JPS63159772A - Semiconductor testing device - Google Patents
Semiconductor testing deviceInfo
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- JPS63159772A JPS63159772A JP61314419A JP31441986A JPS63159772A JP S63159772 A JPS63159772 A JP S63159772A JP 61314419 A JP61314419 A JP 61314419A JP 31441986 A JP31441986 A JP 31441986A JP S63159772 A JPS63159772 A JP S63159772A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、多様化する半導体装置のファンクシランテ
ストを行なうための半導体試験装置に関するものである
。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a semiconductor testing device for performing funxilan tests on increasingly diverse semiconductor devices.
第2図は従来の半導体試験装置(以下、テスタと称する
)の各機能を示すブロックダイアグラムである。ディス
ク1は被測定半導体装置(MUT)3をテストするため
にあらかじめ作成されたテストプログラムを記憶してお
くものであり、テスタプロセッサ2はそのディスク1上
から所望のテストプログラムを読み出し、そのテストプ
ログラムに基づいてMUT 3 ft動作させるために
必要なパワーサプライ4.タイミング発生器5.アドレ
スパターン発生器6.ピンデータセレクタ7及びデータ
比較器9内のコンパレータ9aを1)1)1し、MUT
3の良否をテストする。MUT3の出力データが正常か
否かを検査するために使用する期待値は、テスタ10内
部に実装された、MUT3と同じデバイスであるリファ
レンスデバイス8の出力データを用いる。FIG. 2 is a block diagram showing each function of a conventional semiconductor testing device (hereinafter referred to as a tester). The disk 1 stores a test program created in advance to test the semiconductor device under test (MUT) 3, and the tester processor 2 reads a desired test program from the disk 1 and executes the test program. Power supply required to operate MUT 3 ft based on 4. Timing generator5. Address pattern generator6. The pin data selector 7 and the comparator 9a in the data comparator 9 are set to 1) 1), and the MUT
Test whether 3 is good or bad. The expected value used to check whether the output data of the MUT 3 is normal is the output data of the reference device 8, which is the same device as the MUT 3 and is mounted inside the tester 10.
次に動作について説明する。MUT3は、ディスフ1上
にあらかじめ作成されたテストプログラムに基づきテス
タプロセッサ2により動作され、その機能がテストされ
る。そのテスト手順は次の通りである。Next, the operation will be explained. The MUT 3 is operated by the tester processor 2 based on a test program created in advance on the disk drive 1, and its functions are tested. The test procedure is as follows.
まずMUT3を動作させるために必要な電圧条件(入力
印加電圧、電源電圧)及びタイミング条件(アドレス信
号、クロック信号等の変化時間)が設定される。即ちパ
ワーサプライ4によりMUT3への印加電圧が、タイミ
ング発生器5によりテストサイクルにおける各信号の変
化時間が、それぞれ設定される。そして、アドレスパタ
ーン発生器6で発生したMUTテスト用テステストデー
タンデータセレクタ7を通して、MUT3の入力ビン(
アドレスビン、クロックビン)に印加される。このとき
、MUT3を動作させるのと同じ条件がテスタlO内部
のリファレンスデバイス8にも印加される。その結果、
リファレンスデバイス8の出力値が、MUT3の出力デ
ータが正常か否かを検査するための期待値となり、その
期待値とMUT3の出力データとが、データ比較器9内
のコンパレータ9aで比較される。これにより、MUT
3が正常に製造されたかどうかを識別することができる
0本方式は、一般にゴールゾンデバイスあるいはキング
デバイス(ここではリファレンスデバイスと呼称する)
との比較検査方法と言われているものである。First, voltage conditions (input applied voltage, power supply voltage) and timing conditions (change times of address signals, clock signals, etc.) necessary for operating the MUT 3 are set. That is, the voltage applied to the MUT 3 is set by the power supply 4, and the change time of each signal in the test cycle is set by the timing generator 5. Then, the test data for the MUT test generated by the address pattern generator 6 is passed through the data selector 7 to the input bin of the MUT 3 (
address bin, clock bin). At this time, the same conditions for operating the MUT 3 are also applied to the reference device 8 inside the tester IO. the result,
The output value of the reference device 8 becomes an expected value for testing whether the output data of the MUT 3 is normal or not, and the expected value and the output data of the MUT 3 are compared by a comparator 9a in the data comparator 9. This allows MUT
The 0-piece method that can identify whether or not 3 has been manufactured normally is generally the Goulzon device or King device (herein referred to as the reference device).
This is said to be a comparative inspection method.
従来の半導体試験装置は以上のように構成されており、
例えば製品スペックを保証するためにそのMUTの規格
値を越えた厳しい動作条件で検査する場合において、リ
ファレンスデバイスもMUTと同じ条件で動作されるの
で、テスタの経時変化による変動あるいは再現性におけ
る精度等が原因となってリファレンスデバイスが誤動作
するおそれがあり、MUTを検査するための期待値を安
定して得ることが困難となるという問題点があった。Conventional semiconductor test equipment is configured as described above.
For example, when testing under severe operating conditions that exceed the standard values of the MUT in order to guarantee product specifications, the reference device is also operated under the same conditions as the MUT, so there may be fluctuations due to changes in the tester over time, accuracy in repeatability, etc. There is a possibility that the reference device malfunctions due to this, and there is a problem that it becomes difficult to stably obtain expected values for testing the MUT.
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、MUTをその規格値を越えた動作条件で検
査する場合でもリファレンスデバイスを安定に正常動作
させることができ、MUTを安定して検査することがで
きる半導体試験装置を得ることを目的とする。This invention was made to solve the above-mentioned problems, and even when the MUT is tested under operating conditions exceeding its standard values, the reference device can be operated stably and normally, and the MUT can be stably operated. The purpose of the present invention is to obtain a semiconductor testing device that can be used for inspection.
この発明に係る半導体試験装置は、リファレンスデバイ
スへの入力印加電圧及び電源電圧を該デバイスの機能発
揮に適したそれぞれの値で与えるためのバッファ回路及
び補正回路を設けたものである。A semiconductor testing apparatus according to the present invention is provided with a buffer circuit and a correction circuit for applying an input voltage and a power supply voltage to a reference device at respective values suitable for the performance of the device.
この発明においては、リファレンスデバイスに対して、
バッファ回路により入力印加電圧が、補正回路により電
源電圧が、それぞれ該デバイスの機能発揮に適した値で
与えられるので、MUTの検査条件にかかわらず、リフ
ァレンスデバイスを安定して正常動作させることができ
、MUTの出力データの基準となる期待値を安定して得
ることができ、精度良<MUTの検査を行なうことがで
きる。In this invention, for the reference device,
The input applied voltage is supplied by the buffer circuit, and the power supply voltage is supplied by the correction circuit at values suitable for the performance of the device, so the reference device can operate stably and normally regardless of the MUT test conditions. , it is possible to stably obtain an expected value that serves as a reference for the output data of the MUT, and it is possible to perform an inspection with good accuracy <MUT.
以下、この発明の実施例を図について説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第1図はこの発明の一実施例による半導体試験装置を示
す。図において、第2図と同一符号は同じものを示し、
21はビンデータセレクタ7から印加されるMUT3へ
のファンクションテスト用入力印加電圧を、リファレン
スデバイス8がその機能を発揮するのに適した値(いわ
ゆる典型的な値)に変更して該デバイス8に与えるバッ
ファ回路であり、これはリファレンスデバイス8と同じ
技術、例えばMOS、CMO3,F、CL等で製造され
た単純なバッファゲートである。22は電源電圧をリフ
ァレンスデバイス8の典型的な動作電圧とする補正回路
であり、22aは固定電源、22bは可変抵抗、22c
は固定抵抗、22dはデカップリング用コンデンサ、2
2eはGNDである。また、本実施例で用いるリファレ
ンスデバイス8は、従来装置と同様にMUT3と同一の
ものであるが、特定の条件下、例えば入力印加電圧/電
源電圧がそのデバイスに対する典型的な値の時に正常に
動作することが前もって判明した良品である。ただし、
ここにおいて、良品か否かを確認する手段は問題としな
い。例えばリファレンスデバイス8 (=MUT3)を
使用する実機において、あるいは高機能を有する他のメ
モリテスタ等によって、単にリファレンスデバイス8の
正常動作が典型的な電圧条件付近(その付近とは、テス
タ10がその製品スペックで保証されている電圧レベル
精度内をカバーする電圧範囲を意味する)で保証されて
いればよい。一般に半導体装置は、その機能をまたすた
めの動作条件はある幅を存しているが、各品種によって
その機能を満たす動作を実現しやすい条件が存在する。FIG. 1 shows a semiconductor testing device according to an embodiment of the present invention. In the figure, the same symbols as in Figure 2 indicate the same things,
21 changes the function test input voltage applied from the bin data selector 7 to the MUT 3 to a value suitable for the reference device 8 to perform its function (a so-called typical value), and applies it to the device 8. This is a simple buffer gate manufactured in the same technology as the reference device 8, such as MOS, CMO3, F, CL, etc. 22 is a correction circuit that sets the power supply voltage to a typical operating voltage of the reference device 8, 22a is a fixed power supply, 22b is a variable resistor, 22c
is a fixed resistor, 22d is a decoupling capacitor, 2
2e is GND. Further, the reference device 8 used in this embodiment is the same as the MUT 3 as in the conventional device, but under certain conditions, for example, when the input applied voltage/power supply voltage is a typical value for the device, it does not function normally. This is a good product that has been proven to work in advance. however,
Here, the means for confirming whether the product is good or not does not matter. For example, in an actual device that uses the reference device 8 (=MUT3), or by other memory testers with high functionality, it is simply determined that the normal operation of the reference device 8 is near the typical voltage conditions (nearby means that the tester 10 is It is sufficient if the voltage range is guaranteed within the voltage level accuracy guaranteed in the product specifications. In general, a semiconductor device has a certain range of operating conditions for achieving its functions, but each type has conditions that make it easier to realize operations that satisfy its functions.
ここではその条件を典型的な条件と呼んでいる。These conditions are referred to here as typical conditions.
このような構成になる半導体試験装置では、MUT3と
リファレンスデバイス8を動作させ検査する手順は、従
来装置と同様であるが、バッファ回路21によってリフ
ァレンスデバイス8へ印加される入力電圧は典型的な値
の電圧となり、また電源電圧も補正回路22、即ち固定
電源22aから可変抵抗22bと固定抵抗22cとの比
によって、リファレンスデバイス8の典型的な動作電源
電圧となり、さらにはコンデンサ22dがリファレンス
デバイス8を安定して動作させるためのデカップリング
コンデンサとしての役目を果たすので、リファレンスデ
バイス8はテストしようとするMUT3と同時に正常動
作し、MUT3の正常動作を確認するためのデータ、即
ちファンクションテストにおける期待値を正常に出力す
ることができ、MUT3の良否が安定して検査できるこ
ととなる。In the semiconductor test equipment having such a configuration, the procedure for operating and testing the MUT 3 and the reference device 8 is the same as that of the conventional equipment, but the input voltage applied to the reference device 8 by the buffer circuit 21 is a typical value. The power supply voltage becomes a typical operating power supply voltage of the reference device 8 depending on the correction circuit 22, that is, the ratio of the variable resistor 22b and the fixed resistor 22c from the fixed power supply 22a, and furthermore, the capacitor 22d Since it serves as a decoupling capacitor for stable operation, the reference device 8 operates normally at the same time as the MUT3 to be tested, and provides data to confirm the normal operation of the MUT3, that is, the expected value in the function test. It is possible to output normally, and the quality of the MUT 3 can be stably inspected.
なお、上記実施例では、リファレンスデバイス8、バッ
ファ回路21及び補正回路22をテスタ10内部に実装
しているが、これはMUT3と同一の測定ボード上に搭
載して、リファレンスデバイス8から出る安定した正常
な出力信号をテスタ10に取込むようにしてもよい。In the above embodiment, the reference device 8, the buffer circuit 21, and the correction circuit 22 are mounted inside the tester 10, but this is mounted on the same measurement board as the MUT 3, so that the stable A normal output signal may be taken into the tester 10.
以上のように、この発明の半導体試験装置によれば、リ
ファレンスデバイスへ入力印加電圧及び電源電圧をそれ
ぞれ典型的な値で与えるためのバッファ回路及び補正回
路を設けたので、MUTの出力データに対応する期待値
を出力するリファレンスデバイスを安定して動作させる
ことができ、MUTの良否を安定して検査してその品質
を向上させることができる効果がある。As described above, according to the semiconductor testing apparatus of the present invention, since the buffer circuit and the correction circuit are provided to give the input applied voltage and the power supply voltage to the reference device at typical values, it is possible to correspond to the output data of the MUT. The reference device that outputs the expected value can be stably operated, and the quality of the MUT can be improved by stably inspecting the quality of the MUT.
第1図はこの発明の一実施例による半導体試験装置を示
すブロック図、第2図は従来の半導体試験装置の一例を
示すブロック図である。
図において、■・・・ディスク、2・・・テスタプロセ
ッサ、3・・・被測定半導体装置(MUT) 、4・・
・パワーサプライ、5・・・タイミング発生器、6・・
・アドレスパターン発生器、7・・・ピンデータセレク
タ、8・・・リファレンスデバイス、9・・・データ比
較H19a・・・コンパレータ、1o・・・半導体試験
袋W(テスタ)、21・・・バッファ回路、22・・・
補正回路、22a・・・固定電源、22b・・・可変抵
抗、22c・・・固定抵抗、22d・・・コンデンサ、
22e・・・GNDである。
なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
手続争甫正書岨発)
昭和63年 2月午日
特許庁長官 殿 、・82、
\つ・
1、事件の表示
特願昭 61−314419号
2、発明の名称
半導体試験装置
3、補正をする者
事件との関係 特許出願人
住所 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号名称(60
1)三菱電機株式会社
代表者 志岐守哉
4、代理人 郵便番号 532
住所 大阪市淀用区宮原4丁目1番45号新大阪八千代
ビル
5、補正の対象
図面(第2図)
6、補正の内容
TI) 第2図を別紙の通り訂正する。
以 上FIG. 1 is a block diagram showing a semiconductor testing device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a block diagram showing an example of a conventional semiconductor testing device. In the figure, ■... Disk, 2... Tester processor, 3... Semiconductor device under test (MUT), 4...
・Power supply, 5... Timing generator, 6...
・Address pattern generator, 7... Pin data selector, 8... Reference device, 9... Data comparison H19a... Comparator, 1o... Semiconductor test bag W (tester), 21... Buffer Circuit, 22...
Correction circuit, 22a... fixed power supply, 22b... variable resistor, 22c... fixed resistor, 22d... capacitor,
22e...GND. Note that the same reference numerals in the figures indicate the same or equivalent parts. Procedural Dispute (Sho 61-314419) February 1982, Commissioner of the Japan Patent Office, 82, 1, Indication of Case Patent Application No. 61-314419 2, Title of Invention Semiconductor Testing Device 3, Amendment Relationship with the case of a person who does
1) Mitsubishi Electric Corporation Representative Moriya Shiki 4, Agent Postal code 532 Address Shin-Osaka Yachiyo Building 5, 4-1-45 Miyahara, Yodoyo-ku, Osaka City Drawings subject to amendment (Fig. 2) 6. Amendment Content TI) Figure 2 is corrected as shown in the attached sheet. that's all
Claims (1)
導体装置と、該被測定半導体装置と同一のデバイスであ
って該被測定半導体装置の出力データが正常か否かを判
定するためのデータを出力するリファレンスデバイスと
をディスク上のテストプログラムに基づいて動作させ、
両者の出力データを比較して上記被測定半導体装置の良
否を試験する半導体試験装置において、 上記リファレンスデバイスへの入力印加電圧及び電源電
圧を、該デバイスがその機能を発揮するに適したそれぞ
れの値とするためのバッファ回路及び補正回路を設けた
ことを特徴とする半導体試験装置。(1) A semiconductor device under test that has a logic operation function and a data storage function, and a device that is the same as the semiconductor device under test and that has data for determining whether the output data of the semiconductor device under test is normal. Run the output reference device based on the test program on the disk,
In a semiconductor testing device that tests the quality of the semiconductor device under test by comparing the output data of both, the input voltage applied to the reference device and the power supply voltage are set to values suitable for the device to perform its functions. What is claimed is: 1. A semiconductor testing device characterized by comprising a buffer circuit and a correction circuit.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61314419A JPS63159772A (en) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | Semiconductor testing device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP61314419A JPS63159772A (en) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | Semiconductor testing device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JPS63159772A true JPS63159772A (en) | 1988-07-02 |
Family
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Family Applications (1)
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JP61314419A Pending JPS63159772A (en) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | Semiconductor testing device |
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JP (1) | JPS63159772A (en) |
-
1986
- 1986-12-24 JP JP61314419A patent/JPS63159772A/en active Pending
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