JPS63134496U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS63134496U JPS63134496U JP2558587U JP2558587U JPS63134496U JP S63134496 U JPS63134496 U JP S63134496U JP 2558587 U JP2558587 U JP 2558587U JP 2558587 U JP2558587 U JP 2558587U JP S63134496 U JPS63134496 U JP S63134496U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating
- film formed
- layer
- insulating film
- electron beam
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims 2
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- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
第１図は本考案による薄膜ＥＬ素子の一実施例
を示す要部断面図、第２図は従来の薄膜ＥＬ素子
を示す断面図である。 １……ガラス基板、２……前面電極、３′……
第１の絶縁膜、４……ＥＬ発光層、５……第２の
絶縁層、６……背面電極、６１，６２，６３，６
４……電極パターン、７……背景層、８……蒸着
膜、９……スパツタ膜。
を示す要部断面図、第２図は従来の薄膜ＥＬ素子
を示す断面図である。 １……ガラス基板、２……前面電極、３′……
第１の絶縁膜、４……ＥＬ発光層、５……第２の
絶縁層、６……背面電極、６１，６２，６３，６
４……電極パターン、７……背景層、８……蒸着
膜、９……スパツタ膜。
Claims (1)
- 透明な絶縁基板上に前面電極、第１の絶縁層、
ＥＬ発光層、第２の絶縁層および背面電極を順次
積層してなる薄膜ＥＬ素子において、前記第１の
絶縁層は電子ビーム蒸着法で形成された絶縁膜と
スパツタリング法で形成された絶縁膜との二層膜
からなり、前面電極とスパツタリング法で形成さ
れた絶縁膜との間に電子ビーム蒸着法で形成され
た絶縁膜を介在させたことを特徴とする薄膜ＥＬ
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2558587U JPS63134496U (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2558587U JPS63134496U (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63134496U true JPS63134496U (ja) | 1988-09-02 |
Family
ID=30825876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2558587U Pending JPS63134496U (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63134496U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02226692A (ja) * | 1989-02-23 | 1990-09-10 | Nec Kansai Ltd | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61281498A (ja) * | 1985-06-06 | 1986-12-11 | 沖電気工業株式会社 | 薄膜発光素子の誘電体薄膜形成方法 |
-
1987
- 1987-02-25 JP JP2558587U patent/JPS63134496U/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61281498A (ja) * | 1985-06-06 | 1986-12-11 | 沖電気工業株式会社 | 薄膜発光素子の誘電体薄膜形成方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02226692A (ja) * | 1989-02-23 | 1990-09-10 | Nec Kansai Ltd | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 |