JPS63136788A - 高輝度crtデイスプレイ - Google Patents
高輝度crtデイスプレイInfo
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- JPS63136788A JPS63136788A JP28224386A JP28224386A JPS63136788A JP S63136788 A JPS63136788 A JP S63136788A JP 28224386 A JP28224386 A JP 28224386A JP 28224386 A JP28224386 A JP 28224386A JP S63136788 A JPS63136788 A JP S63136788A
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- SNIOPGDIGTZGOP-UHFFFAOYSA-N Nitroglycerin Chemical compound [O-][N+](=O)OCC(O[N+]([O-])=O)CO[N+]([O-])=O SNIOPGDIGTZGOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Landscapes
- Video Image Reproduction Devices For Color Tv Systems (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高輝度が得られるCRTディスプレイに関する
。
。
3ビームと色選別用細孔を有するマスクとを用い、マス
クに付したインデックス信号源によりビーム走査位置を
検出して、細孔を通過する各ビームが対応する色螢光体
に同時に当たるように3つのビーム軌道を形成すると共
に、マスク部材に当たる3ビームの量または走査時間を
制御してマスクで遮られるビームを少なくすることによ
り、ビームエネルギーを増強して高輝度にしても、マス
クの熱負担が増大しないようにしたCRTである。
クに付したインデックス信号源によりビーム走査位置を
検出して、細孔を通過する各ビームが対応する色螢光体
に同時に当たるように3つのビーム軌道を形成すると共
に、マスク部材に当たる3ビームの量または走査時間を
制御してマスクで遮られるビームを少なくすることによ
り、ビームエネルギーを増強して高輝度にしても、マス
クの熱負担が増大しないようにしたCRTである。
高輝度CRTに対する市場の要望は強く、各方面で高輝
度化への努力は続けられている。螢光体の改良、含浸カ
ソードの採用、アパーチャグリル、シャドーマスク、電
子銃の改良等、種々な試みがなされている。この内、現
在高輝度化を阻む最大の要因は色選別機構であるアパー
チャグリル又はシャドーマスクの熱による変形、ドーミ
ング現象である。
度化への努力は続けられている。螢光体の改良、含浸カ
ソードの採用、アパーチャグリル、シャドーマスク、電
子銃の改良等、種々な試みがなされている。この内、現
在高輝度化を阻む最大の要因は色選別機構であるアパー
チャグリル又はシャドーマスクの熱による変形、ドーミ
ング現象である。
第10図はアパーチャグリルを持つCRT(トリニトロ
ン管)の要部拡大断面図で、RGBの各電子ビーム1a
〜ICは螢光面2上の一点に集束するように制御されて
いる。水平偏向によって時間経過と共に第10図■、■
、■のようにビーム位置が変化し、これに伴ってアパー
チャグリル3の細孔3aでもってRSG、Bの各ビーム
1a〜ICが順次に目的のドツト状又はストライプ状の
色螢光体4に当たるように色選択が行われる。このとき
3本のビーム13〜ICのうちの選択されてない2本の
ビーム(第10図Iでは1bとIC1■では1aとlc
、IIIでは1aとlb)が、アパーチャグリル3によ
って遮られる。
ン管)の要部拡大断面図で、RGBの各電子ビーム1a
〜ICは螢光面2上の一点に集束するように制御されて
いる。水平偏向によって時間経過と共に第10図■、■
、■のようにビーム位置が変化し、これに伴ってアパー
チャグリル3の細孔3aでもってRSG、Bの各ビーム
1a〜ICが順次に目的のドツト状又はストライプ状の
色螢光体4に当たるように色選択が行われる。このとき
3本のビーム13〜ICのうちの選択されてない2本の
ビーム(第10図Iでは1bとIC1■では1aとlc
、IIIでは1aとlb)が、アパーチャグリル3によ
って遮られる。
このような従来のCRTでは、アパーチャグリルによっ
て遮られたビームは熱となってアパーチャグリルを変形
させる原因となる。つまりビームの2/3は無駄な熱と
して消費されるので、ビーム増強(高輝度化)の障害及
び消費電力の増加原因となっている。
て遮られたビームは熱となってアパーチャグリルを変形
させる原因となる。つまりビームの2/3は無駄な熱と
して消費されるので、ビーム増強(高輝度化)の障害及
び消費電力の増加原因となっている。
一方、アパーチャグリルやシャドーマスクを使用しない
で螢光体の色選別を行うビームインデックス管が種々提
案されている。ビームインデックス管は原理的にビーム
の利用率が高く高輝度であるが、ビーム径を絞り込まな
いと、色の混濁が生じるので、高精細化が困難である欠
点を持つ。
で螢光体の色選別を行うビームインデックス管が種々提
案されている。ビームインデックス管は原理的にビーム
の利用率が高く高輝度であるが、ビーム径を絞り込まな
いと、色の混濁が生じるので、高精細化が困難である欠
点を持つ。
本発明はこの問題にかんがみ、ビームが無駄な熱として
消費されるのを少なくして、より高エネルギーのビーム
を使用することを可能とし、しかも色選択機構としてア
パーチャグリル又はシャドーマスク部材を使用しても、
その熱変形による諸問題が生じないようにすることを目
的とする。
消費されるのを少なくして、より高エネルギーのビーム
を使用することを可能とし、しかも色選択機構としてア
パーチャグリル又はシャドーマスク部材を使用しても、
その熱変形による諸問題が生じないようにすることを目
的とする。
3ビームの発生源と、螢光面上で螢光体の色選別を行う
ための細孔を有するマスク部材とを使用するCRTであ
る。上記細孔を通過した3ビームが対応する各色の螢光
体同時に当たるように互に角度を成した3つのビーム軌
道を形成する手段を有する。ビーム走査位置を検出する
ために上記マスク部材上にインデックス信号発生源を設
け、検出されたインデックス信号に基いて上記マスク部
材に当たる3ビームの量または走査時間を制御する。
ための細孔を有するマスク部材とを使用するCRTであ
る。上記細孔を通過した3ビームが対応する各色の螢光
体同時に当たるように互に角度を成した3つのビーム軌
道を形成する手段を有する。ビーム走査位置を検出する
ために上記マスク部材上にインデックス信号発生源を設
け、検出されたインデックス信号に基いて上記マスク部
材に当たる3ビームの量または走査時間を制御する。
色選別のためにマスク部材によって遮られるビームが原
理的に少くなり、マスク部材上で熱となって消費される
ビームが大巾に減る。従ってマスク部材の熱負荷が軽減
され、その分ビームエネルギーを増強して高輝度にでき
る。
理的に少くなり、マスク部材上で熱となって消費される
ビームが大巾に減る。従ってマスク部材の熱負荷が軽減
され、その分ビームエネルギーを増強して高輝度にでき
る。
第1図は本発明のCRTの原理を示す水平断面の要部拡
大図である。従来(第10図)と同様に、螢光面2の色
選択機構としてアパーチャグリル3(又はシャドーマス
ク)のような多数のスリット形、スロット形、円形の細
孔3aを持ったマスク部材を使用する。3色のビーム1
a〜ICをアパーチャグリル3の1つの細孔3aの位置
に集束させ、通過したビームが対応する3色の螢光体4
に同時に当たるようにしである。
大図である。従来(第10図)と同様に、螢光面2の色
選択機構としてアパーチャグリル3(又はシャドーマス
ク)のような多数のスリット形、スロット形、円形の細
孔3aを持ったマスク部材を使用する。3色のビーム1
a〜ICをアパーチャグリル3の1つの細孔3aの位置
に集束させ、通過したビームが対応する3色の螢光体4
に同時に当たるようにしである。
本発明の特徴によれば、アパーチャグリル3にはインデ
ックス用螢光体5が塗布されている。好ましくは全ての
アパーチャグリル3にこの螢光体5を塗布しておく。ビ
ーム1a〜ICがこの螢光体5に当たった時の発光を検
出して各ビームの走査位置を検知し、アパーチャグリル
3に当たる走査位置のビーム1a〜IC(第1図中(b
)及び(C)に示す。)をカットオフにする。この結果
3色のビームは細孔3aを通る時にのみカットオフされ
ずに螢光面2に到達するようになる。
ックス用螢光体5が塗布されている。好ましくは全ての
アパーチャグリル3にこの螢光体5を塗布しておく。ビ
ーム1a〜ICがこの螢光体5に当たった時の発光を検
出して各ビームの走査位置を検知し、アパーチャグリル
3に当たる走査位置のビーム1a〜IC(第1図中(b
)及び(C)に示す。)をカットオフにする。この結果
3色のビームは細孔3aを通る時にのみカットオフされ
ずに螢光面2に到達するようになる。
以上の原理によれば、アパーチャグリル3に当たって熱
として消費されるビームが大巾に少ないので、アパーチ
ャグリル3の熱変形を考慮してビーム強度を定める必要
が無くなり、理論的には陽極高圧に比例して輝度をいく
らでも上げることができる。なお輝度を同じにするなら
ば、ビームの導通量が1/3となるので、高圧回路の電
力容量が1/3になる。またアパーチャグリルのような
マスク部材を使用するので、大口径レンズを使用しなく
てもインデックス管のように色混濁が生じる虞れがない
。
として消費されるビームが大巾に少ないので、アパーチ
ャグリル3の熱変形を考慮してビーム強度を定める必要
が無くなり、理論的には陽極高圧に比例して輝度をいく
らでも上げることができる。なお輝度を同じにするなら
ば、ビームの導通量が1/3となるので、高圧回路の電
力容量が1/3になる。またアパーチャグリルのような
マスク部材を使用するので、大口径レンズを使用しなく
てもインデックス管のように色混濁が生じる虞れがない
。
第2図は実施例のCRT制御系で、CRT6は第1図の
原理に基いて第3図(a)に示すように全てのアパーチ
ャグリル3にインテ・ノクス用螢光体5を塗布したもの
である。従来のインデックス管と同様にCRT6の螢光
面2はフラ・ノドにできる。入力のコンポジットカラー
ビデオ信号はRGB処理回路7で3色にデコードされ、
各色のカソードKに供給される。
原理に基いて第3図(a)に示すように全てのアパーチ
ャグリル3にインテ・ノクス用螢光体5を塗布したもの
である。従来のインデックス管と同様にCRT6の螢光
面2はフラ・ノドにできる。入力のコンポジットカラー
ビデオ信号はRGB処理回路7で3色にデコードされ、
各色のカソードKに供給される。
インデックス螢光体5の発光はフォトセンサ8によって
検出される。検出されたインデックス信号は第3図(b
)に示すようにアパーチャグリル3のマスクピンチと同
一の周期であり、それをアンプ9で増幅し、パルス整形
回路10で整形することにより、第3図(C)のインデ
ックスパルス(マスクピッチに対応した周波数fp)が
得られる。
検出される。検出されたインデックス信号は第3図(b
)に示すようにアパーチャグリル3のマスクピンチと同
一の周期であり、それをアンプ9で増幅し、パルス整形
回路10で整形することにより、第3図(C)のインデ
ックスパルス(マスクピッチに対応した周波数fp)が
得られる。
このインデックスパルスを01ゲートパルスとして各色
の01グリツドに与え、高レベル部分で各ビーム1a〜
ICを通過させ、低レベル部分でカットオフにする。上
記ゲートパルスの高レベル部分の期間を、各ビーム1a
〜ICが細孔3aを水平方向に通過する期間である1/
3τp (τp−1/fp)になるようにすれば、螢光
面2のみを有効に走査でき、かつアパーチャグリル3上
を通過するビームを効率良くカットオフすることができ
る。
の01グリツドに与え、高レベル部分で各ビーム1a〜
ICを通過させ、低レベル部分でカットオフにする。上
記ゲートパルスの高レベル部分の期間を、各ビーム1a
〜ICが細孔3aを水平方向に通過する期間である1/
3τp (τp−1/fp)になるようにすれば、螢光
面2のみを有効に走査でき、かつアパーチャグリル3上
を通過するビームを効率良くカットオフすることができ
る。
第2図に示した例では上記ゲートパルスの高レベル部分
の期間ヲ、パルス整形回路10のスレシホールド電圧を
調節して設定している。この場合、ゲートパルスが高レ
ベルになる期間を色信号で変調を受けた最大ビーム電流
で規定しておくと、ビーム量が低下したときにはインデ
ックス信号出力が低下するので、ビーム導通期間が拡が
る方向になるが、実用的な問題は特に生じない。これは
本発明の目的は不要ビームをカットオフすることにある
が、カットオフ期間が273以上にならない限り、即ち
ビーム導通期間が1/3以下にならない限り画像に悪影
響を与えないからである。
の期間ヲ、パルス整形回路10のスレシホールド電圧を
調節して設定している。この場合、ゲートパルスが高レ
ベルになる期間を色信号で変調を受けた最大ビーム電流
で規定しておくと、ビーム量が低下したときにはインデ
ックス信号出力が低下するので、ビーム導通期間が拡が
る方向になるが、実用的な問題は特に生じない。これは
本発明の目的は不要ビームをカットオフすることにある
が、カットオフ期間が273以上にならない限り、即ち
ビーム導通期間が1/3以下にならない限り画像に悪影
響を与えないからである。
なお上記のように一定のスレシホールド以上のインデッ
クス出力があった時のみビームを力・7トオフするよう
にしておくと、小ビーム時においては全期間導通してし
まうこともある。この場合には、アパーチャグリルに小
ビームが当たるだけで、通常の受像管の動作と全く同じ
であり、画像に悪影響等を与えるような障害は特に発生
しない。従って上記のようにグリル上を通過する小ビー
ムを完全にカットオフすることができない場合もあるが
、大ビームについてはカットオフできるので、マスク部
材上で熱となって消費されるビーム量を大巾に低減しな
がら輝度を上げることができる。
クス出力があった時のみビームを力・7トオフするよう
にしておくと、小ビーム時においては全期間導通してし
まうこともある。この場合には、アパーチャグリルに小
ビームが当たるだけで、通常の受像管の動作と全く同じ
であり、画像に悪影響等を与えるような障害は特に発生
しない。従って上記のようにグリル上を通過する小ビー
ムを完全にカットオフすることができない場合もあるが
、大ビームについてはカットオフできるので、マスク部
材上で熱となって消費されるビーム量を大巾に低減しな
がら輝度を上げることができる。
有効ビームは実質上螢光面2にのみ当たる。
またこの方式では3ビーム1a〜ICが螢光面2に同時
に到達するようにしである。そのために偏向方向が第1
図の下方向だとすると、画面上で赤画像Rに対して録画
像G及び青画像Bが遅れることになる。従って赤信号R
を基準にした場合には緑信号Gを1/3τp (τp
:ピンチ相当時間)、青信号Bを2/3τp遅らせれば
、画面上の三色の位置ずれと画信号の時間ずれとが対応
し、ずれのないカラー映像が得られる。そのため第2図
に示すようにRGB処理回路7から出力された緑信号G
を緑信号用カソードKに送る回路中に1/3τpの遅延
線14を挿入すると共に、青信号BをRGB処理回路7
から青信号用カソードKに送る回路中に2/3τp遅延
線15を挿入して、緑信号Gを1/3τp遅らせると共
に、青信号Bを2/3τp遅らせ、R,G、Bの時間軸
補正を行っている。
に到達するようにしである。そのために偏向方向が第1
図の下方向だとすると、画面上で赤画像Rに対して録画
像G及び青画像Bが遅れることになる。従って赤信号R
を基準にした場合には緑信号Gを1/3τp (τp
:ピンチ相当時間)、青信号Bを2/3τp遅らせれば
、画面上の三色の位置ずれと画信号の時間ずれとが対応
し、ずれのないカラー映像が得られる。そのため第2図
に示すようにRGB処理回路7から出力された緑信号G
を緑信号用カソードKに送る回路中に1/3τpの遅延
線14を挿入すると共に、青信号BをRGB処理回路7
から青信号用カソードKに送る回路中に2/3τp遅延
線15を挿入して、緑信号Gを1/3τp遅らせると共
に、青信号Bを2/3τp遅らせ、R,G、Bの時間軸
補正を行っている。
第1図のパルス整形回路10を、高レベル期間が1/3
τpであり、低レベル期間が2/3τpであるパルスを
発生させるモノマルチで構成してもよい。そして高レベ
ル期間がインデックス信号の低レベル部分に対応するよ
うにインデックス信号でモノマルチをトリガーすれば、
アパーチャグリル3に当たるビームを正確にカットオフ
することができる。またPLL回路を用いて、インデッ
クス信号に位相同期させてカットオフ期間を制御するよ
うにすれば、更に完全な動作を行うことができるように
なる。
τpであり、低レベル期間が2/3τpであるパルスを
発生させるモノマルチで構成してもよい。そして高レベ
ル期間がインデックス信号の低レベル部分に対応するよ
うにインデックス信号でモノマルチをトリガーすれば、
アパーチャグリル3に当たるビームを正確にカットオフ
することができる。またPLL回路を用いて、インデッ
クス信号に位相同期させてカットオフ期間を制御するよ
うにすれば、更に完全な動作を行うことができるように
なる。
上記の例では3色のビーム1a〜ICを同じ細孔3a内
を通過させるようにした例を示したが、これらの3色の
ビーム1a〜ICは第4図(a)に示すように隣接した
別々の細孔3aを通過させるようにしてもよい。このよ
うにした場合は赤画像Rを基準にすると録画像Gは2/
3τp遅れ、青画像Bは4/3τp遅れる。この位相遅
れを調節するには第5図に示すように緑信号G用として
2/3τp遅延線16を用いると共に、青信号B用とし
て4/3τp遅延線エフを用いればよい。
を通過させるようにした例を示したが、これらの3色の
ビーム1a〜ICは第4図(a)に示すように隣接した
別々の細孔3aを通過させるようにしてもよい。このよ
うにした場合は赤画像Rを基準にすると録画像Gは2/
3τp遅れ、青画像Bは4/3τp遅れる。この位相遅
れを調節するには第5図に示すように緑信号G用として
2/3τp遅延線16を用いると共に、青信号B用とし
て4/3τp遅延線エフを用いればよい。
その他の構成は前記と同じでよく、この場合も前記と同
様に第4図(b)及び(C)に示すように、グリル3上
を通過するビーム1a〜ICを同様にカットオフするこ
とができる。
様に第4図(b)及び(C)に示すように、グリル3上
を通過するビーム1a〜ICを同様にカットオフするこ
とができる。
第2図及び第5図の実施例は回路構成が簡単であるので
適用が容易であり、また低コストで実現 。
適用が容易であり、また低コストで実現 。
できる。
次にビーム1a〜ICをカットオフすることなくグリル
3に当たるビームを低減化するようにした例を第6図に
示す。第6図(a)、(b)、(C)に示すように、こ
の例は3色のビーム1a〜ICが常時色螢光体4に当た
るように制御するようにしたものであり、第7図にその
制御系を示す。
3に当たるビームを低減化するようにした例を第6図に
示す。第6図(a)、(b)、(C)に示すように、こ
の例は3色のビーム1a〜ICが常時色螢光体4に当た
るように制御するようにしたものであり、第7図にその
制御系を示す。
CRT6は前記の例と同様に全てのアパーチャグリル3
にインデックス用螢光体5を塗布したものである。イン
デックス螢光体5の発光はフォトセンサ8によって検出
され、第8図(a)に示すようなインデックス出力が得
られる。それをアンプ9で増巾、整形することにより周
波数fpのインデックスパルスが得られるから、このパ
ルスでPLLをたたくことによってVCO20からマス
クピンチに対応する周波数のキャリアを再生できる。
にインデックス用螢光体5を塗布したものである。イン
デックス螢光体5の発光はフォトセンサ8によって検出
され、第8図(a)に示すようなインデックス出力が得
られる。それをアンプ9で増巾、整形することにより周
波数fpのインデックスパルスが得られるから、このパ
ルスでPLLをたたくことによってVCO20からマス
クピンチに対応する周波数のキャリアを再生できる。
これを鋸歯状波発生回路21に与えて、第8図(C)に
示すような三角波を形成し、この三角波をビーム1a〜
ICの速度変調用として偏向ヨーク25とは別に設けで
ある偏向補正電極22に加える。このようにして第8図
(cりに示したようなステップ状の水平偏向出力を得る
ようにする。
示すような三角波を形成し、この三角波をビーム1a〜
ICの速度変調用として偏向ヨーク25とは別に設けで
ある偏向補正電極22に加える。このようにして第8図
(cりに示したようなステップ状の水平偏向出力を得る
ようにする。
VCO20の出力とインデックスパルスとが位相比較器
23で比較され、その誤差出力をローパスフィルタ24
を介してVCO20の制御入力に与えることによりPL
Lがロックされる。この結果ビーム1a〜ICがグリル
3に当たって発生するインデックス出力が常に最小にな
るような負帰還がかかり、ビーム1a〜lcがアパーチ
ャグリル部を素早く移動するような走査が行なわれる。
23で比較され、その誤差出力をローパスフィルタ24
を介してVCO20の制御入力に与えることによりPL
Lがロックされる。この結果ビーム1a〜ICがグリル
3に当たって発生するインデックス出力が常に最小にな
るような負帰還がかかり、ビーム1a〜lcがアパーチ
ャグリル部を素早く移動するような走査が行なわれる。
即ちビーム1a〜ICはステップ状(歩進的)に走査さ
れ、実際のインデックス出力は第8図(b)に示すよう
にステップ状になる。
れ、実際のインデックス出力は第8図(b)に示すよう
にステップ状になる。
第9図には3色のビーム1a〜1cを別々の細孔3aを
通すようにした例を示しである。通常の走査を行えばビ
ーム1a〜1cは破線で示したようにグリル3に当たり
ながら次の細孔3aに移動して行くことになる。しかし
この場合は上記のようにステップ状の走査を行っている
ものであるから第9図(a)で示した位置から(d)に
示した位置に素早く移動する。従って3ビームがグリル
3に当たる走査時間を大巾に減らすことができて、実質
上螢光面2のみに当てておくことができる。
通すようにした例を示しである。通常の走査を行えばビ
ーム1a〜1cは破線で示したようにグリル3に当たり
ながら次の細孔3aに移動して行くことになる。しかし
この場合は上記のようにステップ状の走査を行っている
ものであるから第9図(a)で示した位置から(d)に
示した位置に素早く移動する。従って3ビームがグリル
3に当たる走査時間を大巾に減らすことができて、実質
上螢光面2のみに当てておくことができる。
なお第7図に示した制御系は静電偏向によってビーム1
a〜ICの速度変調を行うようにしているが、電磁補助
コイルを設けて電磁的に速度変調を行ってもよく、また
偏向ヨーク25に変調出力を重畳させるようにしてもよ
い。
a〜ICの速度変調を行うようにしているが、電磁補助
コイルを設けて電磁的に速度変調を行ってもよく、また
偏向ヨーク25に変調出力を重畳させるようにしてもよ
い。
また上記の例では全てのアパーチャグリルにインデック
ス用螢光体5を塗布した例を示したが、1本おき又は2
本おきに塗布するようにしてもよい。
ス用螢光体5を塗布した例を示したが、1本おき又は2
本おきに塗布するようにしてもよい。
更に、縦長ビームを用いるようにすればビーム遮へい量
を更に少くすることができる。
を更に少くすることができる。
本発明は上述の如く、色選別用マスク部材の細孔を通過
した3ビームが対応する各色の螢光体に同時に当たるよ
うな3つのビーム軌道を与え、ビームインデックス信号
を用いてマスク部材に当たる3ビームの走査時間又は量
が少なくなるように制御したので、ビームが概ね上記細
孔を通り、マスク部材上で熱となって消費されるビーム
の量が大巾に低減される。よってマスク部材の熱負荷条
件が緩和されるので、ビームエネルギーを増強して高輝
度にすることが容易である。またマスク部材を用いてい
るから、高輝度形のビームインデックス管のように色混
濁が生じるおそれが無く、大口径レンズを用いなくても
原理的に高精細な表示が得られる。また輝度を従来と同
一にするならば、ビームの導通量が1/3となっている
ため、高圧回路の負担が軽くなり、低消費電力、小型化
が可能である。
した3ビームが対応する各色の螢光体に同時に当たるよ
うな3つのビーム軌道を与え、ビームインデックス信号
を用いてマスク部材に当たる3ビームの走査時間又は量
が少なくなるように制御したので、ビームが概ね上記細
孔を通り、マスク部材上で熱となって消費されるビーム
の量が大巾に低減される。よってマスク部材の熱負荷条
件が緩和されるので、ビームエネルギーを増強して高輝
度にすることが容易である。またマスク部材を用いてい
るから、高輝度形のビームインデックス管のように色混
濁が生じるおそれが無く、大口径レンズを用いなくても
原理的に高精細な表示が得られる。また輝度を従来と同
一にするならば、ビームの導通量が1/3となっている
ため、高圧回路の負担が軽くなり、低消費電力、小型化
が可能である。
第1図は本発明の実施例の高輝度CRTの原理を示す要
部拡大図、第2図はCRT制御回路図、第3図は第2図
の動作タイムチャート、第4図は他の例のビーム走査状
態を示す図、第5図は第4図の走査を実施するためのC
RT制御回路図、第6図はビームをステップ状に走査さ
せるようにした高輝度CRTの原理を示す要部拡大図、
第7図は第6図の走査を実施するためのCRT制御回路
図、第8図は動作チャート、第9図は第6図に示した走
査方法を3色のビームをそれぞれ別の細孔を通しながら
行うようにした例を示す図、第10図従来のCRTの動
作原理を示す要部拡大図である。 なお、図面に用いた符号において、 1a〜1 c−−−−一一一一一電子ビーム2−−−−
−−一−−−−−−−−−−−螢光面3−−−−・−一
一−−−−−−−・−アパーチャグリル3a−・−−−
−−−−一−−−−−細孔4−−−−−−−−−−−−
一色螢光体5−一一一一−−−−−−・−インデックス
用螢光体6−−−−−−−−−−一−−−−−−−−C
RT8−−−−一・−−−−−−−−一−フォトセンサ
14〜17−−−−−−−−遅延線 に一−−−−−−−−−−−−−−−−・カソードG
1−−−−−−−−−−−−−グリッドである。
部拡大図、第2図はCRT制御回路図、第3図は第2図
の動作タイムチャート、第4図は他の例のビーム走査状
態を示す図、第5図は第4図の走査を実施するためのC
RT制御回路図、第6図はビームをステップ状に走査さ
せるようにした高輝度CRTの原理を示す要部拡大図、
第7図は第6図の走査を実施するためのCRT制御回路
図、第8図は動作チャート、第9図は第6図に示した走
査方法を3色のビームをそれぞれ別の細孔を通しながら
行うようにした例を示す図、第10図従来のCRTの動
作原理を示す要部拡大図である。 なお、図面に用いた符号において、 1a〜1 c−−−−一一一一一電子ビーム2−−−−
−−一−−−−−−−−−−−螢光面3−−−−・−一
一−−−−−−−・−アパーチャグリル3a−・−−−
−−−−一−−−−−細孔4−−−−−−−−−−−−
一色螢光体5−一一一一−−−−−−・−インデックス
用螢光体6−−−−−−−−−−一−−−−−−−−C
RT8−−−−一・−−−−−−−−一−フォトセンサ
14〜17−−−−−−−−遅延線 に一−−−−−−−−−−−−−−−−・カソードG
1−−−−−−−−−−−−−グリッドである。
Claims (1)
- 3ビームの発生源と、螢光面上で螢光体の色選別を行う
ための細孔を有するマスク部材と、上記細孔を通過した
各ビームが対応する各色の螢光体に同時に当たるように
互に角度を成した3つのビーム軌道を形成する手段と、
ビーム走査位置を検出するために上記マスク部材上に形
成されたインデックス信号発生源と、検出されたインデ
ックス信号に基いて上記マスク部材に当たる3ビームの
量または走査時間を制御する手段とを具備する高輝度C
RTディスプレイ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61282243A JP2565172B2 (ja) | 1986-11-27 | 1986-11-27 | 高輝度crtデイスプレイ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61282243A JP2565172B2 (ja) | 1986-11-27 | 1986-11-27 | 高輝度crtデイスプレイ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63136788A true JPS63136788A (ja) | 1988-06-08 |
JP2565172B2 JP2565172B2 (ja) | 1996-12-18 |
Family
ID=17649918
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61282243A Expired - Fee Related JP2565172B2 (ja) | 1986-11-27 | 1986-11-27 | 高輝度crtデイスプレイ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2565172B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008279451A (ja) * | 2008-07-22 | 2008-11-20 | Kitz Corp | 浄水器用円筒形フィルタ部材の製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5453357U (ja) * | 1977-09-20 | 1979-04-13 |
-
1986
- 1986-11-27 JP JP61282243A patent/JP2565172B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5453357U (ja) * | 1977-09-20 | 1979-04-13 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008279451A (ja) * | 2008-07-22 | 2008-11-20 | Kitz Corp | 浄水器用円筒形フィルタ部材の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2565172B2 (ja) | 1996-12-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |