JPS63119139A - Shadow mask - Google Patents

Shadow mask

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Publication number
JPS63119139A
JPS63119139A JP62187864A JP18786487A JPS63119139A JP S63119139 A JPS63119139 A JP S63119139A JP 62187864 A JP62187864 A JP 62187864A JP 18786487 A JP18786487 A JP 18786487A JP S63119139 A JPS63119139 A JP S63119139A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
shadow mask
slot
peripheral
electron beam
degrees
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62187864A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
バエ、チュル、ハン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SAMUSUN EREKUTORON DEIBAISU CO
SAMUSUN EREKUTORON DEIBAISU CO Ltd
Original Assignee
SAMUSUN EREKUTORON DEIBAISU CO
SAMUSUN EREKUTORON DEIBAISU CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SAMUSUN EREKUTORON DEIBAISU CO, SAMUSUN EREKUTORON DEIBAISU CO Ltd filed Critical SAMUSUN EREKUTORON DEIBAISU CO
Publication of JPS63119139A publication Critical patent/JPS63119139A/en
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/02Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/06Screens for shielding; Masks interposed in the electron stream
    • H01J29/07Shadow masks for colour television tubes

Landscapes

  • Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Abstract] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はシャドーマスクに係り、特にスロットの開口面
を拡張して、画面周辺部の色[!度と輝度とを改善した
シャドーマスクに関する。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a shadow mask, and in particular, expands the opening surface of a slot to change the color [!] of the periphery of the screen. This invention relates to a shadow mask with improved intensity and brightness.

〔従来技術とその問題点〕[Prior art and its problems]

一般に、シャドーマスクは0.15m厚さのうずい鉄板
に、0.2〜0.25s百径をもつ円形またはスロット
形のムービ孔を0.56〜0.75Nn間隔で全面的に
配列して形成されている。
In general, a shadow mask is formed by arranging circular or slot-shaped movie holes with a diameter of 0.2 to 0.25 seconds at intervals of 0.56 to 0.75Nn over the entire surface of a 0.15m thick iron plate. has been done.

このJ:うなシャドーマスク【:1、カラー陰極線管の
内部で、電子ビームの偏向中心とおのおのビーム孔を延
長寸′る直線が、おのおののビーム孔に対応する螢光体
の中心に一致するように配置して使用される。
This J: Una shadow mask [:1, Inside the color cathode ray tube, the center of deflection of the electron beam and the straight line that extends each beam hole coincide with the center of the phosphor corresponding to each beam hole. It is used by placing it in

既に知られているJ、うに、電子銃から放射される電子
ビームがおのおののビーム孔を順に通過するとき、シャ
ドーマスクはエネルギーを吸収してドーミング(Dom
ing)を起こす。
As is already known, when the electron beam emitted from the electron gun passes through each beam hole in turn, the shadow mask absorbs energy and causes doming.
ing).

このドーミングはミスランディグの原因になって、画質
によくない影響を与える。特に、この影響は画面の中央
部より周辺部において顕著である。
This doming causes mislanding and has a negative effect on image quality. In particular, this effect is more pronounced at the periphery of the screen than at the center.

その理由は、電子ムービが、周辺側ビーム孔から走査す
る肋は、偏向コイルに偏向して、走査方向がビーム孔の
軸方向に平行ではなく交差するようになるから、電子ビ
ームがビーム孔の内側壁と容易に干渉するからである。
The reason for this is that the ribs that the electron movie scans from the peripheral beam aperture are deflected by the deflection coil, so that the scanning direction is not parallel to the axis of the beam aperture but intersects it, so the electron beam is This is because it easily interferes with the inner wall.

上記問題点はビーム孔の配列パターンと螢光体の配回パ
ターンを変えたり、周辺側へ行りば行くほどビーム孔の
開口面積を減少していくらか改善することかできる。
The above-mentioned problems can be somewhat improved by changing the arrangement pattern of the beam holes and the distribution pattern of the phosphors, or by decreasing the aperture area of the beam holes as it goes toward the periphery.

このJ:うな方式のシャドーマスクは米国特許第3.7
05,322号明細書、同第4,139゜797号明細
書等を通じて提案されている。
This J: Eel method shadow mask is US Patent No. 3.7
This method has been proposed in the specification of No. 05,322, the specification of No. 4,139°797, etc.

しかし、上記方法は画面周辺部の輝度イ(良まで解決す
ることはできない。
However, the above method cannot solve the problem of brightness at the periphery of the screen.

カラーテレビジョンにおいて、周辺部の輝度低下が生ず
るのは、周辺側ビーム孔を通過する電子ビーム吊が中央
部より著しく少ないためである。
In a color television, the reason why the brightness decreases in the peripheral area is because the electron beam passing through the peripheral beam aperture is significantly smaller than that in the central area.

従って、その解決策は周辺側ビーム孔の間口面積を広く
して輝度の均衡をはかることが望ましい。
Therefore, as a solution to this problem, it is desirable to widen the frontage area of the peripheral beam hole to balance the brightness.

一方、シャドーマスクにおいてビーム孔の配列間隔は色
純度と関係があり、また、マスク体の曲率強度に直接的
な影響を与えるので、ビーム孔の聞[1変形はかなり制
限を受りる。
On the other hand, in a shadow mask, the arrangement interval of the beam holes is related to the color purity and directly affects the curvature strength of the mask body, so the deformation of the beam holes is considerably limited.

従来から行なわれているビーム孔の改良は、前記理由に
よつU、J5もに開口断面形状を勾配孔やパラボラ断面
ホールに変形して、電子ビームがビーム孔を通過りる時
に、内側壁と干渉が生じないにうにする程度のものであ
る。
For the reasons mentioned above, conventional beam hole improvements have been made by changing the aperture cross-sectional shapes of both U and J5 into sloped holes or parabolic cross-sectional holes, so that when the electron beam passes through the beam hole, the inner wall This is to the extent that no interference occurs.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明の目的は、画面全体で均一な輝度を得ることがで
きるシャドーマスクを提供することにある11本発明の
他の目的は、画面周辺部の色@疫や、マスク体の曲率強
度を害することなく、周辺側のビーム孔の間口面積を増
大したシャドーマスクを提供することにある。この発明
の更に他の目的は、中央のビーム孔を中心どして、その
外周へ行けば行くほど開口面積が相対的に増大するよう
にしたシャドーマスクを提供することにある。
An object of the present invention is to provide a shadow mask that can obtain uniform brightness over the entire screen.Another object of the present invention is to provide a shadow mask that can provide uniform brightness over the entire screen. It is an object of the present invention to provide a shadow mask in which the frontage area of the beam hole on the peripheral side is increased without causing any problems. Still another object of the present invention is to provide a shadow mask in which the aperture area is relatively increased toward the outer periphery of the central beam hole.

(発明の概要) 本発明のシャドーマスクは、中央側スロットとイの外周
の周辺側ス[1ツ1へとの間の距離およびおのa3のの
周辺側ス[1ツ1〜に対する電子ムービの偏内角に関連
する関数によって、おのおのの周辺側スロットの外向辺
上下端に比例間隔Δを付与して、おのおのの周辺側スロ
ットが前記関数に比例する面積増加分αを保有するよう
に構成した、画面の周辺部の色IIl!度と輝度を改善
したことを特徴とする。
(Summary of the Invention) The shadow mask of the present invention has the following features: the distance between the central slot and the peripheral side slot on the outer periphery of A; A proportional spacing Δ is given to the upper and lower ends of the outward side of each peripheral slot by a function related to the internal deviation angle, so that each peripheral slot has an area increase α proportional to the function. , the color of the periphery of the screen IIl! It is characterized by improved brightness and brightness.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下、本発明の実施例を図面により説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図から第8図は、本発明をスロット形シャドーマス
クに適用した一実施例を示寸。
1 to 8 show the dimensions of an embodiment in which the present invention is applied to a slot-shaped shadow mask.

第1図および第2図においで、符号1は通常的な形態の
中央側スロットであり、マスク体2の中央部に位置する
。この中央側スロット1を中心にして、その外周には周
辺側スロット3が通常的4丁スロツ1へ形シャドーマス
クと同一なパターンで配列されている。この周辺側スロ
ット3は第2図に示すように、中央側スロワ]〜1から
遠い部分、すなわち、外向辺の上下の角隅部をそれぞれ
比例間隔へ程度増加させて、面積増加分αを保有するよ
うに形成されている。面積増加分αば比例間隔Δににつ
て決定されるのであり、また、比例間隔へはおのおの周
辺側スロット3と中央側スロット1間の距離および電子
ビームの偏向角に関連する関数f(x)によって得られ
る値で付与される。
In FIGS. 1 and 2, reference numeral 1 indicates a conventional central slot located at the center of the mask body 2. As shown in FIG. Centering around this central slot 1, peripheral slots 3 are arranged around the outer periphery in the same pattern as a typical four-slot 1 shadow mask. As shown in FIG. 2, this peripheral slot 3 increases the area far from the center thrower ~1, that is, the upper and lower corners of the outward side, to proportional intervals, and holds the area increase α. It is formed to do so. The area increase α is determined by the proportional interval Δ, and the proportional interval is determined by a function f(x) related to the distance between the peripheral slot 3 and the central slot 1 and the deflection angle of the electron beam. It is given with the value obtained by .

換言すると、カラー陰極線管で電子ビームの偏向角は1
5度、30度、45度、60度、75度でね()てみる
ことができ、この場合におのおのの偏向角の範囲内にあ
る周辺側スロット3を通過する電子ビームの減少量は、
中心から当該スロットまでの間の距離と偏向角に対して
関数f(x)で表わされる。
In other words, the deflection angle of the electron beam in a color cathode ray tube is 1
5 degrees, 30 degrees, 45 degrees, 60 degrees, and 75 degrees (). In this case, the amount of reduction in the electron beam passing through the peripheral slot 3 within each deflection angle range is:
The distance from the center to the slot and the deflection angle are expressed by a function f(x).

この関数f(x)は、おのおの偏向角に対して実験測定
値で得ることができる。
This function f(x) can be obtained from experimental measurements for each deflection angle.

第3図は偏向角15度の範囲内で周辺側スロット3の比
例間隔Δの変化を示すグラフであり、関数f (x)−
0,49285714,X10−’x−1−0.119
04775 にJ:っで決定される直線を示している。
FIG. 3 is a graph showing changes in the proportional spacing Δ of the peripheral slots 3 within the range of a deflection angle of 15 degrees, and shows a function f (x)−
0,49285714,X10-'x-1-0.119
04775 shows a straight line determined by J:.

同様に、第4図は偏向角30度の範囲内で位置づ−る周
辺側スロット3の比例間隔△の変化を示すグラフであり
、 関数f (X)=0.598214.31X10−’x
十0.17857211X10−1 によって決定される直線を示している。
Similarly, FIG. 4 is a graph showing changes in the proportional spacing Δ of peripheral slots 3 located within a deflection angle of 30 degrees, and the function f (X) = 0.598214.31X10-'x
A straight line determined by 10.17857211X10-1 is shown.

第5図は偏向角45度の範囲内で位置する周辺側スロッ
ト3の比例間隔Δの変化を示すグラフであり、 関数f (X)=0.6124997X10−1x1−
0.99999927X10’ によって決定される直線で示している。
FIG. 5 is a graph showing changes in the proportional spacing Δ of peripheral slots 3 located within a deflection angle of 45 degrees, and the function f (X) = 0.6124997X10-1x1-
It is shown as a straight line determined by 0.99999927X10'.

−第6図および第7図はおのおの偏向角60度おにび7
5度の範囲内で位置する周辺側スロット3の比例間隔△
の変化を示すグラフであり、関数f (x)=0.62
500000x10−1x+0.35714421x1
0−’と 関数f (X)−〇、59999999X10’xによ
っておのおの決定されるv4線を示している。
- Figures 6 and 7 each have a deflection angle of 60 degrees.
Proportional spacing of peripheral slots 3 located within a range of 5 degrees △
This is a graph showing changes in the function f (x) = 0.62
500000x10-1x+0.35714421x1
0-' and the functions f(X)-〇, 59999999X10'x, respectively.

以」−のようにして求められたおのおのの比例間隔Δの
値は、周辺側スロット3の上半部または下半部に該当づ
る値であるので、これを該周辺側ス【−1ツ1〜3に土
工対象に組合わけると第1図に示すJ、う/iパターン
になる。
The values of each proportional interval Δ obtained in the following manner correspond to the upper half or the lower half of the peripheral slot 3, so this value is applied to the peripheral slot 3. If the combinations are divided into 3 to 3 according to the earthwork target, it becomes the J, U/I pattern shown in Fig. 1.

上述の本発明のシャドーマスクは、面積増加分αが(J
 ’iされるにもかかわらず、マスク体2の曲率強度や
両面の色純度に影響を与えない所定の水平間隔Cど手直
間隔C2を保全しである。たとえqi−直間隔C21ま
ぞの一部が面積増加分αに浸蝕されて小間隔部02′を
形成しても、この程度によって実用上問題をおこすこと
はない。
In the shadow mask of the present invention described above, the area increase α is (J
In spite of this, a predetermined horizontal interval C and vertical interval C2 that does not affect the curvature strength of the mask body 2 or the color purity of both sides is maintained. Even if a part of the qi-direct interval C21 is eroded by the area increase α to form a small interval part 02', this extent will not cause any practical problems.

本発明において、スロワ1−の配置は通常的な)A1〜
エッヂング〃、で容易におこイ丁うことができ、この場
合、スロットの断面形状を、いわゆるバラポリツク断面
孔の形態でザるど、−層良好な効果を1;lることがで
きる。
In the present invention, the arrangement of thrower 1- is conventional) A1-
This can be easily achieved by edging, and in this case, the cross-sectional shape of the slot can be made into a so-called uneven cross-sectional hole shape, and a good effect can be obtained.

第8図は電子ビームが画面周辺側の螢光体にランディン
グする例を示16図面で、斜線部分は通常的なス[]ツ
ーへ形シャドーマスクでみることができるランディング
領域であり、角隅部の一部には電子ビームが到達し−C
いないことを示している。
Figure 8 shows an example of an electron beam landing on a phosphor on the peripheral side of the screen. The electron beam reaches a part of -C
It shows that there is no.

一方、図面の点線部分は本発明のシャドーマスりの面積
増加分αにあたるビームランディング量の増加を示し、
角隅部まで4−分に電子ビームが到)ヱしていることが
判る。
On the other hand, the dotted line part in the drawing shows an increase in the amount of beam landing corresponding to the area increase α of the shadow mass according to the present invention,
It can be seen that the electron beam reaches the corner in 4 minutes.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように、本発明のシャドーマスクにおいて
は、両面の周辺部までも中央側と同tIiの電子ビーム
がランディングづ゛ることが可能であるから、画面周辺
部にも均一な輝度が得られる。それ故に、両面の鮮明度
が高いシャドーマスク製品の生産が可能である。また、
スロットの開口を拡張づるにもかかわらず、マスク体の
曲率強度や色純度に全く影響を与えないという利点があ
り、製法において特異な工程が要求されないので、生産
が容易でコストも気兼であるという効果を奏する。
As explained above, in the shadow mask of the present invention, since it is possible for the electron beam of the same tIi as the center side to land even at the periphery of both sides, uniform brightness can be obtained even at the periphery of the screen. It will be done. Therefore, it is possible to produce a shadow mask product with high definition on both sides. Also,
Despite expanding the slot opening, it has the advantage of not affecting the curvature strength or color purity of the mask body at all, and does not require any special manufacturing steps, making production easy and cost-effective. This effect is achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図から第8図は本発明のシャドーマスクの一実施例
を示し、第1図は斜視図、第2図はスロットの配列パタ
ーンを示す図、第3図乃至第7図はシャドーマスクにお
いて、中央側スロットと周一  8 − 辺側スにIフットの間の距頗と該当周辺側スロットの電
子ビーム偏向角に関連する関数について変化J゛る比例
間隔Δを、おのおの偏向角が15度、30度、45度、
60度、75度の範囲での変化聞を示Jグラノ、第8図
は従来のシャドーマスクと、本発明のシャドーマスクに
よる螢光体上のビームランディング例を示す図面である
。 1・・・中央側スロット、2・・・マスク体、3・・・
周辺側ス[1ツ1〜。 出願人代理人  中  IU   俊  輔;t3図 mm ・ : 家験萌                  
   距離−: 理論値 (30°) mm ・ : 鷺牧に6                 
   距離−: 理論値 第5図 mm 距離 ・ :曳り艷値 m: 埋填fめ mm ・ : η験萌                  
  距4−: 理論値 mm 距纜 −二 大股値 m: 理論値 78図
1 to 8 show an embodiment of the shadow mask of the present invention, in which FIG. 1 is a perspective view, FIG. 2 is a diagram showing the arrangement pattern of slots, and FIGS. 3 to 7 are views of the shadow mask. , the proportional interval Δ varies with respect to the function related to the electron beam deflection angle of the center slot and the peripheral slot 8-I foot and the corresponding peripheral slot, each deflection angle is 15 degrees, 30 degrees, 45 degrees,
FIG. 8 is a drawing showing an example of beam landing on a phosphor using a conventional shadow mask and a shadow mask of the present invention. 1... Center side slot, 2... Mask body, 3...
Peripheral side [1 piece 1 ~. Applicant's agent Shunsuke Naka IU; t3 figure mm ・: Moe Iken
Distance -: Theoretical value (30°) mm ・: 6 to Sagimaki
Distance -: Theoretical value (Fig. 5 mm) Distance・: Pulling value m: Filling f mm・: ηExperiment
Distance 4-: Theoretical value mm Distance distance-2 Stride value m: Theoretical value 78

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 中央側スロットとその外周の周辺側スロットとの間の距
離およびおのおのの周辺側スロットに対する電子ビーム
の偏向角に関連する関数によって、おのおのの周辺側ス
ロットの外向辺上下端に比例間隔を付与して、おのおの
の周辺側スロットが前記関数に比例する面積増加分を保
有するように構成したシャドーマスク。
A proportional spacing is given to the upper and lower ends of the outward side of each peripheral slot by a function related to the distance between the central slot and the peripheral slots on its outer periphery and the deflection angle of the electron beam with respect to each peripheral slot. , a shadow mask configured such that each peripheral slot has an area increase proportional to the function.
JP62187864A 1986-09-10 1987-07-29 Shadow mask Pending JPS63119139A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR7604 1982-09-23
KR1019860007604A KR890001955B1 (en) 1986-09-10 1986-09-10 Slot of shadow mask

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63119139A true JPS63119139A (en) 1988-05-23

Family

ID=19252233

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62187864A Pending JPS63119139A (en) 1986-09-10 1987-07-29 Shadow mask

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JP (1) JPS63119139A (en)
KR (1) KR890001955B1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0286027A (en) * 1988-06-22 1990-03-27 Dainippon Printing Co Ltd Shadow mask forming pattern and manufacture thereof
US6566795B2 (en) 2000-01-13 2003-05-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Cathode ray tube having apertured shadow mask
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JPS5158065A (en) * 1974-11-18 1976-05-21 Hitachi Ltd KARAAJUZOKAN

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Also Published As

Publication number Publication date
KR890001955B1 (en) 1989-06-03
KR880004537A (en) 1988-06-04

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