JPS63110685A - Drive circuit of light emitting element - Google Patents

Drive circuit of light emitting element

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JPS63110685A
JPS63110685A JP61254718A JP25471886A JPS63110685A JP S63110685 A JPS63110685 A JP S63110685A JP 61254718 A JP61254718 A JP 61254718A JP 25471886 A JP25471886 A JP 25471886A JP S63110685 A JPS63110685 A JP S63110685A
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JP
Japan
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pass filter
emitting element
light emitting
semiconductor laser
optical output
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JP61254718A
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Japanese (ja)
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Keiichi Imamura
圭一 今村
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/06808Stabilisation of laser output parameters by monitoring the electrical laser parameters, e.g. voltage or current

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  • Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract

PURPOSE:To deep an optical output constant, even if its uniform deterioration develops by preparing a low pass filter, a switching element for driving a light emitting element as well as a switching element for compensating the optical output where ON-OFF controls are simultaneously carried out and an output terminal is connected to the other end of the low pass filter. CONSTITUTION:The and of a CR low pass filter is connected to a series circuit that is composed of a semiconductor laser LD, a transistor Q1 as well as a resistance R1 and a transistor Q3 for compensating an optical output is connected to the other end of the low pass filter. When an H-signal from a non- inversion output terminal of a comparator IC continues for a long time, an electrical potential VE obtained through the CR low pass filter becomes lower adequately. Then, a signal amplitude current supplied to the semiconductor laser LD increases as the time proceeds. Subsequently, when time passes long enough to show the uniform deterioration of the optical output of the semiconductor laser LD, as a necessary consequence considerable amounts of electric currents are supplied to the semiconductor laser LD and its laser LD keeps the optical outputs constant, regardless of its uniform deterioration.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野〕 本発明は光通信、光情報処理装置等の光源に用いられる
半導体レーデ等の発光素子の駆動回路に関するものでお
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a drive circuit for a light emitting element such as a semiconductor radar used as a light source for optical communication, optical information processing equipment, etc.

(従来の技術〕 半導体レーザは、光通信、光デイスク装置のピックアッ
プ、レーザプリンタの光源等の光情報処理システムのキ
ーデバイスとして非常に重要な地位を確立している。半
導体レーザをこれらのシステムの光源に用いる場合、レ
ーザ光出力を一定にして高速変調させる必要がおる。半
導体レーザではその駆動電流を変調してやると光出力が
容易に変調でき、この点は他のレーザにはない大きな特
徴である。
(Prior Art) Semiconductor lasers have established an extremely important position as key devices in optical information processing systems such as optical communications, pickups for optical disk devices, and light sources for laser printers. When used as a light source, it is necessary to keep the laser light output constant and modulate it at high speed.With semiconductor lasers, the light output can be easily modulated by modulating the drive current, which is a major feature that other lasers do not have. .

半導体レーザを直接パルス駆動する場合には、発光遅れ
によるパターン効果の抑制のため、直流バイアス電流を
発娠しきい値電流付近に設定し、これに信号パルス電流
を重畳する方式が一般的に採用されている。第2図はこ
のような駆動回路の構成の一例を示す回路図でおる。
When directly pulse-driving a semiconductor laser, a method is generally adopted in which the DC bias current is set near the trigger threshold current and a signal pulse current is superimposed on this in order to suppress pattern effects caused by light emission delays. has been done. FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of the configuration of such a drive circuit.

第2図を参照して従来回路の構成を説明すると、2つの
トランジスタQ1.Q2は半導体レーザ(レーザダイオ
ード)LDをスイッチングするための差動回路を構成し
、それぞれのベースにはコンパレータICから位相の反
転したパルス電流が与えられる。コンパレータICは差
動入力を波形整形して出力するためのもので、その非反
転出力端子は自動出力調整回路(APC>10に接続さ
れている。APCloは半導体レーザLDの光出力変動
を調整するためのもので、この調整はトランジスタQ1
のベース・コレクタ間のバイアス電圧を制御することに
より行う。また、トランジスタQ1.Q2のエミッタに
共通接続された抵抗R1は、負の電源端子に接続されて
いる。
The configuration of the conventional circuit will be explained with reference to FIG. 2. Two transistors Q1. Q2 constitutes a differential circuit for switching a semiconductor laser (laser diode) LD, and a pulse current with an inverted phase is applied to each base from a comparator IC. The comparator IC is for shaping the waveform of the differential input and outputting it, and its non-inverting output terminal is connected to the automatic output adjustment circuit (APC>10.APClo adjusts the optical output fluctuation of the semiconductor laser LD) This adjustment is for transistor Q1
This is done by controlling the bias voltage between the base and collector of. Also, the transistor Q1. A resistor R1 commonly connected to the emitters of Q2 is connected to the negative power supply terminal.

次に、第2図に示す従来回路の動作を説明する。Next, the operation of the conventional circuit shown in FIG. 2 will be explained.

コンパレータICの非反転出力がH(ハイレベル)とな
ってこれがトランジスタQ1のベースに与えられると、
トランジスタQ1はオン状態になって半導体レーザLD
に流れる電流が増加し、発光状態になる。このとき、ト
ランジスタQ2のベースに与えられるコンパレータIC
の反転出力はL(ローレベル)になっているので、トラ
ンジスタQ2は高抵抗に保たれ電流は流れない。
When the non-inverted output of the comparator IC becomes H (high level) and is applied to the base of the transistor Q1,
Transistor Q1 turns on and the semiconductor laser LD
The current flowing through the light increases and the light becomes emissive. At this time, the comparator IC applied to the base of transistor Q2
Since the inverted output of Q2 is at L (low level), the transistor Q2 is kept at a high resistance and no current flows.

これに対して、コンパレータICの非反転出力がHから
Lになり反転出力がLからHになると、トランジスタQ
1はオン状態からオフ状態になりトランジスタQ2はオ
フ状態からオン状態になる。
On the other hand, when the non-inverted output of the comparator IC goes from H to L and the inverted output goes from L to H, the transistor Q
1 changes from the on state to the off state, and the transistor Q2 changes from the off state to the on state.

従って、電流はトランジスタQ2を介して流れることに
なるので、半導体レーザLDは消光する。
Therefore, the current flows through the transistor Q2, so that the semiconductor laser LD is extinguished.

このように、コンパレータICからの出力(制御信号)
に応じて半導体レーザLDを発光および消光させること
ができるので、光通信システム等に用いることが可能に
なる。ところが、半導体レーザLDの光出力は温度に対
して常に一定のものではなく、例えば25℃の条件下で
は1mWの光出力が得られていても、0℃の条件下では
これよりかなり低い値の光出力しか得られず、逆に50
℃の条件下では1mWよりかなり高い値の光出力が得ら
れることになる。このように、半導体レーザの光出力が
雰囲気温度の変化によって変動すると、光通信システム
等の構成において不都合を生じる。
In this way, the output (control signal) from the comparator IC
Since the semiconductor laser LD can be made to emit and extinguish light depending on the situation, it can be used in optical communication systems and the like. However, the optical output of a semiconductor laser LD is not always constant with respect to temperature; for example, even if an optical output of 1 mW is obtained under conditions of 25°C, it will be much lower than this under conditions of 0°C. Only optical output can be obtained, and on the contrary, 50
Under conditions of .degree. C., a light output of significantly higher than 1 mW can be obtained. As described above, if the optical output of the semiconductor laser fluctuates due to changes in the ambient temperature, this will cause problems in the configuration of optical communication systems and the like.

そこで従来から、第2図に示す如きAPC回路10が設
けられている。このAPC回路10は、半導体レーザL
Dの光出力を図示しないセンサで検出し、これに応じて
トランジスタQ1のベース・コレクタ間のバイアス電圧
を変えることにより、雰囲気温度の変化があっても光出
力を一定に保持する作用をする。すなわち、半導体レー
ザLDの光出力をトランジスタQ1のバイアスにフィー
ドバックさせることにより、温度条件の異なる状態での
一定の光出力を実現している。
Therefore, an APC circuit 10 as shown in FIG. 2 has been conventionally provided. This APC circuit 10 includes a semiconductor laser L
By detecting the optical output of D with a sensor (not shown) and changing the bias voltage between the base and collector of the transistor Q1 accordingly, the optical output is kept constant even if the ambient temperature changes. That is, by feeding back the optical output of the semiconductor laser LD to the bias of the transistor Q1, a constant optical output is realized under different temperature conditions.

(発明が解決しようとする問題点) しかしながらかかる従来回路では、信号振I陥電流が一
定であるため、コンパレータICからトランジスタQ1
への信号が長い期間にわたってト1の状態に保たれると
、半導体レーザLDにいわゆる一様劣化を生じることが
ある。これは、前述の雰囲気温度の変化に拘りなく、ま
たDLD (暗黒線〉の形式や端面劣化によらずに発生
するもので、半導体レーザLDの長時間の発光による共
1辰器の温度上昇によって生じる−様な光出力の低減で
ある。
(Problem to be Solved by the Invention) However, in such a conventional circuit, since the signal swing current I is constant,
If the signal to is kept in the T1 state for a long period of time, so-called uniform deterioration may occur in the semiconductor laser LD. This occurs regardless of the above-mentioned changes in the ambient temperature, and regardless of the type of DLD (dark line) or end face deterioration, and is caused by an increase in the temperature of the common laser due to long-term light emission from the semiconductor laser LD. This results in a -like reduction in light output.

第4図にかかる光出力の低減の状態を説明する。The state of reduction in optical output shown in FIG. 4 will be explained.

このような光出力の低減がおると、光通信システム等の
構成上で種々の不都合を生じる。
Such a reduction in optical output causes various problems in the configuration of optical communication systems and the like.

そこで本発明は、トランジスタ等の半導体スイッチング
素子にHの信号が連続して入力され、これによって半導
体レーザ等の発光素子が連続して発光する場合でも、光
出力を一定に保つことのできる発光素子の駆動回路を提
供することを目的とする。
Therefore, the present invention provides a light emitting element that can maintain a constant optical output even when an H signal is continuously input to a semiconductor switching element such as a transistor, thereby causing the light emitting element such as a semiconductor laser to continuously emit light. The purpose of this invention is to provide a drive circuit for the following.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明に係る発光素子の駆動回路は、発光素子および該
発光素子駆動用スイッチング素子の直列回路と、発光素
子駆動用スイッチング素子をオン、オフ制御する制御手
段と、直列回路に電流を供給する゛電流源とを備える発
光素子の駆動回路であって、直流回路と電流源の一方の
端子との間に一端が接続されたローパスフィルタと、制
御手段・により発光素子駆動用スイッチング素子と同時
にオン、オフ制御され、出力端子がローパスフィルタの
他端に接続された光出力補償用スイッチング素子とを備
えることを特徴とする。
A driving circuit for a light emitting element according to the present invention includes a series circuit of a light emitting element and a switching element for driving the light emitting element, a control means for controlling on/off of the switching element for driving the light emitting element, and a circuit for supplying current to the series circuit. A driving circuit for a light emitting element comprising a current source, a low pass filter having one end connected between the DC circuit and one terminal of the current source, and a control means that simultaneously turns on a switching element for driving the light emitting element. It is characterized by comprising an optical output compensation switching element which is turned off and whose output terminal is connected to the other end of the low-pass filter.

〔作用〕[Effect]

本発明に係る発光素子の駆動回路は、以上のように構成
されるので、光出力補償用スイッチング素子は発光素子
駆動用スイッチング素子がオンしたときに同時にオンす
るように働き、ローパスフィルタは光出力補償用スイッ
チング素子の出力端子電圧の高周波成分を除去し、これ
を直列回路と電流源との接続点に与えるように働き、従
って直流回路の通電状態が長く続くときは直流回路と電
流源の接続点の電位を下げるように作用する。
Since the light emitting element drive circuit according to the present invention is configured as described above, the optical output compensation switching element works to turn on at the same time when the light emitting element driving switching element turns on, and the low-pass filter operates to control the optical output. It works to remove the high frequency component of the output terminal voltage of the compensation switching element and apply it to the connection point between the series circuit and the current source. Therefore, when the DC circuit remains energized for a long time, the connection between the DC circuit and the current source It acts to lower the potential at a point.

(実施例〕 以下、添付図面を参照して本発明の詳細な説明する。(Example〕 Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

第1図は一実施例に係る駆動回路の回路図でおる。そし
てこれが第2図の従来例と異なる点は、半導体レーザL
D、トランジスタQ1および抵抗R1からなる直列回路
にCRローパスフィルタの一端が接続され、このローパ
スフィルタの他端に光出力補償用のトランジスタQ3が
接続されていることでおる。CRローパスフィルタはト
ランジスタQ3のコレクタと抵抗R1の間に接続された
抵抗R2と、抵抗R2と負の電源端子の間に接続された
コンデンサCから構成される。トランジスタQ3のコレ
クタは抵抗R3を介して正の電源端子に接続され、エミ
ッタは負の電源端子に接続され、ベースはコンパレータ
ICの非反転出力端子に接続される。
FIG. 1 is a circuit diagram of a drive circuit according to one embodiment. The difference between this and the conventional example shown in Fig. 2 is that the semiconductor laser L
One end of a CR low-pass filter is connected to a series circuit consisting of D, transistor Q1, and resistor R1, and a transistor Q3 for optical output compensation is connected to the other end of this low-pass filter. The CR low-pass filter is composed of a resistor R2 connected between the collector of the transistor Q3 and the resistor R1, and a capacitor C connected between the resistor R2 and the negative power terminal. The collector of the transistor Q3 is connected to the positive power supply terminal via the resistor R3, the emitter is connected to the negative power supply terminal, and the base is connected to the non-inverting output terminal of the comparator IC.

次に、上記実施例の回路の作用を説明する。コンパレー
タICの非反転出力が第3図(a)に示すようにLから
H(、:なると、発光素子(半導体レーザLD)駆動用
のトランジスタQ1がオンになり、半導体レーザLDは
発光を始める。このとき、光出力補償用のトランジスタ
Q3もオンになるので、そのコレクタ電位VCは第3図
(b)のように低下する。このコレクタ電位V。の変化
はCRローパスフィルタによって第3図(C)のように
変えられ、これにより駆動回路側の電位VEが変化させ
られる。
Next, the operation of the circuit of the above embodiment will be explained. When the non-inverted output of the comparator IC changes from L to H (,:) as shown in FIG. 3(a), the transistor Q1 for driving the light emitting element (semiconductor laser LD) is turned on, and the semiconductor laser LD starts emitting light. At this time, the transistor Q3 for optical output compensation is also turned on, so its collector potential VC decreases as shown in FIG. ), thereby changing the potential VE on the drive circuit side.

ところで、コンパレータ■Cの非反転出力端子からのH
の信号の期間が短い間は、CRローパスフィルタを介し
て得られる電位V、は、第3図(C)の波形から明らか
なように、わずかに低下するだけでおる。従って、半導
体レーザLDに供給される信号振幅電流はほとんど変化
することばない。その結果、半導体レーザLDの光出力
が一様劣化を呈しない短い期間は、半導体レーザLDに
は一定の電流が供給されることになり、一定の光出力が
保たれる。
By the way, the H from the non-inverting output terminal of comparator ■C
While the period of the signal is short, the potential V obtained through the CR low-pass filter decreases only slightly, as is clear from the waveform in FIG. 3(C). Therefore, the signal amplitude current supplied to the semiconductor laser LD hardly changes. As a result, for a short period in which the optical output of the semiconductor laser LD does not show uniform deterioration, a constant current is supplied to the semiconductor laser LD, and a constant optical output is maintained.

一方、コンパレータICの非反転出力端子からの11の
信号が長く続くときは、CRローパスフィルタを介して
1qられる電位■Eは、第3図(C)の波形から明らか
なように、適度に低くなる。従って、半導体レーザLD
に供給される信号振幅電流が、時間の経過と共に増加し
ていく。その結果、半導体レーザLDの光出力が一様劣
化を呈する程度の長い時間がたつと、半導体レーザLD
にはより多くの電流が供給されることになるので、半導
体レーザLDは一様劣化にかかわりなく一定の光出力を
保持することになる。
On the other hand, when the signal No. 11 from the non-inverting output terminal of the comparator IC continues for a long time, the potential ■E that is 1q through the CR low-pass filter is moderately low, as is clear from the waveform in Figure 3 (C). Become. Therefore, the semiconductor laser LD
The signal amplitude current supplied to the signal increases over time. As a result, after a long enough period of time that the optical output of the semiconductor laser LD exhibits uniform deterioration, the semiconductor laser LD
Since more current will be supplied to the semiconductor laser LD, the semiconductor laser LD will maintain a constant optical output regardless of uniform deterioration.

以上、説明した通り、コンパレータICの非反転出力の
Hの期間が短いときは、半導体レーザLDは短い時間だ
け発光するので一様劣化を起こさない。そして、この状
態では電位VEはほとんど変らないので、半導体レーザ
LDには一定電流が供給されて一定の光出力が保たれる
As explained above, when the period of the H level of the non-inverted output of the comparator IC is short, the semiconductor laser LD emits light for only a short period of time, so uniform deterioration does not occur. In this state, the potential VE hardly changes, so a constant current is supplied to the semiconductor laser LD and a constant optical output is maintained.

これに対し、コンパレータICの非反転出力のHの期間
が長くなるときは、半導体レーザLDは長い時間にわた
って発光し、−様劣化を起こす。
On the other hand, when the H period of the non-inverted output of the comparator IC becomes long, the semiconductor laser LD emits light for a long time, causing -like deterioration.

ところが、この状態では発光出力補償用のトランジスタ
Q3とCRローパスフィルタの働きにより電位VEが低
下させられるので、半導体レーザLDにはより多くの電
流が供給され、従って共撮器の温度上昇による一様劣化
にかかわりなく一定の光出力が得られることになる。
However, in this state, the potential VE is lowered by the action of the transistor Q3 for light emission output compensation and the CR low-pass filter, so more current is supplied to the semiconductor laser LD, and therefore the uniformity due to the temperature rise of the co-photographer is reduced. A constant light output can be obtained regardless of deterioration.

第4図(b)は本実施例による光出力の説明図である。FIG. 4(b) is an explanatory diagram of the optical output according to this embodiment.

従来回路によれば、第4図(a)の如く時間の経過と共
に光出力が低下しているが、本実施例の回路によれば、
第4図(b)の如く光出力の低下が補償されることにな
る。このような光出力の変化は、例えば半導体レーザL
Dの光出力を0/Eデバイスによって検出し、これをオ
シロスコープ等で観測することにより容易に確かめるこ
とができる。
According to the conventional circuit, the optical output decreases with the passage of time as shown in FIG. 4(a), but according to the circuit of this embodiment,
As shown in FIG. 4(b), the decrease in optical output is compensated for. Such a change in optical output is caused by, for example, a semiconductor laser L.
This can be easily confirmed by detecting the optical output of D with an O/E device and observing it with an oscilloscope or the like.

本発明は上記の実施例に限定されるものではなく、種々
の変形が可能である。例えば、発光素子は半導体レーザ
に限られるものではなく、発光ダイオード等であっても
よい。また、雰囲気温度の影響を除去するためのAPC
回路を接続することは必須ではなく、ローパスフィルタ
もCR型のものに限られることなく、高周波成分を除去
するものであればいかなるものでもよい。ざらに、スイ
ッチング素子はバイポーラトランジスタに限らず、電界
効果トランジスタ(FET)等で必ってもよい。ざらに
また、実施例では2個のトランジスタの差動回路によっ
て半導体レーザを駆動するようにしたが、単一のトラン
ジスタ等のオン、オフ制御により発光素子を駆動するよ
うにしてもよい。
The present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications are possible. For example, the light emitting element is not limited to a semiconductor laser, but may be a light emitting diode or the like. In addition, APC to remove the influence of ambient temperature
It is not essential to connect the circuit, and the low-pass filter is not limited to the CR type, but any filter that removes high frequency components may be used. In general, the switching element is not limited to a bipolar transistor, but may also be a field effect transistor (FET) or the like. Furthermore, in the embodiment, the semiconductor laser is driven by a differential circuit of two transistors, but the light emitting element may be driven by on/off control of a single transistor or the like.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上、詳細に説明した通り本発明によれば、発光素子の
駆動回路は以上のように構成されるので、光出力補償用
スイッチング素子は発光素子駆動用スイッチング素子が
オンしたときに同時にオンし、ローパスフィルタは光出
力補償用スイッチング素子の出力端子電圧の高周波成分
を除去し、直列回路と電流源の接続点に与えるように働
き、従って直流回路の通電状態が長く続くときは直流回
路と電流源の接続点の電位を下げるように作用するので
、トランジスタ等の半導体スイッチング素子にト1の信
号が連続して入力され、これによって半導体レーザ等の
発光素子が連続して発光し、いわゆる−様劣化が生じる
場合でも、光出力を一定に保つことができる。
As described above in detail, according to the present invention, the driving circuit for the light emitting element is configured as described above, so that the switching element for optical output compensation is turned on at the same time when the switching element for driving the light emitting element is turned on, The low-pass filter works to remove the high frequency component of the output terminal voltage of the switching element for optical output compensation and apply it to the connection point between the series circuit and the current source. This acts to lower the potential at the connection point, so the signal of 1 is continuously input to a semiconductor switching element such as a transistor, which causes a light emitting element such as a semiconductor laser to emit light continuously, resulting in so-called --like deterioration. Even when this occurs, the optical output can be kept constant.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例の回路図、第2図は従来回路
の一例の回路図、第3図は第1図に示す回路の各部の電
圧波形の説明図、第4図は第1図および第2図に示す回
路の光出力の説明図である。 LP・・・半導体レーザ、Ql・・・発光素子駆動用ト
ランジスタ、Q3・・・光出力補償用トランジスタ、R
2・・・ローパスフィルタ用の抵抗、C・・・ローパス
フィルタ用のコンデンサ。 第  1  図 従来の駆動回路図 第  2  図 各部の電位変化の説明図 第3図 光用力の変化の説明図 第  4  図
FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram of an example of a conventional circuit, FIG. 3 is an explanatory diagram of voltage waveforms at each part of the circuit shown in FIG. FIG. 2 is an explanatory diagram of the optical output of the circuit shown in FIG. 1 and FIG. 2; LP...Semiconductor laser, Ql...Transistor for driving light emitting element, Q3...Transistor for optical output compensation, R
2...Resistor for low-pass filter, C...Capacitor for low-pass filter. Fig. 1 Conventional drive circuit diagram Fig. 2 An explanatory diagram of potential changes in each part Fig. 3 An explanatory diagram of changes in optical power Fig. 4

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、発光素子および該発光素子駆動用スイッチング素子
の直列回路と、前記発光素子駆動用スイッチング素子を
オン、オフ制御する制御手段と、前記直列回路に電流を
供給する電流源とを備える発光素子の駆動回路において
、 前記直流回路と前記電流源の一方の端子との間に一端が
接続されたローパスフィルタと、前記制御手段により前
記発光素子駆動用スイッチング素子と同時にオン、オフ
制御され、出力端子が前記ローパスフィルタの他端に接
続された光出力補償用スイッチング素子と を備えることを特徴とする発光素子の駆動回路。 2、前記直流回路は前記電流源の一方の端子との間に接
続された抵抗手段を有し、前記ローパスフィルタの一端
は前記電流源の一方の端子と前記抵抗手段との間に接続
されている特許請求の範囲第1項記載の発光素子の駆動
回路。 3、前記発光素子駆動用スイッチング素子および光出力
補償用スイッチング素子は、それぞれ前記制御手段の出
力信号をベースに入力するトランジスタである特許請求
の範囲第1項記載の発光素子の駆動回路。 4、前記ローパスフィルタはCRローパスフィルタであ
る特許請求の範囲第1項記載の発光素子の駆動回路。
[Scope of Claims] 1. A series circuit of a light emitting element and a switching element for driving the light emitting element, a control means for controlling on/off of the switching element for driving the light emitting element, and a current source supplying current to the series circuit. A light-emitting element drive circuit comprising: a low-pass filter having one end connected between the DC circuit and one terminal of the current source; and a low-pass filter that is turned on and off at the same time as the light-emitting element driving switching element by the control means. A driving circuit for a light emitting element, comprising: a switching element for optical output compensation which is controlled and whose output terminal is connected to the other end of the low-pass filter. 2. The DC circuit has a resistance means connected between one terminal of the current source, and one end of the low-pass filter is connected between one terminal of the current source and the resistance means. A driving circuit for a light emitting element according to claim 1. 3. The light emitting element driving circuit according to claim 1, wherein the light emitting element driving switching element and the optical output compensation switching element are transistors each inputting an output signal of the control means as a base. 4. The light emitting element drive circuit according to claim 1, wherein the low pass filter is a CR low pass filter.
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