JPS63177315A - Sputter type magnetic disk and its production - Google Patents

Sputter type magnetic disk and its production

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JPS63177315A
JPS63177315A JP857787A JP857787A JPS63177315A JP S63177315 A JPS63177315 A JP S63177315A JP 857787 A JP857787 A JP 857787A JP 857787 A JP857787 A JP 857787A JP S63177315 A JPS63177315 A JP S63177315A
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JP
Japan
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target
thin film
substrate
disk
magnetic
Prior art date
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Pending
Application number
JP857787A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Makoto Ando
誠 安藤
Takao Aitake
相武 隆男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Light Metal Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Light Metal Industries Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Light Metal Industries Ltd filed Critical Sumitomo Light Metal Industries Ltd
Priority to JP857787A priority Critical patent/JPS63177315A/en
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  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Magnetic Record Carriers (AREA)

Abstract

PURPOSE:To fix a writing current value by gradually changing the film thickness of a magnetic thin film medium in the radius direction of a sputter type magnetic disk so that the film thickness of an outer peripheral part is thinner than that of an inner peripheral part. CONSTITUTION:Since a circular substrate 8 on which sputtering atoms are to be accumulated is made to coincide with the center of a target 10 and a permanent magnet 16 and the diameter of the substrate 8 is set up to almost the same or larger as/than that of the target 10, the film thickness of the thin film formed on the substrate 8 can be adjusted to projected distribution thicking the center side of the substrate 8 and thinning the outer periphery side and the film thickness can be gradually changed. Since the magnetic thin film medium is formed so that the film thickness is thinned in the direction to the outer periphery, its writing current value can be fixed at the time of recording a signal by a magnetic disk driving device.

Description

【発明の詳細な説明】 (技術分野) 本発明は、スパッタ型磁気ディスクとその製造方法に係
り、特に磁気ディスクドライブ装置において、信号を記
録するときの書込み電流値又は再生時の出力信号電圧を
一定とすることの出来る、スパッタリング法にて形成さ
れた磁性薄膜媒体を有する磁気ディスクと、それを有利
に製造するための方法に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Technical Field) The present invention relates to a sputter type magnetic disk and a method for manufacturing the same, and in particular, in a magnetic disk drive device, the present invention relates to a sputter type magnetic disk and a method for manufacturing the same. The present invention relates to a magnetic disk having a magnetic thin film medium formed by a sputtering process that can be made constant, and a method for advantageously manufacturing the same.

(従来技術) 近年、情報処理システムにおけるファイルメモリーとし
ての磁気ディスク装置の大容量化の要求が高まり、より
高度な技術に基づく磁気メモリーの開発が活発となって
いる。この磁気記録の大容量化は記録の高密度化の技術
改良により行なわれてきているが、高記録密度を目的と
した磁気ディスクにおける薄膜媒体には円周方向の均一
性が要求されており、また製法上から、かかる薄膜媒体
は、必然的に半径方向にも均一化されているものであっ
た。
(Prior Art) In recent years, there has been an increasing demand for larger capacity magnetic disk drives as file memories in information processing systems, and development of magnetic memories based on more advanced technology has become active. This increased capacity of magnetic recording has been achieved through technical improvements to increase recording density, but thin film media in magnetic disks aimed at high recording density are required to have uniformity in the circumferential direction. Further, due to the manufacturing method, such thin film media are necessarily uniform in the radial direction as well.

一方、磁気ディスク媒体に信号を記録する場合の書込み
電流値は、かかる媒体の記録特性が半径方向で異なるも
のとなるところから、書込み位置により変化させられる
ようになっている。即ち、一定周波数で記録する場合に
おいて、磁気ディスクは定速で回転しているために、第
1図に示される如く、内周側の記録波長:!1は外周側
の記録波長:12に対して、必然的に半径に比例して小
さくなるのである。
On the other hand, the write current value when recording a signal on a magnetic disk medium is changed depending on the write position because the recording characteristics of such a medium differ in the radial direction. That is, when recording at a constant frequency, the magnetic disk rotates at a constant speed, so as shown in FIG. 1, the recording wavelength on the inner circumference side:! 1 is necessarily smaller in proportion to the radius than the recording wavelength of 12 on the outer circumferential side.

ところで、一般に、磁気ディスクの媒体の記録密度は、
記録/再生条件の最も厳しい、換言すれば記録波長が短
い最内周部において膜の構成を決めているのであり、従
ってディスク外周部の電磁変換特性は、ディスクの内周
部より良い特性を示すこととなる。そこで、このような
半径方向に変化する電磁変換特性を有する磁気ディスク
を実用化するために、そのドライブ装置としては、記録
/再生を行なうための磁気ヘッドの位置により、書込み
電流値が変化せしめられる構成が採用されているのであ
り、また、それによって再生時の出力電圧が変化するこ
ととなる。而して、そのような書込み電流値を変化させ
たり、変化する出力電圧を取り出すことは、必然的に、
磁気ディスクドライブ装置自体の構造を複雑にすること
となるのである。
By the way, in general, the recording density of a magnetic disk medium is
The film structure is determined at the innermost periphery where the recording/reproducing conditions are most severe, in other words, the recording wavelength is short, and therefore the electromagnetic conversion characteristics at the outer periphery of the disk are better than those at the inner periphery of the disk. It happens. Therefore, in order to put into practical use magnetic disks with such electromagnetic conversion characteristics that change in the radial direction, the drive device has a method in which the write current value is changed depending on the position of the magnetic head for recording/reproducing. The configuration is adopted, and the output voltage during reproduction changes accordingly. Therefore, changing such a write current value or extracting a changing output voltage inevitably requires
This complicates the structure of the magnetic disk drive device itself.

(解決課題) ここにおいて、本発明は、かかる事情を背景にして為さ
れたものであって、その目的とするところは、信号を記
録するときの書込み電流値を一定にすることが出来、ま
た再生時の出力電圧が一定となるスパッタ型磁気ディス
ク並びにそれを有利に製造する方法を提供することにあ
る。
(Problem to be Solved) The present invention has been made against this background, and its purpose is to make it possible to keep the write current value constant when recording a signal, and to An object of the present invention is to provide a sputter type magnetic disk in which the output voltage during reproduction is constant, and a method for manufacturing the same advantageously.

(解決手段) そして、本発明にあっては、かくの如き目的を達成する
ために、円盤状のディスク上にスパッタリング法にて所
定の磁性薄膜媒体が形成されてなり、且つかかる薄膜が
ディスク基板の半径方向において中心より外周に向うに
従って漸次膜厚が薄くなるように形成されていることを
特徴とするスパッタ型磁気ディスクを、その要旨とする
ものである。
(Solution Means) In order to achieve the above object, in the present invention, a predetermined magnetic thin film medium is formed on a disc-shaped disk by a sputtering method, and the thin film is formed on the disk substrate. The gist of the invention is a sputter-type magnetic disk characterized in that the film thickness is gradually thinned from the center toward the outer periphery in the radial direction of the disk.

また、本発明は、かかるスパッタ型磁気ディスクを製造
するために、マグネトロン・スパッタリング法にて円盤
状のディスク基板上に所定の磁性薄膜媒体を形成するに
際して、該ディスク基板に対して円形ターゲットを同一
軸心上において静止対向せしめると共に、該円形ターゲ
ットの背後においてその中心部に一方の磁極を有し、他
方の磁極をその外周部に配してなる磁石を設け、且つ該
円形ターゲットを、該ディスク基板と略同一若しくはそ
れよりも小さな直径とすることにより、該ディスク基板
の半径方向において中心より外周に向うに従って漸次膜
厚が薄くなる薄膜が形成されるようにしたのである。
Furthermore, in order to manufacture such a sputter type magnetic disk, the present invention provides a method for forming a predetermined magnetic thin film medium on a disk-shaped disk substrate by a magnetron sputtering method, using the same circular target for the disk substrate. A magnet is provided behind the circular target and has one magnetic pole at the center and the other magnetic pole at the outer periphery of the circular target. By making the diameter approximately the same as or smaller than that of the substrate, a thin film is formed whose thickness gradually decreases from the center toward the outer periphery in the radial direction of the disk substrate.

なお、かかる本発明に従うスパッタ型磁気ディスクの製
造手法においては、好適には、前記ディスク基板に対向
する前記円形ターゲットは、その半径方向で分割せしめ
られ、そしてそれぞれの分割ターゲットの背後にそれぞ
れ磁石が配置せしめられて、各分割ターゲット上の磁界
の漏れが調整されることにより、形成される薄膜の半径
方向の膜厚が効果的に制御せしめられることとなる。
In the sputter type magnetic disk manufacturing method according to the present invention, preferably, the circular target facing the disk substrate is divided in the radial direction, and a magnet is provided behind each divided target. By adjusting the leakage of the magnetic field on each divided target, the thickness of the formed thin film in the radial direction can be effectively controlled.

(具体的構成・実施例) 以下、図面に示される実施例に基づいて、本発明の構成
を更に具体的に詳述することとする。
(Specific Configuration/Examples) Hereinafter, the configuration of the present invention will be described in more concrete detail based on the examples shown in the drawings.

先ず、スパッタ整媒体の成膜には、−aに、トレー型(
通過型)のマグネトロン・スパッタリング装置が用いら
れているが、本発明では、そのようなスパッタリング装
置とは異なり、成膜されるべき基板とターゲットとが同
一軸心上に静止対向せしめられる構造の装置が用いられ
るのである。
First, for film formation of sputter conditioning medium, -a, a tray type (
Unlike such a sputtering apparatus, the present invention uses an apparatus in which the substrate to be deposited and the target are statically opposed to each other on the same axis. is used.

即ち、第2図は、本発明に従うスパッタ型磁気ディスク
を製造するのに有効な所謂漏洩磁界型マグネトロン・ス
パッタリング装置の一例を概念的に示すものであって、
そこにおいて、2は、密閉可能なスパッタリング室(真
空槽)である。このスパッタリング室2は、図示しない
真空ポンプに接続され、その内部が1O−3Pa程度以
下の高減圧(高真空)下に保持され得るようになってい
る一方、ガス導入バイブ4を通じて、アルゴン(Ar)
等の不活性ガスが室内に導入され、以てかかる放電ガス
の存在する所定の減圧下、例えば1O−2Pa程度の減
圧下の雰囲気となるように、スパッタリング室2内が調
整せしめられ得るようになっている。
That is, FIG. 2 conceptually shows an example of a so-called leakage field type magnetron sputtering apparatus that is effective for manufacturing a sputter type magnetic disk according to the present invention.
There, 2 is a sealable sputtering chamber (vacuum chamber). This sputtering chamber 2 is connected to a vacuum pump (not shown) so that its interior can be maintained under a high reduced pressure (high vacuum) of about 10-3 Pa or less. )
The inside of the sputtering chamber 2 can be adjusted so that an inert gas such as the like is introduced into the chamber, and the atmosphere is under a predetermined reduced pressure, for example, about 10-2 Pa, in which the discharge gas exists. It has become.

また、かかるスパッタリング室2内には、従来と同様な
構造の陽極6が設けられ、そして、この陽極6上に成膜
されるべき円形の磁気ディスク用基板8が載置される一
方、この円形基板8に、同心的に相対向して且つ所定距
離離れた位置に、スパッタされるべき磁性材料、例えば
フェライト、Co−Ni系合金、Co−Pt系合金等か
らなる陰極としてのターゲットlOがスパッタリング室
2の隔壁の一部を構成するように設けられており、そし
てこのターゲット10と前記円形基板8との間が放電空
間12とされている。また、かかるターゲット10は、
円形基板8と略同−か若しくはそれよりも小さな直径の
ものとし゛て設けられている。
Further, in the sputtering chamber 2, an anode 6 having a structure similar to that of the conventional one is provided, and a circular magnetic disk substrate 8 to be formed into a film is placed on the anode 6. A target lO as a cathode made of a magnetic material to be sputtered, such as ferrite, Co-Ni alloy, Co-Pt alloy, etc., is sputtered at a position concentrically facing the substrate 8 and separated from it by a predetermined distance. It is provided so as to constitute a part of the partition wall of the chamber 2, and a discharge space 12 is provided between the target 10 and the circular substrate 8. Moreover, such a target 10 is
It is provided with a diameter that is approximately the same as or smaller than that of the circular substrate 8.

なお、ここでは、円形基板8とターゲット10との間に
外部の直流電源14が接続されて、所謂直流二極スパッ
タリング方式が実施され得るようになっているが、また
かかる直流型′a14に代えて、公知の如(、高周波電
源を用いて高周波スパッタリング方式が実施され得るよ
うに構成することも可能である。
Note that here, an external DC power source 14 is connected between the circular substrate 8 and the target 10 so that a so-called DC bipolar sputtering method can be carried out. It is also possible to configure the device so that a high-frequency sputtering method can be implemented using a high-frequency power source, as is known in the art.

そして、ターゲット10の背後のスパッタリング室2外
には、所定の永久磁石16が配置せしめられているので
ある。この永久磁石16は、一方の磁極(ここではN極
)を中心に配し、他方の磁極(ここではS極)を周辺に
配してなる同軸円筒型磁石構造を為すものであり、その
中心(N極)は、ターゲット10及び円形基板8と同一
軸心上に位置するように配置せしめられている。
A predetermined permanent magnet 16 is placed outside the sputtering chamber 2 behind the target 10. This permanent magnet 16 has a coaxial cylindrical magnet structure in which one magnetic pole (here, the N pole) is arranged at the center and the other magnetic pole (here, the S pole) is arranged around the periphery. (N pole) is arranged so as to be located on the same axis as the target 10 and the circular substrate 8.

従って、かかる構造の装置において、円形基板8と夕」
ゲット10との間で、常法に従って放電が行なわれると
、漏洩磁界型マグネトロン・スパッタリングの原理にて
、ターゲット10上において永久磁石16のN極とS極
との間の磁力線の作用によって漏洩磁界が形成され、こ
れによって、円形基板8の対向面には、放電によりター
ゲット10から叩き出された原子の堆積が行なわれるこ
ととなるのである。
Therefore, in a device having such a structure, the circular substrate 8 and the
When a discharge occurs between the target 10 and the target 10 according to a conventional method, a leakage magnetic field is generated on the target 10 by the action of the magnetic field lines between the N pole and the S pole of the permanent magnet 16, based on the principle of leakage field type magnetron sputtering. As a result, atoms ejected from the target 10 by the discharge are deposited on the opposing surface of the circular substrate 8.

そして、ここでは、このようにスパッタリング原子の堆
積が行なわれる円形基板8が、ターゲット10及び永久
磁石16の中心に一致せしめられ、且つターゲット10
と略同一若しくはそれよりも大きな直径のもの(換言す
れば、ターゲット10の直径は円形基板8と略同一若し
くはそれよりも小さい)とされているところから、かか
る円形基板8上に成膜される薄膜の膜厚を、第3図に示
されるように、基板中心側が厚く、外周側が薄くなった
凸型の分布に調整することが出来て、その膜厚を基板半
径方向において漸次変化せしめ得るのである。
Here, the circular substrate 8 on which sputtering atoms are deposited in this way is aligned with the center of the target 10 and the permanent magnet 16, and
(In other words, the diameter of the target 10 is approximately the same as or smaller than the circular substrate 8), so that the film is formed on the circular substrate 8. As shown in Fig. 3, the thickness of the thin film can be adjusted to have a convex distribution where it is thicker at the center of the substrate and thinner at the outer periphery, and the thickness can be gradually changed in the radial direction of the substrate. be.

それ故に、このようにして得られたスパッタ型磁気ディ
スクにあっては、円形基板8の表面に、その半径方向に
おいて中心より外周に向うに従って漸次膜厚が薄くなる
ように成膜されてなる所定の磁性薄膜媒体が存在せしめ
られているところから、磁気ディスクドライブ装置にお
いて信号を記録するに際して、その書込み電流値が一定
となるようにすることが可能となったのであり、また再
生時における出力電圧を一定にすることも可能となった
のである。
Therefore, in the sputter type magnetic disk obtained in this way, a predetermined film is formed on the surface of the circular substrate 8 so that the film thickness gradually decreases from the center to the outer circumference in the radial direction. Because of the existence of magnetic thin film media, it has become possible to maintain a constant write current value when recording signals in a magnetic disk drive device, and also to keep the output voltage constant during playback. It has also become possible to keep it constant.

ところで、かくの如き書込み電流値や再生出力信号の大
きさは、使用される磁気ヘッドの種類、浮上量、媒体の
種類等により種々異なるものであるところから、従って
、それらの値を一定に為すための磁気ディスクの内周部
と外周部との間の膜厚差は、適宜に決定されることとな
る。例えば、その−例を挙げるならば、3.5インチφ
の磁気ディスクにおいて、その内周を4” = 28 
+n、外周をr=44flとして、Co−Ni系媒体の
書込み電流値又は再生出力信号を一定にするためには、
内周部(r=28mm)における膜厚を700人とする
と、外周部(r=44mm)における膜厚を400人に
する必要があるのである。なお、一般に、内周部の媒体
膜厚は400〜1000人であり、従って外周部の媒体
膜厚は200〜700人程度とされることとなる。
By the way, the write current value and the magnitude of the reproduction output signal vary depending on the type of magnetic head used, the flying height, the type of medium, etc. Therefore, it is necessary to keep these values constant. The difference in film thickness between the inner circumferential portion and the outer circumferential portion of the magnetic disk is determined as appropriate. For example, to give an example, 3.5 inch φ
In a magnetic disk, its inner circumference is 4" = 28
+n, and the outer periphery is r = 44 fl, and in order to keep the write current value or reproduction output signal of the Co-Ni medium constant,
If the thickness at the inner circumference (r=28 mm) is 700 people, then the thickness at the outer circumference (r=44 mm) needs to be 400 people. Generally, the thickness of the medium at the inner circumference is 400 to 1000 people, and therefore the thickness of the medium at the outer circumference is approximately 200 to 700 people.

また、そのような媒体膜厚は、好ましくは、二次曲線的
に半径方向に変化するものよりも、ディスク半径方向の
媒体の膜厚を、その内周側から外周側に向けて一様に変
化する、換言すれば一定の膜厚変化となるようにするこ
とが望ましい。この膜厚の分布を一様に変化させるには
、一般に、(1)ターゲット、磁石の半径方向での分割
配列(形状制御)、(2)漏れ磁界の調整(磁石の選定
、電磁石の利用)などの手段が採用され、第4図(a)
及び(b)には、その−例が示されている。
Moreover, such a media film thickness is preferably such that the media film thickness in the disk radial direction is uniform from the inner circumference side to the outer circumference side, rather than one that changes in the radial direction in a quadratic curve. It is desirable that the film thickness change, or in other words, be constant. In order to uniformly change this film thickness distribution, generally, (1) dividing the target and magnets in the radial direction (shape control), (2) adjusting the leakage magnetic field (selection of magnets, use of electromagnets) The following methods were adopted, as shown in Figure 4(a).
An example is shown in and (b).

すなわち、第4図(a)及び(b)には、円形基板8の
表面に、その半径方向に膜厚の一様に変化する磁性薄膜
媒体を更に有利に成膜せしめ得る一例が明らかにされて
いるのである。そこにおいて、円形基板8に対向したタ
ーゲットが、その半径方向で二つに分割せしめられ、円
盤状の内側分割ターゲットloaと、これに同心的に位
置する円環状の外側分割ターゲラ)10bとされている
と共に、その背後に配置せしめられる永久磁石も分割せ
しめられて、それぞれの分割ターゲット10a、10b
の背後に、それぞれ、磁石(18a/18b;18cに
て構成される)が位置せしめられた構造とされているの
である。即ち、内側分割ターゲットloaの背後には、
中心部にN極18a、外周部にS極18bからなる永久
磁石が配置せしめられ、また外側分割ターゲラ1−fo
bには、その外周部にN極18cが配置せしめられ、そ
のN極18cと内側分割ターゲット1oaの外周部に設
けたS極18bとの間で、磁石が構成されているのであ
る。
That is, FIGS. 4(a) and 4(b) show an example in which a magnetic thin film medium whose film thickness changes uniformly in the radial direction can be more advantageously formed on the surface of the circular substrate 8. -ing There, the target facing the circular substrate 8 is divided into two in the radial direction, and a disk-shaped inner divided target (loa) and an annular outer divided target (10b) located concentrically therewith are formed. At the same time, the permanent magnets arranged behind the magnets are also divided, and each divided target 10a, 10b is divided.
The structure is such that magnets (consisting of 18a/18b; 18c) are positioned behind each of them. That is, behind the inner split target loa,
A permanent magnet consisting of an N pole 18a at the center and an S pole 18b at the outer periphery is arranged, and an outer divided targeter 1-fo
An N pole 18c is arranged on the outer periphery of the inner divided target 1oa, and a magnet is formed between the N pole 18c and the S pole 18b provided on the outer periphery of the inner divided target 1oa.

従って、このような分割ターゲット10a、10bを用
いた成膜手法にあっては、それぞれの分割ターゲット1
0a、10b上に、それぞれの背後に設けられた磁石に
より、それぞれ、漏洩磁界が形成され、そしてそのよう
なターゲット上の磁界の漏れを調整することにより、円
形基板8上に形成される薄膜の半径方向の膜厚が効果的
に制御されることとなったのである。なお、そのような
薄膜の成膜厚さは、分割ターゲットの寸法や、それら分
割ターゲットの背後に設けられる磁石の配置等によって
、適宜に調整されるものであることは、言うまでもない
ところである。
Therefore, in a film forming method using such divided targets 10a and 10b, each divided target 1
A leakage magnetic field is formed on 0a and 10b by the magnets provided behind each of them, and by adjusting the leakage of the magnetic field on the target, the thin film formed on the circular substrate 8 is The film thickness in the radial direction can now be effectively controlled. It goes without saying that the thickness of such a thin film can be appropriately adjusted depending on the dimensions of the divided targets, the arrangement of magnets provided behind the divided targets, and the like.

以上、図面に示される本発明の代表的な−、二の例につ
いて説明を加えてきたが、本発明は、かかる例示の構造
並びにそれに付随した具体的な説明によって、同等限定
的に解釈されるものでは決してなく、本発明の趣旨を逸
脱しない限りにおいて、本発明には、当業者の知識に基
づいて種々なる変更、修正、改良等が加えられ得るもの
であって、本発明がそのような実施形態の何れのものを
も含むものであることは、言うまでないところである。
Although explanations have been added above regarding two typical examples of the present invention shown in the drawings, the present invention is to be construed in an equally limited manner by the structure of such examples and the specific explanation accompanying them. This invention is not intended to be in any way intended to be limited to this invention, and various changes, modifications, improvements, etc. may be made to this invention based on the knowledge of those skilled in the art, without departing from the spirit of the invention. It goes without saying that this includes any of the embodiments.

例えば、例示の具体例にあっては、何れも磁石手段とし
て永久磁石が用いられているが、これに代えて電磁石も
有利に用いられ得ることは、言うまでもないところであ
る。
For example, in the specific examples illustrated, permanent magnets are used as the magnet means, but it goes without saying that electromagnets can also be advantageously used instead.

また、陽極6やその上に載置される円形基板8の過熱を
抑制するために、更には必要に応じてターゲット10の
過熱を抑制するために、それぞれ適当な冷却手段が公知
のスパッタリング装置と同様に設けられ得るものであり
、更には、強いスパッタリング領域による円形基板8の
半径方向におけるスパッタリング原子の堆積量を制御す
るために、そのようなスパッタリング原子の円形基板8
に対する飛来量を制限するマスク等を、それら円形基板
8とターゲット10との間に配置せしめることも可能で
ある。
Further, in order to suppress overheating of the anode 6 and the circular substrate 8 placed thereon, and furthermore, to suppress overheating of the target 10 as necessary, appropriate cooling means are provided using known sputtering equipment and the like. A circular substrate 8 of such sputtered atoms may be provided as well, and furthermore, in order to control the amount of deposition of sputtered atoms in the radial direction of the circular substrate 8 due to the intense sputtering area.
It is also possible to place a mask or the like between the circular substrate 8 and the target 10 to limit the amount of flying objects.

(発明の効果) 以上の説明から明らかなように、本発明は、スバッタ型
磁気ディスクにおいて、その半径方向の磁性薄膜媒体の
膜厚を漸次変化せしめ、内周部(中心側)に比較して外
周部の膜厚を薄くするようにしたものであって、これに
より、磁気ディスクドライブ装置において信号を記録す
るに際しての書込み電流値を有利に一定と為すことが可
能となったのであり、また再生時における出力電圧も効
果的に一定と為し得たのであり、更にそのようなスパッ
タ型磁気ディスクを、ディスク基板とターゲットとが静
止対向する方式のマグネトロン・スパッタリング手法に
て、有利に製造せしめ得るようにしたものであって、そ
こに、本発明の大きな工業的意義が存するのである。
(Effects of the Invention) As is clear from the above description, the present invention gradually changes the film thickness of the magnetic thin film medium in the radial direction in a spatter-type magnetic disk, and The film thickness on the outer periphery is made thinner, which makes it possible to advantageously keep the write current value constant when recording signals in a magnetic disk drive device, and also makes it possible to keep the write current value constant when recording signals in a magnetic disk drive device. In addition, such a sputter type magnetic disk can be advantageously manufactured using a magnetron sputtering method in which the disk substrate and the target are statically opposed to each other. This is where the present invention has great industrial significance.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、磁気ディスクにおける内周部と外周部との記
録波長の差異を説明するためのディスク平面図であり、
第2図は、本発明において有利に用いられるスパッタ装
置の一例を示す概念図であり、第3図は、本発明に従う
スバ・ツタ型磁気ディスクの一例における磁性薄膜媒体
の膜厚分布を示すグラフであり、第4図(a)及び(b
)は、それぞれ、本発明の実施に好適に採用される、円
形基板とターゲットと磁石との配置形態を示す半裁縦断
面説明図及び半裁平面説明図である。 2ニスバツタリング室 4:ガス導入パイプ 6:陽極       8:円形基板 10:ターゲット 10a:内側分割ターゲット 10b:外側分割ターゲ・ノド 12:放電空間    14:直流電源16:永久磁石
    18a:N極 18b:S極     18c:N極 第2図 ターケ゛ワト中にオ゛輸計1涯
FIG. 1 is a disk plan view for explaining the difference in recording wavelength between the inner circumference and the outer circumference of a magnetic disk.
FIG. 2 is a conceptual diagram showing an example of a sputtering apparatus advantageously used in the present invention, and FIG. 3 is a graph showing the film thickness distribution of the magnetic thin film medium in an example of the sputtering type magnetic disk according to the present invention. 4(a) and (b)
) are a half-cut vertical cross-sectional explanatory view and a half-cut plan explanatory view, respectively, showing the arrangement form of a circular substrate, a target, and a magnet, which are suitably adopted for carrying out the present invention. 2 Varnish buttering chamber 4: Gas introduction pipe 6: Anode 8: Circular substrate 10: Target 10a: Inner divided target 10b: Outer divided target/nod 12: Discharge space 14: DC power supply 16: Permanent magnet 18a: N pole 18b: S pole 18c: 1 day of power in the north pole map 2 target

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)円盤状のディスク基板上にスパッタリング法にて
所定の磁性薄膜媒体が形成されてなり、且つかかる薄膜
が、ディスク基板の半径方向において中心より外周に向
うに従って漸次膜厚が薄くなるように形成されているこ
とを特徴とするスパッタ型磁気ディスク。
(1) A predetermined magnetic thin film medium is formed on a disk-shaped disk substrate by a sputtering method, and the thickness of the thin film gradually becomes thinner from the center toward the outer periphery in the radial direction of the disk substrate. A sputter type magnetic disk characterized in that:
(2)マグネトロン・スパッタリング法にて円盤状のデ
ィスク基板上に所定の磁性薄膜媒体を形成するに際して
、該ディスク基板に対して円形ターゲットを同一軸心上
において静止対向せしめると共に、該円形ターゲットの
背後においてその中心部に一方の磁極を有し、他方の磁
極をその外周部に配してなる磁石を設け、且つ該円形タ
ーゲットを、該ディスク基板と略同一若しくはそれより
も小さな直径とすることにより、該ディスク基板の半径
方向において中心より外周に向うに従って漸次膜厚が薄
くなる薄膜が形成されるようにしたことを特徴とするス
パッタ型磁気ディスクの製造方法。
(2) When forming a predetermined magnetic thin film medium on a disk-shaped disk substrate by magnetron sputtering method, a circular target is made to stand still and face the disk substrate on the same axis, and behind the circular target. By providing a magnet having one magnetic pole at its center and the other magnetic pole at its outer periphery, and making the circular target have a diameter that is approximately the same as or smaller than that of the disk substrate. A method of manufacturing a sputter type magnetic disk, characterized in that a thin film is formed whose thickness gradually decreases from the center toward the outer periphery in the radial direction of the disk substrate.
(3)前記ディスク基板に対向する前記円形ターゲット
をその半径方向で分割せしめ、そしてそれぞれの分割タ
ーゲットの背後にそれぞれ磁石を配置せしめて、各分割
ターゲットの磁界の漏れを調整することにより、形成さ
れる薄膜の半径方向の膜厚を制御するようにしたことを
特徴とする特許請求の範囲第2項記載の製造方法。
(3) The circular target facing the disk substrate is divided in the radial direction, and a magnet is placed behind each divided target to adjust the leakage of the magnetic field of each divided target. 3. The manufacturing method according to claim 2, wherein the thickness of the thin film in the radial direction is controlled.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0325718A (en) * 1989-06-23 1991-02-04 Fujitsu Ltd Magnetic recording medium and production thereof

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH0325718A (en) * 1989-06-23 1991-02-04 Fujitsu Ltd Magnetic recording medium and production thereof

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