JPS63166784A - Manufacture of aluminum nitride sintered body metallized with tungsten - Google Patents
Manufacture of aluminum nitride sintered body metallized with tungstenInfo
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- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 title claims description 63
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 51
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 title claims description 28
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 title claims description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 18
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 17
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 17
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 7
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 6
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 4
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 4
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000005118 spray pyrolysis Methods 0.000 description 3
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 101100342994 Arabidopsis thaliana IIL1 gene Proteins 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical group [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005084 Strontium aluminate Substances 0.000 description 1
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical group [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QKYBEKAEVQPNIN-UHFFFAOYSA-N barium(2+);oxido(oxo)alumane Chemical compound [Ba+2].[O-][Al]=O.[O-][Al]=O QKYBEKAEVQPNIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- XFWJKVMFIVXPKK-UHFFFAOYSA-N calcium;oxido(oxo)alumane Chemical compound [Ca+2].[O-][Al]=O.[O-][Al]=O XFWJKVMFIVXPKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 150000004677 hydrates Chemical class 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000010534 mechanism of action Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical group [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、超微粒状のタングステンにより表面をメタラ
イズ（金属化）した窒化アルミニウム焼結体の製造方法
に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Field of Application] The present invention relates to a method for manufacturing an aluminum nitride sintered body whose surface is metallized with ultrafine tungsten particles.
高熱伝導性を有し、且つ電気絶縁性である窒化アルミニ
ウム焼結体は、電子デバイスの基板材料として非常に優
れているため、さらに骸窒化アルミニウム焼結体の表面
を種々の金属によりメタライズすることが回路基板など
に使用するために非常に重畳である。しかしながら、窒
化アルミニウム焼結体は、タングステン、モリブデン、
レニウム、クロムなどの高融点を有する金属に対して全
く固溶しないため、その表面にメタライズすることが困
難であった。例えば、市販のタングステン粉末と窒化ア
ルミニウムの焼結助剤であるアルミン酸塩との混合物を
有機溶媒中に分散させたペーストを窒化アルミニウム焼
結体上に印刷し、これを氷素雰囲気下で焼成しても、タ
ングステンは窒化アルミニウム焼結体の表面に密着せず
、簡単に剥がれてしまう。従って、窒化アルミニウム焼
結体上にタングステンを直接メタライズした窒化アルミ
ニウム基板は得られていない。Aluminum nitride sintered bodies, which have high thermal conductivity and electrical insulation properties, are excellent as substrate materials for electronic devices, so the surface of aluminum nitride sintered bodies can be further metallized with various metals. It is very superimposed for use in circuit boards etc. However, aluminum nitride sintered bodies are made of tungsten, molybdenum,
Since it does not form a solid solution at all in metals with high melting points such as rhenium and chromium, it has been difficult to metalize the surfaces thereof. For example, a paste made by dispersing a mixture of commercially available tungsten powder and aluminate, which is a sintering aid for aluminum nitride, in an organic solvent is printed on an aluminum nitride sintered body, and this is fired in an ice atmosphere. However, the tungsten does not adhere to the surface of the aluminum nitride sintered body and easily peels off. Therefore, an aluminum nitride substrate in which tungsten is directly metallized on an aluminum nitride sintered body has not been obtained.
本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、特定した超微粒
状のタングステン粉末を用いることにより、上記問題が
解決出来ることを見い出し、本発明を提案するに至った
。即ち、本発明によれば、窒化アルミニウム焼結体の表
面を平均粒径が１０００オングストローム以下のタング
ステン粉末を用いてメタライズすることを特徴とするタ
ングステンによりメタライズされた窒化アルミニウム焼
結体の製造方法が提供される。As a result of extensive research, the present inventors have discovered that the above-mentioned problem can be solved by using a specified ultrafine tungsten powder, and have come to propose the present invention. That is, according to the present invention, there is provided a method for producing an aluminum nitride sintered body metallized with tungsten, which comprises metalizing the surface of the aluminum nitride sintered body using tungsten powder having an average particle size of 1000 angstroms or less. provided.
本発明に用いられる窒化アルミニウム焼結体は、例えば
原料となる窒化アルミニウムに焼結促進剤を添加して焼
結する方法や窒化アルミニウム粉末をそのままホットプ
レス機などにより加圧焼結する方法等によって得られる
公知のものが特に制限されず、その形状も用途などに応
じて適宜決定される。The aluminum nitride sintered body used in the present invention can be produced, for example, by adding a sintering accelerator to aluminum nitride as a raw material and sintering it, or by pressurizing and sintering aluminum nitride powder directly using a hot press machine, etc. There are no particular limitations on the publicly known ones that can be obtained, and the shape can be determined as appropriate depending on the intended use.
本発明におけるタングステンのメタライズ方法は、一般
に窒化アルミニウム焼結体の表面にタングステンを付着
して溶融する態様が特に制限なく採用される。その代表
的な方法としては、タングステン粉末を窒化アルミニウ
ムの溶融化剤と共に溶融中に分散したペースト状物を窒
化アルミニウム焼結体の表面に塗布した後、水素ガスな
どを含む還元性雰囲気下に焼成して、該タングステンな
メタライズする方法が推奨される。In the method of metallizing tungsten in the present invention, a mode in which tungsten is deposited on the surface of an aluminum nitride sintered body and then melted is generally adopted without particular limitation. A typical method is to coat the surface of an aluminum nitride sintered body with a paste in which tungsten powder is dispersed during melting together with an aluminum nitride melting agent, and then sintered in a reducing atmosphere containing hydrogen gas, etc. Therefore, a method of metallizing the tungsten is recommended.
しかして、本発明の方法においては、上記１した如き窒
化アルミニウム焼結体にタングステンを良好にメタライ
ズさせるために、平均粒ａｉ；１ｏｏｏオングストロー
ム（＾）以下、好ましくは１００〜１００ＯＡのタング
ステン粉末を用いることが極めて重要である。即ち、本
発明の平均粒径が１０００λ以下であるタングステン粉
末は、例えば平均粒径が０．１ミクｐン（μ雪）以上で
ある市販のタングステン粉末と比べて、焼成時において
窒化アルミニウム焼結体との接着性が極めて良好である
。Therefore, in the method of the present invention, in order to satisfactorily metalize tungsten into the aluminum nitride sintered body as described in 1 above, tungsten powder with an average grain ai of 100 angstroms (^) or less, preferably 100 to 100 OA is used. This is extremely important. That is, the tungsten powder of the present invention having an average particle size of 1000λ or less has a higher tendency to sinter aluminum nitride during firing than commercially available tungsten powder having an average particle size of 0.1 μm or more. Extremely good adhesion to the body.
これは平均粒径１０００λ以下の微粉末が非常に活性で
且つ特に保温における焼結性に優れた特性を有するため
、次のような作用機構により窒化アルミニウムとのメタ
ライズにおいて接着性の向上が図られるものと推測して
いる。本発明において、平均粒径が１０００大以上であ
るタングステン粉末を窒化アルミニウム溶融化剤と共に
調製したペーストを付着した窒化アルミニウム焼結体を
水素ガスを含む還元性雰囲気下で昇温した場合には、一
般に１０００℃以上の湿度において先ず窒化アルミニウ
ム焼結体の表面が窒化アルミニウムの溶融化剤と反応し
、該窒化アルミニウムの溶融化剤が窒化アルミニウム焼
結体の表面に固溶などの現象により侵入し、該焼結体の
表面がｉ−Ｎ−Ｍ（但し、Ｍは窒化アルミニラム溶融化
剤中の元素を意味するもので、元素の数は１以上である
）から成る複雑な別の組成相を形成する。次いで、この
ような複雑な形状となった窒化アルミニウム焼結体の表
面において、平均粒径が１ｏｏｏＡ以下の超微粒タング
ステン粉末は、該焼結体の表面におけるＡＩ−Ｎ−Ｍ相
の隙間に入り込み焼結される。従って、窒化アルミニウ
ム焼結体の表面においては、ＡＩ−Ｎ−Ｍ相とタングス
テン相とが複雑に絡み合った状態となり、強固な接着性
が発揮される。これに対して、平均粒径が０．１μｍ以
上であるタングステン粉末を用いた場合、焼成により窒
化アルミニウム焼結体の表面には上記と同様にＡノーＮ
−Ｍの複雑な組成相が形成されるが、タングステン相は
該ｉ−Ｎ−Ｍ組成相の隙間で絡み合うことなく上部に留
まり、接着性の向上が図かられない。This is because the fine powder with an average particle size of 1000λ or less is very active and has excellent sintering properties especially during heat retention, so the following mechanism of action improves the adhesion in metallization with aluminum nitride. I'm guessing it is. In the present invention, when an aluminum nitride sintered body to which a paste of tungsten powder having an average particle size of 1000 or more and an aluminum nitride melting agent is attached is heated in a reducing atmosphere containing hydrogen gas, Generally, at a humidity of 1000°C or higher, the surface of the aluminum nitride sintered body first reacts with the aluminum nitride melting agent, and the aluminum nitride melting agent invades the surface of the aluminum nitride sintered body through phenomena such as solid solution. , the surface of the sintered body has another complex compositional phase consisting of i-N-M (where M means an element in the aluminum nitride aluminum melting agent, and the number of elements is 1 or more). Form. Next, on the surface of the aluminum nitride sintered body that has such a complicated shape, the ultrafine tungsten powder with an average particle size of 1oooA or less enters the gaps between the AI-N-M phases on the surface of the sintered body. Sintered. Therefore, on the surface of the aluminum nitride sintered body, the AI-N-M phase and the tungsten phase are intricately intertwined, and strong adhesion is exhibited. On the other hand, when tungsten powder with an average particle size of 0.1 μm or more is used, the surface of the aluminum nitride sintered body is deposited on the surface of the aluminum nitride sintered body by firing.
Although a complex compositional phase of -M is formed, the tungsten phase does not become entangled in the gaps between the i-N-M compositional phases and remains above them, making it impossible to improve adhesion.
本発明に用いるタングステン微粉末は、その全てが平均
粒径ｘｏｏｏｉ以下である必要はなく、例えば市販のタ
ングステン粉末に平均１０００λ以下であるタングステ
ン微粉末の少量を添加、混合して用い、上記したと同様
の作用効果が発揮される。したがって、本発明の調製ペ
ースト中におけるタングステン粉末の量に対して、平均
粒径ｘｏｏｏＡ以下のタングステン微粉末を少なくとも
０．１貴重襲以上、好ましくは１重量％以上に配合すれ
はよい。このような平均粒径が１０００λ以下のタング
ステン粉末は、特に制限されず、例えば噴霧熱分解法、
ガス中蒸発法、活性水素−溶融法などによって得られた
粉末が用いられる。The tungsten fine powder used in the present invention does not necessarily have to have an average particle size of xoooi or less; for example, a small amount of tungsten fine powder with an average particle size of 1000λ or less may be added to and mixed with commercially available tungsten powder. Similar effects are achieved. Therefore, the amount of fine tungsten powder having an average particle size of xoooA or less should be blended in an amount of at least 0.1% by weight, preferably 1% by weight or more, based on the amount of tungsten powder in the paste prepared in the present invention. Such tungsten powder having an average particle size of 1000λ or less is not particularly limited, and can be used, for example, by spray pyrolysis,
Powders obtained by evaporation in gas method, active hydrogen melting method, etc. are used.
本発明に用いられる窒化アルミニウムの溶融化剤は、タ
ングステン粉末なメタライスする際に窒化アルミニウム
焼結体と反応して、その表面に前記したＡノーＮ−Ｍの
ような複雑な形状の組成相を形成させるものであればよ
い。このような窒化アルミニウム溶融化剤としては、例
えば窒化アルＺ ニウムの焼結助剤である一般式、ｍＭ
ＯＡノ、０３−ｎＨ，Ｏ（但し、Ｍはカルシウム原子、
バリウム原子、又はストロンチウム原子であり、ｍは１
以上の数であり、ｎは０以上の数である）で示されるア
ルミン酸塩などがある。その中で特に好適に用いられる
窒化アルミニウム溶融化剤を具体的に例示すると、Ｃ＆
０・Ａｌ２Ｏ５，５ＣａＯ・３Ａｊ！２０ａ等のアルミ
ン酸カルシウム又はこれらの水和物、３ＢａＯ・Ａｌ２
Ｏ３等のアルミン酸バリウム又はその水和物、ａｓｒｏ
・Ａノｇｏｓ等のアルミン酸ストロンチウム又はその水
和物が挙げられる。これらの溶融化剤の粒径は特に制限
されないが、小さい方が好ましい。The aluminum nitride melting agent used in the present invention reacts with the aluminum nitride sintered body when metallizing the tungsten powder, forming a complex-shaped composition phase such as the above-mentioned A-N-M on the surface of the aluminum nitride sintered body. Any material that can be formed may be used. As such an aluminum nitride melting agent, for example, the general formula, mM, which is a sintering aid for aluminum nitride,
OA, 03-nH, O (where M is a calcium atom,
Barium atom or strontium atom, m is 1
or more, and n is a number of 0 or more). Specific examples of aluminum nitride melting agents that are particularly suitable for use include C&
0.Al2O5,5CaO.3Aj! Calcium aluminate such as 20a or hydrate thereof, 3BaO・Al2
Barium aluminate or its hydrate such as O3, asro
- Strontium aluminate such as Anogos or its hydrates can be mentioned. The particle size of these melting agents is not particularly limited, but smaller ones are preferable.
本発明に用いるペーストは、上記したタングステン粉末
と窒化アルミニウム溶融化剤とを適当な有機溶媒に添加
して、例えば回転式ボールミルなどの攪拌器中で混合し
、均一に分散することにより調製される。ペースシに添
加するタングステン粉末の割合は、メタライズするタン
グステンの所望する厚さ、有機溶媒の種類などに窒化ア
ルミニウム焼結体に対する塗布性を考慮して、より適宜
選定される。また、窒化アルミニウム溶融化剤の割合に
ついても、使用する溶融化剤の種類、形状などにより異
なり適宜選定されるが、一般には配合するタングステン
粉末に対して２〜２０重量優貴重る。さらに、上記の有
機溶媒としては特に限定されないが、調製したペースト
に良好な塗布性を付与するために５ｏｏｏ。The paste used in the present invention is prepared by adding the above-mentioned tungsten powder and aluminum nitride melting agent to a suitable organic solvent, mixing the mixture in a stirrer such as a rotary ball mill, and uniformly dispersing the mixture. . The proportion of tungsten powder added to the paste is selected as appropriate, taking into consideration the desired thickness of tungsten to be metalized, the type of organic solvent, and the applicability to the aluminum nitride sintered body. Further, the proportion of the aluminum nitride melting agent varies depending on the type and shape of the melting agent used, and is appropriately selected, but is generally 2 to 20% more by weight than the tungsten powder to be blended. Further, the above organic solvent is not particularly limited, but may be 5ooo in order to impart good coating properties to the prepared paste.
ＣＰＳ 以上の粘度となるように用いることが好ましい
。かかる有機溶媒としては、例えばエチルセルロース−
テルピネオールａ合物。It is preferable to use it so that the viscosity is equal to or higher than CPS. Such organic solvents include, for example, ethyl cellulose-
Terpineol a compound.
エチルセルロース−ブチルカルピトールアセテートの混
合物などが好適に用いられる。A mixture of ethyl cellulose and butyl carpitol acetate is preferably used.
上記のペーストを窒化アルミニウム焼結体上に塗布する
方法も特に制限されるものでなく、該窒化アルミニウム
焼結体上に所望の厚さに均一に付着させることのできる
方法であればよく、スクリーン印刷法が好適に用いられ
る。塗布後は、一般に大気下、１００〜３００℃で５〜
６０分熱処理することにより、溶剤を蒸発させた後、焼
成に供する。次いで、焼成は水素ガスなどを含む還元性
雰囲気下、−散には水素又は水素と不活性ガスとの混合
ガス、例えばＮ２−Ｎ２＋ Ａｒ−Ｈａｓ Ｈｅ−Ｎ２
等の雰囲気下で行なう。この際、水素の量は酸化を防止
するために必要な化学量論的な量以上であればよいが、
水素量が多い程好ましい。The method for applying the above paste onto the aluminum nitride sintered body is not particularly limited, and any method may be used as long as it can be applied uniformly to the desired thickness on the aluminum nitride sintered body. A printing method is preferably used. After coating, it is generally heated at 100 to 300℃ in the atmosphere for 5 to 30 minutes.
After the solvent is evaporated by heat treatment for 60 minutes, it is subjected to firing. Next, the calcination is carried out under a reducing atmosphere containing hydrogen gas, etc., and the calcination is performed using hydrogen or a mixed gas of hydrogen and an inert gas, such as N2-N2+ Ar-Has He-N2.
It is carried out under such an atmosphere. At this time, the amount of hydrogen may be at least the stoichiometric amount necessary to prevent oxidation.
The higher the amount of hydrogen, the better.
焼成湯度は一般に１０００〜２４００℃、好ましくは１
４００〜１８００℃で、焼成時間は数十分〜数時間で行
うことが好適である。The firing temperature is generally 1000 to 2400°C, preferably 1
It is preferable to perform the firing at a temperature of 400 to 1,800°C for a period of several tens of minutes to several hours.
また、焼成手段としては、例えば電気炉など公知の加熱
装置が特に制限なく用いられる。Further, as the firing means, a known heating device such as an electric furnace can be used without particular restriction.
以上の説明より理解されるように、本発明によれば従来
不可能であった窒化アルミニウム焼結体表面へのタング
ステンのメタライスを可能にすることが出来る。また、
得られる窒化アルミニウム焼結体上のタングステン（相
）の厚みは１μｍ以上であり、タンゲステンと窒化アル
ミニウム焼結体の接着強度は３に５１Ｆ／ｍ”以上、ま
たメタライズ部分のシート抵抗が１０ ｏ ｖＱ１口以
下、特に５０絵１０以下であるため、電子デバイス用の
基板材料等として好適に用いることができる。As understood from the above explanation, according to the present invention, it is possible to metalize tungsten on the surface of an aluminum nitride sintered body, which was previously impossible. Also,
The thickness of the tungsten (phase) on the obtained aluminum nitride sintered body is 1 μm or more, the adhesive strength between the tungsten and the aluminum nitride sintered body is 3 to 51 F/m” or more, and the sheet resistance of the metallized part is 10 o vQ1 Since the size is less than 50, especially less than 10, it can be suitably used as a substrate material for electronic devices.
以下、実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこ
れらの実施例に特に限定されるものではない。The present invention will be described below with reference to Examples, but the present invention is not particularly limited to these Examples.
実施例 １
噴霧熱分解より製造した平均粒＃に４００λのタングス
テン粉末２０ｇｒ および窒化アルミニウムの溶融化剤
として市販の３Ｃａ０３−Ａｊ ２０３ ２．２ ｇｒ
を、エチルセルロースＩｇｒとテルピネオール１０−よ
り成るビヒクル中に分散させた。分散は、回転式ボール
ミルによりｇｈｒ 行なった。得られたタングステンＣ
ａ０−ＡＪ２０Ｂおよびビヒクルより成るペーストを、
１インチ×１インチＸ１ｍの窒化アルミニウム焼結体の
表面に厚さ０．５諺にスクリーン印刷した。印刷後、印
刷した窒化アルミニウム焼結体を空気中１５０℃で１５
分間加熱し、溶剤を蒸発させた。次に、との熱処理を終
えた窒化アルミニウム焼結体を、Ｈ２中で１６００℃の
協度で１時間加熱し、窒化アルミニウム焼結体の表面を
メタライズした。Example 1 20 gr of tungsten powder with an average particle #400λ produced by spray pyrolysis and 2.2 gr of 3Ca03-Aj 203, commercially available as a melting agent for aluminum nitride.
was dispersed in a vehicle consisting of ethylcellulose Igr and terpineol 10-. Dispersion was carried out using a rotary ball mill. Obtained tungsten C
A paste consisting of a0-AJ20B and vehicle,
Screen printing was performed to a thickness of 0.5 mm on the surface of a 1 inch x 1 inch x 1 m aluminum nitride sintered body. After printing, the printed aluminum nitride sintered body was heated in air at 150°C for 15 minutes.
Heated for a minute to evaporate the solvent. Next, the aluminum nitride sintered body that had been heat-treated was heated in H2 at 1600° C. for 1 hour to metallize the surface of the aluminum nitride sintered body.
得られたタングステンによりメタライス窒化アルミニウ
ム焼結体のシート抵抗は３０１１ＯＺ口、接着強度は３
．ｓｋｇ・Ｆ ／ ｘｉ 、 タングステン（相）の厚
さは５μｍであった。また、メタライズ化した窒化アル
ミニウム焼結体の電子顕微鏡による断面写真を第１図に
示した。Due to the obtained tungsten, the sheet resistance of the metallized aluminum nitride sintered body is 3011 OZ, and the adhesive strength is 3.
．． skg·F/xi, the thickness of the tungsten (phase) was 5 μm. Further, a cross-sectional photograph of the metallized aluminum nitride sintered body taken by an electron microscope is shown in FIG.
実施例 ２
噴霧熱分解法より製造した平均粒径５００大のタングス
テン粉末２ ｇｒｓ市販の平均粒−１１４０００λのタ
ングステン粉末１８ｇｒｌび５ ＣａＯ３・３ Ａｌ
２０Ｂ ２．Ｏｇｒを、エチルセルレースｌ ｇｒ
テルピネオール１０ｍよりなるビヒクル中に分散させて
ペーストを調製した。Example 2 Tungsten powder with an average particle diameter of 500 large manufactured by spray pyrolysis method 2 grs Commercially available tungsten powder with an average particle size of -114000 λ 18 grl and 5 CaO3.3 Al
20B 2. Ogr, ethyl cellulose l gr
A paste was prepared by dispersing it in a vehicle consisting of 10 m terpineol.
このペースＹを用いて、実施例１と同様な方法で窒化ア
ルミニウム焼結体の表面にメタライスを行なった結果、
メタライス化したタングステンのシート抵抗は２５ ｗ
ａ／口、接着強度は３．０ｋＩＩ−Ｆ／ＩＩＬ１．タン
グステン相の厚さは１０μｍであった。メタライズ化し
た窒化アルミニウム焼結体の電子顕微鏡による断面写真
を第２図に示した。Using this Pace Y, metal lining was performed on the surface of the aluminum nitride sintered body in the same manner as in Example 1. As a result,
The sheet resistance of metallized tungsten is 25 W.
a/mouth, adhesive strength is 3.0kII-F/IIL1. The thickness of the tungsten phase was 10 μm. A cross-sectional photograph of the metallized aluminum nitride sintered body taken by an electron microscope is shown in FIG.
比較例
平均粒径４０００λのタングステン粉末２０ｇｒ と３
Ｃ＆０−Ａｊ、０３１２ ｇｒ とをエチルセルレー
スｌ ｇｒ とテルピネオール１０ｍ＋４より成るビ
ヒクル中に分散させた。ペーストを調製した。以下、実
施例１とこのペーストを用いて実施例１と同様な方法で
メタライズを行なった結果、第３図の電子顕微鏡写真に
示すように、タングステンは窒化アルミニウム焼結体基
板に全く接着しなかった。Comparative Example Tungsten powder 20gr with an average particle size of 4000λ and 3
C&0-Aj, 0312 gr was dispersed in a vehicle consisting of ethyl cellulose l gr and terpineol 10m+4. A paste was prepared. Hereinafter, metallization was carried out in the same manner as in Example 1 using Example 1 and this paste. As a result, as shown in the electron micrograph in Figure 3, tungsten did not adhere to the aluminum nitride sintered body substrate at all. Ta.
第１図及び第２図は本発明によって得られるタングステ
ンがメタライズした窒化アルミニウム焼結体断面の電子
顕微鏡写真であり、第３図は比較例で得られた窒化アル
ミニウム焼結体の断面写真である。Figures 1 and 2 are electron micrographs of a cross-section of an aluminum nitride sintered body with tungsten metallized obtained by the present invention, and Figure 3 is a cross-sectional photograph of an aluminum nitride sintered body obtained in a comparative example. .
Claims (1)
０オングストローム以下のタングステン微粉末を用いて
メタライズすることを特徴とするタングステンによりメ
タライズされた窒化アルミニウム焼結体の製造方法。 ２）平均粒径が１０００Å以下のタングステン微粉末を
窒化アルミニウムの溶融化剤と共に有機溶媒中に分散さ
せたペーストを窒化アルミニウム焼結体の表面に塗布し
た後、還元性雰囲気下で焼成する特許請求の範囲第１項
記載のタングステンによりメタライズされた窒化アルミ
ニウム焼結体の製造方法。[Claims] 1) The surface of the aluminum nitride sintered body has an average grain size of 100
A method for producing an aluminum nitride sintered body metallized with tungsten, the method comprising metallizing using tungsten fine powder of 0 angstrom or less. 2) A patent claim in which a paste in which fine tungsten powder with an average particle size of 1000 Å or less is dispersed in an organic solvent together with an aluminum nitride melting agent is applied to the surface of an aluminum nitride sintered body, and then fired in a reducing atmosphere. A method for producing an aluminum nitride sintered body metalized with tungsten according to item 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14146086A JPS63166784A (en) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | Manufacture of aluminum nitride sintered body metallized with tungsten |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14146086A JPS63166784A (en) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | Manufacture of aluminum nitride sintered body metallized with tungsten |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63166784A true JPS63166784A (en) | 1988-07-09 |
Family
ID=15292402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14146086A Pending JPS63166784A (en) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | Manufacture of aluminum nitride sintered body metallized with tungsten |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63166784A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6386598A (en) * | 1986-09-30 | 1988-04-16 | 株式会社住友金属エレクトロデバイス | Manufacture of high heat conductivity circuit board |
| JPS63206377A (en) * | 1987-02-19 | 1988-08-25 | 株式会社東芝 | Aluminum nitride sintered body and manufacture |
-
1986
- 1986-06-19 JP JP14146086A patent/JPS63166784A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6386598A (en) * | 1986-09-30 | 1988-04-16 | 株式会社住友金属エレクトロデバイス | Manufacture of high heat conductivity circuit board |
| JPS63206377A (en) * | 1987-02-19 | 1988-08-25 | 株式会社東芝 | Aluminum nitride sintered body and manufacture |
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