JPS63148637A - Dry etching - Google Patents
Dry etchingInfo
- Publication number
- JPS63148637A JPS63148637A JP29483486A JP29483486A JPS63148637A JP S63148637 A JPS63148637 A JP S63148637A JP 29483486 A JP29483486 A JP 29483486A JP 29483486 A JP29483486 A JP 29483486A JP S63148637 A JPS63148637 A JP S63148637A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- dry etching
- fluorine
- etching method
- compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title claims description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 25
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 49
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 22
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 17
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H tungsten hexafluoride Chemical compound F[W](F)(F)(F)(F)F NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims description 9
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical group [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000000460 chlorine Chemical group 0.000 claims description 7
- 229910052801 chlorine Chemical group 0.000 claims description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 claims description 4
- LVTJOONKWUXEFR-FZRMHRINSA-N protoneodioscin Natural products O(C[C@@H](CC[C@]1(O)[C@H](C)[C@@H]2[C@]3(C)[C@H]([C@H]4[C@@H]([C@]5(C)C(=CC4)C[C@@H](O[C@@H]4[C@H](O[C@H]6[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](C)O6)[C@@H](O)[C@H](O[C@H]6[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](C)O6)[C@H](CO)O4)CC5)CC3)C[C@@H]2O1)C)[C@H]1[C@H](O)[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 LVTJOONKWUXEFR-FZRMHRINSA-N 0.000 claims 4
- WSWMGHRLUYADNA-UHFFFAOYSA-N 7-nitro-1,2,3,4-tetrahydroquinoline Chemical group C1CCNC2=CC([N+](=O)[O-])=CC=C21 WSWMGHRLUYADNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 2
- LNDHQUDDOUZKQV-UHFFFAOYSA-J molybdenum tetrafluoride Chemical compound F[Mo](F)(F)F LNDHQUDDOUZKQV-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910015255 MoF6 Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- RLCOZMCCEKDUPY-UHFFFAOYSA-H molybdenum hexafluoride Chemical compound F[Mo](F)(F)(F)(F)F RLCOZMCCEKDUPY-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 101100528972 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) RPD3 gene Proteins 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- -1 molybdenum metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ドライエツチング方法に係り、特に半導体素
子基板等の試料の下地材料に対する優れた選択エツチン
グ性を有するドライエツチング方法に関するものである
。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a dry etching method, and more particularly to a dry etching method that has excellent selective etching properties for underlying materials of samples such as semiconductor device substrates.
半導体デバイスの微細化により、その加工を行うドライ
エツチングは精密エツチング性と共に高選択エツチング
性の向上が強く望まれている。With the miniaturization of semiconductor devices, it is strongly desired that the dry etching used for processing the devices be improved in not only precision etching properties but also highly selective etching properties.
特に寸法が1μmを割るサブミクロン・デバイスにおけ
る金属酸化膜のドライエツチングにおいては、下地材料
に対して高い選択比(約30以上)(下地材料に対する
金属酸化膜のエツチング速度の比)が要求されている。In particular, dry etching of metal oxide films in submicron devices with dimensions of less than 1 μm requires a high selectivity (approximately 30 or more) to the underlying material (ratio of etching speed of the metal oxide film to the underlying material). There is.
選択比向上に対しては、例えば、下地材料に対する強い
エツチング種を減少させる技術が提案されている。例え
ば、特公昭59−46094号公帽には、下地材料であ
るシリコンに対する強いエツチング種であるフッ素ラジ
カルを吸収するモリブデン、タングステン、シリコンの
材料をエツチング装置内に構築し、該材料とフッ素ラジ
カルとの反応によりフッ素ラジカルの量を減少させて金
属酸化膜である酸化ケイ素の下地材料であるシリコンと
の選択比を向上させる技術が開示されている。In order to improve the selectivity, for example, a technique has been proposed to reduce the strong etching species on the underlying material. For example, in the hat of Japanese Patent Publication No. 59-46094, materials such as molybdenum, tungsten, and silicon that absorb fluorine radicals, which are strong etching species for silicon, which is the underlying material, are constructed in an etching device, and the materials and fluorine radicals are A technique has been disclosed in which the amount of fluorine radicals is reduced by a reaction to improve the selectivity of silicon oxide, which is a metal oxide film, to silicon, which is a base material.
また、エツチングガスとして金属酸化膜をエツチングす
るガスと有機性膜を堆積する作用を有するガスとの混合
ガスを用い、下地材料に有機性膜を堆積させて、これに
より下地材料のエツチングを抑制し選択比を向上させよ
うとする技術が、最近、広(採用されている。例えば、
C2Fs + CHF3の混合ガスは、C2F6が金属
酸化膜である酸化ケイ素および下地材料であるシリコン
のエツチングガスであり、CHF3が、有機性膜を堆積
させるガスである。CHFaは、炭化水素の有機性膜を
酸化ケイ素およびシリコンに堆積させるが、酸化ケイ素
のエツチング生成物である酸素が炭化水素と化学反応し
、これを揮発物に分解するため膜としての寿命が短く酸
化ケイ素のエツチングが進行する。In addition, an organic film is deposited on the base material using a mixed gas of a gas that etches the metal oxide film and a gas that has the effect of depositing an organic film as an etching gas, thereby suppressing the etching of the base material. Recently, techniques to improve the selectivity have been widely adopted. For example,
In the mixed gas of C2Fs + CHF3, C2F6 is an etching gas for silicon oxide, which is a metal oxide film, and silicon, which is an underlying material, and CHF3 is a gas for depositing an organic film. CHFa deposits an organic film of hydrocarbons on silicon oxide and silicon, but the life of the film is short because oxygen, an etching product of silicon oxide, chemically reacts with the hydrocarbons and decomposes them into volatile substances. Etching of silicon oxide progresses.
一方、シリコンに堆積した炭化水素の膜は、酸素が存在
しない会長寿命化し、シリコンのエツチングを抑制する
ことによって選択比が向上する。このような技術は、例
えば、1半導体プラズマプロセス技術”、第229頁、
産業図書(昭和55年7月)に開示されている。On the other hand, the hydrocarbon film deposited on silicon has a long lifetime in the absence of oxygen, and the etching selectivity is improved by suppressing silicon etching. Such technology is, for example, "1 Semiconductor Plasma Process Technology", p. 229,
Disclosed in Sangyo Tosho (July 1982).
上記第1の従来技術では、金属酸化物のエツチング中に
もエツチング種を減少させるため、金属酸化物のエツチ
ング速度が低レベルに抑制され、また、選択比も十分に
得られないといった問題がある。In the first conventional technique, since the etching species are also reduced during etching of the metal oxide, the etching rate of the metal oxide is suppressed to a low level, and there is a problem that a sufficient selectivity cannot be obtained. .
また、上記第2の従来技術では、金属酸化物のエツチン
グ速度は比較的大きく、選択比もある程度(10〜15
)までには向上する。しかし−二の技術で得られる選択
比は、サブミクロン・デバイスのエツチングにとっては
、未だ不充分である。In addition, in the second conventional technique, the etching rate of the metal oxide is relatively high, and the selectivity is also to a certain extent (10 to 15
). However, the selectivity obtained with the second technique is still insufficient for etching submicron devices.
本発明の目的は、選択比を、サブミクロン・デバイスの
エツチングで要求される選択比(約30以上)に向上さ
せることができるドライエツチング方法を提供すること
にある。An object of the present invention is to provide a dry etching method that can improve the selectivity to the level required for etching submicron devices (approximately 30 or more).
上記目的は、ドライエツチング方法を、減圧下でガスを
プラズマ化し、該プラズマを利用して試料をエツチング
する方法において、前記ガスが前記試料で主に金属酸化
物をエツチングするガス群人と前記試料で主に下地材料
に金属堆積物を形成させるガス群Bとから構成されるこ
とを特徴とする方法とすることにより、達成される。The above object is to provide a dry etching method in which a gas is turned into plasma under reduced pressure and a sample is etched using the plasma, in which the gas is a gas that mainly etches metal oxides in the sample and the sample is etched. This is achieved by a method characterized in that the gas group B is mainly comprised of gas group B that causes metal deposits to be formed on the underlying material.
すなわちガス群人は、フッ素を含む化合物の単成分ガス
域は複数成分ガスから成る。In other words, in the gas group, the single-component gas region of a fluorine-containing compound is composed of multiple-component gases.
ガス群人には次の3系統のガスが有効である。The following three types of gas are effective for gas people.
@l系統・・・・−NF3. SF。@l system...-NF3. SF.
@2系統・・・・・・フッ素と炭酸を含む化合物第3系
統・・・・・・第2系統のフッ素の一部が水素あるいは
塩素で置換された化合物
金属酸化膜として酸化ケイ素の場合を例に選び以下に説
明する。これらのガス分子はプラズマ中の電子と衝突し
てフッ素ラジカルとイオンを解離生成し、イオンの助け
の下にフッ素ラジカルが酸化ケイ素と反応することによ
り酸化ケイ素をエツチングする。ガス群Aは下地材料で
あるシリコンをもエツチングする。@2 system: Compound containing fluorine and carbonic acid. 3rd system: Compound where part of the fluorine in the 2nd system is replaced with hydrogen or chlorine. Silicon oxide as a metal oxide film. An example will be chosen and explained below. These gas molecules collide with electrons in the plasma to dissociate and generate fluorine radicals and ions, and the fluorine radicals react with silicon oxide with the help of the ions, thereby etching the silicon oxide. Gas group A also etches the underlying material, silicon.
ガス群Bには次の2系統のガスが有効である。The following two systems of gas are effective for gas group B.
第1系統・−・・−W F6 、 MoF6第2系統・
・・・・・第1系統のフッ素の一部が水素あるいは塩素
で置換された化合物。1st system・・・・W F6, MoF6 2nd system・
...A compound in which part of the fluorine in the first system is replaced with hydrogen or chlorine.
これらのガスはシリコン上にはタングステンあるいはモ
リブデンの金属物を堆積させるが、酸化ケイ素上には殆
んど堆積させない。これは、ガス群Bに対してシリコン
が下式の還元反応をおこすのに対し、酸化ケイ素が反応
をおこさないからである。These gases deposit tungsten or molybdenum metals on silicon, but very little on silicon oxide. This is because silicon causes the reduction reaction of the following formula with respect to gas group B, whereas silicon oxide does not cause any reaction.
2WF6+38i→2W+381F4
2MOFg+38i −2W+3MOF4ガス群人は酸
化ケイ票およびその下地材料であるシリコンをエツチン
グするが、下地材料のシリコンが露出すると、ガス群B
の上記還元反応によりシリコン上に金属物を堆積させる
。このためシリコンは金属堆積物で覆われエツチングは
進まない。Gas group B
A metal substance is deposited on silicon by the above-mentioned reduction reaction. For this reason, the silicon is covered with metal deposits and etching does not proceed.
なおタングステン、モリブデンもガス群Aによってエツ
チングされるが、エツチングされ下地材料のシリコンが
露出されると、金属物が堆積し、エツチングと胤禎が繰
り返されるため、金属膜が大きく成長したり、下地材料
が大きくエツチングされることはない◎
〔実 施 例〕
以下、本発明の一実施例を181図〜第2図により説明
する。Note that tungsten and molybdenum are also etched by gas group A, but when the underlying material silicon is etched, metal objects are deposited, and as etching and deterioration are repeated, the metal film may grow large or the underlying material may be The material is not etched to a large extent. [Example] An example of the present invention will be described below with reference to FIGS. 181 to 2.
m1図は本発明を適用するエツチング装置例で、エツチ
ング室lはシール機構を有した絶縁部材4゜5を介して
上電極2と下型[j3を内蔵し、排気孔6を有する。上
電極2は高周波型#7に接続され、下型&3は接地され
、その上面には試料である半導体素子基板9が設置され
る。Figure m1 shows an example of an etching apparatus to which the present invention is applied, in which an etching chamber l houses an upper electrode 2 and a lower mold [j3] via an insulating member 4.5 having a sealing mechanism, and has an exhaust hole 6. The upper electrode 2 is connected to the high frequency die #7, the lower die &3 is grounded, and the semiconductor element substrate 9, which is a sample, is placed on its upper surface.
それぞれ流量を制御されたガス群Aとガス群Bから成る
混合ガスが上部電極2の下面より供給され、かつ排気孔
6から排気され、エツチング室!内は所定の圧力は調節
される。導入された混合ガスは上、下電極間での高周波
放電によりてプラズマ化し、エツチングおよび堆積に必
要な活性種を創生し、半導体素子基板8を処理する。A mixed gas consisting of gas group A and gas group B, each having a controlled flow rate, is supplied from the lower surface of the upper electrode 2 and exhausted from the exhaust hole 6, and the etching chamber! A predetermined pressure is regulated inside. The introduced mixed gas is turned into plasma by high frequency discharge between the upper and lower electrodes, creates active species necessary for etching and deposition, and processes the semiconductor element substrate 8.
第2図は多結晶シリコン上にプラズマCVDにより酸化
ケイ素(8102)膜を堆積させ、ホトレジストをマス
クとしてエツチングした場合のデータである。FIG. 2 shows data when a silicon oxide (8102) film was deposited on polycrystalline silicon by plasma CVD and etched using a photoresist as a mask.
WF6濃度が0%の場合、酸化ケイ素のエツチング速度
は600 nm/m inで、選択比は12であった。When the WF6 concentration was 0%, the silicon oxide etching rate was 600 nm/min and the selectivity was 12.
選択比はWF6の量とともに増加し、エツチング速度の
減少は小さく、WF6のm度10%でエツチング速度5
90 nm/min 、 選択比49が得られた。こ
の選択比はサブミクロン・デバイスにおいて従来技術を
改善できた。なお、WFiO)allカ20%を越すと
選択比は飽和する傾向であった。The selectivity increases with the amount of WF6, and the decrease in etching rate is small, with an etching rate of 5 at 10% of WF6.
90 nm/min and a selectivity of 49 were obtained. This selectivity could be an improvement over the prior art in submicron devices. Note that when WFiO)all exceeds 20%, the selectivity tends to be saturated.
ガス群BとしてMOF6およびWF6. MoF6のフ
ッ素の一部を水素または塩素で置換した化合物を使用し
た場合も、ガスnBの濃度の増加とともに選択比が向上
した。なおガスn人は前記の3系統であればガス群Bの
金属物堆積作用に及ぼす影響は小さい。As gas group B, MOF6 and WF6. When using a compound in which part of the fluorine in MoF6 was replaced with hydrogen or chlorine, the selectivity improved as the concentration of the gas nB increased. Note that if the gases are in the three systems mentioned above, the effect of gas group B on the metal depositing action will be small.
下地材料のシリコンは単結晶シリコン、多結晶シリコン
、さらに両シリコンに不純物を拡散させたシリコンの何
れにおいても有効である。The base material silicon may be single crystal silicon, polycrystalline silicon, or silicon in which impurities are diffused into both types of silicon.
金属酸化膜としてはフッ素ラジカルあるいはフッ素を含
むイオンによってエツチングされるものであれば何れで
もよい。本特許が有効な金属酸化物の代表例としては酸
化ケイ素のほか、酸化タンタル、酸化モリブデン、酸化
タングステン等があげられる。The metal oxide film may be any film that can be etched by fluorine radicals or ions containing fluorine. Typical examples of metal oxides for which this patent is effective include silicon oxide, tantalum oxide, molybdenum oxide, tungsten oxide, and the like.
また上記説明は高周波放電のエツチングについて行った
が、本発明の構成2作用、効果はプラズマ発生方法によ
っては変らず、マイクロ波によるプラズマあるいはマイ
クロ波に磁場を作用させて発生させるプラズマにも有効
である。Furthermore, although the above explanation has been made regarding etching by high-frequency discharge, the action and effect of Structure 2 of the present invention do not change depending on the plasma generation method, and are also effective for plasma generated by microwaves or plasma generated by applying a magnetic field to microwaves. be.
本発明によれば、還元反応に基(下地材料への金属物堆
積の作用により選択比を、サブミクロン・テ゛バイスの
エツチングで要求される選択比に向上できるという効果
がある。According to the present invention, there is an effect that the selectivity can be improved to that required for etching submicron devices based on the reduction reaction (the action of depositing a metal substance on the underlying material).
第1図は本発明を適用するエツチング装置の縦断面図、
第2図は酸化ケイ素のエツチング速度。
選択比と六フッ化タングステンの濃度との関係線図であ
る。FIG. 1 is a longitudinal sectional view of an etching apparatus to which the present invention is applied;
Figure 2 shows the etching rate of silicon oxide. FIG. 3 is a relationship diagram between selectivity and tungsten hexafluoride concentration.
Claims (1)
て試料をエッチングする方法において、前記ガスが前記
試料で主に金属酸化物をエッチングするガス群Aと前記
試料で主に下地材料に金属堆積物を形成させるガス群B
とから構成されることを特徴とするドライエッチング方
法。 2、前記金属酸化物が、フッ素ラジカル若しくはフッ素
を含むイオンでエッチングされるものであり、前記下記
材料が、シリコンである特許請求の範囲第1項記載のド
ライエッチング方法。 3、前記ガス群Aが、フッ素を含む化合物の単成分ガス
若しくは複成分ガスである特許請求の範囲第2項記載の
ドライエッチング方法。 4、前記ガス群Aが、少なくとも炭素とフッ素とを含む
化合物Cを含む特許請求の範囲第2項記載のドライエッ
チング方法。 5、前記化合物Cが、フッ素の一部が水素若しくは塩素
で置換された化合物である特許請求の範囲第4項記載の
ドライエッチング方法。 6、前記ガス群Aが、フッ素を含む化合物の単成分ガス
若しくは複成分ガスと、少なくとも炭素とフッ素とを含
む化合物Cを含むガスとの混合ガスである特許請求の範
囲第2項記載のドライエッチング方法。 7、前記化合物Cが、フッ素の一部が水素若しくは塩素
で置換された化合物である特許請求の範囲第6項記載の
ドライエッチング方法。 8、前記ガス群Bが、少なくともフッ化タングステン若
しくはフッ化モリブデンを含む特許請求の範囲第2項記
載のドライエッチング方法。 9、前記フッ化タングステンが、六フッ化タングステン
若しくは六フッ化タングステンのフッ素の一部が水素若
しくは塩素で置換された分子式のものである特許請求の
範囲第8項記載のドライエッチング方法。 10、前記フッ化モリブデンが、六フッ化モリブデン若
しくは六フッ化モリブデンのフッ素の一部が水素または
塩素で置換された分子式のものである特許請求の範囲第
8項記載のドライエッチング方法。 11、前記ガス群Bの還元反応により前記下地材料に金
属堆積物を形成させる工程と、該金属堆積物を前記ガス
群Aによりエッチングする工程とが繰り返し実施される
特許請求の範囲第1項記載のドライエッチング方法。[Claims] 1. In a method of turning a gas into plasma under reduced pressure and etching a sample using the plasma, the gas includes a gas group A that mainly etches metal oxides in the sample; Gas group B that mainly forms metal deposits on the underlying material
A dry etching method comprising: 2. The dry etching method according to claim 1, wherein the metal oxide is etched with fluorine radicals or ions containing fluorine, and the material described below is silicon. 3. The dry etching method according to claim 2, wherein the gas group A is a single-component gas or a multi-component gas of a compound containing fluorine. 4. The dry etching method according to claim 2, wherein the gas group A includes a compound C containing at least carbon and fluorine. 5. The dry etching method according to claim 4, wherein the compound C is a compound in which a portion of fluorine is replaced with hydrogen or chlorine. 6. The dryer according to claim 2, wherein the gas group A is a mixed gas of a monocomponent gas or a multicomponent gas of a compound containing fluorine and a gas containing a compound C containing at least carbon and fluorine. Etching method. 7. The dry etching method according to claim 6, wherein the compound C is a compound in which a part of fluorine is replaced with hydrogen or chlorine. 8. The dry etching method according to claim 2, wherein the gas group B contains at least tungsten fluoride or molybdenum fluoride. 9. The dry etching method according to claim 8, wherein the tungsten fluoride is tungsten hexafluoride or has a molecular formula in which part of the fluorine in tungsten hexafluoride is replaced with hydrogen or chlorine. 10. The dry etching method according to claim 8, wherein the molybdenum fluoride is molybdenum hexafluoride or molybdenum hexafluoride having a molecular formula in which part of the fluorine is replaced with hydrogen or chlorine. 11. Claim 1, wherein the step of forming a metal deposit on the base material by the reduction reaction of the gas group B and the step of etching the metal deposit with the gas group A are repeatedly performed. dry etching method.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29483486A JPS63148637A (en) | 1986-12-12 | 1986-12-12 | Dry etching |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29483486A JPS63148637A (en) | 1986-12-12 | 1986-12-12 | Dry etching |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63148637A true JPS63148637A (en) | 1988-06-21 |
Family
ID=17812858
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29483486A Pending JPS63148637A (en) | 1986-12-12 | 1986-12-12 | Dry etching |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63148637A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8850741B2 (en) | 2008-04-04 | 2014-10-07 | Basf Se | Device for controlling pests |
JP2021507509A (en) * | 2017-12-14 | 2021-02-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | Etching method for metal oxides with little etching residue |
-
1986
- 1986-12-12 JP JP29483486A patent/JPS63148637A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8850741B2 (en) | 2008-04-04 | 2014-10-07 | Basf Se | Device for controlling pests |
JP2021507509A (en) * | 2017-12-14 | 2021-02-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | Etching method for metal oxides with little etching residue |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4264409A (en) | Contamination-free selective reactive ion etching or polycrystalline silicon against silicon dioxide | |
JP2572750B2 (en) | Etching method of silicon oxide thin film | |
US9576809B2 (en) | Etch suppression with germanium | |
US6569773B1 (en) | Method for anisotropic plasma-chemical dry etching of silicon nitride layers using a gas mixture containing fluorine | |
US4615764A (en) | SF6/nitriding gas/oxidizer plasma etch system | |
JPH03114226A (en) | Manufacture of fine structure device by the use of plasma etching of silicon | |
EP0837497A2 (en) | Method for etching transistor gates using a hardmask | |
JPH0786242A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
KR960002600A (en) | Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device | |
US7166536B1 (en) | Methods for plasma etching of silicon | |
EP0004285A1 (en) | A method of plasma etching silica at a faster rate than silicon in an article comprising both | |
US4479850A (en) | Method for etching integrated semiconductor circuits containing double layers consisting of polysilicon and metal silicide | |
JP2002313776A (en) | Dry etching method and dry etching device | |
JPH06338479A (en) | Etching method | |
JPH1187324A (en) | Plasma processing method | |
JPS63148637A (en) | Dry etching | |
JPS6065533A (en) | Dry etching method | |
US4465553A (en) | Method for dry etching of a substrate surface | |
JPH0432228A (en) | Dry etching method and manufacture of semiconductor device using it | |
JPH11111686A (en) | Low-pressure plasma etching method | |
JPH03196623A (en) | Dry etching | |
JPH05129246A (en) | Cleaning method for semiconductor manufacturing apparatus | |
JP2734748B2 (en) | Reactive dry etching method | |
JPS6148924A (en) | Dry etching method for metal having high fusion point | |
JP3393640B2 (en) | Low gas pressure plasma etching method for single crystal silicon |