JPS63187977A - Image pickup device - Google Patents

Image pickup device

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JPS63187977A
JPS63187977A JP62021217A JP2121787A JPS63187977A JP S63187977 A JPS63187977 A JP S63187977A JP 62021217 A JP62021217 A JP 62021217A JP 2121787 A JP2121787 A JP 2121787A JP S63187977 A JPS63187977 A JP S63187977A
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JP
Japan
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frame
signal
pixel
solid
image pickup
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Pending
Application number
JP62021217A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Isao Tofuku
東福 勲
Yukihiro Yoshida
幸広 吉田
Kenji Awamoto
健司 粟本
Hiroyuki Ishizaki
石崎 洋之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To smooth a picture to be formed with a high resolution and in a large area by increasing a visual field viewed by an image pickup element and interpolating a non-photosensitive area between the image pickup elements by a signal processing. CONSTITUTION:A signal horizontally block scanned at a pitch of an equal dimension to the entire dimension of the solid-state image pickup element 23 and photoelectrically transferred by the solid-state image pickup element 23 is converted to a digital signal in an A/D converter 31 and alternately inputted to frame memories 32A, 32B for every one frame. When data is inputted to the one frame memory 32A, the data of a previous frame inputted to the other frame memory 32B is inputted to an interpolating circuit 34 through a multiplexer 33 to execute an interpolating processing. The interpolated data is alternately inputted for every frame to frame memories 35A, 35B for displaying and fed to a CRT monitor 25 from a D/A converter 37.

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 二次元固体撮像素子のような二次元光センサを用いた撮
像装置であるで、前記二次元光センサを構成する全素子
の寸法をピッチとする水平、或いは垂直走査からなるブ
ロック走査を行う走査手段と、前記二次元光センサを構
成する各々の水平および垂直方向の隣接素子に1対1で
対応する隣接画素の信号を平均化し、該平均化された信
号で前記隣接画素間を補間するような信号処理手段とを
設け、二次元光センサで見込む視野を拡大するとともに
、隣接する画素からの信号を平均化した信号で隣接画素
間を補間して、解像度の高い、滑らかな高両賞の画像を
得るようにする。
[Detailed Description of the Invention] [Summary] This is an imaging device using a two-dimensional optical sensor such as a two-dimensional solid-state image sensor, which is a horizontal or a scanning means that performs block scanning consisting of vertical scanning; and averaging signals of adjacent pixels corresponding one-to-one to each horizontally and vertically adjacent element constituting the two-dimensional optical sensor, and the averaged signal The field of view of the two-dimensional optical sensor is expanded by interpolating between adjacent pixels, and the resolution is So that you get a smooth, high-quality image.

〔産業上の利用分野〕[Industrial application field]

本発明は二次元光センサを用いた撮像装置に係り、特に
素子数の少ない二次元光センサを用いた場合に於いても
高解像度の大型描像画面が高画質で得られるようにした
撮像装置に関する。
The present invention relates to an imaging device using a two-dimensional optical sensor, and particularly to an imaging device that can obtain a large image screen with high resolution and high image quality even when using a two-dimensional optical sensor with a small number of elements. .

撮像すべき光学的情報(視野)を二次元の赤外線検知素
子のような光センサで検知し、該検知情報を赤外線検知
素子と組み合わせて一体化した電荷転送素子でシリアル
に読みだした後、その情報を増幅して、CRTのような
表示画面に画像表示する撮像装置は周知である。
The optical information (field of view) to be imaged is detected by an optical sensor such as a two-dimensional infrared detection element, and the detected information is serially read out by an integrated charge transfer element in combination with the infrared detection element. Imaging devices that amplify information and display the image on a display screen such as a CRT are well known.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来のこのような二次元光センサと、それを用いた撮像
装置を第5図に示す。
FIG. 5 shows such a conventional two-dimensional optical sensor and an imaging device using the same.

視野lからの情報は、集光レンズ2で集光されて二次元
光センサの一種である固体撮像素子3に入射する。固体
撮像素子3に於いて、入射された光は電気的信号に変換
され、この信号は増幅器4、および信号処理回路5を経
てCRTのようなモニタ6に出力される。第6図(a)
に従来の二次元固体撮像素子の模式図と、それに依って
得られた画像を第6図(b)に示す。
Information from the field of view l is condensed by a condenser lens 2 and enters a solid-state image sensor 3, which is a type of two-dimensional optical sensor. In the solid-state image sensor 3, the incident light is converted into an electrical signal, and this signal is outputted to a monitor 6 such as a CRT via an amplifier 4 and a signal processing circuit 5. Figure 6(a)
FIG. 6(b) shows a schematic diagram of a conventional two-dimensional solid-state image sensor and an image obtained thereby.

第6図(a)、および第6図(b)に示すように、固体
撮像素子3の各素子3A、3B、3C・・・の素子数と
、画像7を構成する各画素7A、7B、7C・・・とは
1対1に対応しており、従って高解像度化(高画素化)
を図るには、固体撮像素子3の各素子3A、3B、3C
・・・の数を増加させる必要がある。
As shown in FIGS. 6(a) and 6(b), the number of elements 3A, 3B, 3C, etc. of the solid-state image sensor 3 and each pixel 7A, 7B, 7B, and There is a one-to-one correspondence with 7C... Therefore, higher resolution (higher pixels)
In order to achieve this, each element 3A, 3B, 3C of the solid-state image sensor 3
It is necessary to increase the number of...

この素子数を増加させる方法としては、チップサイズは
同一の状態で各素子の大きさを微細化する第1の方法と
、各素子の大きさは同一にしてチップサイズを大きくす
る第2の方法がある。
There are two ways to increase the number of elements: the first method is to miniaturize each element while keeping the same chip size, and the second method is to increase the chip size while keeping each element the same size. There is.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

然し、第1の方法を実現しようとすると、検知した情報
を、電荷として素子に形成されたポテンシャル井戸に蓄
積する蓄積型の固体撮像装置に於いて・は、その井戸を
形成するための蓄積電極の面積は所定の面積が必要で、
そのため電極の面積を成る一定の面積以下に形成するこ
とができない。
However, when trying to realize the first method, in a storage type solid-state imaging device in which detected information is stored as electric charge in a potential well formed in the element, the storage electrode for forming the well is A certain area is required for the area of
Therefore, the area of the electrode cannot be formed to be less than a certain area.

そのため、形成される素子の面積を成る一定の面積以下
にすることはできず、従って各素子を微細化する第1の
方法は実現困難である。
Therefore, the area of the formed elements cannot be made smaller than a certain area, and therefore the first method of miniaturizing each element is difficult to implement.

またチップサイズを大きくする第2の方法では、チップ
内での拡散条件等の素子形成のための条件を均一に保つ
ことが困難で、かつ一枚のウェハーより形成されるチッ
プの割合が少なくなり、素子の歩留まり低下につながる
In addition, in the second method of increasing the chip size, it is difficult to maintain uniform conditions for forming elements such as diffusion conditions within the chip, and the proportion of chips formed from one wafer decreases. , leading to a decrease in device yield.

このような素子数の少ない二次元光センサを用いて撮像
装置を形成すると、第7図に示すように画素7A、7B
、7C・・・の数が少ないために、二次元光センサで撮
像されるべき撮像パターン11の視野12が小さくなり
、得られる画像の解゛像度が悪く、また画素数が少ない
ため、画質がなめらかでなくモザイク状の映像パターン
13が形成される不都合を生じる。
When an imaging device is formed using such a two-dimensional optical sensor with a small number of elements, pixels 7A and 7B are formed as shown in FIG.
, 7C..., the field of view 12 of the imaging pattern 11 to be imaged by the two-dimensional optical sensor becomes small, and the resolution of the obtained image is poor, and the number of pixels is small, resulting in poor image quality. This results in the inconvenience that the image pattern 13 is not smooth and is mosaic-like.

本発明は上記した問題点を解決し、素子数が少ない、即
ち感光領域が高密度に形成されていない二次元光センサ
を用いた場合に於いても、高解像度で、かつ大面積の表
示画面が得られるような撮像装置の提供を目的とする。
The present invention solves the above-mentioned problems, and even when using a two-dimensional optical sensor with a small number of elements, that is, the photosensitive area is not formed in a high density, a display screen with high resolution and a large area can be realized. The purpose of the present invention is to provide an imaging device that can obtain the following.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明の撮像装置は、撮像すべき視野の情報を二次元光
センサへ集光する集光レンズと、該視野を水平、或いは
垂直方向に走査し、前記二次元光センサの全素子が見込
む視野分だけブロック走査する走査手段と、 前記二次元光センサを構成する各素子の1対1の対応で
形成される隣接画素間の信号を平均化すると共に、該平
均化された信号で隣接する二つの画素間を補間するよう
な信号処理手段を設けたことを特徴とする。
The imaging device of the present invention includes a condenser lens that condenses information of a field of view to be imaged onto a two-dimensional optical sensor, and a condenser lens that scans the field of view horizontally or vertically to obtain a field of view that all elements of the two-dimensional optical sensor see. scanning means for scanning a block by 1:1, and averaging signals between adjacent pixels formed by a one-to-one correspondence of each element constituting the two-dimensional photosensor, and using the averaged signal between adjacent pixels. The present invention is characterized in that a signal processing means for interpolating between two pixels is provided.

〔作用〕[Effect]

本発明の撮像装置によれば、走査鏡により二次元光セン
サの如き固体撮像素子の全素子のサイズと同一寸法のピ
ッチでブロック走査することで、撮像素子で見込む視野
を増大させ、更に信号処理回路で固体撮像素子の素子間
の非感光領域を補間するように信号処理することで、形
成される画像が高解像度で滑らかな状態となり、然も大
面積で得られるようにする。
According to the imaging device of the present invention, by scanning blocks using a scanning mirror at a pitch that is the same as the size of all elements of a solid-state imaging device such as a two-dimensional optical sensor, the field of view seen by the imaging device is increased, and further signal processing is performed. By using a circuit to perform signal processing to interpolate the non-light-sensitive areas between the elements of the solid-state image sensor, the formed image becomes high-resolution, smooth, and can be obtained over a large area.

〔実施例〕〔Example〕

以下、図面を用いながら本発明の一実施例につき詳細に
説明する。
Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第1図は本発明の撮像装置の構成を示す模式図で、図示
するように固体撮像素子の全素子のサイズと同等な距離
のピッチで水平、或いは垂直方向に走査する走査鏡21
と、この走査鏡21からの光を集光する集光レンズ22
と、水平および垂直方向に所定のピッチで画素が配設さ
れている例えばCCDのような二次元固体撮像素子23
と、この襦像素子23で蓄積された信号を増幅する増幅
器24と、この増幅器24で増幅された信号に対して、
更に描像素子の素子間の不感光部分を埋めるような信号
処理回路25と、この信号処理回路25で得られた信号
を画像として表示するCRTのようなモニタ26とから
なる。
FIG. 1 is a schematic diagram showing the configuration of an imaging device according to the present invention. As shown in the figure, a scanning mirror 21 scans horizontally or vertically at a pitch equal to the size of all elements of a solid-state imaging device.
and a condensing lens 22 that condenses the light from the scanning mirror 21.
and a two-dimensional solid-state image sensor 23, such as a CCD, in which pixels are arranged at a predetermined pitch in the horizontal and vertical directions.
and an amplifier 24 that amplifies the signal accumulated by this image element 23, and for the signal amplified by this amplifier 24,
It further includes a signal processing circuit 25 that fills in the non-sensitized areas between the imaging elements, and a monitor 26 such as a CRT that displays the signals obtained by the signal processing circuit 25 as images.

このような信号処理回路25の詳細を更に第2図のブロ
ック図に示し、この装置の動作状態を更に第3図の模式
図に示す。
The details of such signal processing circuit 25 are further shown in the block diagram of FIG. 2, and the operating state of this device is further shown in the schematic diagram of FIG. 3.

第1図、第2図および第3図を用いて本発明の装置の動
作について説明する。
The operation of the apparatus of the present invention will be explained using FIGS. 1, 2, and 3.

第1図、第2図および第3図に示すように、走査I!2
1で固体撮像素子23の全素子の寸法lに等しい寸法の
ピ・ソチで矢印A方向に水平にブロック走査され、更に
該固体撮像素子23で光電変換された電気信号は、増幅
器24で増幅された後、信号処理回路25内のA/Dコ
ンバータ31によりデジタル信号に変換される。
As shown in FIGS. 1, 2 and 3, scan I! 2
1, a block is scanned horizontally in the direction of arrow A with a pi-sochi having a dimension equal to the dimension l of all elements of the solid-state image sensor 23, and the electric signal photoelectrically converted by the solid-state image sensor 23 is amplified by an amplifier 24. After that, the A/D converter 31 in the signal processing circuit 25 converts the signal into a digital signal.

このデジタル信号は、フレームメモリ32八および32
Bに1フレ一ム期間毎に交互に入力される。
This digital signal is transmitted to frame memories 328 and 32.
The signals are input to B alternately every frame period.

ここで言う1フレ一ム期間とは、ブロック走査した固体
撮像素子の2フレ一ム分の期間に対応している。一方の
フレームメモリ32^(32B)にデータが人力される
と、次のフレームでは他方のフレームメモリ32B (
32A)に入力されるが、その際に前のフレームで入力
されたフレームメモリ32A (32B)のデータがマ
ルチプレクサ33を通じて補間回路34に入力され、補
間処理が成される。
The term "one frame period" as used herein corresponds to a period corresponding to two frames of the solid-state image sensor which is block-scanned. When data is manually input to one frame memory 32^ (32B), in the next frame, data is input to the other frame memory 32B (32B).
32A), but at that time, the data in the frame memory 32A (32B) that was input in the previous frame is input to the interpolation circuit 34 through the multiplexer 33, and interpolation processing is performed.

この補間回路は、■補間のための演算回路、■■の補間
を行うための元のデータが記憶されているフレームメモ
リ32^(32B)のアドレスの発生回路、■補間によ
り得られた画素数の増加した画像データをフレームメモ
リ35^、35Bに書き込むためのアドレス発生回路に
より構成されている。
This interpolation circuit consists of: ■ an arithmetic circuit for interpolation, ■ an address generation circuit for the frame memory 32^ (32B) in which the original data for interpolation is stored, and ■ the number of pixels obtained by interpolation. The address generation circuit is configured to write the increased image data into the frame memories 35^ and 35B.

この補間回路34により得られたデータは、表示のため
のフレームメモリ35^、35Bに1フレーム毎に交互
に入力され、一方のフレームメモリが、補間回路34か
らのデータ入力中には、他方のフレームメモリがマルチ
プレクサ36を通じてD/Aコンバータ37にデータを
出力する。
The data obtained by the interpolation circuit 34 is alternately input to frame memories 35^ and 35B for display on a frame-by-frame basis, and while one frame memory is inputting data from the interpolation circuit 34, The frame memory outputs data to a D/A converter 37 through a multiplexer 36.

CRTモニタ36は口/^コンバータ37のアナログ出
力(ビデオ信号)を入力し、高画質の映像を表示するこ
とになる。マルチプレクサ38A 、 38Bはフレー
ムメモリ32A 、 32Bに於ける固体撮像素子出力
の人力動作と補間動作を1フレーム毎に切り換えるため
のマルチプレクサであり、38A、38Bに入力してい
る素子アドレスとは、固体撮像素子出力をフレームメモ
リに入力する際に使用するアドレスである。
The CRT monitor 36 inputs the analog output (video signal) of the /^ converter 37 and displays a high-quality image. The multiplexers 38A and 38B are multiplexers for switching between manual operation and interpolation operation of the output of the solid-state image sensor in the frame memories 32A and 32B for each frame. This is the address used when inputting the element output to the frame memory.

マルチプレクサ39A、39Bは表示のためのフレーム
メモリ35^、35Bが補間回路からのデータの入力動
作と表示動作を1フレーム毎に交互に繰り返すためのア
ドレスの切り換えのためのマルチプレクサである。マル
チプレクサ39A、39Bに入力している表示アドレス
は表示I#1作時に使用するアドレスである。
The multiplexers 39A and 39B are multiplexers for switching addresses so that the frame memories 35^ and 35B for display alternately repeat the input operation of data from the interpolation circuit and the display operation for each frame. The display address input to multiplexers 39A and 39B is the address used when creating display I#1.

尚、図中の矢印のうち、実線はデータの流れを破線はア
ドレスの流れを示しており、補間回路34より出ている
アドレスは、補間動作時にフレームメモリ32^、32
Bおよび35A、35Bをアクセスするためのアドレス
である。
Of the arrows in the figure, the solid lines indicate the flow of data and the broken lines indicate the flow of addresses, and the addresses output from the interpolation circuit 34 are stored in the frame memories 32^, 32 during the interpolation operation.
This is an address for accessing B, 35A, and 35B.

ここでAIロコンバータ31によりデジタル信号に変換
された信号は、更に並列してA/Dコンバータ31に接
続されているフレームメモリ32Aおよび32Bに貯え
られた後に、前記したマルチプレクサ33により交互に
読みだされ、補間回路34等の信号処理器により第4図
に示す固体撮像素子23の各素子23A。
Here, the signals converted into digital signals by the AI converter 31 are further stored in frame memories 32A and 32B connected in parallel to the A/D converter 31, and then read out alternately by the multiplexer 33 described above. Each element 23A of the solid-state image sensor 23 shown in FIG. 4 is processed by a signal processor such as an interpolation circuit 34.

23B、 23C,23D・・・に対応する各画素23
A−1,23B−1,23C−1・・・の信号を出力す
る。
Each pixel 23 corresponding to 23B, 23C, 23D...
A-1, 23B-1, 23C-1, . . . signals are output.

この補間する信号は、例えば描像素子の内の一つの素子
23^に対応する画素を23A−1とし、その画素信号
をAとし、素子23Bに対応する画素を23B−1とし
、その画素信号をBとすると画素23A−1と画素23
B−1と間に於いて横方向の隙間を補間ずるには第(1
1式のようにして演算してαの画素信号を出力する。
The signals to be interpolated are, for example, a pixel corresponding to one of the imaging elements 23^ is 23A-1, its pixel signal is A, a pixel corresponding to the element 23B is 23B-1, and its pixel signal is If B, pixel 23A-1 and pixel 23
To interpolate the horizontal gap between B-1 and
It calculates as shown in equation 1 and outputs a pixel signal of α.

α=(^+B)/2・・・・・・・・・(1)このαの
画素信号に依って画素23A−1と素子23B−1の間
を補間する画素23αが形成される。
α=(^+B)/2 (1) A pixel 23α that interpolates between the pixel 23A-1 and the element 23B-1 is formed based on the pixel signal of α.

また画素23A−1の信号をAとし、画素23C−1の
の信号をCとすると、画素23A−1と画素23G−1
との間に於いて、縦方向の隙間を補間するには第(2)
式のようにしてβの画素信号を出力する。
Further, if the signal of pixel 23A-1 is A, and the signal of pixel 23C-1 is C, then pixel 23A-1 and pixel 23G-1
To interpolate the vertical gap between
A pixel signal of β is output as shown in the equation.

β=(A+C)/2・・・・・・・・・(2)。このβ
の画素信号によって画素23A−1と画素23C−1の
間を補間する画素23βが形成される。
β=(A+C)/2 (2). This β
A pixel 23β that interpolates between the pixel 23A-1 and the pixel 23C-1 is formed by the pixel signal .

また画素23A−1の信号をAとし、画素23B−1の
信号をBとし、画素23C−1の信号をCとし、画素2
3D−4の信号をDとすると、画素23A−1、画素2
3B−19画素23G−1と 画素23D−1で囲まれ
た領域の隙間を補間するには第(3)式のようにしてT
の画素信号を出力する。
Also, the signal of pixel 23A-1 is A, the signal of pixel 23B-1 is B, the signal of pixel 23C-1 is C, and pixel 2
If the signal of 3D-4 is D, pixel 23A-1, pixel 2
To interpolate the gap between the area surrounded by 3B-19 pixel 23G-1 and pixel 23D-1, use T as shown in equation (3).
Outputs pixel signals.

γ=(A+B +C+D)/4・・・・・・・・・(3
)このTの信号によって画素23A−1、23B−1、
23C−1。
γ=(A+B +C+D)/4・・・・・・・・・(3
) This T signal causes pixels 23A-1, 23B-1,
23C-1.

23ト1の間を補間する画素23rが得られる。A pixel 23r that interpolates between 23 and 1 is obtained.

このようにマルチプレクサ33で処理された信号は、後
段のフレームメモリ35A 、 35Bの何れかに−1
蓄えられた後、マルチプレクサ36にて交互に読みださ
れ、この読み出された信号がD/Aコンバータ37で映
像信号に変換された後、CRTのようなモニタ26に画
像となって表示される。
The signal processed by the multiplexer 33 in this way is sent to either the subsequent frame memory 35A or 35B by -1.
After being stored, the signals are read out alternately by a multiplexer 36, and the read signals are converted into video signals by a D/A converter 37, and then displayed as images on a monitor 26 such as a CRT. .

第4図はこのような本発明により信号処理され、固体撮
像素子の各素子により得られた画像の映像パターンの状
態と、撮像素子で検知する視野の撮像パターンの状態を
撮像素子を構成する各素子に対応して示している。
FIG. 4 shows the state of the video pattern of the image obtained by each element of the solid-state image sensor and the state of the imaging pattern of the field of view detected by the image sensor by signal processing according to the present invention, and the state of the image pattern of the image detected by each element of the solid-state image sensor. They are shown corresponding to the elements.

図の曲線41は撮像パターンを示し、曲線42は映像パ
ターンを示している。また図で23A−1、238−1
・・・は固体撮像素子の各素子に対応した画素を示し、
23αは信号処理回路によって得られた補間された画素
である。
A curve 41 in the figure represents an imaging pattern, and a curve 42 represents an image pattern. Also, in the figure 23A-1, 238-1
... indicates a pixel corresponding to each element of the solid-state image sensor,
23α is an interpolated pixel obtained by the signal processing circuit.

図示するように、本発明の方法によれば、映像パターン
42に於いて、ブロック走査を実施することで、従来の
視野43が視野44のように広がっている。更に固体撮
像素子の各素子23A、23B・・・より出力される信
号を、該素子の出力信号の平均化された画素信号α、β
、γ・・・・・・によって補間することで、撮像素子の
非感光部分の間を埋めるようになり、従来のモザイク状
画像パターンから、滑らかに修正され高品質の画像に改
良されている。
As shown in the figure, according to the method of the present invention, a conventional field of view 43 is expanded into a field of view 44 by performing block scanning in an image pattern 42. Furthermore, the signals output from each element 23A, 23B, etc. of the solid-state image sensor are converted into pixel signals α, β, which are the averaged output signals of the elements.
, γ . . . to fill in the gaps between non-light-sensitive parts of the image sensor, and the conventional mosaic image pattern has been improved into a smooth and high-quality image.

以上述べように、本発明の撮像装置によれば、走査鏡に
よるブロック走査によって、固体撮像素子で撮像する範
囲(視野)が広くなり、また信号処理回路による素子間
の隙間を埋める補間処理により画像のパターンを構成す
る画素のピッチが細かくなり、形成される画像が滑らか
になり、高品質の画像が得られる。    − 〔発明の効果〕 以上述べたように、本発明の撮像装置によれば、撮像素
子で撮像する視野が広くなり、また画像が滑らかな高品
質の画像が得られる効果がある。
As described above, according to the imaging device of the present invention, the range (field of view) to be imaged by the solid-state image sensor is widened by block scanning by the scanning mirror, and the image is captured by interpolation processing to fill gaps between elements by the signal processing circuit. The pitch of the pixels that make up the pattern becomes finer, and the formed image becomes smoother, resulting in a higher quality image. - [Effects of the Invention] As described above, according to the imaging device of the present invention, the field of view captured by the imaging element becomes wider, and smooth, high-quality images can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の撮像装置の構成図、 第2図は本発明の撮像装置の信号処理回路の構成を示す
ブロック図、 第3図は本発明の装置の動作の説明図、第4図は本発明
の装置で得られた画像パターンの状態を示す説明図、 第5図は従来の装置を示す模式図、 第6図(a)、および第6図(b)は従来の固体撮像素
子とそれにより得られた画像の説明図、第7図は従来の
装置で得られた画像パターンの状態を示す説明図である
。 図に於いて、 21は走査鏡、22は集光レンズ、23,23八、23
8.23C。 23Dは固体撮像素子、23A−1,23B−1,23
C−1・・・、23α、23β、・・・は画素、24は
増幅器、25は信号処理回路、26はモニタ、31はA
/Dコンバータ、32A、32B。 35A 、 35Bはフレームメモリ、33,36.3
FIA、38B、39A。 39Bはマルチプレクサ、34は補間回路、37はD/
Aコンバータ、41は撮像パターン、42は画像パター
ン、43.44は視野、lはプロ・ツク走査の寸法、A
第1図 H呵−虎2!のイτ号ズ茅理可吋トめ旗へ嘔ネ77’[
]ツ72第2図 第3図 じF#(t+@WvノフjA゛t+y:a、イー@sa
ダー5etsす」′図第4図 aし。En$4nl               l
’、ax13iaソr子4atA&!第6図10)  
   第6図+l)>ル予り【tem(1八吋か呼3茨
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FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of the imaging device of the present invention, FIG. 2 is a block diagram showing the configuration of the signal processing circuit of the imaging device of the present invention, FIG. 3 is an explanatory diagram of the operation of the device of the present invention, and FIG. 4 is an explanatory diagram showing the state of the image pattern obtained with the device of the present invention, FIG. 5 is a schematic diagram showing the conventional device, and FIGS. 6(a) and 6(b) are the conventional solid-state image sensor. FIG. 7 is an explanatory diagram showing the state of an image pattern obtained by a conventional apparatus. In the figure, 21 is a scanning mirror, 22 is a condensing lens, 23, 238, 23
8.23C. 23D is a solid-state image sensor, 23A-1, 23B-1, 23
C-1..., 23α, 23β,... are pixels, 24 is an amplifier, 25 is a signal processing circuit, 26 is a monitor, 31 is A
/D converter, 32A, 32B. 35A, 35B are frame memories, 33, 36.3
FIA, 38B, 39A. 39B is a multiplexer, 34 is an interpolation circuit, 37 is a D/
A converter, 41 is the imaging pattern, 42 is the image pattern, 43.44 is the field of view, l is the dimension of professional scanning, A
Figure 1 H-Tora 2! 77'[
] ツ72Figure 2Figure 3F#(t+@WvnovjA゛t+y:a, E@sa
Figure 4a. En$4nl l
', ax13ia Soroko4atA&! Figure 6 10)
Fig. 6

Claims (1)

【特許請求の範囲】 撮像すべき視野の情報を二次元光センサ(23)へ集光
する集光レンズ(22)と、該視野を水平、或いは垂直
方向に走査し、前記二次元光センサの全素子が見込む視
野分だけブロック走査する走査手段(21)と、 前記二次元光センサ(23)を構成する各素子の1対1
の対応で形成される隣接画素間の信号を平均化すると共
に、該平均化された信号にて隣接する画素間を補間する
ような信号処理手段(25)を設けたことを特徴とする
撮像装置。
[Scope of Claims] A condensing lens (22) that condenses information of a field of view to be imaged onto a two-dimensional optical sensor (23), and a condenser lens (22) that scans the visual field in a horizontal or vertical direction, A scanning means (21) that performs block scanning for the field of view seen by all the elements, and a one-to-one relationship between each element constituting the two-dimensional optical sensor (23).
An imaging device characterized by being provided with a signal processing means (25) that averages signals between adjacent pixels formed by the correspondence and interpolates between adjacent pixels using the averaged signal. .
JP62021217A 1987-01-30 1987-01-30 Image pickup device Pending JPS63187977A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6163618A (en) * 1997-11-21 2000-12-19 Fujitsu Limited Paper discriminating apparatus

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