JPS63164222A - Gas head for cvd apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はＣＶ Ｉ）装置用ガスヘッドに関する。史に詳
細には、本発明はウェハ１−に均一・な膜厚分布の薄膜
を成膜させることのできるＣ Ｖ Ｉ）装置用ガスヘッ
ドに関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a gas head for a CV I) device. More specifically, the present invention relates to a gas head for a CVI device capable of forming a thin film with a uniform thickness distribution on a wafer 1-.
［従末の技術］
薄膜の形成方法として゛１１導体に業において・般に広
く用いられているものの−・つに化学的気相成長法（Ｃ
ＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒｌ）ｅｐｏｓ
ｉ ｔ １ｏｎ）がある。ＣＶＩ）とは、ガス状物質
を化学反応で固体物質にし、基板［−に堆積することを
いう。[Current technology] One of the methods for forming thin films that is widely used in the industry for conductors is chemical vapor deposition (C
VD:Chemical Vaporl)epos
It 1on). CVI) refers to turning a gaseous substance into a solid substance through a chemical reaction and depositing it on a substrate [-].
ＣＶ Ｉ）の特徴は、成長しようとする薄膜の融点より
かなり低い堆積温度で種々の薄膜が得られること、およ
び、成長した薄膜の純度が高＜、ＳｉやＳｉｔ−の熱酸
化膜１−に成長した場合も電気的特性が安定であること
で、広＜１へ導体表面のパッジベージ１ン膜として利用
されている。The characteristics of CV I) are that various thin films can be obtained at a deposition temperature considerably lower than the melting point of the thin film to be grown, and that the purity of the grown thin film is high, and the thermal oxide film of Si or Si Since the electrical properties are stable even when grown, it is used as a padding film on the surface of a conductor in a wide range of <1.
ＣＶＩ）による薄膜形成は、例えば５００℃程度に加熱
したウェハに反応ガス（例えば、ＳｉＨ４＋０２．また
はＳ ｉ Ｈｑ ＋ＰＨ３＋０２ ）を供給して行われ
る。ｌ記の反応ガスは反応炉内のウェハに吹きつけられ
、該ウェハの表面に５ｉ０２あるいはフＡスフオシリケ
ードガラス（ＰＳＧ）の薄膜を形成する。また、ＳｉＯ
２とＰＳＧとの２層成膜が行われることもある。更に、
モリブデン。Thin film formation by CVI) is performed by supplying a reactive gas (for example, SiH4+02. or S i Hq +PH3+02) to a wafer heated to about 500° C., for example. The reaction gas described in section I is blown onto the wafer in the reactor to form a thin film of 5i02 or Phosphosilicate Glass (PSG) on the surface of the wafer. Also, SiO
In some cases, two-layer film formation of 2 and PSG is performed. Furthermore,
molybdenum.
タングステンあるいはタングステンシリサイド等の金属
薄膜の形成にも使用できる。It can also be used to form metal thin films such as tungsten or tungsten silicide.
このようなＣＶＤによる薄膜形成操作を行うために従来
から用いられている装置の一例を第３図に部分断面図と
して示す。An example of an apparatus conventionally used for performing such a thin film forming operation by CVD is shown in a partial cross-sectional view in FIG.
第３図において、反応炉１は、円錐状のバッフＴ２をベ
ルツヤ３で覆い、１−記バッファ２の周囲に円盤状のウ
ェハ試料台４を駆動機構５で回転駆動＋ｊ■能、または
自公転ＩＩＪ能に設置する。ベルジャ３はＯリング１１
を介して反応炉中間リング１２と閉山される。中間リン
グ１２のド部には反応炉本体１３がＯリング１４を介し
て配設されている。In FIG. 3, the reactor 1 includes a conical buffer T2 covered with a belt polisher 3, and a disk-shaped wafer sample stage 4 placed around the buffer 2 by a drive mechanism 5 to rotate or rotate. It will be installed at IIJ Noh. Belljar 3 has O-ring 11
It is connected to the reactor intermediate ring 12 via the reactor intermediate ring 12. A reactor main body 13 is disposed at the do portion of the intermediate ring 12 via an O-ring 14 .
ベルジャの内側には反応ガスの流れを成膜反応に適する
ように規制するためのインナーベルジャ１５が同段され
ている。An inner bell jar 15 is arranged inside the bell jar to regulate the flow of the reaction gas so as to be suitable for the film forming reaction.
前記ベルジャ３の「１点付近に反応ガス送入管８および
９が接続されている。ガス送入管から送入されたガスは
バッファにより振分られてウェハ試料台４に向かう。使
用する反応ガスの５ｉＨｑおよび０２はそれぞれ別のガ
ス送入管により反応炉に送入口なければならない。例え
ば、ＳｉＨ４を送入管９で送入し、そして、０２を送入
管８で送入する。また、Ｂ２ Ｈ６またはＰＨＪを使用
する場合、５ｉＨｑとともに送入できる。Reaction gas feed pipes 8 and 9 are connected to the vicinity of one point of the bell jar 3. The gas fed from the gas feed pipes is distributed by a buffer and directed to the wafer sample stage 4. Gases 5iHq and 02 must be inlet into the reactor through separate gas inlet pipes. For example, SiH4 is injected through inlet pipe 9, and 02 is inlet through inlet pipe 8. , B2 H6 or PHJ can be delivered with 5iHq.
前記のウェハ試料台４の直ドには僅かなギャップを介し
て加熱１段ｌＯが設けられていてウェハ６を所定の温度
（例えば、約４００〜５００℃）に加熱する。反応ガス
送入管８および９から送入された反応ガス（例えば、Ｓ
ｉＨ４＋０２またはＳ ｉ Ｈ４＋ＰＨＪ ＋０２ ）
は点線矢印のごとく炉内を流ドし、ウェハ６の表面に触
れて流動し、化学反応によって生成される物質（Ｓｉ０
２またはＰＳＧ）の薄膜をウェハ６の表面に生成する。A single heating stage 10 is provided directly above the wafer sample stage 4 with a slight gap therebetween, and heats the wafer 6 to a predetermined temperature (for example, about 400 to 500° C.). The reaction gas (for example, S
iH4+02 or SiH4+PHJ+02)
flows through the furnace as shown by the dotted arrow, touches the surface of the wafer 6, and flows, causing a substance (Si0
2 or PSG) is formed on the surface of the wafer 6.
［発明が解決しようとする問題点］
しかし、このような横吹き付は膜生成法による装置は数
々の欠点を有する。[Problems to be Solved by the Invention] However, the apparatus using such side spraying film formation method has a number of drawbacks.
例えば、反応ガスを送入する場合、ガス流樋によ’）
円周１−：のガス分布のバラツキが発生しやすい。For example, when feeding a reaction gas, use a gas flow gutter.
Circumference 1-: Dispersion in gas distribution is likely to occur.
また、横吹き付は膜生成法のため、ウェハ面上のガス分
布のバラツキか発生しやすい。これらは特に排気による
変動を受は易い傾向があった。ウェハ試料台を自転させ
ることによりガス分布の均一化を図っているが、ウェハ
の［１径が人［１径になるにつれて補いきれなくなる。Furthermore, since side spraying is a film formation method, variations in gas distribution on the wafer surface are likely to occur. These tended to be particularly susceptible to fluctuations due to exhaust gas. Although the gas distribution is made uniform by rotating the wafer sample stage, it becomes impossible to compensate as the wafer's 1 diameter becomes 1 diameter.
ガス分布にバラツキが発生すると、成膜されるＣ Ｖ
Ｉ）膜の膜厚均一・性が得られなくなる。その結果、ス
テップカバレージも不良となり、半導体素ｒ−の製造歩
留りも自ずから低ドする。If variations occur in the gas distribution, the C V
I) It becomes impossible to obtain uniform thickness and properties of the film. As a result, the step coverage becomes poor, and the manufacturing yield of the semiconductor element r- naturally decreases.
史にノズルから送入された反応ガス（ＳｉＨ＜＋。The reaction gas (SiH<+) was introduced from the nozzle.
ＰＨＪ、０２等）がウェハ」−に達するまでのガス流路
が長いために、炉内壁面に不完全反応による酸化物異物
が生成・付着する。Because the gas flow path for the PHJ, 02, etc. to reach the wafer is long, oxide foreign matter is generated and attached to the furnace inner wall surface due to incomplete reaction.
反応炉内の表面積が大きいために壁面に付着するフレー
クのｉ逢も非常に多かった。特に、人界にのＣＶ Ｉ）
Ｈ置では反応炉内の表面積が大きいために、異物の発
生＋、）および付着ｉ辻が桁はづれに増大する傾向があ
る。Since the surface area inside the reactor was large, a large number of flakes adhered to the walls. Especially CV I) in the human world.
In the H position, since the surface area inside the reactor is large, the occurrence of foreign matter +, ) and adhesion tends to increase by an order of magnitude.
この異物は僅かな振動、風圧で７すげ落ち、ウェハ表面
１・、に落ド付着することがある。また、異物が反応ガ
スにより巻きｌ−げられて炉内を浮遊し、ウェハ表面−
１−に落ドΦ付着する１工能性もある。これら異物がウ
ェハに付着すると生成膜にピンホールを発生させたりし
て１う導体素子の製造歩留りを著しく低ドさせるという
欠点があった。This foreign material may fall off due to slight vibration or wind pressure, and adhere to the wafer surface. In addition, foreign matter is rolled up by the reaction gas and floats in the furnace, causing the wafer surface to drop.
There is also a 1-workability in which a drop Φ adheres to 1-. When these foreign substances adhere to the wafer, they cause pinholes in the produced film, resulting in a significant decrease in the manufacturing yield of conductor elements.
史に別の問題点として、反応炉の内壁面１−で反応ガス
が反応してしまうため、炉内に給送した反応ガスが無駄
に消費され、ガスの有効利Ｊｌ ＝＠が低ドするばかり
か、薄膜の成長速度の低ドを招いていた。Another problem in history is that the reactant gas reacts on the inner wall surface 1- of the reactor, so the reactant gas fed into the reactor is wasted and the effective profit of the gas is reduced. Moreover, this resulted in a low growth rate of the thin film.
従って、本発明の目的は人Ｅ１径ウェハについても膜厚
分布が均・なＣＶ Ｉ）膜を成膜することができるＣＶ
Ｉ）装置用ガスへノドを提供することである。Therefore, the purpose of the present invention is to develop a CV method that can form a CV film with a uniform thickness distribution even on E1 diameter wafers.
I) To provide a throat to the equipment gas.
［問題点を解決するための丁１段］
前記の問題点を解決し、あわせて本発明の１」的を達成
するためのＬ段として、この発明は、Ｃｖｌ）４Ａ置の
反応炉の内部に配設された試料台Ｉ―のウェハに反応ガ
スを供給するためのガスヘッドであって、このガスヘッ
ドは一種類のガスを供給できるように内部が二重に構成
されたガス導入部と、各ガス導入部に連通したガス供給
スリット部とからなることを特徴とするＣ Ｖ Ｉ）装
置６川ガスヘツドを提供する。[1st Stage for Solving the Problems] As an L stage for solving the above-mentioned problems and also achieving the object 1 of the present invention, this invention provides This gas head is for supplying a reactive gas to the wafer on the sample stage I-, which is arranged in , and a gas supply slit section communicating with each gas introduction section.
［作用］
前記のように、本発明によれば、反応ガスは多数のスリ
ットを有するガスヘッドから、ウェハ試料台の直１−よ
りウェハめがけてＩＴＦｉ汀に吹き降ろされる。すなわ
ち、ウェハ」−血でウェハ全面にガス供給すると、ガス
の導入はガスヘッドとウェハとの間隔で決まり、従来の
横吹き付は方式に比較してガスの流動距離が著しく短縮
される。また、ガスの流動距離が著しく短く、ガスの吹
き出し圧力が１・分に、２″ｂいために、ガスの流れは
排気による変動を殆ど受けない。[Operation] As described above, according to the present invention, the reaction gas is blown down from the gas head having a large number of slits directly toward the wafer onto the ITFi basin from the wafer sample stage. That is, when gas is supplied to the entire surface of the wafer with blood, the introduction of the gas is determined by the distance between the gas head and the wafer, and the distance through which the gas flows is significantly shortened compared to the conventional side blowing method. Furthermore, since the gas flow distance is extremely short and the gas blowing pressure is 1 minute to 2''b, the gas flow is hardly affected by exhaust gas fluctuations.
かくして、反応ガスはウェハの直１−で混合され、その
場で成膜反応に供される。その結果、ガスの分布性が極
めて良好となり、均一な膜厚のＣＶ Ｉ）股が成膜され
る。また、ウェハ設置側を自公転させることによりパタ
ーンのステップカバレージも・層良好となる。In this way, the reaction gases are mixed directly on the wafer and subjected to the film forming reaction there. As a result, the gas distribution becomes extremely good, and a CV I) film with a uniform film thickness is formed. In addition, by rotating the wafer installation side, the step coverage of the pattern is also improved.
しかも、ウェハに対して東直に反応ガスを直接吹き付け
、その場で反応を起こさせるために、異物の発生１．１
を激減させることができる。このため、炉内を浮遊する
異物１ｉｌも低ドするのでウェハ表面に落−ド・付着し
てウェハ生成膜にピンホールを発生させるような不都合
な１ｒ態も効果的に防ＩＬ−，され、゛ｌ′導体素ｒの
製造歩留りを大幅に向１−させることができる。In addition, since the reaction gas is sprayed directly onto the wafer to cause a reaction on the spot, the generation of foreign matter 1.1
can be drastically reduced. For this reason, the amount of foreign particles floating in the furnace is also reduced, so that the inconvenient 1il state, where they fall or adhere to the wafer surface and cause pinholes in the wafer-formed film, is effectively prevented. The production yield of the conductor elements r can be greatly improved.
史に、反応炉内に送入した反応ガスが極めて有効に利用
されることになるばかりか、ＣＶＩ）膜の成長速度も向
１−するので、゛Ｉ′−導体素ｒの製造コストを低ドさ
せることができる。Historically, not only is the reaction gas fed into the reactor used extremely effectively, but the growth rate of the CVI) film is also improved, reducing the manufacturing cost of the I'-conductor element. It is possible to
［実施例］
以ド２、図面を参照しながら本発明の実施例について史
に詳細に説明する。[Embodiments] Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
第１図は本発明のガスヘッドの斜視図であり、第２図は
その断面図である。FIG. 1 is a perspective view of the gas head of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view thereof.
第１図に小されるように、本発明のガスヘッド１７はそ
のＩ−而にガス送入管２０ａおよび２０ｂを有し、史に
、そのド面にはガス供給スリット３０ａおよび３０ｂが
配設されている。As shown in FIG. 1, the gas head 17 of the present invention has gas supply pipes 20a and 20b, and gas supply slits 30a and 30b are arranged on the front surface thereof. has been done.
第２図に示されるように、ガスへノド１７の内部は、ガ
ス送入管２０ａおよび２０ｂから送入されるガスを分離
したままウェハに吹き付けられるように、ガス送入管２
０ａに連通した第１ガス導入部４０ａとガス送入管２０
ｂに連通した第２ガス導入部４０ｂとの一重構造になっ
ている。史に、第１ガス導入部４０ａはスロワ）５０ａ
を経てガス供給スリ、ソト３０ａに連通しており、第２
ガス導入部４０ｂはスロワ）５０ｂを経てガス供給スリ
ット３０ｂに連通している。As shown in FIG. 2, the inside of the gas nozzle 17 is arranged between two gas supply pipes 20a and 20b so that the gases supplied from the gas supply pipes 20a and 20b are blown onto the wafer while being separated.
The first gas introduction part 40a and the gas feed pipe 20 communicated with 0a
It has a single-layer structure with a second gas introduction part 40b communicating with b. Historically, the first gas introduction section 40a is a thrower) 50a.
It is connected to the gas supply pickpocket and soto 30a through the
The gas introduction portion 40b communicates with the gas supply slit 30b via the thrower 50b.
ガス送入管２０ａ、第１ガス導入部４０ａ、スロット５
０ａおよびガス供給スリット３０ａからは例えば、Ｓｉ
Ｈ４及びＰＨＪまたはＢ２ Ｈ６ガスを流ドさせ、ガス
送入管２０ｂ、第２ガス導入部４０ｂ、スロット５０ｂ
およびガス供給スリット３０ｂからは例えば、０２ガス
を流ドさせる。Gas feed pipe 20a, first gas introduction part 40a, slot 5
For example, Si
Flow H4 and PHJ or B2 H6 gas, gas feed pipe 20b, second gas introduction part 40b, slot 50b
For example, 02 gas is allowed to flow from the gas supply slit 30b.
スロット５０ａとスロット５０ｂとは送入ガスがスロ・
ノド内で混合しないようにｒｌ：いに隔離された構造と
することが好ましい。従って、スリット３０ａとスリッ
ト３０ｂもＴ１：いに離隔されている。The slot 50a and the slot 50b are for feeding gas through the slots 50a and 50b.
It is preferable to have a structure in which the components are isolated so that they do not mix in the throat. Therefore, the slit 30a and the slit 30b are also spaced apart from each other by T1.
そして、スリット３０ａとスリット３０ｂとはガスヘッ
ドのド面に交１ｉに配列される。The slits 30a and 30b are arranged at an intersection 1i on the surface of the gas head.
スロットの本数、あるいはスリットの本数は本発明の必
須要件ではない。しかし、あまり数が少なすぎるとガス
分布性の改り効果が得られない。The number of slots or the number of slits is not an essential requirement of the present invention. However, if the number is too small, the effect of changing gas distribution cannot be obtained.
一方、本数が多すぎるとガス吹き出しのためのり。On the other hand, if there are too many, the glue will cause gas to blow out.
圧力輸１くなりすぎて実用的でなくなる。 ・般的な指
標として１０〜２０本程度が好ましい。The pressure is too high and it becomes impractical. - As a general index, about 10 to 20 lines is preferable.
反応ガスのミキシングはガスヘッドのスリットの・Ｊ゛
法で容易に設定できる。Mixing of the reaction gases can be easily set using the ・J method using the slits in the gas head.
ガスヘッド１７の配設高さは特に限定的ではないが、ウ
ェハ試料台４にあまり近すぎると反応ガスの混合に支障
をきたすばかりか、ウェハ６の出し入れの邪魔にもなる
。しかし、あまり遠すぎるとガスが拡散してしまいウェ
ハ試料台周辺に異物が発生する。Although the height of the gas head 17 is not particularly limited, if it is too close to the wafer sample stage 4, it will not only impede the mixing of the reaction gases but also become a hindrance to the loading and unloading of the wafers 6. However, if it is too far away, the gas will diffuse and foreign matter will be generated around the wafer sample stage.
ガスへ、ドおよびスロットの材質は耐食性に優れたステ
ンレスあるいはセラミック類などが好ましい。The material of the gas door and slot is preferably stainless steel or ceramic, which has excellent corrosion resistance.
本発明のガスヘッドを使用するＣ Ｖ Ｉ）薄膜形成装
置では第３図に示されたような従来の装置とＷなり、円
錐状バッファおよび円錐状ベルジャなどは不要である。C V I) A thin film forming apparatus using the gas head of the present invention is different from the conventional apparatus shown in FIG. 3, and does not require a conical buffer or a conical bell jar.
ガスヘッドのガス送入管２０ａおよび２０ｂは図示され
ていないが炉外のガス供給源に接続されている。Although not shown, the gas feed pipes 20a and 20b of the gas head are connected to a gas supply source outside the furnace.
本発明のガスヘッドはバッチ式反応炉で使用することも
できるが、８インチ以１−の人［１径ウエハを成膜処理
するための枚葉式反応炉で使用するのに特に適している
。Although the gas head of the present invention can be used in a batch-type reactor, it is particularly suitable for use in a single-wafer reactor for processing 8-inch or larger 1-diameter wafers. .
ウェハの全面にガスを均一・に流し、膜厚のバラツキを
最少限に抑えるために、本発明のガスヘッドから反応ガ
スをウェハに供給する場合、ウェハ試料台に回転機構を
付加して、反応ガス供給中はウェハを回転させ続けるこ
とが好ましい。In order to flow gas uniformly over the entire surface of the wafer and to minimize variations in film thickness, when supplying reaction gas to the wafer from the gas head of the present invention, a rotation mechanism is added to the wafer sample stage to control the reaction. It is preferable to continue rotating the wafer during gas supply.
［発明の効果コ
以１゛、説明したように、本発明によれば、反応ガスは
多数のスリットをイＪ″するガスヘッドから、ウェハ試
料台の直１１よりウェハめがけて東直に吹き降ろされる
。すなわち、ウェハ１−而でウェハ全面にガス供給する
と、ガスの導入はガスヘッドとウェハとの間隔で決まり
、従来の横吹き付は方式に比較してガスの流動距離がイ
しく短縮される。また、ガスの流動距離が著しく短（、
ガスの吹き出し圧力が！・分に高いために、ガスの流れ
はｔＪ［気による変動を殆ど受けない。[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, the reaction gas is blown directly east toward the wafer from the gas head that opens a large number of slits from the wafer sample stage. In other words, when gas is supplied to the entire surface of the wafer at wafer 1, the introduction of the gas is determined by the distance between the gas head and the wafer, and compared to the conventional side blowing method, the gas flow distance is significantly shortened. In addition, the gas flow distance is extremely short (,
Gas blowing pressure!・The gas flow is hardly affected by tJ[qi] due to the high temperature.
かくして、ガスヘッドとウェハとの間隔が変化せず、反
応ガスはウェハの直−１−で混合され、その場で成膜反
応に供される。その結果、ガスの分布性が極めて良好と
なり、均一な膜厚のＣＶＤ膜が成膜される。また、ウェ
ハ設置側を自公転させることによりパターンのステップ
カバレージも ・層良好となる。In this way, the distance between the gas head and the wafer does not change, and the reaction gases are mixed directly on the wafer and subjected to the film forming reaction there. As a result, gas distribution becomes extremely good, and a CVD film with a uniform thickness is formed. In addition, by rotating the wafer installation side, the step coverage of the pattern is also improved.
しかも、ウェハに対して垂直に反応ガスを直接吹き付け
、その場で反応を起こさせるために、異物の発生１−Ｊ
を激減させることができる。このため、炉内を１゛？遊
する異物敬も低下するのでウェハ表面に落ド・付着して
ウェハ生成膜にピンホールを発生させるような不都合な
°Ｉ［態も効果的に防止され、半導体素ｒの製造歩留り
を大幅に向ヒさせることができる。Moreover, since the reaction gas is directly sprayed perpendicularly to the wafer and the reaction occurs on the spot, foreign matter generation 1-J
can be drastically reduced. For this reason, the inside of the furnace is 1゛? Since the risk of floating foreign matter is also reduced, inconvenient conditions such as falling or adhering to the wafer surface and causing pinholes in the wafer-formed film are effectively prevented, and the manufacturing yield of semiconductor elements is greatly improved. It can make you feel better.
更に、反応炉内に送入した反応ガスが極めて有効に利用
されることになるばかりか、ＣＶＤ膜の成長速度も向ヒ
するので、半導体素子の製造コストを低ドさせることが
できる。Furthermore, the reaction gas introduced into the reactor is not only utilized extremely effectively, but also the growth rate of the CVD film is improved, so that the manufacturing cost of semiconductor devices can be reduced.
第１図は本発明のガスヘッドの斜視図であり、第２図は
その断面図であり、第３図は従来のＣｖｌ）薄膜形成装
置の−・例の部分断面図である。
１・・・反応炉、２・・・バッファｔ ３・・・ベルジ
ャ。
４・・・ウェハ試料台、５・・・駆動機構、６・・・ウ
ェハ。
８および９・・・反応ガス送入管、ＩＯ・・・加熱手段
。
１１および１４・・・Ｏリング、１２・・・中間リング
。
１３・・・反応炉本体、１５・・・インナーベルジャ。FIG. 1 is a perspective view of the gas head of the present invention, FIG. 2 is a sectional view thereof, and FIG. 3 is a partial sectional view of an example of a conventional Cvl) thin film forming apparatus. 1... Reactor, 2... Buffer t, 3... Belljar. 4... Wafer sample stage, 5... Drive mechanism, 6... Wafer. 8 and 9... Reaction gas feed pipe, IO... Heating means. 11 and 14... O ring, 12... Intermediate ring. 13... Reactor main body, 15... Inner bell jar.
Claims (3)
のウェハに反応ガスを供給するためのガスヘッドであっ
て、このガスヘッドは二種類のガスを供給できるように
内部が二重に構成されたガス導入部と、各ガス導入部に
連通したガス供給スリット部とからなることを特徴とす
るＣＶＤ装置用ガスヘッド。(1) A gas head for supplying a reaction gas to a wafer on a sample stage disposed inside a reactor of a CVD apparatus, and this gas head has two internal parts so that two types of gas can be supplied. 1. A gas head for a CVD apparatus, comprising a plurality of gas introduction sections and a gas supply slit section communicating with each gas introduction section.
めのスリットと、別の種類のガスを供給するためのスリ
ットとが交互に配列されるように構成されていることを
特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のＣＶＤ装置用
ガスヘッド。(2) A patent characterized in that the gas supply slit section is configured such that slits for supplying one type of gas and slits for supplying another type of gas are arranged alternately. A gas head for a CVD apparatus according to claim 1.
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項に
記載のＣＶＤ装置用ガスヘッド。(3) The gas head for a CVD apparatus as set forth in claim 1 or 2, wherein the reactor is a revolution-rotation type atmospheric pressure CVD reactor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31587686A JPS63164222A (en) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | Gas head for cvd apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31587686A JPS63164222A (en) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | Gas head for cvd apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63164222A true JPS63164222A (en) | 1988-07-07 |
Family
ID=18070660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31587686A Pending JPS63164222A (en) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | Gas head for cvd apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63164222A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100716266B1 (en) | 2006-06-20 | 2007-05-09 | 주식회사 아토 | Appratus for cleaning cvd chamber using gas separation type showerhead |
| JP2008073633A (en) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Sony Corp | Coating apparatus, mounting device, coating method, electronic component manufacturing method and electronic component |
-
1986
- 1986-12-25 JP JP31587686A patent/JPS63164222A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100716266B1 (en) | 2006-06-20 | 2007-05-09 | 주식회사 아토 | Appratus for cleaning cvd chamber using gas separation type showerhead |
| JP2008073633A (en) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Sony Corp | Coating apparatus, mounting device, coating method, electronic component manufacturing method and electronic component |
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