JPS63140529A - Gap controller - Google Patents

Gap controller

Info

Publication number
JPS63140529A
JPS63140529A JP61285935A JP28593586A JPS63140529A JP S63140529 A JPS63140529 A JP S63140529A JP 61285935 A JP61285935 A JP 61285935A JP 28593586 A JP28593586 A JP 28593586A JP S63140529 A JPS63140529 A JP S63140529A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
mask
sensor
gap
stage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61285935A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshihiko Takahashi
高橋 良彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP61285935A priority Critical patent/JPS63140529A/en
Publication of JPS63140529A publication Critical patent/JPS63140529A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7023Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
    • G03F9/703Gap setting, e.g. in proximity printer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

PURPOSE:To enable a distance between a mask and a wafer to be controlled either sufficiently long or minute by a method wherein, before the mask or the wafer is replaced, the shifting mechanism of a holding table is operated in accordance with the output of 1st sensor and, at the time of alignment, the mask and the wafer are aligned with each other with a predetermined gap in accordance with the outputs of the 1st sensor and 2nd sensor. CONSTITUTION:Before a wafer 4 and a mask 3 is replaced, a wafer table 10 is retreated with a certain speed by a shifting mechanism composed of a linear guide 8, a ball screw 7 and a DC motor 6. The stop position of the retreat is detected by putting the output of a limit sensor 21 into a CPU 18 through a parallel I/O 22. In the same way, the wafer table 10 is moved forward by a certain rotation of the DC motor 6. When the wafer table 10 comes close to a mask table 9 and enters the measurement range of a sensor 23 which detects the position of the wafer table 10, entry of the table 10 into the range is detected by the CPU 18 through a converter 24. After that, the alignment of the wafer table 10 is controlled in accordance with the output of the sensor 23.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、例えばSORを光源として利用するX線露光
装置におけるマスクとウエノ1のギャップを設定するギ
ャップ制御装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to a gap control device for setting a gap between a mask and a wafer 1 in an X-ray exposure apparatus that uses, for example, SOR as a light source.

(従来の技術) SORを光源として利用するX線露光装置においては、
アライメント時、マスクとウェハとのギャップを数10
μmと微小に保持しなければならない。一方、マスク若
しくはウェハを交換する際には、ギャップ数10μmに
対して充分長い距離酸さなければならない。そしてマス
ク若しくはウェハを交換した後に再度アライメントのた
めに数10μmのギャップに精度良く位置合せを行なう
必要がある。
(Prior art) In an X-ray exposure device that uses SOR as a light source,
During alignment, set the gap between the mask and wafer to several tens of
It must be kept as small as μm. On the other hand, when replacing a mask or a wafer, it is necessary to oxidize a sufficiently long distance for a gap of 10 μm. After replacing the mask or wafer, it is necessary to perform alignment again with high precision within a gap of several tens of micrometers.

このような要求を満足させるために、例えば圧電素子の
ような高分解能を有する素子を複数用いてマスクとウェ
ハのギャップ制御を精度良く行なうものが考えられてい
る。しかし圧電素子等を用いてギャップ制御を行なうも
のにあっては、高分解能ではあるが駆動ストロークが短
いためにマスり若しくはウェハを交換する際に交換が行
ないにくいという問題か生じる。
In order to satisfy such requirements, it has been considered to use a plurality of elements having high resolution, such as piezoelectric elements, to control the gap between the mask and the wafer with high precision. However, when gap control is performed using a piezoelectric element or the like, although the resolution is high, the drive stroke is short, so there is a problem that it is difficult to replace the mass or wafer.

このような問題は、マスクとウェハの間に光学系を介在
させる縮小投影露光装置では生じないが特にマスクとウ
ェハを数10μmという微小ギャップで対向させるX線
露光装置では重要となる。
Although such a problem does not occur in a reduction projection exposure apparatus in which an optical system is interposed between a mask and a wafer, it becomes particularly important in an X-ray exposure apparatus in which a mask and a wafer are opposed to each other with a minute gap of several tens of micrometers.

(発明が解決しようとする問題点) 上述のごとくX線露光装置等にあっては、マスク又はウ
ェハを交換する際に充分な距離がとれずに交換しにくい
という問題が生じていた。
(Problems to be Solved by the Invention) As described above, in X-ray exposure apparatuses and the like, there has been a problem in that when replacing masks or wafers, a sufficient distance cannot be maintained, making it difficult to replace them.

本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、その目的
とするところは、マスクとウェハの交換時にもマスクと
ウェハを充分長い距離離すことができ、アライメント時
には微小ギヤ・クブに制御することができるギャップ制
御装置を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and its purpose is to be able to keep the mask and wafer a sufficiently long distance apart even when exchanging the mask and wafer, and to control the alignment using minute gears. The purpose of this invention is to provide a gap control device that can perform the following steps.

[発明の構成] (問題点を解決するための手段) 本発明のギャップ制御装置においては、マスク若しくは
ウェハを保持する保持台を長ストローク駆動させ、マス
ク又はウェハを交換する際に、移動可能な保持台のギャ
ップ方向位置を検出する第1のセンサと、マスクとウェ
ハのギャップを高精度に検出する第2のセンサと、少な
くとも第1と第2のセンサの出力によりマスクとウェハ
のギャップを制御する保持台の移動機構並びにギャップ
制御回路を具備している。
[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) In the gap control device of the present invention, a holding table that holds a mask or a wafer is driven with a long stroke, and when exchanging the mask or wafer, the holding table is movable. A first sensor detects the position of the holding table in the gap direction, a second sensor detects the gap between the mask and the wafer with high precision, and the gap between the mask and the wafer is controlled by the outputs of at least the first and second sensors. It is equipped with a holding table moving mechanism and a gap control circuit.

(作用) このように構成されたものにおいては、マスク若しくは
ウェハを交換する際には、保持台の移動機構を第1のセ
ンサの出力に基づいて動作させ、マスクとウェハを充分
な距離離すことができマスク又はウェハの交換が楽に行
なえる。さらにアライメント時には、第1のセンサ及び
第2のセンサの出力を基にマスクとウェハを数10μm
のギャップに高速かつ高精度に位置決め制御できる。
(Function) In the device configured as described above, when exchanging the mask or the wafer, the moving mechanism of the holding table is operated based on the output of the first sensor to separate the mask and the wafer by a sufficient distance. This allows easy replacement of masks or wafers. Furthermore, during alignment, the mask and wafer are aligned several tens of μm based on the outputs of the first and second sensors.
Positioning can be controlled at high speed and with high accuracy in the gap.

(実施例) 以下図面を参照して本発明のギャップ制御装置の実施例
について説明する。
(Example) An example of the gap control device of the present invention will be described below with reference to the drawings.

SORから放射されるX線は水平方向に放射されるため
にX線露光装置はウェハを鉛直平面内で上下、左右に移
動させる縦形のXYステージが有利である。また、マス
ク若しくはウェハを交換する際には、ウェハが取付けら
れるウェハ側全体か、あるいは、マスクが取付けられる
マスク側全体をXYステージが移動する鉛直面とは垂直
な方向(Z方向)に充分長い距離(300mm程度)移
動させる必要がある。このときに、マスク側にはSOR
からのポートが連結されるのでウェハ側を移動させる方
式が有利である。
Since the X-rays emitted from the SOR are emitted in the horizontal direction, it is advantageous for the X-ray exposure apparatus to have a vertical XY stage that moves the wafer up and down and left and right in a vertical plane. Also, when exchanging masks or wafers, the entire wafer side where the wafer is attached, or the entire mask side where the mask is attached, must be sufficiently long in the direction perpendicular to the vertical plane (Z direction) where the XY stage moves. It is necessary to move the distance (approximately 300 mm). At this time, the SOR on the mask side
The method of moving the wafer side is advantageous because the ports from the wafer side are connected.

以上のことを本発明者等に考慮したうえで、縦形XYス
テージを採用し、また、ウェハ側全体、つまり縦形XY
ステージ全体を上記Z方向に300mm程度移動させる
構成とした。さらにステージは重量が非常に重いため、
マスクとウェハを数10μmに近接させる際の接触事故
等が生じないように考慮している。
After taking the above into consideration, the inventors adopted a vertical XY stage, and the entire wafer side, that is, the vertical
The entire stage was configured to move approximately 300 mm in the Z direction. Furthermore, the stage is very heavy, so
Consideration has been taken to prevent accidents such as contact occurring when the mask and wafer are brought close to each other by several tens of micrometers.

第1図は、本発明に係るギャップ制御装置の第1の実施
例を示す概略構成図である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a first embodiment of a gap control device according to the present invention.

第1図においては、固定ベース1上に設けられた直流モ
ータ6、ボールネジ7、リニアガイド8によりXYステ
ージ5を載置した移動ベース2が対向して配置されるマ
スク3とウェハ4のギャップ方向に移動される。リニア
ガイド8には比較的摩擦の小さいボール方式ころがり軸
受を用いており、XYステージ5及び移動ベース2の荷
重に耐えられるように予圧タイプとした。また、2本の
レールを左右に配置して用い、1本のレールごとにリニ
アガイドのベアリングを3個配置して、移動ベースのた
わみ量が極力小さくなるようにした。
In FIG. 1, a movable base 2 on which an XY stage 5 is placed is moved by a DC motor 6, a ball screw 7, and a linear guide 8 provided on a fixed base 1, in the direction of the gap between a mask 3 and a wafer 4, which are disposed facing each other. will be moved to The linear guide 8 uses a ball-type rolling bearing with relatively low friction, and is of a preload type so that it can withstand the loads of the XY stage 5 and moving base 2. In addition, two rails were used, arranged on the left and right, and three linear guide bearings were arranged for each rail, so that the amount of deflection of the moving base was minimized.

また、ボールネジ7のストロークの両端にはストッパを
入れて非常時の保護を行なっている。
Further, stoppers are provided at both ends of the stroke of the ball screw 7 for emergency protection.

そして、ウェハ4はXYステージ5に取付けられて鉛直
2軸方向に移動すると共に、マスク3はマスク台9に取
付けられ、マスク台9には、マスク3をギャップ方向に
微動させるためピエゾ素子(図示省略)が設けられてい
る。
The wafer 4 is attached to an XY stage 5 and moved in two vertical axes, and the mask 3 is attached to a mask stand 9, which is equipped with a piezo element (not shown) for slightly moving the mask 3 in the gap direction. (omitted) is provided.

またマスク台9にはマスク台9とウェハ4の距離を測定
する3個のセンサ13a、13b、13Cが固着されて
いる。さらに、マスク台9を固定ベース1に固定してい
る架台14には、ウェハ4とマスク3とのギャップを直
接検出する3個のセンサ15a、15b、15cが固着
されている。
Furthermore, three sensors 13a, 13b, and 13C are fixed to the mask stand 9 to measure the distance between the mask stand 9 and the wafer 4. Furthermore, three sensors 15a, 15b, and 15c are fixed to the pedestal 14 that fixes the mask stand 9 to the fixed base 1, for directly detecting the gap between the wafer 4 and the mask 3.

ウェハ4あるいはマスク3を交換する時には、ウェハ台
10が、リニアガイド8、ボールネジ7、直流モータ6
からなる送り機構により後進する。
When replacing the wafer 4 or mask 3, the wafer stand 10 is connected to the linear guide 8, ball screw 7, and DC motor 6.
It moves backwards using a feed mechanism consisting of:

その場合、直流モータ6は、モータ軸に取り付けられた
タコジェネレータ16の出力をもとに、A/Dコンバー
タ17、CPU1g、D/Aコンバータ19、サーボ回
路20を介して一定速度で制御される。
In that case, the DC motor 6 is controlled at a constant speed via the A/D converter 17, the CPU 1g, the D/A converter 19, and the servo circuit 20 based on the output of the tacho generator 16 attached to the motor shaft. .

後進の際の停止位置はリミットセンサ21の出力をパラ
レルl1022を介してCPU1gに取り込み検出する
The stop position during reverse movement is detected by inputting the output of the limit sensor 21 into the CPU 1g via the parallel 1022.

ウェハ台10を前進させる時には、後進の際と同様に直
流モータ6を一定回転させて行う。
When the wafer table 10 is moved forward, the DC motor 6 is rotated at a constant speed in the same manner as when moving backward.

ウェハ台10がマスク台9に近接し、ウェハ台10の位
置を検出するセンサ23の測定範囲に入ったら、入った
ことをA/Dコンバータ24を介してCPUI 8で検
出する。その後はセンサ23の出力を用いて、ウェハ台
10を位置決め制御する。位置決め制御は、センサ23
の出力をCPU18に入力し、D/Aコンバータ19、
サーボ回路20を介して直流モータ6を制御し行う。
When the wafer stand 10 approaches the mask stand 9 and enters the measurement range of the sensor 23 that detects the position of the wafer stand 10, the CPUI 8 detects the entry via the A/D converter 24. Thereafter, the output of the sensor 23 is used to control the positioning of the wafer table 10. Positioning control is performed by sensor 23
The output of is inputted to the CPU 18, and the D/A converter 19,
The DC motor 6 is controlled via the servo circuit 20.

センサ13 a、  13 b、  13 cの測定範
囲はセンサ23の測定範囲よりも狭く、またセンサ15
an  15b+  15cの測定範囲はセンサ13a
The measurement ranges of sensors 13 a, 13 b, and 13 c are narrower than the measurement range of sensor 23, and sensor 15
The measurement range of an 15b + 15c is sensor 13a
.

13b、13Cの測定範囲よりも狭い。It is narrower than the measurement range of 13b and 13C.

そこで、位置決め制御中、センサ13a、13b、13
C%センサ15a、15b、15cの出力は全て、A/
D:lンバータ25a、25b、25C% 26a、2
6b、26c、を介してCPU18に取り込み、そのセ
ンサ13a、13b、13csセンサ15a、15b、
15cの出力を基に、ウェハ台10を最適の位置へと制
御する。
Therefore, during positioning control, the sensors 13a, 13b, 13
The outputs of the C% sensors 15a, 15b, and 15c are all A/
D: l inverter 25a, 25b, 25C% 26a, 2
6b, 26c, to the CPU 18, and its sensors 13a, 13b, 13cs sensors 15a, 15b,
The wafer table 10 is controlled to the optimum position based on the output of the wafer 15c.

次に第2図に本発明に係るギャップ制御装置の第2の実
施例を示す概略措成図を示す。第1図と同一部分若しく
は相当する部分には同一符号を付してその説明は省略す
る。
Next, FIG. 2 shows a schematic diagram showing a second embodiment of the gap control device according to the present invention. Components that are the same as or correspond to those in FIG. 1 are given the same reference numerals, and their explanations will be omitted.

ステージ30の位置検出はギャップセンサ23と光電5
W32で行う。ギャップセンサ23の測定範囲は2.5
mm程度と短く、ステージ30のストロークは300 
mmと長いため、ウェハ4がマスク3に接近している際
にはギャップセンサ23で位置決めし、ギャップセンサ
23で測定できない範囲は光電SWを32を複数個設置
しステージ30の位置検出を行う。
The position of the stage 30 is detected by a gap sensor 23 and a photoelectric sensor 5.
Perform with W32. The measurement range of the gap sensor 23 is 2.5
It is short, about mm, and the stroke of stage 30 is 300 mm.
Since the wafer 4 is long (mm), when the wafer 4 approaches the mask 3, the position is determined by the gap sensor 23, and in the range that cannot be measured by the gap sensor 23, a plurality of photoelectric SWs 32 are installed to detect the position of the stage 30.

光電SW32は固定ベース1上に設置し、移動ベース2
側面に取り付けた遮光板(図示省略)の端を検出し、ス
テージ30位置の検出を行う。検出方式は絶対値方式と
する。絶対値方式では、例えば、FWD検出位置よりさ
らにFWD方向ではOFFであり、FWD検出位置でO
FFからONに変わり、FWD検出位置よりBWD方向
ではONとなる。
The photoelectric SW32 is installed on the fixed base 1, and the movable base 2
The position of the stage 30 is detected by detecting the end of a light shielding plate (not shown) attached to the side surface. The detection method is an absolute value method. In the absolute value method, for example, it is OFF in the FWD direction from the FWD detection position, and OFF at the FWD detection position.
It changes from FF to ON, and becomes ON in the BWD direction from the FWD detection position.

光電SW32と遮光板は3組設け、FWD位置、BWD
位置、そしてその中間の位置を検出する。
Three sets of photoelectric SW32 and light shielding plates are provided, FWD position, BWD position
Detect positions and intermediate positions.

遮光板はアルミ材とし、加工による調整を容易にする。The light shielding plate is made of aluminum to facilitate adjustment through processing.

光電SW32はアンプ内蔵形とし、内蔵のLEDにより
容易に調整できるようにした。また光電SWの信号線は
オプティカルフィバ−ではなく、通常の電線(ケーブル
)とし、組立・調整を容易にした。
The photoelectric SW32 has a built-in amplifier and can be easily adjusted using the built-in LED. In addition, the signal line of the photoelectric switch is not an optical fiber, but a normal electric wire (cable), which facilitates assembly and adjustment.

マイクロ5W33(メカニカル)を光電5W32よりも
外側で動作するように設ける。マイクロSW33はFW
D側、BWD側ともに2個用いて、1個が故障しても他
方が動作するようにしている。マイクロSW33はCP
U18では管理せず、直接直流モータ6のパワーアンプ
のSWをOFFにする。これはソフトでの管理が異常に
なった時の安全対策である。
A micro 5W33 (mechanical) is provided to operate outside the photoelectric 5W32. Micro SW33 is FW
Two are used on both the D side and the BWD side so that even if one fails, the other will operate. Micro SW33 is CP
The SW of the power amplifier of the DC motor 6 is directly turned OFF without being managed in U18. This is a safety measure in case something goes wrong with software management.

ステージ30の位置決めはステージ30の先端の位置を
検出するギャップセンサ23の出力を用いて行う。しか
し、本当に必要なのは、ウェハ4を載置しているXYス
テージ5部のZ方向(ギャップ方向)の位置精度である
。そこで、XYステージ5のZ方向位置を3個のギャッ
プセンサ13で測定し、その3個のギャップセンサ13
の出力が3個とも許容値に入るように、ステージ30の
ギャップセンサ23の出力を用いて位置決め制御を行う
。最終的には、アライメント光学系のZセンサの信号出
力も観察しながら行う。以上のようなフレキシブルな制
御を行うため、各センサの出力を全てD/Aコンバータ
34、A/Dコンバータ35、P P I 36 (P
rograa+able PeripheralInt
erf’ace Adapter)でCPU1gに取り
込み、ソフト的に制御する。
The positioning of the stage 30 is performed using the output of the gap sensor 23 that detects the position of the tip of the stage 30. However, what is really required is the positional accuracy in the Z direction (gap direction) of the XY stage 5 portion on which the wafer 4 is placed. Therefore, the Z-direction position of the XY stage 5 is measured by three gap sensors 13, and the three gap sensors 13
Positioning control is performed using the output of the gap sensor 23 of the stage 30 so that all three outputs fall within the allowable value. Finally, the process is performed while also observing the signal output of the Z sensor of the alignment optical system. In order to perform flexible control as described above, all outputs of each sensor are connected to the D/A converter 34, A/D converter 35, P P I 36 (P
rograa+able PeripheralInt
erf'ace Adapter) to the CPU 1g and control it using software.

ステージ30の駆動シーケンスは以下の様にする。The driving sequence of the stage 30 is as follows.

■初期設定 ステージ30かBWD側光電5W32aの位置にいるこ
とを確認する。BWD側光電5W32aの位置にいなか
ったら、その位置へ進める。駆動は一定速度制御で行い
、BWD側光電5W32aの信号で停止させる。
■Make sure you are at the initial setting stage 30 or BWD side photoelectric 5W32a position. If it is not at the position of the BWD side photoelectric 5W32a, advance to that position. The drive is performed under constant speed control and stopped by a signal from the BWD side photoelectric 5W32a.

■一定速度で前進させる。■Move forward at a constant speed.

台形速度駆動等も考える。Consider trapezoidal speed drive, etc.

■中央の光電SW32 bで減速開始位置を検出し、減
速を開始する。
■The center photoelectric SW32b detects the deceleration start position and starts deceleration.

■FWD側光電5W32cで速度制御から位置決め制御
に切換える。
■Switch from speed control to positioning control using FWD side photoelectric 5W32c.

■ステージ30のギャップセンサ23の出力を用いて、
位置決め制御を行う。
■Using the output of the gap sensor 23 of the stage 30,
Performs positioning control.

■XYステージ5の3個のギャップセンサで、XYステ
ージのZ方向の位置を検出し、30μm±10μm以内
に入るように、Zステージのギャップセンサの出力を用
いて位置決め制御を行う。
(3) The three gap sensors of the XY stage 5 detect the position of the XY stage in the Z direction, and positioning control is performed using the output of the gap sensor of the Z stage so that the position is within 30 μm±10 μm.

■BWD側光電SWまで後退させる。■Retreat to the BWD side photoelectric switch.

以上のシーケンスを繰返すことにより、マスク又はウェ
ハの交換及び露光時のマスクとウェハのギャップが精度
良く管理できる。
By repeating the above sequence, the gap between the mask and wafer during mask or wafer exchange and exposure can be managed with high precision.

[発明の効果] 以上詳述したように本発明によれば、マスク又はウェハ
の交換時に長ストローク駆動することができると共にア
ライメント時にマスクとウェハのギャップを精度良く管
理できる。
[Effects of the Invention] As described in detail above, according to the present invention, it is possible to perform a long stroke drive when replacing a mask or a wafer, and it is also possible to accurately manage the gap between the mask and the wafer during alignment.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、本発明のギャップ制御装置の第1の実施例を
示す概略構成図、第2図は、本発明のギャップ制御装置
の第2の実施例を示す概略構成図である。 1・・・・・・固定ベース 2・・・・・・移動ベース 3・・・・・・マスク 4・・・・・・ウェハ 5・・・・・・XYステージ 6・・・・・・直流モータ 7・・・・・・ボールネジ 8・・・・・・リニアガイド 9・・・・・・マスク台 10・・・・・・ウェハ台 13 a、  13 b、  13 c−−−−−−セ
ンサ15 a、  15 b、  15 c−−−−−
−セ>す18・・・・・・CPU 21・・・・・・リットセンサ 23・・・・・・センサ 30・・・・・・ステージ 32・・・・・・光電スイッチ
FIG. 1 is a schematic block diagram showing a first embodiment of a gap control device of the present invention, and FIG. 2 is a schematic block diagram showing a second embodiment of the gap control device of the present invention. 1... Fixed base 2... Moving base 3... Mask 4... Wafer 5... XY stage 6... DC motor 7...Ball screw 8...Linear guide 9...Mask stand 10...Wafer stand 13a, 13b, 13c------ -Sensors 15a, 15b, 15c------
- Center 18... CPU 21... Lit sensor 23... Sensor 30... Stage 32... Photoelectric switch

Claims (1)

【特許請求の範囲】 マスクとウェハのギャップを制御するギャップ制御装置
において、 前記マスクを保持固定する第1の保持台と、前記ウェハ
を保持固定する第2の保持台と、前記第1及び第2の保
持台の少なくとも一方を前記ギャップ方向に移動させる
移動機構と、少なくとも前記移動機構により移動可能な
前記第1若しくは第2の保持台のギャップ方向位置を検
出する第1のセンサと、前記マスクと前記ウェハのギャ
ップを検出する第2のセンサとを備え、前記第1及び第
2のセンサの出力により前記移動機構を動作させ前記ギ
ャップを所定の値に保持させるギャップ制御回路を具備
することを特徴とするギャップ制御装置。
[Scope of Claim] A gap control device for controlling a gap between a mask and a wafer, comprising: a first holding table for holding and fixing the mask; a second holding table for holding and fixing the wafer; a moving mechanism that moves at least one of the two holding stands in the gap direction; a first sensor that detects a position in the gap direction of at least the first or second holding stand movable by the moving mechanism; and the mask. and a second sensor that detects the gap between the wafers, and a gap control circuit that operates the moving mechanism based on the outputs of the first and second sensors to maintain the gap at a predetermined value. Features a gap control device.
JP61285935A 1986-12-02 1986-12-02 Gap controller Pending JPS63140529A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61285935A JPS63140529A (en) 1986-12-02 1986-12-02 Gap controller

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61285935A JPS63140529A (en) 1986-12-02 1986-12-02 Gap controller

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63140529A true JPS63140529A (en) 1988-06-13

Family

ID=17697897

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61285935A Pending JPS63140529A (en) 1986-12-02 1986-12-02 Gap controller

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63140529A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006517055A (en) * 2002-12-09 2006-07-13 エーシーエム リサーチ,インコーポレイティド Measuring alignment of wafer chuck and polishing / plating container

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006517055A (en) * 2002-12-09 2006-07-13 エーシーエム リサーチ,インコーポレイティド Measuring alignment of wafer chuck and polishing / plating container

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0525872B1 (en) Positioning device having two manipulators operating in parallel, and optical lithographic device provided with such a positioning device
WO2018156662A1 (en) Dual-axis linear motion system
CN101101452A (en) Exposure device
JPS63140529A (en) Gap controller
JP2004529354A (en) Device for measuring or machining an object with a moving stage having a wedge-shaped guide
JPH0434166B2 (en)
CN208282704U (en) A kind of glass linear scale self-checking device based on machine vision
TWI322260B (en) Image pickup apparatus equipped with a microscope and size measuring apparatus
JP2584196Y2 (en) Moving table
JP3265665B2 (en) Projection exposure apparatus, exposure method, and element manufacturing method
US10948706B2 (en) Stage apparatus, method of controlling stage apparatus, and microscope system
JP2004349494A (en) Work stage and method for measuring its position, and exposure device equipped with this
JP6650097B2 (en) Movement control device and positioning control method
JPH11218941A (en) Stage device and exposure device using the same
JP2000138154A (en) Tilt stage
JPS615317A (en) Automatic focusing device
CN220040960U (en) Compact multi-axis precision motion platform
JP2711898B2 (en) Non-contact guide type positioning table
JP4487700B2 (en) Proximity exposure equipment
Nomura et al. High Precision Alignment Stage For Micro Lithography
JP2023015810A (en) Chain shaking width checking device and shaking width checking method for escalator
JP2560063B2 (en) Scale accuracy measuring device
JP2859433B2 (en) Moving mechanism and exposure apparatus using this moving mechanism
JP2016162036A (en) Semiconductor manufacturing device and positioning control method of the same
JP2004165219A (en) Stage apparatus and semiconductor aligner using the same