるとともに、方向性結合器
による損失分だけ増幅器の利得を小さくできる・また、
第３実施例では従来捨てていた発振電力を取り出してい
るので発振器の高効率化を達成することができる。
また、第４図はこの発明の第４実施例による静磁波発振
器を示し、本実施例は発振出力取出用トランスデユーサ
１２として、複数の線状素子１より成るものを用いたも
のである。これによれば、第１実施例と同様の効果に加
え、発振信号の位相雑音やスプリアスの低減を図ること
ができる。
器を示し、本実施例は発振出力取出用トランスデユーサ
１２として、複数の線状素子１より成るものを用いたも
のである。これによれば、第１実施例と同様の効果に加
え、発振信号の位相雑音やスプリアスの低減を図ること
ができる。
以上のように、この発明の静磁波発振器によれば、磁性
体薄膜を伝搬する静磁波の電力の一部を取り出すための
発振出力取出用トランスデユーサを静磁波遅延線内に設
けたので、方向性結合器を不要とでき、装置の小形化、
低価格化を達成できる効果がある。
体薄膜を伝搬する静磁波の電力の一部を取り出すための
発振出力取出用トランスデユーサを静磁波遅延線内に設
けたので、方向性結合器を不要とでき、装置の小形化、
低価格化を達成できる効果がある。
第１図はこの発明の第１実施例による静磁波発振器を示
す図、第２図、第３図、第４図はそれぞれこの発明の第
２．第３．第４実施例による静磁波発振器を示す図、第
５図は従来の静磁波発振器を示す図である。 図において、１は線状素子、２は入力トランスジユーサ
、３は出力トランスデユーサ、４は磁性体薄膜、５は静
磁波吸収体、６はケース、７は静磁波遅延線、８は増幅
器、９は方向性結合器、１０は発振出力端子、１１は線
路、１２は発振出力取出用トランスデユーサである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
す図、第２図、第３図、第４図はそれぞれこの発明の第
２．第３．第４実施例による静磁波発振器を示す図、第
５図は従来の静磁波発振器を示す図である。 図において、１は線状素子、２は入力トランスジユーサ
、３は出力トランスデユーサ、４は磁性体薄膜、５は静
磁波吸収体、６はケース、７は静磁波遅延線、８は増幅
器、９は方向性結合器、１０は発振出力端子、１１は線
路、１２は発振出力取出用トランスデユーサである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (5)
- （１） 増幅器の帰還回路として、入、出力トランスデ
ューサを備えた静磁波遅延線を用いた静磁波発振器にお
いて、 静磁波遅延線内に、該遅延線を構成する磁性体薄膜を伝
搬する静磁波の電力の一部を発振出力として取り出すた
めの発振出力取出用トランスデューサを設けたことを特
徴とする静磁波発振器。 - （２） 上記発振出力取出用トランスデューサは、上記
入力トランスデューサおよび出力トランスデューサの外
側に設けられていることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の静磁波発振器。 - （３） 上記発振出力取出用トランスデューサは、上記
入力トランスデューサと出力トランスデューサとの間に
設けられていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の静磁波発振器。 - （４） 上記発振出力取出用トランスデューサは、一本
の線状素子により構成されていることを特徴とする特許
請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の静磁
波発振器。 - （５） 上記発振出力取出用トランスデューサは、複数
の線状素子により構成されていることを特徴とする特許
請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の静磁
波発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3055487A JPS63198402A (ja) | 1987-02-12 | 1987-02-12 | 静磁波発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3055487A JPS63198402A (ja) | 1987-02-12 | 1987-02-12 | 静磁波発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63198402A true JPS63198402A (ja) | 1988-08-17 |
Family
ID=12307014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3055487A Pending JPS63198402A (ja) | 1987-02-12 | 1987-02-12 | 静磁波発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63198402A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02123123U (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-09 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54144855A (en) * | 1978-05-03 | 1979-11-12 | Thomson Csf | Singleemode tunable oscillator |
-
1987
- 1987-02-12 JP JP3055487A patent/JPS63198402A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54144855A (en) * | 1978-05-03 | 1979-11-12 | Thomson Csf | Singleemode tunable oscillator |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02123123U (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-09 |
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