JPS63128542A - Ion implanting apparatus - Google Patents
Ion implanting apparatusInfo
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- JPS63128542A JPS63128542A JP27405286A JP27405286A JPS63128542A JP S63128542 A JPS63128542 A JP S63128542A JP 27405286 A JP27405286 A JP 27405286A JP 27405286 A JP27405286 A JP 27405286A JP S63128542 A JPS63128542 A JP S63128542A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はイオン打込装置に係り、特に半導体製造装置用
のクリーンな真空を得るのに好適なイオン打込装置に関
するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an ion implantation apparatus, and particularly to an ion implantation apparatus suitable for obtaining a clean vacuum for semiconductor manufacturing equipment.
従来の、この種イオン打込み装置は、第３図に示すよう
に、前段加速方式のイオン打込装置においては、イオン
源１で生成されたイオンを高電界で引き出してイオンビ
ーム２とし、これを質量分離用電磁石３に導き、特定の
イオン種に分離し。As shown in FIG. 3, a conventional ion implantation apparatus of this kind uses a pre-acceleration type ion implantation apparatus, in which ions generated in an ion source 1 are extracted with a high electric field to form an ion beam 2. It is guided to a mass separation electromagnet 3 and separated into specific ion species.
このイオンビームをさらに打込室４に導き、回転板１０
にセットされたウェーハ１１に打ち込む。This ion beam is further guided into the implantation chamber 4, and the rotating plate 10
The wafer 11 is set in the wafer 11.
打込室４には、バルブ５ａ′、５ｂ′を介してそれぞれ
クライオポンプ６および油回転ポンプ８ｂ’が接続しで
ある。ビームライン系は、バルブ５ａ、５ｂ’を介して
それぞれ油拡散ポンプ７ａ、７ｂを接続しである。また
、油拡散ポンプ７ａ、７ｂはバルブ５ｃ、５ｃ’を介し
て油回転ポンプ８ａ、８ａ ’に接続してあり、また、
バルブ５ｂを介して油回転ポンプ８ｂに接続しである。A cryopump 6 and an oil rotary pump 8b' are connected to the driving chamber 4 via valves 5a' and 5b', respectively. The beam line system is connected to oil diffusion pumps 7a and 7b via valves 5a and 5b', respectively. Further, the oil diffusion pumps 7a, 7b are connected to oil rotary pumps 8a, 8a' via valves 5c, 5c', and
It is connected to an oil rotary pump 8b via a valve 5b.
真空排気を行う場合は、すべてのバルブ５ａ。When performing vacuum evacuation, all valves 5a.
５ａ’、５ａ’、５ｂ、５ｂ’、５ｃ、５ｃ’。5a', 5a', 5b, 5b', 5c, 5c'.
５ｃ’を閉じた状態から油回転ポンプ８ｂ。Oil rotary pump 8b from the state where 5c' is closed.
８ｂ ’、８ａ、８ａ ’と被排気容器間のバルブ５ｂ
、５ｂ ’、５ｃ、５ｃ ’、５ｃ’を開き、油回転ポ
ンプ８ｂ、８ｂ ’、８ａ、８ａ ’を運転して規定の
圧力まで排気されたら、バルブ５ｂ。Valve 5b between 8b', 8a, 8a' and the evacuated container
, 5b', 5c, 5c', 5c' and operate the oil rotary pumps 8b, 8b', 8a, 8a' until the specified pressure is reached, then open the valve 5b.
５ｂ’を閉じ、バルブ５ａ、５ａ ’、５ａ’を開き、
クライオポンプ６、油拡散ポンプ７ａ、７ｂで排気を続
け、イオン打ち込みが可能な圧力まで排気する。5b' is closed, valves 5a, 5a', 5a' are opened,
Evacuation is continued using the cryopump 6 and oil diffusion pumps 7a and 7b until the pressure reaches a level where ion implantation is possible.
ところで、従来のイオン打込装置においては、第３図に
示すように、被排気容器と油回転ポンプ８ｂ、８ｂ ’
、８ａ、８ａ ’との間を配管で直接接続するか、また
は油回転ポンプの油蒸気の逆流を防ぐフォアライントラ
ップ（図示せず）を介して接続するようにしていた。し
かし、油回転ポンプと被排気容器を配管で直接接続する
と、運転条件によっては、油蒸気の逆流によって被排気
容器を汚染する場合がある。また、フォアライントラッ
プを設置した場合は、−同／日〜−同／週の割合で再生
する必要があった。By the way, in the conventional ion implantation apparatus, as shown in FIG.
, 8a, and 8a' are connected directly by piping or via a foreline trap (not shown) that prevents backflow of oil vapor from the oil rotary pump. However, if the oil rotary pump and the evacuated container are directly connected via piping, the evacuated container may be contaminated by backflow of oil vapor depending on operating conditions. Furthermore, when a foreline trap was installed, it was necessary to regenerate it at a rate of -same/day to -same/week.
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記従来技術は、被排気容器を油蒸気によって汚染する
か、フォアライントラップ再生のため連続運転時間が短
くなるという問題点があった。[Problems to be Solved by the Invention] The above-mentioned prior art has problems in that the evacuated container is contaminated with oil vapor or the continuous operation time is shortened due to foreline trap regeneration.
本発明の目的は、長時間連続して被排気容器を油蒸気に
よって汚染することがなく、クリーンな真空が得られる
イオン打込装置を提供することにある。An object of the present invention is to provide an ion implantation device that can provide a clean vacuum without contaminating an evacuated container with oil vapor for a long period of time.
上記目的は、イオン打込装置の各部の真空排気用回転ポ
ンプの吸込み配管側にそれぞれ回転するロータからなる
回転バッフルを設けた構成として達成するようにした。The above object is achieved by a configuration in which rotary baffles each consisting of a rotating rotor are provided on the suction pipe side of a rotary pump for vacuum evacuation in each part of the ion implantation device.
回転バッフルのロータは、ケーシングの中で回転し、そ
れによってロータとケーシングの間またはロータとロー
タの間に形成される空間が被排気容器側から油回転ポン
プ側へと移動し、これらの空間を伝わって被排気容器内
の気体等が排気される通路が確保され、この排気通路は
、ロータにより光学的に完全シールドされる構造を有し
ているため、油蒸気はロータに付着し、被排気容器側へ
逆流するのを防止でき、クリーンな真空を得ることがで
きる。The rotor of the rotating baffle rotates within the casing, thereby moving the space formed between the rotor and the casing or between the rotors from the evacuated container side to the oil rotary pump side, and filling these spaces. A path is ensured through which gases, etc. in the evacuated container are exhausted, and this exhaust path has a structure that is completely optically shielded by the rotor, so oil vapor adheres to the rotor and is exhausted from the evacuated container. It is possible to prevent backflow to the container side and obtain a clean vacuum.
以下本発明を第１図、第２図に示した実施例を用いて詳
細に説明する。The present invention will be explained in detail below using the embodiments shown in FIGS. 1 and 2.
第１図は本発明のイオン打込装置の一実施例を示す概略
構成図である。第１図において、１はイオンを生成する
イオン源で、２はイオン源１で生成されたイオンを高電
圧で引き出したイオンビーム、３は上記イオンビーム２
を特定のイオン種に分離する質量分離用電磁石、４は打
込室で、回転板１０にセットされたウェーハ１１に質量
分離用電磁石３からのイオンビームが打ち込まれる。FIG. 1 is a schematic diagram showing an embodiment of the ion implantation apparatus of the present invention. In FIG. 1, 1 is an ion source that generates ions, 2 is an ion beam that extracts the ions generated by the ion source 1 with high voltage, and 3 is the ion beam 2.
A mass separation electromagnet 4 separates the ions into specific ion species, and an ion beam from the mass separation electromagnet 3 is implanted into a wafer 11 set on a rotary plate 10 in an implantation chamber.
５ａ、５ａ ’、５ａ’ 、５ｂ、５ｂ ’、５ｃ。5a, 5a', 5a', 5b, 5b', 5c.
５ｃ’、５ｃ’はバルブ、６はクライオポンプ、７ａ、
７ｂは油拡散ポンプ、８ａ、８ａ ’、８ｂ。5c', 5c' are valves, 6 is a cryopump, 7a,
7b is an oil diffusion pump, 8a, 8a', 8b.
８ｂ’は油回転ポンプで、第１図に示す実施例において
は、油回転ポンプ８ａ、８ａ ’、８ｂ。8b' is an oil rotary pump, and in the embodiment shown in FIG. 1, oil rotary pumps 8a, 8a', and 8b.
８ｂ’の吸込み配管側にそれぞれ回転するロータからな
る回転バッフル９ａ〜９ｄを設置しである。Rotating baffles 9a to 9d each consisting of a rotating rotor are installed on the suction pipe side of 8b'.
本実施例によれば、油回転ポンプ８ａ、８ａ ’。According to this embodiment, the oil rotary pumps 8a, 8a'.
８ｂ、８ｂ’の油蒸気がそれぞれ回転バッフル９ａ〜９
ｄのロータに付着し、ビームライン系、打込室４．クラ
イオポンプ６、油拡散ポンプ７ａ。The oil vapors 8b and 8b' pass through the rotating baffles 9a to 9, respectively.
Attach to the rotor of d, beam line system, implantation chamber 4. Cryopump 6, oil diffusion pump 7a.
７ｂ等の被排気容器に逆流するのを防止することができ
る。It is possible to prevent the gas from flowing back into the evacuated container such as 7b.
第２図は第１図の回転バッフルの一実施例を示すロータ
軸に直角方向の断面図である。第２図（ａ）、（ｂ）は
ロータ１２が２個あり、互いに接触しないようにケーシ
ング１３の中で回転し、２個のロータ１２が光学的に排
気通路１４をシールドしている。なお、ロータ１２とケ
ーシング１３で形成され条空間１５ａ、１５ｂがケーシ
ング１３内の排気通路となる。FIG. 2 is a sectional view taken in a direction perpendicular to the rotor axis, showing one embodiment of the rotating baffle shown in FIG. In FIGS. 2(a) and 2(b), there are two rotors 12, which rotate in a casing 13 so as not to come into contact with each other, and the two rotors 12 optically shield the exhaust passage 14. Note that the strip spaces 15a and 15b formed by the rotor 12 and the casing 13 serve as exhaust passages within the casing 13.
第２図（ｃ）はロータ１２が１個であり、ケーシング１
３の中で回転し、ロータ１２が光学的に排気通路１４を
シールドしている。この場合ロータ１２とケーシング１
３で形成される空間１５ｃがケーシング１３内の排気通
路となる。In FIG. 2(c), there is one rotor 12, and the casing 1
The rotor 12 optically shields the exhaust passage 14. In this case rotor 12 and casing 1
A space 15c formed by 3 serves as an exhaust passage within the casing 13.
以上説明したように１本発明によれば、油回転ポンプの
吸込み配管側に回転するロータからなる回転バッフルを
設けるようにしたので、被排気容器へ油蒸気が逆流する
のを防止することができ。As explained above, according to the present invention, a rotating baffle consisting of a rotating rotor is provided on the suction pipe side of an oil rotary pump, so that it is possible to prevent oil vapor from flowing back into the evacuated container. .
クリーンな真空を長時間連続して得られるので、イオン
を打ち込むウェーハが油蒸気で汚染されないようにでき
るという効果がある。Since a clean vacuum can be obtained continuously for a long time, the wafer into which ions are implanted can be prevented from being contaminated with oil vapor.
第１図は本発明のイオン打込装置の一実施例を示す概略
構成図、第２図は第１図の回転バッフルの一実施例を示
すロータ軸に直角方向の断面図、第３図は従来のイオン
打込装置の概略構成図である。
１・・・イオン源、２・・・イオンビーム、３・・・質
量分離用電磁石、４・・・打込室、５ａ、５ａ ’、５
ａ’ 。
５ｂ、５ｂ ’、５ｃ、５ｃ ’、５ｃ’ −バルブ。
６・・・クライオポンプ、７ａ、７ｂ・・・油拡散ポン
プ、８ａ、８ａ ’、８ｂ、８ｂ ′・＝油回転ポンプ
、９ａ〜９ｄ・・・回転バッフル、１０・・・回転円板
、１１・・・ウェーハ、１２・・・ロータ、１３・・・
ケーシング。FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing one embodiment of the ion implantation apparatus of the present invention, FIG. 2 is a sectional view taken in a direction perpendicular to the rotor axis and showing one embodiment of the rotating baffle of FIG. 1, and FIG. FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a conventional ion implantation device. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Ion source, 2... Ion beam, 3... Mass separation electromagnet, 4... Impression chamber, 5a, 5a', 5
a'. 5b, 5b', 5c, 5c', 5c' - valve. 6... Cryopump, 7a, 7b... Oil diffusion pump, 8a, 8a', 8b, 8b' = oil rotary pump, 9a-9d... Rotating baffle, 10... Rotating disk, 11 ...Wafer, 12...Rotor, 13...
casing.
Claims (1)
らのイオンビームを加速した後特定イオンを分離する分
離手段と、該分離手段で分離された特定イオンビームを
照射する被照射物を装着する打込室とからなるイオン打
込装置において、前記イオン打込装置の各部の真空排気
用油回転ポンプの吸込み配管側にそれぞれ回転するロー
タからなる回転バッフルを設けたことを特徴とするイオ
ン打込装置。1. Equipped with an ion source that generates an ion beam, a separation means that separates specific ions after accelerating the ion beam from the ion source, and an object to be irradiated with the specific ion beam separated by the separation means. An ion implantation device comprising an implantation chamber, characterized in that rotating baffles each consisting of a rotating rotor are provided on the suction pipe side of an oil rotary pump for evacuation of each part of the ion implantation device. Device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27405286A JPS63128542A (en) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | Ion implanting apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27405286A JPS63128542A (en) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | Ion implanting apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63128542A true JPS63128542A (en) | 1988-06-01 |
Family
ID=17536297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27405286A Pending JPS63128542A (en) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | Ion implanting apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63128542A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007311815A (en) * | 2007-07-09 | 2007-11-29 | Ulvac Kuraio Kk | Ion implantation method |
-
1986
- 1986-11-19 JP JP27405286A patent/JPS63128542A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007311815A (en) * | 2007-07-09 | 2007-11-29 | Ulvac Kuraio Kk | Ion implantation method |
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