JPS63160289A - Light-emitting element module - Google Patents
Light-emitting element moduleInfo
- Publication number
- JPS63160289A JPS63160289A JP61306417A JP30641786A JPS63160289A JP S63160289 A JPS63160289 A JP S63160289A JP 61306417 A JP61306417 A JP 61306417A JP 30641786 A JP30641786 A JP 30641786A JP S63160289 A JPS63160289 A JP S63160289A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitting element
- light emitting
- module
- impedance
- cooling element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 43
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 43
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 36
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 21
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49109—Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は発光素子モジエールに係りｓ ％ｔこ高周波特
性に浸れたモジュール構造に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a light emitting device module, and relates to a module structure that is immersed in high frequency characteristics.
従来のレーザダイオードモジュールでは、コンファレン
ス・オンΦオプティカルφファイノ（Φコミニユケーシ
ヨン、１９８６年、テクニカル・ダイジェスト、エム・
イー−３、第８頁から第９頁（Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ
ｏｎ ０ｐｔｉｃａｌ ＦｉｂｅｒＣｏｒｎｍｕｍｃａ
ｔｉｏｎ、 １９８６． ＭＥ−３、ｐｐ、 ８−９
）において論じられているようｌ乙 レーザの金属ステ
ムから電極リードへインダクタンスの大きなボンディン
グ・ワイヤにより結線されていた。For conventional laser diode modules, Conference on Φ Optical φ Fine (Φ Communication, 1986, Technical Digest, M.
E-3, pages 8 to 9 (Conference
on 0ptical FiberCornmumca
tion, 1986. ME-3, pp, 8-9
), the metal stem of the laser was connected to the electrode lead using a bonding wire with large inductance.
上記従来技術は、パッケージ内に設置されているレーザ
の金属ステムが数ｍｍのボンディングワイヤなど子こよ
り、ケースに接続されているが、高周波ｌこはケースに
接地されていない。このため。In the above-mentioned conventional technology, the metal stem of the laser installed in the package is connected to the case through a bonding wire of several millimeters, but the high frequency wire is not grounded to the case. For this reason.
レーザの金属ステムを搭載している電子冷却素子の中へ
、高周波信号成分が流れ込む。この場合、レーザのＦＭ
信号は、電子冷却素子の径路を含んだ回路の共振現象に
より乱され、レーザダイオードモジュールのに調時性が
劣化する問題があった。High-frequency signal components flow into a thermoelectric cooler mounted on the metal stem of the laser. In this case, the laser FM
The signal is disturbed by the resonance phenomenon of the circuit including the path of the thermoelectric cooling element, and there is a problem that the timing performance of the laser diode module deteriorates.
本発明の目的は、発光素子の金属ステムを、電子冷却素
子に比べて高周波インピーダンスの小さい金属ブロック
あるいは金属板によりモジュールのケースに接地すると
、またはコンデンサを用いて高周波的にモジュールのケ
ースに接地することにより、電子冷却素子への高周波信
号のもれ込みを低減し５発光素子モジュールの高周波変
調特性を改善することを目的とする。An object of the present invention is to ground the metal stem of a light emitting element to the module case using a metal block or metal plate that has a lower high frequency impedance than a thermoelectric cooling element, or to ground the metal stem to the module case at high frequency using a capacitor. The purpose of this is to reduce the leakage of high frequency signals into the electronic cooling element and improve the high frequency modulation characteristics of the 5 light emitting element module.
上記目的は、パッケージ内に設置されている発光素子の
金属マウントを、ボンディングワイヤなどに比較してイ
ンダクタンスの小さな金属ブロックあるいは金属板また
はコンデンサを用いて高周波的に、金属材料を用いたパ
ッケージと接続することにより達成される。The above purpose is to connect the metal mount of a light emitting element installed in a package to a package made of metal material using a metal block, metal plate, or capacitor, which has a smaller inductance than bonding wire etc., at high frequency. This is achieved by
発光素子の金属マウントとパッケージきの接続か数ｍｍ
ｌこ及ぶボンディングワイヤなどにより実施された場合
、発光素子に隣接した電子冷却素子に発光素子駆動電流
の高周波成分がもれ込んで流れる。したがって、発光素
子のマウントとパッケージ間を接嬉したボンディングワ
イヤのインダクタンスと電子冷却素子のインピーダンス
により共振回路か構成され、発光素子の高速変調特性に
重大な悪影響を与える。これに対し、発光素子の金属マ
ウントとパッケージ間の接続をボンディングワイヤなど
に比べてインダクタンスの小さな金属ブロックあるいは
金属板を用いた場合、またはコンデンサを用いて金属マ
ウントとパッケージを接続した場合は、電子冷却素子内
への高周波結合による共振状態が抑制され、良好な発光
素子モジュールの高速変調特性が実現できる。The connection between the metal mount of the light emitting element and the package is a few mm.
In the case where the bonding wire is used as long as 1, the high frequency component of the light emitting element drive current leaks into the electronic cooling element adjacent to the light emitting element. Therefore, a resonant circuit is formed by the inductance of the bonding wire connected between the mount of the light emitting device and the package and the impedance of the thermoelectric cooler, which has a serious adverse effect on the high-speed modulation characteristics of the light emitting device. On the other hand, if a metal block or metal plate with a smaller inductance than bonding wire is used to connect the metal mount of the light emitting element and the package, or if a capacitor is used to connect the metal mount and package, electronic Resonant conditions due to high frequency coupling into the cooling element are suppressed, and good high-speed modulation characteristics of the light emitting element module can be achieved.
以下、本発明の実施例を＠１図〜第１５図により説明す
る。Embodiments of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 to 15.
第１図は、第一の実施例で、電子冷却素子を内蔵したバ
クフライ型レーザダイオードモジュールの内部構造を示
す図である。同図において、１はケース、２はケース蓋
、３はレーザ電極リード、３′はレーザ電極内部リード
、 ４はグランドリード、５は接地媒体Ａ、６は金属板
、７はボンディングワイヤ、８はレーザ、９はボンディ
ングワイヤ、１０はサブマウント、１１は金属ステム、
１２は電子冷却素子、１３はガラスビームである。FIG. 1 is a diagram showing the internal structure of a backfly type laser diode module having a built-in thermoelectric cooling element according to a first embodiment. In the figure, 1 is a case, 2 is a case lid, 3 is a laser electrode lead, 3' is a laser electrode internal lead, 4 is a ground lead, 5 is a grounding medium A, 6 is a metal plate, 7 is a bonding wire, and 8 is a 9 is a bonding wire, 10 is a submount, 11 is a metal stem,
12 is a thermoelectric cooling element, and 13 is a glass beam.
第２図は、第１図に示したレーザダイオードモジエール
の高周波等価回路図である。伝Ｉ図１こおいて１４は信
号入力端子、１５はグランド端子であり、１６はケース
で接地されている。また、１７はレーザ、１Ｂは接地媒
体Ａで電気的インピーダンスがＺＳ＊１９は電子冷却素
子で電気的インピーダンスがＺｐである。第１図におい
ては、レーザの変調信号電流および直流バイアス電流は
レーザ電極リード３及びレーザ電極内部リード３’４こ
より、ボンディングワイヤ７、金属板６を介してレーザ
８に供給され、光出力信号に変換される。−万、レーザ
８から流出する電流は、ボンディングワイヤ９、金属ス
テム１１、接地媒体Ａ（５）を通って、接地されたケー
ス１へき流れる。この場合、電子冷却素子１２はその上
面と下面が絶縁されているため、直流電流および低周波
電流は、金属ステム１１より、接地媒体Ａのみを通るが
、高周波電流は、接地媒体Ａだけでなく電子冷却素子１
２も径路となる。FIG. 2 is a high frequency equivalent circuit diagram of the laser diode module shown in FIG. In Figure I, 14 is a signal input terminal, 15 is a ground terminal, and 16 is grounded through the case. Further, 17 is a laser, 1B is a ground medium A with an electrical impedance of ZS*19 is a thermoelectric cooling element with an electrical impedance of Zp. In FIG. 1, the modulation signal current and DC bias current of the laser are supplied from the laser electrode lead 3 and the laser electrode internal lead 3'4 to the laser 8 via the bonding wire 7 and the metal plate 6, and are converted into an optical output signal. converted. - The current flowing out from the laser 8 flows through the bonding wire 9, the metal stem 11, and the grounding medium A (5) to the grounded case 1. In this case, since the upper and lower surfaces of the thermoelectric cooling element 12 are insulated, the direct current and low frequency current pass only through the grounding medium A from the metal stem 11, but the high frequency current passes not only through the grounding medium A but also through the grounding medium A. Electronic cooling element 1
2 is also a route.
＠２図の高周波等価回路図において、信号入力端子１４
から注入された変調信号電流はレーザ１７および電気的
インピーダンスＺｓの接地媒体Ａと電気的インピーダン
スＺｐの電子冷却素子１９の並列回路を通って、ケース
１６４こ接地される。接地媒体Ａと電子冷却素子１９の
並列Ｌｇｊ路において、接地媒体Ａの電気的インピーダ
ンスＺｓが、簀子冷却素子１９の電気的インピーダンス
Ｚｐよりも大きい場合には、変１＃１信号電流の高周波
成分が電子冷却素子へ流れ込み共振現象が発生する。In the high frequency equivalent circuit diagram in Figure @2, signal input terminal 14
The modulated signal current injected from the casing 164 is grounded through the laser 17 and a parallel circuit of the ground medium A having an electrical impedance Zs and the thermoelectric cooling element 19 having an electrical impedance Zp. In the parallel Lgj path between the grounding medium A and the electronic cooling element 19, when the electrical impedance Zs of the grounding medium A is larger than the electrical impedance Zp of the screen cooling element 19, the high frequency component of the variable 1 #1 signal current It flows into the electronic cooling element and a resonance phenomenon occurs.
これに対して、高周波帯においてもＺＳがＺｐよりも小
さい場合には、この並列回路（こおける共振現象は抑圧
される。On the other hand, when ZS is smaller than Zp even in a high frequency band, the resonance phenomenon in this parallel circuit is suppressed.
第３図は、従来のバタフライ型レーザダイオードモジュ
ールの内部構造を示す図でさる。同図１こおいて、２０
はボンディングワイヤ、４′はグランド内部リードであ
る。この従来例では、第２図における接地媒体Ａ部に対
応するホンディングワイヤ２０とグランド内部リード４
′の両列回路の低インピーダンス化は考）ギされていな
い。すなわち、ボンディングワイヤ８よびグランドリー
ド４き同様に断面積の小さいグランド内部リード４Ｉに
付随するインダクタンスが数ｎＨ４こ及び、高周波帯に
おいてインピーダンスが大きくなる。したがって、電子
冷却素子１２を通る径路に、変調信号’ｉｘ流の高周波
成分か流れ込み、共振現象が発生する。これに伴い、レ
ーザダイオードモジュールのＳＩ″ｙ４特性が著しく劣
化する。FIG. 3 is a diagram showing the internal structure of a conventional butterfly type laser diode module. In Figure 1, 20
is a bonding wire, and 4' is a ground internal lead. In this conventional example, a honding wire 20 and a ground internal lead 4 corresponding to the grounding medium A section in FIG.
No consideration has been given to lowering the impedance of both column circuits. That is, like the bonding wire 8 and the ground lead 4, the inductance associated with the ground internal lead 4I, which has a small cross-sectional area, is several nH4, and the impedance becomes large in the high frequency band. Therefore, a high frequency component of the modulation signal 'ix flow flows into the path passing through the electronic cooling element 12, and a resonance phenomenon occurs. As a result, the SI''y4 characteristics of the laser diode module are significantly degraded.
第４図は、第二の実施例で、バタフライ型レーザダイオ
ードモジュールの内部構造を示す図である。同図におい
て、２１は金属ブロック図である。FIG. 4 is a diagram showing the internal structure of a butterfly-type laser diode module in a second embodiment. In the figure, 21 is a metal block diagram.
この第二の実施例では、第２図における接地媒体Ａ ｆ
！ｉｉ５ 、！ニジて断面積の大きな金属ブロック２１
を用いており、その電気的インピーダンスが電子冷却素
子１２の電気的インピーダンスより小さくなる。In this second embodiment, the grounding medium A f in FIG.
! ii5,! Metal block 21 with a large cross-sectional area
is used, and its electrical impedance is smaller than that of the electronic cooling element 12.
したがりて、電子冷却素子１２を通る径路を含んだ回路
の共振現象は抑圧される。Therefore, the resonance phenomenon of the circuit including the path passing through the electronic cooling element 12 is suppressed.
側５図は、第三の実施例で、電子冷却素子を内蔵したデ
二アル・イン・ライン型レーザダイオードモジュールの
内部構造を示す図である。同図においても、第４図に示
した第二の実施例と同様ｌこ。Figure 5 on the side is a diagram showing the internal structure of a digital-in-line laser diode module having a built-in thermoelectric cooling element according to the third embodiment. In this figure as well, similar to the second embodiment shown in FIG.
金属ブロック２１の断面積が大きく、電子冷却素子工２
のインピーダンスより十分小さいために、電子冷却素子
１２を通る径路を含んだ回路の共振現象は抑圧される。The cross-sectional area of the metal block 21 is large, and the electronic cooling element construction 2
Since the impedance is sufficiently smaller than the impedance of , the resonance phenomenon of the circuit including the path passing through the electronic cooling element 12 is suppressed.
第６図と覇７図に、パ４１７ライ型レーザダイオードモ
ジュールの電気的反射係数であるＳバラメークのＳ目
成分をヌゼスチャート上に示す。測定周波数は０．５〜
６ＧＨｚである。第６図は、第３図に示した従来のバタ
フライ型レーザダイオードモジュールのようｌこ、接地
媒体Ａ部の電気的インピーダンスＺｓが大きい場合の特
性を示す。この図では、２．１ 、２．４ 、４．６
ＧＨｚ付近の周波数において、リアクタンス成分が常々
なり共振状態となり、３．１ＧＨｚ付近においても共振
に近い状態となっている。このような状態の周波数では
、電子冷却素子を含む回路で共振現象が発生しており、
レーザダイオードモジュールの７Ｍ特性が著しく劣化す
る。例えば、小信号周波数応答特性において、共振周波
数においてディップまたはピークが観測されたり、パル
ス応答特性においてはリンギングの増大、立上り、立下
りの時間の増大などが観測される。したがって、ギガビ
ット帯でのレーザダイオードモジュールのＫＴＪ８が不
可能となる。Figures 6 and 7 show the electrical reflection coefficient of the P417-type laser diode module, the S-item of the S-bar make.
Ingredients are shown on the Nuzes chart. Measurement frequency is 0.5~
It is 6GHz. FIG. 6 shows the characteristics of the conventional butterfly type laser diode module shown in FIG. 3 when the electrical impedance Zs of the ground medium A section is large. In this figure, 2.1, 2.4, 4.6
At frequencies around GHz, the reactance component is always in a resonant state, and even at around 3.1 GHz, it is in a near-resonant state. At frequencies in this state, a resonance phenomenon occurs in the circuit including the electronic cooling element.
The 7M characteristics of the laser diode module are significantly degraded. For example, in the small signal frequency response characteristic, a dip or peak is observed at the resonant frequency, and in the pulse response characteristic, increased ringing, increased rise and fall times, etc. are observed. Therefore, the KTJ8 laser diode module in the gigabit band becomes impossible.
これに対して、＠７図は、第４図に示した第二の実施例
のように、接地媒体Ａ部の電気的インピーダンスＺｓが
小さい場合の特性を示す。この図では、３．９ＧＨｚ付
近で測定値がスミスチャートの内側に入り、インピーダ
ンスが小さく変化しているが＊ ４．７５ Ｇ Ｈｚ
まで共振状態が見られない。On the other hand, Figure @7 shows the characteristics when the electrical impedance Zs of the ground medium A section is small, as in the second embodiment shown in Figure 4. In this figure, the measured value falls inside the Smith chart around 3.9 GHz, and the impedance changes small.* 4.75 GHz
Until then, no resonance state can be seen.
このような場合のレーザの小信号周波数応答特性では、
前述のようなディップやピークは４ ＧＨｚ以上まで観
測されず、ノζルス応答特性Ｉこおいても良好な波形が
得られ、２〜３Ｇｂ／ｓまでの高速変調が可能である。The small signal frequency response characteristics of the laser in this case are:
Dips and peaks as described above are not observed up to 4 GHz or higher, a good waveform is obtained even in the noise response characteristic I, and high-speed modulation of up to 2 to 3 Gb/s is possible.
第８図は、従来のデュアル・イン−ライン型レーザダイ
オードモジュールの８パラメータ特性である。この図で
は、１．６ 、１．９ 、３．１ 、４．８ ＧＨｚ付
近の周波数において共振状態となっている。このためレ
ーザダイオードモジュールの変調特性がこれらの周波数
付近で劣化する。第９図にレーザダイオードモジエール
の周波数応答特性を示す。FIG. 8 shows 8-parameter characteristics of a conventional dual in-line laser diode module. In this figure, resonance occurs at frequencies around 1.6, 1.9, 3.1, and 4.8 GHz. Therefore, the modulation characteristics of the laser diode module deteriorate around these frequencies. FIG. 9 shows the frequency response characteristics of the laser diode modière.
ａは第二の実施例で示したバタフライ型で第７図に示し
たＳパラメータ特性を有するレーザダイオードモジュー
ルの特性、ｂは従来のデュアル・イン・ライン型で第８
図に示したＳパラノー４１特性を有するレーザダイオー
ドモジュールの特性である。図のように、電気的共振周
波数が高い第二の実施例の特性ａでは、４ＧＨｚ以上ま
でディ、プやピークはあまり観測されないかも従来のデ
ュアル・イン・ライン型の特性すでは％１．４，１．９
ＧＨｚ付近などで数ｄＢ−１０ｄＢのディ、プが観測さ
れる。a is the characteristic of the butterfly type laser diode module shown in the second embodiment and has the S-parameter characteristics shown in FIG.
This is the characteristic of the laser diode module having the S-parano 41 characteristic shown in the figure. As shown in the figure, in the characteristic a of the second embodiment, which has a high electrical resonance frequency, dips and peaks may not be observed much up to 4 GHz or higher. ,1.9
A dip of several dB to 10 dB is observed near GHz.
第１０図は、第四の実施例である。同図において、２０
はボンディングワイヤ、２１は金属ブロックである。こ
の第四の実施例では、第２図における接地媒体Ａ部とし
て、ボンディングワイヤと断面積の大きな今頃ブロック
２１の並列回路を用いており、第二の実施例と同様の効
果がある。FIG. 10 shows a fourth embodiment. In the same figure, 20
is a bonding wire, and 21 is a metal block. In this fourth embodiment, a parallel circuit of a bonding wire and a block 21 having a large cross-sectional area is used as the grounding medium A section in FIG. 2, and the same effect as in the second embodiment is obtained.
第１１図は、第五の実施例である。同図において、２２
はボンディングワイヤ群であり１．５本のポ・ンディン
グワイヤから成る。この第五の実施例では、嘱２図にた
ける接地媒体Ａ部さして、ボンディングワイヤ群２２を
用いており、インダクタンスが低減されているので、第
二の実施例き同様の効果がある。FIG. 11 shows a fifth embodiment. In the same figure, 22
is a bonding wire group consisting of 1.5 bonding wires. In this fifth embodiment, the bonding wire group 22 is used as the grounding medium A shown in FIG. 2, and the inductance is reduced, so that the same effect as in the second embodiment is obtained.
第１２図は、用穴の実施例である。同図１こおいて、４
′はグランド内部リード、２３は第ニゲランド内部リー
ド、２４は第二グランド内部リードである。この第六の
実施例では、第２図における接地媒体Ａ部として、３本
のグランド内部リードを用いており、インダクタンスが
低減されるので第二の実施例と同様の効果がある。FIG. 12 shows an example of the use hole. In Figure 1, 4
' is a ground internal lead, 23 is a second Nigerland internal lead, and 24 is a second ground internal lead. In this sixth embodiment, three ground internal leads are used as the grounding medium A section in FIG. 2, and the inductance is reduced, so that the same effect as in the second embodiment is obtained.
第１３図は、第七の実施例である。同図において、４′
はグランド内部リード、 ２５はコンデンサである。こ
の第七の実施例では、第２図における接地媒体Ａ部きし
て、ボンディングワイヤ２０とグランド内部リード４′
の直列接続およびこれらに並列に接続されるコンデンサ
２５を用いており、低周波帯においてはボンディングワ
イヤ２０とグランド内部リード４′の直列接続、高周波
帯においてはコンデンサ２５によって低インピーダンス
化されている。このため、第二の実施例と同様の効果が
ある。FIG. 13 shows a seventh embodiment. In the same figure, 4'
is the ground internal lead, and 25 is the capacitor. In this seventh embodiment, the grounding medium A section in FIG.
are connected in series, and a capacitor 25 is connected in parallel to these. In the low frequency band, the bonding wire 20 and the ground internal lead 4' are connected in series, and in the high frequency band, the impedance is reduced by the capacitor 25. Therefore, there is an effect similar to that of the second embodiment.
第１４図は、第への実施例である。同図において、２１
は釡属ブロック、２５はコンデンサである。この第への
実施例では、第２図における接地媒体Ａ部として、金属
ブロック２１とコンデンサ２５の並列回路を用いており
、断面積の大きな金属ブロックによる低インダクタンス
化およびコンデンサによる高周波帯での低インピーダン
ス化がなされている。また、第一の実施例では、断面積
の大きな金属片を用いて、金属ステム１１と ケース１
の間の低インピーダンス化を図り−Ｃいるため、電子冷
却素子１２の吸熱効率が低下するが、第四の実施例では
、コンデンサ２５が部品点数として１個増えるものの、
コンデンサの熱伝導度は悪いために電子冷却素子１２の
吸熱効率は殆んど低下しない。FIG. 14 shows the second embodiment. In the same figure, 21
is a metal block, and 25 is a capacitor. In this third embodiment, a parallel circuit of a metal block 21 and a capacitor 25 is used as the grounding medium A in FIG. It has been made into an impedance. Further, in the first embodiment, a metal piece with a large cross-sectional area is used to connect the metal stem 11 and the case 1.
In order to reduce the impedance between -C, the heat absorption efficiency of the electronic cooling element 12 decreases, but in the fourth embodiment, although the number of parts increases by one capacitor 25,
Since the thermal conductivity of the capacitor is poor, the heat absorption efficiency of the electronic cooling element 12 hardly decreases.
第１５図は、第九の実施例である。この実施例では、關
４図における金属プロ々り２１が金属ステム１１々一体
化されており、金属ステム１１の一部を直接、ケースｌ
に接触させることにより。FIG. 15 shows the ninth embodiment. In this embodiment, the metal protrusion 21 in Figure 4 is integrated with the metal stem 11, and a part of the metal stem 11 is directly attached to the case l.
By bringing it into contact with.
レ−ｆ ８ ハケース１に低インピーダンスで接地され
る。このため、第二の実施例と同様の効果がある。Lef8 is grounded to case 1 with low impedance. Therefore, there is an effect similar to that of the second embodiment.
本発明によれば、電子冷却素子を内蔵した発光素子モジ
エールにおいて、発光素子を搭載した金属マウントを高
周波領域において低インピーダンス化して接地するため
、電子冷却素子を含む回路に起因する共振状態を抑Ｅｆ
ることができるので、発光製子モジ＝−ルの高速変調特
性が改善され、２〜３ ｄ Ｂ ／ ｓ程度の変調が可
能となる効果がある。According to the present invention, in a light emitting element modière with a built-in thermoelectric cooling element, the metal mount on which the light emitting element is mounted is grounded with low impedance in a high frequency region, thereby suppressing the resonance state caused by the circuit including the thermoelectric cooling element.
As a result, the high-speed modulation characteristics of the light emitting module are improved and modulation of about 2 to 3 dB/s becomes possible.
第１図は本発明の第一の実施例の内部構造図、第２は第
一の実施例の等価回路図、第３図は従来の内部構造図、
第４図は第二の実施例の内部構造図、第５図は第三の実
施例の内部構造図、第６図は従来のバタフライ型レーザ
ダイオードモジュールのＳパラメータ特性図、第７図は
第二の実施例のバタフライ型レーザダイオードモジュー
ルの８パラメ一タ特性図、講８図は従来のデュアル・イ
ン・ライン型レーザダイオードモジュールのＳパラメー
タ特性図、第９図はレーザダイオードモジュールの周波
数応答特性図、纂１０図は第四の実施例の内部構造図、
第１１図は第五の実施例の内部構造図、第１２図は第六
の実施例の内部構造図、第１３図はゲ七の実施例の内部
構造図、第１４図は椹への実施例内部構造図、浦１５図
は第九の実施例の内部構造図である。
符号の説明
１・・・ケース、２・・・ケース蓋、３・・・レーザ電
極リード、３′・・・レーザ電極内部リード、 ４・・
・グランドリード、５・・・接地媒体Ａ、６・・・金嬉
板、７・・・ボンディングワイヤ、８・・・レーザ、９
・・・ボンディングワイヤ、１０・・・サブマウント、
１１・・・金属ステム、１２・・・電子冷却素子、１３
・・・ガラスビーム、１４・・・信号入力端子、１５・
・・グランド端子、１６・・・ケース、１７・・・レー
ザ、１８・・・接地媒体、１９・・・電子冷却素子、２
０・・・ボンディングワイヤ、２１・・・金属ブロック
、２２・・・ボンディングワイヤ群、２３・・・纂ニゲ
ランド内部リード、２４・・・第三グランド内部リード
。
第２８
茅プ目
用３！Ｌ畝（６）−／り
第７ρ目
第１７国
り６ ノ２ ル〕
第７４国 、Fig. 1 is an internal structure diagram of the first embodiment of the present invention, Fig. 2 is an equivalent circuit diagram of the first embodiment, and Fig. 3 is a conventional internal structure diagram.
FIG. 4 is an internal structure diagram of the second embodiment, FIG. 5 is an internal structure diagram of the third embodiment, FIG. 6 is an S-parameter characteristic diagram of a conventional butterfly laser diode module, and FIG. 8-parameter characteristic diagram of the butterfly type laser diode module of the second embodiment, Figure 8 is the S-parameter characteristic diagram of the conventional dual-in-line type laser diode module, and Figure 9 is the frequency response characteristic of the laser diode module. Figure 10 is an internal structure diagram of the fourth embodiment,
Fig. 11 is an internal structural diagram of the fifth embodiment, Fig. 12 is an internal structural diagram of the sixth embodiment, Fig. 13 is an internal structural diagram of the seventh embodiment, and Fig. 14 is an internal structural diagram of the sixth embodiment. FIG. 15 is an internal structure diagram of the ninth embodiment. Explanation of symbols 1... Case, 2... Case lid, 3... Laser electrode lead, 3'... Laser electrode internal lead, 4...
・Ground lead, 5... Grounding medium A, 6... Gold plate, 7... Bonding wire, 8... Laser, 9
...Bonding wire, 10...Submount,
11... Metal stem, 12... Electronic cooling element, 13
...Glass beam, 14...Signal input terminal, 15.
...Ground terminal, 16...Case, 17...Laser, 18...Grounding medium, 19...Electronic cooling element, 2
0...Bonding wire, 21...Metal block, 22...Bonding wire group, 23...England internal lead, 24...Third ground internal lead. No. 28 3 for Kayapu eyes! 74th country,
Claims (1)
て、発光素子の金属ステムが接地媒体によってモジュー
ルのケースに接地され、その接地媒体の電気的インピー
ダンスが、電子冷却素子の電気的インピーダンスより小
さいことを特徴とする発光素子モジュール。２、電子冷
却素子を内蔵した発光素子モジュールにおいて、１個ま
たは複数個の導体ブロックあるいは導体板を用いて、発
光素子の金属ステムをモジュールのケースへ接地したこ
とを特徴とする発光素子モジュール。 ３、電子冷却素子を内蔵した発光素子モジュールにおい
て、ボンディングワイヤおよび１個または複数個の導体
ブロックあるいは導体板を用いて、発光素子の金属ステ
ムをモジュールのケースへ接地したことを特徴とする発
光素子モジュール。 ４、電子冷却素子を内蔵した発光素子モジュールにおい
て、３本以上のボンディングワイヤを用いて、発光素子
の金属ステムをモジュールのケースへ接地したことを特
徴とする発光素子モジュール。 ５、電子冷却素子を内蔵した発光素子モジュールにおい
て、ボンディングワイヤおよび１個または複数個のコン
デンサを用いて、発光素子の金属ステムをモジュールの
ケースへ接地したことを特徴とする発光素子モジュール
。 ６、電子冷却素子を内蔵した発光素子モジュールにおい
て、１個または複数個の導体ブロックあるいは導体板お
よび１個または複数個のコンデンサを用いて、発光素子
の金属ステムをモジュールのケースへ接地したことを特
徴とする発光素子モジュール。 ７、電子冷却素子を内蔵した発光素子モジュールにおい
て、発光素子の金属ステムの一部を直接モジュールのケ
ースに接触させることにより、該金属ステムをモジュー
ルのケースへ接地したことを特徴とする発光素子モジュ
ール。[Claims] 1. In a light emitting element module incorporating a thermoelectric cooler, the metal stem of the light emitting element is grounded to the module case by a grounding medium, and the electrical impedance of the grounding medium is equal to the electrical impedance of the thermoelectric cooling element. A light emitting element module characterized by being smaller than impedance. 2. A light emitting element module containing a built-in electronic cooling element, characterized in that the metal stem of the light emitting element is grounded to the module case using one or more conductor blocks or conductor plates. 3. A light emitting element module with a built-in electronic cooling element, characterized in that the metal stem of the light emitting element is grounded to the module case using a bonding wire and one or more conductive blocks or conductive plates. module. 4. A light emitting element module containing a built-in electronic cooling element, characterized in that the metal stem of the light emitting element is grounded to the module case using three or more bonding wires. 5. A light emitting element module containing a built-in electronic cooling element, characterized in that a metal stem of the light emitting element is grounded to a case of the module using a bonding wire and one or more capacitors. 6. In a light emitting element module with a built-in thermoelectric cooler, the metal stem of the light emitting element is grounded to the module case using one or more conductor blocks or plates and one or more capacitors. Characteristic light emitting element module. 7. A light emitting element module with a built-in electronic cooling element, characterized in that a part of the metal stem of the light emitting element is brought into direct contact with the module case, thereby grounding the metal stem to the module case. .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61306417A JPS63160289A (en) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | Light-emitting element module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61306417A JPS63160289A (en) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | Light-emitting element module |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63160289A true JPS63160289A (en) | 1988-07-04 |
Family
ID=17956769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61306417A Pending JPS63160289A (en) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | Light-emitting element module |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63160289A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02130987A (en) * | 1988-11-11 | 1990-05-18 | Nec Corp | Semiconductor laser device |
| JPH02197185A (en) * | 1989-01-26 | 1990-08-03 | Fujitsu Ltd | Semiconductor laser assembly with built-in electronic cooling element |
| JPH04337688A (en) * | 1991-05-15 | 1992-11-25 | Nec Corp | Semiconductor laser |
| JP2009029222A (en) * | 2007-07-26 | 2009-02-12 | Honda Motor Co Ltd | Wind screen structure of motorcycle |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5029284A (en) * | 1973-07-11 | 1975-03-25 | ||
| JPS6325993A (en) * | 1986-07-18 | 1988-02-03 | Mitsubishi Electric Corp | Optical coupling device |
-
1986
- 1986-12-24 JP JP61306417A patent/JPS63160289A/en active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5029284A (en) * | 1973-07-11 | 1975-03-25 | ||
| JPS6325993A (en) * | 1986-07-18 | 1988-02-03 | Mitsubishi Electric Corp | Optical coupling device |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02130987A (en) * | 1988-11-11 | 1990-05-18 | Nec Corp | Semiconductor laser device |
| JPH02197185A (en) * | 1989-01-26 | 1990-08-03 | Fujitsu Ltd | Semiconductor laser assembly with built-in electronic cooling element |
| JPH04337688A (en) * | 1991-05-15 | 1992-11-25 | Nec Corp | Semiconductor laser |
| JP2009029222A (en) * | 2007-07-26 | 2009-02-12 | Honda Motor Co Ltd | Wind screen structure of motorcycle |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4989930A (en) | Optoelectronics package | |
| JP5188625B2 (en) | Semiconductor light modulator | |
| US7030477B2 (en) | Optical semiconductor device | |
| CA1292798C (en) | Semiconductor laser module of dual in-line package type | |
| US7130100B2 (en) | Optical module | |
| JP4199901B2 (en) | Optical transmission module | |
| US20050067698A1 (en) | Optical semiconductor device | |
| US11444036B2 (en) | Power module assembly | |
| WO2022141953A1 (en) | To package structure | |
| US11503715B2 (en) | Optical module | |
| JPS63160289A (en) | Light-emitting element module | |
| US12009634B2 (en) | Header and package with integrated cooler for electronic components | |
| KR0181896B1 (en) | Wide-band device of fast optical module | |
| US6788447B2 (en) | Off-chip matching circuit for electroabsorption optical modulator | |
| JPH031587A (en) | Semiconductor laser device | |
| CN211265964U (en) | Positive-pressure bias light-emitting unit, coaxial semiconductor laser and optical module | |
| JPH1187852A (en) | Semiconductor laser module with electronic cooler | |
| CN218941090U (en) | LoRa module based on thermal isolation technique | |
| CN113031174B (en) | TO-CAN module, transmitting assembly and optical module | |
| JP2723565B2 (en) | Semiconductor laser device | |
| JPH07122808A (en) | Semiconductor laser modulation circuit device | |
| JPH08274248A (en) | Super wide band integrated circuit device | |
| CN214851178U (en) | Circuit of PIN switch | |
| WO2023233589A1 (en) | Semiconductor laser light source device | |
| JPH0557748B2 (en) |