JPS63181389A - Semiconductor module - Google Patents

Semiconductor module

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JPS63181389A
JPS63181389A JP1224287A JP1224287A JPS63181389A JP S63181389 A JPS63181389 A JP S63181389A JP 1224287 A JP1224287 A JP 1224287A JP 1224287 A JP1224287 A JP 1224287A JP S63181389 A JPS63181389 A JP S63181389A
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Abstract

PURPOSE:To make it possible to realize high isolation under wide-ranging environmental conditions and to contrive to be able to control sufficiently both power consumption and the volume of the title semiconductor module by controlling temperatures of a semiconductor laser and a Faraday rotor in an airtight container. CONSTITUTION:An airtight container 21 provided with a cylindrical part 21a at its front part is blocked its upper part with a cover 22 and its front part with a transparent glass 23 and is held in an airtight state and a temperature control element 24 is arranged in its interior. A semiconductor laser 25, a photo diode 26 for monitor, a sphere-tipped rod lens 27, a permanent magnet 28 and a Faraday rotor 29 are arranged on the element 24 and a polarization isolation element 31 and an optical fiber terminal 33 are respectively arranged in the cylindrical part 21a and on the front end of the cylindrical part 21a. By causing the element 24 to hold the laser 25 and the rotor 29 thereon at a constant temperature in such a way, with the problem of temperature characteristics of the rotor 29 solved, a problem that the oscillation waveform of the laser 25 is changed by temperature can be also solved. Therefore, the wavelength dependence of the rotor 29 can be also indirectly relaxed.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光フアイバ通信用光源である半導体モジュー
ルに関し、特に光アイソレータを内蔵した半導体モジュ
ールに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a semiconductor module that is a light source for optical fiber communication, and more particularly to a semiconductor module incorporating an optical isolator.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、アイソレータを内蔵したこの種の半導体モジニー
ルを第4図に示す。第4図において、前後に孔が穿設さ
れた筐体1の中央部には、先球ロンドレンズ2が固着さ
れている。筐体1の後部側の孔内には、気密容器3内に
収納されている半導体レーザ4、モニタ用フォトダイオ
ード5および窓ガラス6等からなる半導体モジュールが
収納されている。
A conventional semiconductor module of this type with a built-in isolator is shown in FIG. In FIG. 4, a spherical tip lens 2 is fixed to the center of a housing 1 which has holes in the front and rear. A semiconductor module including a semiconductor laser 4, a monitor photodiode 5, a window glass 6, etc. housed in an airtight container 3 is housed in a hole on the rear side of the housing 1.

筐体1の前部側の孔内には、永久磁石7内のファラデー
回転子8および偏光分離素子9等からなる光アイソレー
タが収納されている。筺体1の前端には、光ファイバ1
1を中心に有する光フアイバ端末12が固着されている
。このようにして構成された光アイソレータを有する半
導体モジュールの半導体レーザ4からの光は、半導体レ
ーザ4と光フアイバ端末12間に設けられた光アイソレ
ータにより半導体レーザ4側への反射を防止された状態
でレーザ光を出射している。しかしこの種の光アイソレ
ータを有する半導体モジュールは、筐体1内に温度制御
素子を内蔵していなかった。
An optical isolator consisting of a Faraday rotator 8 within a permanent magnet 7, a polarization separation element 9, etc. is housed in a hole on the front side of the casing 1. An optical fiber 1 is installed at the front end of the housing 1.
An optical fiber terminal 12 having 1 at the center is fixed. The light from the semiconductor laser 4 of the semiconductor module having the optical isolator configured in this manner is prevented from being reflected toward the semiconductor laser 4 by the optical isolator provided between the semiconductor laser 4 and the optical fiber terminal 12. emits laser light. However, a semiconductor module having this type of optical isolator does not have a built-in temperature control element within the housing 1.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

ファラデー回転子は、材料の特性により周囲の温度変化
および使用する光の波長によりファラデー回転角が変化
するので、光通信用光源に要求される広範な温度、波長
範囲において、高いアイソレーションを実現することが
できないという問題があった。
Due to the characteristics of the material, the Faraday rotation angle of the Faraday rotator changes depending on the surrounding temperature and the wavelength of the light used, so it achieves high isolation over the wide temperature and wavelength range required for optical communication light sources. The problem was that I couldn't do it.

超音波帯域で光アイソレータに使用される典型的な材料
であるイツトリウム・鉄・ガーネット(YIG)を例に
とれば、ファラデー回転角は、波長に対して一〇、12
3の〔%・nm−’)の割合で、そして温度に対して−
0,088〔%・’C−’)の割合で変化する。
Taking yttrium-iron-garnet (YIG), a typical material used for optical isolators in the ultrasonic band, as an example, the Faraday rotation angle is 10, 12 with respect to the wavelength.
in the proportion of [%·nm-') of 3 and with respect to temperature-
It changes at a rate of 0,088 [%·'C-').

光通信用光源に求められる範囲は、例えば温度Tで一1
0〜60°C(25±35°C)、波長λで1290〜
1230 (1310±20nm)と温度で変化量ΔT
=35°C1波長で変化量Δλ=±20nmという数字
が一般的である。光アイソレータで使用するファラデー
回転角の中心値が45°であるため、温度変化 ΔT=±35°Cでファラデー回転角θFは、先の係数
を用いると、 ΔθF = −0,088÷100X45X (±35
)ζ上1.4deg だけ変化する。同様にしてΔλ=±20nmの波長変化
でファラデー回転角は、 ΔθF = −0,123X45 X (±20)÷1
00ζ±1.1deg 変化する。光アイソレータのアイソレーションの理論値
は次式で与えられる。
The range required for optical communication light sources is, for example, 11 at temperature T.
0~60°C (25±35°C), 1290~ at wavelength λ
1230 (1310±20nm) and change amount ΔT depending on temperature
= 35° C. For one wavelength, the amount of change Δλ is generally ±20 nm. Since the center value of the Faraday rotation angle used in the optical isolator is 45°, the Faraday rotation angle θF at a temperature change ΔT = ±35°C is calculated as follows: ΔθF = -0,088÷100X45X (± 35
) changes by 1.4 degrees on ζ. Similarly, with a wavelength change of Δλ=±20 nm, the Faraday rotation angle is ΔθF = −0,123X45 X (±20)÷1
Changes by 00ζ±1.1deg. The theoretical value of the isolation of the optical isolator is given by the following equation.

l5olation = −IQ xlog (sin
21ΔθFl)〔d B) よって、ΔT=±35°Cの温度変化およびΔλ=20
nmの波長変化をにより、アイソレーションは無限大か
ら各々32dB、34dBにまで変化する。
l5olation = −IQ xlog (sin
21ΔθFl) [d B) Therefore, ΔT=±35°C temperature change and Δλ=20
By changing the wavelength in nm, the isolation changes from infinity to 32 dB and 34 dB, respectively.

以上述べた内容は、温度変化と波長変化を別個に取り扱
ったが、両方を同時に考慮するとより複雑になる。
Although the above description deals with temperature changes and wavelength changes separately, it becomes more complicated if both are taken into consideration at the same time.

第5図に、波長λ=1310nm、温度T=25°Cで
ファラデー回転角θF=45degとなるYIGを用い
た場合に使用温度・波長範囲(−10〜60°C,12
90〜1330nm)で実現できるアイソレーションの
関係を示す。これにより明らかなように、アイソレータ
の使用範囲で実現できるアイソレーションは、25dB
程度であり、30dB以上のアイソレーションを実現す
ることはできない。
Figure 5 shows the usage temperature and wavelength range (-10 to 60°C, 12
90 to 1330 nm). As is clear from this, the isolation that can be achieved within the usage range of the isolator is 25 dB.
Therefore, it is not possible to achieve isolation of 30 dB or more.

この例ではYIGを用いた場合について述べたが、最近
研究が活発に行われている種々の組成のガーネット膜に
おいてもYIGより温度・波長依存の小さいものは実現
されておらず、実用上問題を残したままとなっている。
In this example, we have described the case of using YIG, but even with garnet films of various compositions, which have been actively researched recently, a film with less temperature/wavelength dependence than YIG has not been realized, and this poses a practical problem. It remains as it is.

本発明は、光アイソレータを有する半導体モジュールに
おいて、ファラデー回転角の波長・温度依存の2つの問
題のうちデータ、温度依存性の問題を解決した半導体モ
ジュールを提供することを目的としている。
An object of the present invention is to provide a semiconductor module having an optical isolator that solves the problem of data and temperature dependence of the two problems of wavelength and temperature dependence of Faraday rotation angle.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明の半導体モジュールは、半導体レーザと、少なく
とも1個のレンズと、ファラデー回転子・永久磁石と、
偏光分離素子とからなるアイソレータ、および温度制御
素子とで構成されている半導体モジュールにおいて、少
なくとも半導体レーザとファラデー回転子を気密容器内
で温度制御素子上に配置して、半導体レーザおよびファ
ラデー回転子を一定の温度に温度制御している。
A semiconductor module of the present invention includes a semiconductor laser, at least one lens, a Faraday rotator/permanent magnet,
In a semiconductor module composed of an isolator consisting of a polarization separation element and a temperature control element, at least the semiconductor laser and the Faraday rotator are arranged on the temperature control element in an airtight container, and the semiconductor laser and the Faraday rotator are arranged on the temperature control element. The temperature is controlled to a constant temperature.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の一実施例を、図面に基づいて説明する。 Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described based on the drawings.

第1図は本発明の一実施例を示す半導体モジュールの縦
断側面図である。前部に筒状部21aを有する気密容器
21は、上部を蓋22により、そして前部を透明なガラ
ス23によりそれぞれ閉塞されることにより気密状態に
されている。気密容器21内には、ペルチェ素子からな
る温度制御素子24が配置されている。
FIG. 1 is a longitudinal sectional side view of a semiconductor module showing an embodiment of the present invention. The airtight container 21, which has a cylindrical portion 21a at the front, is made airtight by closing the upper part with a lid 22 and the front part with a transparent glass 23. Inside the airtight container 21, a temperature control element 24 made of a Peltier element is arranged.

この温度制御素子24上には、半導体レーザ25、モニ
タ用フォトダイオード26、先球ロッドレンズ27と、
永久磁石28およびファラデー回転子29がそれぞれ配
置されている。筒状部21a内には、偏光分離素子31
が、また筒状部21aの前端には、光ファイバ32を有
する光フアイバ端末33がそれぞれ配置されている。こ
こで、ファラデー回転子29としては、ビスマス置換型
ガーネット膜を用いている。
On this temperature control element 24, a semiconductor laser 25, a monitoring photodiode 26, a spherical rod lens 27,
A permanent magnet 28 and a Faraday rotator 29 are respectively arranged. A polarization separation element 31 is provided inside the cylindrical portion 21a.
However, optical fiber terminals 33 each having an optical fiber 32 are arranged at the front end of the cylindrical portion 21a. Here, as the Faraday rotator 29, a bismuth-substituted garnet film is used.

ロッドレンズ27、永久磁石28、ファラデー回転子2
9は、すべてメタライズ後半田で固定されており、従っ
てアウトガスの問題のある接着剤を、気密容器21の内
部で使用する必要はない。
Rod lens 27, permanent magnet 28, Faraday rotator 2
9 are all fixed with metallized solder, so there is no need to use an adhesive that has a problem of outgassing inside the airtight container 21.

第1図の実施例の場合、光アイソレータは、偏光素子の
役割を有する半導体レーザ25と、永久磁石28、ファ
ラデー回転子29と、気密容器21の外部にある偏光分
離素子31(検光子)とから構成されている。偏光分離
素子31としては、本実施例ではルチル偏光板が使用さ
れている。
In the case of the embodiment shown in FIG. 1, the optical isolator includes a semiconductor laser 25 serving as a polarizing element, a permanent magnet 28, a Faraday rotator 29, and a polarization separation element 31 (analyzer) located outside the airtight container 21. It consists of As the polarization separation element 31, a rutile polarizing plate is used in this embodiment.

このように半導体レーザ25とファラデー回転子29を
、温度制御素子24により一定温度に保持することで、
ファラデー回転子29の温度特性問題を解決するととも
に、半導体レーザ25の発振波長が温度により変化する
問題をも解決することが可能となるので、間接的にファ
ラデー回転子29の波長依存性の問題をも緩和する効果
を有している。
By maintaining the semiconductor laser 25 and the Faraday rotator 29 at a constant temperature by the temperature control element 24 in this way,
In addition to solving the temperature characteristic problem of the Faraday rotator 29, it is also possible to solve the problem that the oscillation wavelength of the semiconductor laser 25 changes depending on the temperature, so the problem of the wavelength dependence of the Faraday rotator 29 can be indirectly solved. It also has a relaxing effect.

このような効果は、第4図で説明した温度制御素子を内
蔵しない従来の半導体モジュール全体を、温度制御する
ことでも実現できるが、その場合、熱容lが大きいため
に消費電力が大きくなること、および放熱構造も大きく
する必要があるため現実的なものとはならない。
Such an effect can also be achieved by controlling the temperature of the entire conventional semiconductor module that does not have a built-in temperature control element as explained in Fig. 4, but in that case, the power consumption will increase due to the large heat capacity l. , and the heat dissipation structure also needs to be large, so it is not practical.

第2図は本発明の別の実施例の半導体モジュールを示し
ている。この半導体モジュールと第1図の半導体モジュ
ールとの差異は、本実施例では接着剤により固定されて
製作された永久磁石28と2個の偏光分離素子(偏光子
と検光子)34.35と、ファラデー回転子29よりな
る光アイソレータ全体を、1対のガラス窓36を前後に
有する気密容器37内に封入し、この気密容器37を温
度制御素子24上に配置した点にある。
FIG. 2 shows a semiconductor module according to another embodiment of the invention. The difference between this semiconductor module and the semiconductor module shown in FIG. 1 is that in this embodiment, a permanent magnet 28 and two polarization separation elements (polarizer and analyzer) 34 and 35 are fixed with adhesive. The entire optical isolator consisting of the Faraday rotator 29 is enclosed in an airtight container 37 having a pair of glass windows 36 at the front and rear, and this airtight container 37 is placed above the temperature control element 24.

半導体モジュールをこのように構成することにより、光
アイソレータに使用されている接着剤が、アウトガスに
より半導体レーザ25を損傷することを回避している。
By configuring the semiconductor module in this manner, the adhesive used in the optical isolator is prevented from damaging the semiconductor laser 25 due to outgas.

第3図は本発明のさらに別の実施例の半導体モジュール
を示していている。ガラス23を有する気密容器21内
で、半導体レーザ25、モニタ用フォトダイオード26
、永久磁石28とファラデー回転子29が、温度制御素
子24上により温度制御されている。ロッドレンズ27
は温度制御されておらず、また偏光分離素子31は光フ
アイバ端末33の端部に実装されている。
FIG. 3 shows a semiconductor module according to yet another embodiment of the invention. Inside an airtight container 21 having a glass 23, a semiconductor laser 25 and a monitoring photodiode 26 are installed.
, the permanent magnet 28 and the Faraday rotator 29 are temperature controlled by a temperature control element 24. rod lens 27
is not temperature controlled, and the polarization separation element 31 is mounted at the end of the optical fiber terminal 33.

以上の実施例では、ロッドレンズ27の1個を用いてい
るが、必ずしもこれに限る物ではない。
In the above embodiment, one rod lens 27 is used, but the invention is not necessarily limited to this.

また、ファラデー回転子29、偏光分離素子31、温度
制御素子24は、実施例に使用したちの以外のものであ
ってもよい。また、実施例で示したように、光アイソレ
ータは一体化しているとは限らない。そして、温度制御
素子24の数量も1個に限る物ではなく、複数個使用し
てもよい。
Further, the Faraday rotator 29, the polarization separation element 31, and the temperature control element 24 may be other than those used in the embodiment. Further, as shown in the embodiment, the optical isolator is not necessarily integrated. Further, the number of temperature control elements 24 is not limited to one, and a plurality of temperature control elements 24 may be used.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明によれば、気密容器内で半導
体レーザとファラデー回転子を温度制御することにより
、広範な環境条件のもとで、高いアイソレーションを実
現すること、が可能となり、また消費電力も容積の大き
さも充分抑制できるためこの半導体モジュールの実用的
効果は大きいものである。特に最近注目を集めている分
布型帰還半導体レーデは高いアイソレーションを必要と
するため、この半導体モジュールの実用化における本発
明の効果は非常に大きいものである。
As explained above, according to the present invention, by controlling the temperature of the semiconductor laser and the Faraday rotator in an airtight container, it is possible to achieve high isolation under a wide range of environmental conditions. This semiconductor module has great practical effects because both power consumption and volume can be sufficiently suppressed. In particular, distributed feedback semiconductor radars, which have been attracting attention recently, require high isolation, so the effect of the present invention in putting this semiconductor module into practical use is very large.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の第1の実施例を示す半導体モジュール
の縦断側面図、第2図は本発明の第2の実施例を示す半
導体モジュールの縦断側面図、第3図は本発明の第3の
実施例を示す半導体モジュールの縦断側面図、第4図は
従来の半導体モジュールの一例を示す縦断側面図、第5
図はイツトリウム・鉄・ガーネットにおけるアイソレー
ジョンと使用温度・波長範囲の関係を示す図である。 21・・・・・・気密容器、 24・・・・・・温度制御素子、 25・・・・・・半導体レーザ、 27・・・・・・レンズ、 28・・・・・・永久磁石、 29・・・・・・ファラデー回転子。 出  願  人 日本電気株式会社 代  理  人
FIG. 1 is a longitudinal sectional side view of a semiconductor module showing a first embodiment of the invention, FIG. 2 is a longitudinal sectional side view of a semiconductor module showing a second embodiment of the invention, and FIG. 3 is a longitudinal sectional side view of a semiconductor module showing a second embodiment of the invention. FIG. 4 is a vertical side view of a semiconductor module showing an example of a conventional semiconductor module; FIG.
The figure shows the relationship between isolation, operating temperature, and wavelength range for yttrium, iron, and garnet. 21... Airtight container, 24... Temperature control element, 25... Semiconductor laser, 27... Lens, 28... Permanent magnet, 29...Faraday rotator. Applicant: NEC Corporation Representative

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 半導体レーザと、少なくとも1個のレンズと、ファラデ
ー回転子・永久磁石と、偏光分離素子とからなるアイソ
レータ、および温度制御素子とで構成されている半導体
モジュールにおいて、少なくとも半導体レーザとファラ
デー回転子とを気密容器内で温度制御素子上に配置して
、半導体レーザおよびファラデー回転子を温度制御した
ことを特徴とする半導体モジュール。
A semiconductor module comprising a semiconductor laser, at least one lens, a Faraday rotator/permanent magnet, an isolator comprising a polarization separation element, and a temperature control element, at least the semiconductor laser and the Faraday rotator. A semiconductor module characterized in that a semiconductor laser and a Faraday rotator are temperature-controlled by being placed on a temperature control element in an airtight container.
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