JPS63130779A - プラスチツクの無電解めつき方法 - Google Patents
プラスチツクの無電解めつき方法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
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- C23C18/28—Sensitising or activating
- C23C18/30—Activating or accelerating or sensitising with palladium or other noble metal
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明はプラスチックを無電解めっきする方法、特にプ
ラスチックを自己触媒性無電解めっき液で無電解めっき
する方法に関する。
ラスチックを自己触媒性無電解めっき液で無電解めっき
する方法に関する。
［従来の技術］
エポキシ樹脂などのプラスチックは電気絶縁性がすぐれ
ているため広く電子工業に使用されている。
ているため広く電子工業に使用されている。
例えば、印刷配線板においては無電解銅めっきによって
エポキシ樹脂板上に導電回路を形成し、半導体集積回路
等の電子部品の搭載用に使用されている。
エポキシ樹脂板上に導電回路を形成し、半導体集積回路
等の電子部品の搭載用に使用されている。
エポキシ樹脂板のようなプラスチックを無電解めっきす
る方法としては次のような方法がある。
る方法としては次のような方法がある。
即ち、まずエポキシ樹脂板の表面をクロム酸−硫酸混液
、過マンガン酸カリウムのアルカリ性水溶液、またはリ
ン酸イオンを含む無電解めっき用コンディショナー水溶
液等で化学的に親水化した後、塩化第一錫と塩化パラジ
ウムの混合コロイド水溶液に接触させる。次いで、パラ
ジウム金属（塩化パラジウムが塩化第一錫で還元され、
パラジウム金属が生成している）と同時に吸着した錫化
合物を塩酸溶液あるいはホウフッ化水素酸溶液に浸漬し
て除去し、パラジウム金属を露出させ、無電解めっきの
ための増感を行なった後、ホルムアルデヒドを還元剤と
するアルカリ性の無電解銅めっき液に浸漬し無電解めっ
きする。
、過マンガン酸カリウムのアルカリ性水溶液、またはリ
ン酸イオンを含む無電解めっき用コンディショナー水溶
液等で化学的に親水化した後、塩化第一錫と塩化パラジ
ウムの混合コロイド水溶液に接触させる。次いで、パラ
ジウム金属（塩化パラジウムが塩化第一錫で還元され、
パラジウム金属が生成している）と同時に吸着した錫化
合物を塩酸溶液あるいはホウフッ化水素酸溶液に浸漬し
て除去し、パラジウム金属を露出させ、無電解めっきの
ための増感を行なった後、ホルムアルデヒドを還元剤と
するアルカリ性の無電解銅めっき液に浸漬し無電解めっ
きする。
［発明が解決しようとする問題点］
しかし、上記の従来のプラスチックを無電解めっきする
方法はエポキシ樹脂板等のプラスチックの表面にパラジ
ウム金属と同時に吸着した錫化合物を除去する際、吸着
したパラジウム金属もかなりの程度除去される。特にガ
ラス繊維で強化されたエポキシ樹脂板においては、ガラ
ス繊維面（例えば貫通孔壁ではガラス繊維が露出してい
る）に吸着しているパラジウム金属が錫化合物を除去す
る際、はとんど除去され、ガラス繊維面の無電解めっき
の析出不良がしばしば発生していた。
方法はエポキシ樹脂板等のプラスチックの表面にパラジ
ウム金属と同時に吸着した錫化合物を除去する際、吸着
したパラジウム金属もかなりの程度除去される。特にガ
ラス繊維で強化されたエポキシ樹脂板においては、ガラ
ス繊維面（例えば貫通孔壁ではガラス繊維が露出してい
る）に吸着しているパラジウム金属が錫化合物を除去す
る際、はとんど除去され、ガラス繊維面の無電解めっき
の析出不良がしばしば発生していた。
本発明の目的は前記問題点を解消したプラスチックの無
電解めっき方法を提供することにある。
電解めっき方法を提供することにある。
［発明の従来技術に対する相違点］
上述した従来のめつき方法に対し、本発明はパラジウム
金属をプラスチックの表面に吸着した銅コロイド（銅金
属粒子）とパラジウムイオンの置換めっき反応によって
プラスチック表面に形成し、増感させた後に無電解めっ
きするという独創的内容を有する。
金属をプラスチックの表面に吸着した銅コロイド（銅金
属粒子）とパラジウムイオンの置換めっき反応によって
プラスチック表面に形成し、増感させた後に無電解めっ
きするという独創的内容を有する。
［問題点を解決するための手段］
本発明はプラスチック表面を親水化する工程と、親水化
されたプラスチック表面を銅コロイド水溶液に接触させ
、プラスチック表面に銅コロイド膜を形成した後、ＰＨ
＝４〜８の水溶液で洗浄する工程と、前記プラスチック
表面をパラジウムイオン（Ｐｄ ）を含む水溶液に接
触させる工程と、無電解めっき液に浸漬する工程とを有
することを特徴とするプラスチックの無電解めっき方法
である。
されたプラスチック表面を銅コロイド水溶液に接触させ
、プラスチック表面に銅コロイド膜を形成した後、ＰＨ
＝４〜８の水溶液で洗浄する工程と、前記プラスチック
表面をパラジウムイオン（Ｐｄ ）を含む水溶液に接
触させる工程と、無電解めっき液に浸漬する工程とを有
することを特徴とするプラスチックの無電解めっき方法
である。
［原理・作用］
本発明にお（プるプラスチック表面の親水化方法として
は、前記従来方法と同様な化学的親水化方法必るいはプ
ラズマエツチング法を使用することができる。
は、前記従来方法と同様な化学的親水化方法必るいはプ
ラズマエツチング法を使用することができる。
銅コロイド水溶液としては銅−ゼラチンコロイト買ゼラ
チンは銅金属粒子の保護コロイドとして働く〉を含むＰ
Ｈ＝２〜８の水溶液を使用することができる。
チンは銅金属粒子の保護コロイドとして働く〉を含むＰ
Ｈ＝２〜８の水溶液を使用することができる。
銅−ゼラチンコロイドは正に帯電しており、エポキシ樹
脂板（ガラス繊維強化板）の貫通孔壁のガラス繊維面に
従来技術の塩化第一錫と塩化パラジウムの混合コロイド
より吸着しやすい。パラジウムイオン（Ｐｄ ）を含
む水”溶液としては塩化パラジウム、硫酸パラジウムの
酸性水溶液が使用でき、パラジウムイオンの濃度は０．
００１〜０．１ｇ／ｆ！が適当であるが、最も好ましい
範囲は０．００５〜０．０５ ｇ／ｌである。パラジウ
ムイオンを含む水溶液のＰＩ−Ｉｔ、１４以下が適当で
あるが、最も好ましい範囲はＯ〜２である。
脂板（ガラス繊維強化板）の貫通孔壁のガラス繊維面に
従来技術の塩化第一錫と塩化パラジウムの混合コロイド
より吸着しやすい。パラジウムイオン（Ｐｄ ）を含
む水”溶液としては塩化パラジウム、硫酸パラジウムの
酸性水溶液が使用でき、パラジウムイオンの濃度は０．
００１〜０．１ｇ／ｆ！が適当であるが、最も好ましい
範囲は０．００５〜０．０５ ｇ／ｌである。パラジウ
ムイオンを含む水溶液のＰＩ−Ｉｔ、１４以下が適当で
あるが、最も好ましい範囲はＯ〜２である。
プラスチックの表面に吸着形成された銅コロイド膜はＰ
Ｈ＝４〜８の水溶液で水洗洗浄する際、銅金属粒子から
ゼラチンの保護コロイドが分離され、銅金属粒子がプラ
スチックの表面に再吸着される。
Ｈ＝４〜８の水溶液で水洗洗浄する際、銅金属粒子から
ゼラチンの保護コロイドが分離され、銅金属粒子がプラ
スチックの表面に再吸着される。
プラスチック表面に再吸着された銅金属粒子はパラジウ
ムイオン水溶液中で下記の（１）式で示されるようにパ
ラジウムイオンと置換反応し、銅金属粒子の表面にはパ
ラジウム金属が形成される。
ムイオン水溶液中で下記の（１）式で示されるようにパ
ラジウムイオンと置換反応し、銅金属粒子の表面にはパ
ラジウム金属が形成される。
＋＋＋＋
Ｃｕ 十 Ｐｄ −） Ｐｄ
十 Ｃｕ （１）プラスチックの表
面に銅コロイド膜を形成させた後の洗浄用の水溶液のＰ
Ｈが４より低下すると銅金属粒子からゼラチンが分離し
難くなり（１）式の反応が妨害される。
十 Ｃｕ （１）プラスチックの表
面に銅コロイド膜を形成させた後の洗浄用の水溶液のＰ
Ｈが４より低下すると銅金属粒子からゼラチンが分離し
難くなり（１）式の反応が妨害される。
本発明においてはエポキシ樹脂板の貫通孔壁のガラス繊
維面には銅金属粒子が強固に吸着されており、上記（１
）式で示される反応でガラス繊維面にもパラジウム金属
を従来技術より多く形成することができ、無電解めっき
のプラスチック（エポキシ樹脂板等）への析出性（カバ
ーリング性）を著しく向上することができる。
維面には銅金属粒子が強固に吸着されており、上記（１
）式で示される反応でガラス繊維面にもパラジウム金属
を従来技術より多く形成することができ、無電解めっき
のプラスチック（エポキシ樹脂板等）への析出性（カバ
ーリング性）を著しく向上することができる。
［実施例］
以下、本発明の実施例について詳細に説明する。
（実施例１）
プラスチックとしてガラス繊維強化エポキシ樹脂板を用
意し、ドリルでエポキシ樹脂板に貫通孔を形成した。次
いで、液温７０’Ｃのシプレー社製無電解めっき用コン
ディショナー１１７５でエポキシ樹脂板を５分間処理し
、エポキシ樹脂板の表面（含貫通孔壁）を親水化した。
意し、ドリルでエポキシ樹脂板に貫通孔を形成した。次
いで、液温７０’Ｃのシプレー社製無電解めっき用コン
ディショナー１１７５でエポキシ樹脂板を５分間処理し
、エポキシ樹脂板の表面（含貫通孔壁）を親水化した。
次いで水洗後、ＰＨ５，５。
液温２５°Ｃの銅コロイド水溶液に３分間浸漬し、エポ
キシ樹脂板の全面（含貫通孔壁）に銅コロイド膜を形成
した。次にＰＨ−５，５の水溶液（純水または市水を硫
酸および水酸化ナトリウム水溶液でＰＨ調整したもの）
に２分間浸漬した後、ＰＨ＝５〜７で５分間流水洗浄（
市水を使用）した。次に塩化パラジウム０．０１ （］
＃ （パラジウムイオンとして０．００６ｇ＃！ ）
、 ＰＨ−１，８のパラジウムイオン水溶液に約３０
秒間浸漬し、エポキシ樹脂板上の銅金属粒子の表面にパ
ラジウム金属を形成した後、水洗を２分間行ない、エポ
キシ樹脂板を増感した。次いで増感したエポキシ樹脂板
を液温２５°Ｃ，ＰＨ−１２，５の無電解銅めっき液に
約１０分間浸漬し、無電解銅めっき膜をエポキシ樹脂板
の全面に析出させた。これによってエポキシ樹脂板の表
面及び貫通孔壁は無電解銅めっき膜で完全に被覆された
。
キシ樹脂板の全面（含貫通孔壁）に銅コロイド膜を形成
した。次にＰＨ−５，５の水溶液（純水または市水を硫
酸および水酸化ナトリウム水溶液でＰＨ調整したもの）
に２分間浸漬した後、ＰＨ＝５〜７で５分間流水洗浄（
市水を使用）した。次に塩化パラジウム０．０１ （］
＃ （パラジウムイオンとして０．００６ｇ＃！ ）
、 ＰＨ−１，８のパラジウムイオン水溶液に約３０
秒間浸漬し、エポキシ樹脂板上の銅金属粒子の表面にパ
ラジウム金属を形成した後、水洗を２分間行ない、エポ
キシ樹脂板を増感した。次いで増感したエポキシ樹脂板
を液温２５°Ｃ，ＰＨ−１２，５の無電解銅めっき液に
約１０分間浸漬し、無電解銅めっき膜をエポキシ樹脂板
の全面に析出させた。これによってエポキシ樹脂板の表
面及び貫通孔壁は無電解銅めっき膜で完全に被覆された
。
（実施例２）
プラスチックとして実施例１と同じエポキシ樹脂板を用
意した。エポキシ樹脂板の表面を液温６０’Ｃのクロム
酸−硫酸混液で約１５分間処理し、親水化した。次いで
亜硫酸水素ナトリウム水溶液に３分間浸漬し、エポキシ
樹脂板表面のクロムイオン（６価）を中和し、無毒化し
た。
意した。エポキシ樹脂板の表面を液温６０’Ｃのクロム
酸−硫酸混液で約１５分間処理し、親水化した。次いで
亜硫酸水素ナトリウム水溶液に３分間浸漬し、エポキシ
樹脂板表面のクロムイオン（６価）を中和し、無毒化し
た。
次に実施例１と同様な操作によりエポキシ樹脂板表面に
パラジウム金属を形成させた後、無電解銅めっきを約１
０分間行なった。これによってエポキシ樹脂板は無電解
銅めっき膜で完全に被覆された。
パラジウム金属を形成させた後、無電解銅めっきを約１
０分間行なった。これによってエポキシ樹脂板は無電解
銅めっき膜で完全に被覆された。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によりプラスチックの表面は
パラジウム金属で従来技術より確実に増感でき、プラス
チックの表面を無電解めっきで完全に被覆できる効果が
ある。また本発明は実施例で示したエポキシ樹脂板のプ
ラスチックばかりでなく、ＡＢＳ樹脂板、フェノール樹
脂板、ポリイミド樹脂板等のプラスチックやセラミック
基板等にも無電解めっきすることにも使用できる効果を
有するものである。
パラジウム金属で従来技術より確実に増感でき、プラス
チックの表面を無電解めっきで完全に被覆できる効果が
ある。また本発明は実施例で示したエポキシ樹脂板のプ
ラスチックばかりでなく、ＡＢＳ樹脂板、フェノール樹
脂板、ポリイミド樹脂板等のプラスチックやセラミック
基板等にも無電解めっきすることにも使用できる効果を
有するものである。
Claims (1)
- （１）プラスチックの表面を親水化する工程と、親水化
されたプラスチックの表面を銅コロイド水溶液に接触さ
せプラスチックの表面に銅コロイド膜を形成させた後、
ＰＨ＝４〜８の水溶液で洗浄する工程と、前記プラスチ
ックの表面をパラジウムイオン（Ｐｄ＾＋＾＋）を含む
水溶液に接触させる工程と、無電解めつき液に浸漬する
工程とを有することを特徴とするプラスチックの無電解
めっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27771486A JPS63130779A (ja) | 1986-11-20 | 1986-11-20 | プラスチツクの無電解めつき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27771486A JPS63130779A (ja) | 1986-11-20 | 1986-11-20 | プラスチツクの無電解めつき方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63130779A true JPS63130779A (ja) | 1988-06-02 |
Family
ID=17587292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27771486A Pending JPS63130779A (ja) | 1986-11-20 | 1986-11-20 | プラスチツクの無電解めつき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63130779A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0485699A2 (en) * | 1990-11-13 | 1992-05-20 | International Business Machines Corporation | Conditioning of a substrate for electroless plating thereon |
| EP1201790A1 (en) * | 2000-10-25 | 2002-05-02 | Shipley Company LLC | Seed layer |
-
1986
- 1986-11-20 JP JP27771486A patent/JPS63130779A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0485699A2 (en) * | 1990-11-13 | 1992-05-20 | International Business Machines Corporation | Conditioning of a substrate for electroless plating thereon |
| EP0485699A3 (en) * | 1990-11-13 | 1992-07-08 | International Business Machines Corporation | Conditioning of a substrate for electroless plating thereon |
| EP1201790A1 (en) * | 2000-10-25 | 2002-05-02 | Shipley Company LLC | Seed layer |
| US6660154B2 (en) | 2000-10-25 | 2003-12-09 | Shipley Company, L.L.C. | Seed layer |
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