JPS6310442A - Electron gun device - Google Patents

Electron gun device

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JPS6310442A
JPS6310442A JP15331486A JP15331486A JPS6310442A JP S6310442 A JPS6310442 A JP S6310442A JP 15331486 A JP15331486 A JP 15331486A JP 15331486 A JP15331486 A JP 15331486A JP S6310442 A JPS6310442 A JP S6310442A
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lens
grid
electron
cathode
electron lens
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Kousuke Ichida
市田 耕資
Yoshiji Nakayama
仲山 芳史
Noburu Inoue
井上 宣
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Sony Corp
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Abstract

PURPOSE:To avoid the generation of an electron lens action unnecessary to a cathode prefocus electron lens, by making grids composing the cathode prefocus electron lens parallel with respect to each cathode. CONSTITUTION:An end plate of a second grid G2 in which electron beam transmitting apertures h2 (h2R, h2G, and h2B) are bored, is faced to each first grid G1 with the same separation and arranged in parallel with plain surfaces at each aperture h2. Also in a third grid G3, the center part of the pre-stage side end plate 31, where the central beam transmitting aperture h31G is bored, is pressed by machining to make projection part inserting into the cylindrical part SG2 of the second grid, and each top plate of the both cylindrical parts SG2 and SG3 are faced in parallel with plain surfaces. Therefore, improper troubles such as making curved equi-potential surfaces to produce a lens action can be eliminated.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はカラーテレビジョン受像管のような陰極線管に
通用して好適な電子銃装置に係る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an electron gun device suitable for use in cathode ray tubes such as color television picture tubes.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本発明は、複数のカソードを有する電子銃において、そ
のセンターのカソードによるセンターの電子ビームと、
サイドのカソードによるサイド電子ビームの夫々クロス
オーバ位置を相互にずらして各電子ビームに関する収束
電圧の差を減らして各ビームに関して良好なフォーカス
状態を得るようにするものであるが、この場合にカソー
ド・プリフォーカス電子レンズを構成するグリッドを、
各カソードに関して平行にできる構成としてカソード・
プリフォーカス電子レンズに不要な電子レンズ作用が生
じないようにするものである。
The present invention provides an electron gun having a plurality of cathodes, in which a center electron beam is generated by the center cathode;
The cross-over positions of the side electron beams caused by the side cathodes are mutually shifted to reduce the difference in focusing voltage for each electron beam and to obtain a good focus state for each beam. The grid that makes up the prefocus electronic lens,
For each cathode, the cathode
This prevents unnecessary electronic lens effects from occurring in the prefocus electronic lens.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

カラーテレビジョン受像管等の陰極線管における電子銃
装置として例えば第3図に示すように赤、緑、青に対応
して設けられるカソードK R+  K O及びに8に
対して、それぞれ第1グリツドGiR5G ta % 
G IBが配置され、更にこれらに対して共通の第2グ
リッド02%第3グリッドG3、第4グリツドG→、第
5グリツドG5が配列され、カソードK (KR,Ka
、KB)及び第1〜第3グリツド61〜G〕によってカ
ソード・ブリフォーカス電子レンズが形成され、第3〜
!5グリツドG】〜G5において第3及び第5グリツド
G3及びG5に高電圧(陽極電圧)VHが印加され第4
グリツドG4にこれより充分低いフォーカス電圧VFが
与えられてユニポテンシャル型の主電子レンズLが構成
されるようにしたいわゆる複ビーム単電子銃装置がある
As an electron gun device in a cathode ray tube such as a color television picture tube, for example, as shown in FIG. ta%
A common second grid 02%, a third grid G3, a fourth grid G→, a fifth grid G5 are arranged, and a cathode K (KR, Ka
, KB) and the first to third grids 61 to G] form a cathode prefocus electron lens;
! 5th grid G]~G5, high voltage (anode voltage) VH is applied to the third and fifth grids G3 and G5, and the fourth
There is a so-called double-beam single electron gun device in which a focus voltage VF sufficiently lower than this is applied to the grid G4 to form a unipotential type main electron lens L.

この場合、各カソードKR,KO及びKBよりの電子ビ
ームは、主電子レンズのほぼ中央において、フラウンフ
ォーファの条件を満足させる、すなわちこま収差が零に
なる条件を与える位置で交叉するようになされ、第5グ
リツドG5の後段には例えば静電偏向板によって構成さ
れたコンバージェンス手段Cが設けられて、これによっ
て各カソードKR,KO及びKBよりの電子ビームBR
In this case, the electron beams from each cathode KR, KO, and KB are arranged so that they intersect approximately at the center of the main electron lens at a position that satisfies the Fraunhofer condition, that is, provides a condition where coma aberration becomes zero. A convergence means C constituted by, for example, an electrostatic deflection plate is provided downstream of the fifth grid G5, thereby converging the electron beams BR from each of the cathodes KR, KO and KB.
.

BG及びBBが、図示しないが陰極線管の螢光面上にお
いてコンバージェンス(集中)するようになされる。
Although not shown, BG and BB are made to converge (concentrate) on the fluorescent surface of the cathode ray tube.

このような構成による電子銃装置においては、各電子ビ
ームに対する主電子レンズを共通にしたことによって限
られた陰極線管のネック径内におけるレンズ口径を大に
することができて収差の小さい電子銃を構成することが
できる。
In an electron gun device with such a configuration, by making the main electron lens common for each electron beam, the lens diameter within the limited neck diameter of the cathode ray tube can be increased, and an electron gun with small aberrations can be created. Can be configured.

しかしながらこのような構成による場合、主電子レンズ
Lに、その軸上に入射するセンタビームBGと、これに
対し斜めに入射するサイドビームBR及びBBとでは、
これらを螢光面上の同一位置に良好に結像、いわゆるジ
ャストフォーカスさせるためのフォーカス(収束)電圧
は異なる。つまり、共通のフォーカス電圧VFでサイド
ビームBR及びBBをジャストフォーカスさせれば、セ
ンタービームB、が螢光面より後方でフォーカスするい
わゆるアンダーフォーカスになり、センタービームBG
をジャストフォーカスさせればサイドビームBR及びB
Bがオーバーフォーカスとなる。そして、これら各ビー
ムに関してフォーカス電圧を一致させるには、第4図に
示すように、センタービームを得る中央部のカソードK
Gを、両側のカソードKR及びKBより後退させて主電
子レンズLとの距離を両側カソードKR及びKBに比し
大にすれば良い。この場合、第2グリツドG2以降のグ
リッドが共通とされていることから各ビームに関してカ
ソード・ブリフォーカス電子レンズの特性を一定にする
には第2グリツドG2の、中央部カソードKGに関して
の第1グリツドGtaとの対向部を突出させて第1グリ
ツドGtoとの間隔を、他のカソードKR,KBに関し
ての第1グリツドG IR、G IBとの間隔とほぼ同
一にする。ところが、この場合第4図に細線aをもって
示すように、センタービームBGに関してのみ等電位面
の彎曲が生じ、これが集束レンズ効果を奏することにな
る。すなわちセンタービームに関してのみカソード・ブ
リフォーカス電子レンズに、余分のレンズ作用が加わり
、これによってこのビームのクロスオーバーポイントに
移動が生じ、このビームに関する全体の電子レンズ系の
実質的物点位置に狂いが生じたり、成る場合はスポット
に歪が生じたりする。このような不都合を回避するには
、第3グリツドG3の第2グリツドG2との対向面を第
2グリツドG2の面に平行に沿うように屈曲させると共
にこれら間に平行電界が生じるように両グリッドG2及
び03間の間隔を狭めることが考えられるが、第3グリ
ツドG3には高電圧V。
However, in such a configuration, the center beam BG that enters the main electron lens L on its axis, and the side beams BR and BB that enter the main electron lens L obliquely,
The focus (convergence) voltage for forming these images well at the same position on the fluorescent surface, so-called just focusing, is different. In other words, if the side beams BR and BB are just focused using a common focus voltage VF, the center beam B will be focused behind the fluorescent surface, which is called underfocus, and the center beam BG will be focused behind the fluorescent surface.
If you just focus the side beams BR and B
B results in overfocus. In order to match the focus voltages for each of these beams, as shown in FIG.
G may be set back from the cathodes KR and KB on both sides to make the distance from the main electron lens L larger than the cathodes KR and KB on both sides. In this case, since the grids after the second grid G2 are common, in order to make the characteristics of the cathode prefocus electron lens constant for each beam, the first grid with respect to the central cathode KG of the second grid G2 is The part facing Gta is made to protrude so that the distance from the first grid Gto is approximately the same as the distance from the first grids GIR and GIB with respect to the other cathodes KR and KB. However, in this case, as shown by the thin line a in FIG. 4, the equipotential surface is curved only with respect to the center beam BG, which produces a focusing lens effect. In other words, an extra lens effect is added to the cathode pre-focusing electron lens only for the center beam, which causes a shift in the crossover point of this beam, causing a deviation in the actual object point position of the entire electron lens system with respect to this beam. If this occurs, the spot may be distorted. In order to avoid such inconvenience, the surface of the third grid G3 facing the second grid G2 is bent parallel to the surface of the second grid G2, and both grids are bent so that a parallel electric field is generated between them. It is conceivable to narrow the distance between G2 and 03, but the third grid G3 has a high voltage V.

が印加されていることによって、第2及び第3グリッド
間に放電を生じさせる等の問題が生じてくる。
is applied, problems such as generation of discharge between the second and third grids arise.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

本発明は、センター(中央)カソードの位置を両側カソ
ードの位置より、主電子レンズから還去ける方向に後退
させる場合において、これよりのセンタービームについ
てのみ、特別のレンズ作用が生じるような電界の彎曲の
問題を解消するものである。
In the present invention, when the position of the center cathode is moved back from the positions of the cathodes on both sides in a direction in which electrons can be returned from the main electron lens, the electric field is created such that a special lens effect occurs only for the center beam from this position. This solves the problem of curvature.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明においては、特殊の電極構成に基づく電子銃構成
をとって、これの特性を巧みに利用して上述の問題点の
解消をはかる。この特殊の電極構成による電子銃とは特
開昭55−19755号公開公報にその開示のあること
ろである。先ずこれについて説明する。
The present invention uses an electron gun configuration based on a special electrode configuration and skillfully utilizes its characteristics to solve the above-mentioned problems. An electron gun with this special electrode configuration is disclosed in Japanese Patent Laid-Open Publication No. 19755/1983. First, this will be explained.

第3図で説明した電子銃構成によれば主電子レンズの口
径が大とされたことによって収差の改善がはかられるも
のであるが、このような構成にしてもなお、ビーム電流
が大きくなると、球面収差が大きくなってしまって、ビ
ームスポットがブルーミンくしてしまうという欠点があ
る。
According to the electron gun configuration explained in FIG. 3, aberrations can be improved by increasing the aperture of the main electron lens, but even with this configuration, if the beam current becomes large, , the disadvantage is that the spherical aberration becomes large and the beam spot becomes blooming.

更に、第5図を参照してユニポテンシャル型の電子レン
ズについて考察するに、このユニポテンシャル型電子レ
ンズ径においては、第3グリツドG3と第5グリツドG
sに高電圧VAが与えられ、第4グリツドG4にフォー
カス電圧VFが与えられて主電子レンズが構成される。
Furthermore, considering the unipotential type electron lens with reference to FIG. 5, in this unipotential type electron lens diameter, the third grid G3 and the fifth grid G3 are
A high voltage VA is applied to s, and a focus voltage VF is applied to the fourth grid G4, thereby forming a main electron lens.

通常、この種ユニポテンシャル型の電子レンズにおいて
は、高圧■^が与えられる電極G3及びG5の直径と、
フォーカス電圧VFが与えられる電極G4の直径とがほ
ぼ同径に選ばれるか、或いは第5図に示すように高圧電
極G3及びG5がフォーカス1極G4と対向する側にお
いて小径となされて電子ビームの通路に対しての外部か
らの電界の乱れをシールドするようになすが、何れの場
合においても、フォーカス電極G4の直径をD、長さを
βとするとき−の値は、0.5〜2.0の範囲に選ばれ
ている。
Normally, in this type of unipotential electron lens, the diameters of electrodes G3 and G5 to which high voltage ■^ is applied,
The diameter of the electrode G4 to which the focus voltage VF is applied is selected to be approximately the same diameter, or the diameter of the high voltage electrodes G3 and G5 is made small on the side facing the single focus pole G4 as shown in FIG. This is done to shield the path from disturbance of the electric field from the outside, but in any case, when the diameter of the focus electrode G4 is D and the length is β, the value of - is 0.5 to 2. .0 range.

第5図に示したような、各電極63〜G5が同径に選ば
れたユニポテンシャル型電子レンズにおいて、その−の
値を変化させた場合の球面収差時り 性を計算から求めると第7図に示すようになる。
In a unipotential type electron lens in which the electrodes 63 to G5 are selected to have the same diameter as shown in FIG. The result will be as shown in the figure.

この図においては横軸は焦点距離fとレンズ口径Dの比
−を、縦軸は球面収差係数Csをとったものである。こ
れより明らかなように−をγとし、一=ことすると、同
一のζ値でγが大きいほど球り 面収差係数C5は小となる。実際上レンズ口径りは、陰
極線管管体のネック径によって制限されるので結局一定
の焦点距離fにおいて電極G4の長さlが長いほど球面
収差が小さいことになる。しかしながら一方γ=2.0
以上では収差の現象は飽和して(るので、より小さい収
差となすには同一γにおいて焦点距離fを小さくするこ
とが望まれる。ところが一般に電極G4の長さl、すな
わちγを大とすると焦点距fifを小さくすることかで
きない。これについて第8図を参照して説明する。
In this figure, the horizontal axis represents the ratio of the focal length f to the lens aperture D, and the vertical axis represents the spherical aberration coefficient Cs. As is clear from this, if - is γ and 1 = 1, then the larger γ is for the same ζ value, the smaller the spherical aberration coefficient C5 becomes. In practice, the lens aperture is limited by the neck diameter of the cathode ray tube, so that at a given focal length f, the longer the length l of the electrode G4, the smaller the spherical aberration. However, on the other hand, γ=2.0
In the above case, the aberration phenomenon is saturated, so in order to achieve smaller aberrations, it is desirable to reduce the focal length f at the same γ.However, generally speaking, if the length l of the electrode G4, that is, γ, is increased, the focal length It is only possible to reduce the distance fif.This will be explained with reference to FIG.

今、ユニポテンシャル型の電子レンズにおいて、これを
第3グリフドG3及び第4グリッド04間に形成される
レンズ(Lensl)と第4グリツドG4及び第5グリ
ッド05間に形成されるレンズ(Lens2)とに分離
して考察する。そして各レンズ(Lens 1 )及び
(Lens2)の各物焦点距離をfl及び「2とし、像
焦点距離を111及びf2′とし、物焦点をF工及びF
2、像焦点をF1′及びF21とする。Lens 1の
像焦点F1’からLens 2の物焦点までの間隔F1
’F2=Cとすると、両レンズの合成焦点距離f′は で与えられる。
Now, in the unipotential type electron lens, this is defined as a lens (Lensl) formed between the third grid G3 and the fourth grid 04, and a lens (Lens2) formed between the fourth grid G4 and the fifth grid 05. Let's consider this separately. The object focal lengths of each lens (Lens 1) and (Lens 2) are set to fl and 2, the image focal lengths are set to 111 and f2', and the object focal lengths are set to F and F.
2. Set the image focal points to F1' and F21. Distance F1 from the image focus F1' of Lens 1 to the object focus of Lens 2
When 'F2=C', the combined focal length f' of both lenses is given by:

一般に電子レンズ系では、Cく0であるからf′〉0と
なる。そして前述したように球面収差を小さくするため
に電極G4の長さ!、したがってLens 1及びLe
ns 2間の距離りを大とすると、IcIは小となる。
Generally, in an electron lens system, since C is 0, f'>0. As mentioned above, the length of the electrode G4 is increased to reduce spherical aberration! , therefore Lens 1 and Le
If the distance between ns 2 is made large, IcI becomes small.

したがって+11式から合成焦点距離f′は大となって
しまう。このように焦点距離f′は大となるので第7図
について説明したようにlを充分大に且つfを充分小と
して収差を充分小さくするということができない。また
、rが大となることによって結像状態が変わることにな
る。したがって2を大にした場合においてfを一定に、
すなわちこれを小に保持するには、!11式より明らか
なようにLellJLIJひUν2の像焦点距離f1′
(又は)f2′を小さくするることが要求される。
Therefore, according to formula +11, the composite focal length f' becomes large. Since the focal length f' becomes large in this way, it is not possible to make l sufficiently large and f sufficiently small to reduce aberrations sufficiently, as explained with reference to FIG. Furthermore, as r becomes larger, the imaging state changes. Therefore, when 2 is increased, f is constant,
Ie to keep this small! As is clear from Equation 11, the image focal length f1' of LellJLIJHUν2
(or) it is required to reduce f2'.

しかしながら後段のレンズLens 2と陰極線管の螢
光面Sまでの距離Qは、陰極線管のファンネル部の基部
に配置される水平、垂直偏向手段との関係から、その焦
点距離f2′を小さくすることに制限がある。そこで、
前段のレンズI、ens 1の焦点距離f、′を小さく
することが望まれることになる。そして、この焦点路a
rt’を小さくする方法としては、第3グリツドG3に
印加する陽極電圧■^と第4グリツドドG4に印加する
フォーカス電圧VF第3グリッドG3に第5グリツドG
5とは独立の高圧を印加することは別の高圧配線を必要
とし、高圧の絶縁シールドの問題から実用上可成りの煩
雑さを招来する。
However, the distance Q between the rear-stage lens Lens 2 and the fluorescent surface S of the cathode ray tube should be such that its focal length f2' is small due to the relationship with the horizontal and vertical deflection means arranged at the base of the funnel section of the cathode ray tube. There are restrictions on Therefore,
It is desirable to reduce the focal length f,' of the front-stage lens I, ens 1. And this focal path a
As a method of reducing rt', the anode voltage ⑾ applied to the third grid G3 and the focus voltage VF applied to the fourth grid G4 are applied to the third grid G3 and the fifth grid G.
Applying a high voltage independent of 5 requires separate high voltage wiring, which causes considerable practical complexity due to the problem of high voltage insulation shielding.

このような欠点を招来することなく前段のレンズ系の焦
点距離(11を小とするには、第9図に示すように、第
111!極、すなわち例えば第3グリツドG3と、第2
電極、すなわち例えば第4グリツドG4とによって減速
型の前段の電子レンズ(Lensl)を構成し、第2電
極(第4グリツド04)と第3電極、すなわち例えば第
5グリツドG5によって加速型の後段の電子レンズ(L
ens2)を構成するようにするが、この構成において
、特に、前段の電子レンズ(Lensl)と後段の電子
レンズ(Lens2)とを各電子レンズ作用領域が分離
されるように電極G4の長さlを設定し、更に前段の電
子レンズ(Lensl)のレンズ口径を後段の電子レン
ズ(Lens2)のレンズ口径より小に設定する。すな
わち 、第3グリツドG3及び第4グリツドG4の各対
向端部の直径D1を第4グリツドG4及び第5グリツド
G5の各対向端部の直径D2より小に、すなわとする、
又上述したように前段及び後段の各レンズの電子レンズ
作用領域を互いに分離するには、第4グリツドG4内へ
の第3グリツドG3及び第5グリツドG5による電界の
侵入が、グリッドG。
In order to reduce the focal length (11) of the front lens system without causing such drawbacks, as shown in FIG.
The electrode, for example, the fourth grid G4, constitutes a deceleration-type front-stage electron lens (Lensl), and the second electrode (fourth grid 04) and the third electrode, for example, the fifth grid G5, constitute an acceleration-type rear-stage electron lens. Electronic lens (L
ens2), but in this configuration, the length l of the electrode G4 is particularly set so that the front-stage electron lens (Lensl) and the rear-stage electron lens (Lens2) are separated from each other. Further, the lens aperture of the front-stage electronic lens (Lensl) is set to be smaller than the lens aperture of the rear-stage electronic lens (Lens2). That is, the diameter D1 of each opposing end of the third grid G3 and the fourth grid G4 is made smaller than the diameter D2 of each opposing end of the fourth grid G4 and the fifth grid G5,
Further, as described above, in order to separate the electron lens action areas of the front and rear lenses from each other, the electric field must penetrate into the fourth grid G4 by the third grid G3 and the fifth grid G5.

の、第3及び第5グリツドG3及びG5との対向部の開
口径D1とD2とがほぼ等しいことから、小径部の長さ
11と大径部の長さi12とが夫々β、>Dt 、12
 >D2の関係に、したがって第4グリツドG4の長さ
lがl>D1+D2の関係になるように選ぶ。
Since the opening diameters D1 and D2 of the portions facing the third and fifth grids G3 and G5 are approximately equal, the length 11 of the small diameter portion and the length i12 of the large diameter portion are β, >Dt, respectively. 12
>D2, and therefore the length l of the fourth grid G4 is selected to be l>D1+D2.

今、第10図に、前段及び後段のレンズ径を等径とした
場合(!pちに=1)を実線図示の光学系として示し、
このときにこのレンズ系によって陰極線管の螢光面S上
に結像が生ずるようにしたとする0図においてPoは物
点、すなわちカソード・プリフォーカス電子レンズによ
る各ビームのクロスオーバーポイントにおけるカソード
像で、Plは前段のレンズ(Lensl)による虚像、
すなわち後段レンズ(Lens2)の物点を示し、P2
は螢光面S上に結像されたレンズ(Lens2)の像を
示す。
Now, FIG. 10 shows an optical system shown by a solid line when the lens diameters of the front and rear stages are equal (!p = 1).
At this time, it is assumed that this lens system forms an image on the fluorescent surface S of the cathode ray tube. In Figure 0, Po is the object point, that is, the cathode image at the crossover point of each beam by the cathode-prefocus electron lens. So, Pl is the virtual image due to the front lens (Lensl),
In other words, it indicates the object point of the rear lens (Lens2), and P2
shows the image of the lens (Lens2) formed on the fluorescent surface S.

この状態において前段レンズ(Lens 1 )の口径
D1を小さくしてその焦点距離r 1’を小さくしたと
きに結像関係に変化が生じないようにすなわち螢光面S
上に結像がなされるようにするには、前段のレンズ(L
ensl)及び物点Paの位置を破線図示のように所要
の距離だけ移動させる。レンズ(Lensl)の径を小
さくすることを光学的に考えると、レンズLens 1
及びLens 2の像倍率は一定としているので、レン
ズLens 1の結像関係を、像倍率を一定として縮小
したことになる。つまりLens 1によって生じる収
差量も縮小率だけ小さくなることが期待できる。具体的
には前段レンズLens 1の口径D1を小さくすると
共に、両レンズLens 1及びLens 2間の距離
りを大とし、カソードにの位置をずらす。今、レンズ径
全体の倍率Mを、M=12に選定し、レンズLens 
2から像点P2までの距離Qを、Q=50XD2とした
場合において、後段のレンズLens 2から物点Po
までの距離を0とするの両レンズの口 径比kに対する関係は、第11図中実線及び破線で示す
関係となる。この場合、!&段のレンズ(Lens2)
の口径D2は6mmとした場合であるが、同、第11図
において、σ軸はこの口径D2を単位として、すなわち
D2=1として表示したものである。
In this state, when the aperture D1 of the front lens (Lens 1) is made smaller and its focal length r1' is made smaller, the fluorescent surface S is
In order for the image to be formed on the top, the front lens (L
ensl) and the position of the object point Pa are moved by a required distance as shown by the broken line. Considering optically how to reduce the diameter of the lens (Lensl), the lens Lens 1
Since the image magnification of Lens 2 is constant, the image formation relationship of Lens 1 is reduced with the image magnification constant. In other words, it can be expected that the amount of aberration caused by Lens 1 will also be reduced by the reduction rate. Specifically, the aperture D1 of the front-stage lens Lens 1 is made smaller, the distance between both lenses Lens 1 and Lens 2 is increased, and the position of the cathode is shifted. Now, the magnification M of the entire lens diameter is selected as M=12, and the lens
When the distance Q from Lens 2 to the image point P2 is set to Q=50XD2,
The relationship between the aperture ratio k of both lenses and the distance to 0 is shown by the solid line and broken line in FIG. in this case,! & stage lens (Lens2)
The aperture D2 is 6 mm, and in FIG. 11, the σ axis is expressed using the aperture D2 as a unit, that is, D2=1.

第12図はレンズ全体の倍率Mを、M=−8とし、係数
Csの関係の計算結果を示すもので、同図中曲線(10
)〜(13)は夫々両レンズの口径比に、を、k = 
1.0.0.8.0.6.0.4に選定した場合の各計
算結果を示す。尚、各曲線(10)〜(13)に関して
カッコ内に示す数値は、距MLの値をD2を単位として
示したものである。第12図において縦軸は係数C3と
D2の比で表したものである。
Figure 12 shows the calculation results of the relationship between the coefficient Cs and the magnification M of the entire lens (M=-8).
) to (13) are the aperture ratios of both lenses, respectively, and k =
Each calculation result when selecting 1.0.0.8.0.6.0.4 is shown. Note that the numerical values shown in parentheses for each of the curves (10) to (13) indicate the value of the distance ML in units of D2. In FIG. 12, the vertical axis is expressed as the ratio of coefficients C3 and D2.

第13図は第12図と同様な球面収差係数の曲線である
が、この場合はM=−10、Q=50XD2とした場合
で曲線(20)〜(24)は夫々k = 1.0.0.
8゜0.6.0.4.0.3とした場合である。
FIG. 13 shows curves of spherical aberration coefficients similar to those in FIG. 12, but in this case, M=-10 and Q=50×D2, and curves (20) to (24) each have k=1.0. 0.
This is the case when it is set to 8°0.6.0.4.0.3.

第12図及び第13図から明ら壽かなように前段及び後
段のレンズ径の口径比kが小さくなるほど、すなわち前
段のレンズ径の口径D1が後段のレンズ径の口径D2に
比し小となるほど、収差が改善されることがわかる。
As is clear from FIGS. 12 and 13, the smaller the aperture ratio k of the front and rear lens diameters, that is, the smaller the aperture D1 of the front lens diameter is compared to the aperture D2 of the rear lens diameter. , it can be seen that aberrations are improved.

上述したように互いに独立した前段のレンズ作用領域と
後段のレンズ作用領域とを設けて両者の口径比kを小さ
くするとき、球面収差の小さいレンズを構成できるもの
であるが、この前段及び後段のレンズ作用領域によって
形成されるレンズLens1及びLens 2からなる
合成レンズ系の総合球面収差C3は、これら2つのレン
ズLens 1及びLens 2の球面収差係数をC5
1,C52とするとき、次式で与えられる。
As mentioned above, when providing a front-stage lens action area and a rear-stage lens action area that are independent of each other and reducing the aperture ratio k of the two, a lens with small spherical aberration can be constructed. The total spherical aberration C3 of the composite lens system consisting of lenses Lens 1 and Lens 2 formed by the lens action area is the spherical aberration coefficient of these two lenses Lens 1 and Lens 2 as C5
1, C52, it is given by the following equation.

・・・・・・・・(2) これにより収差量Δrは次のように表せる。・・・・・・・・・(2) As a result, the aberration amount Δr can be expressed as follows.

・・・・・・・・(3) ここに、kは前段及び後段の各レンズ口径D□とD2の
比、Mz及びM2は前段及び後段の各し及び第3電極の
印加電圧である。
(3) Here, k is the ratio of the lens aperture D□ and D2 in the front and rear stages, and Mz and M2 are the voltages applied to each of the front and rear stages and the third electrode.

この(3)式からも全体の収差量を効果的に減少させる
には、前段のレンズ口径D1と後段のレンズの口径D2
との比kを小さくすることであることがわかる。
From this equation (3), in order to effectively reduce the overall amount of aberration, the front lens aperture D1 and the rear lens aperture D2 must be
It can be seen that by decreasing the ratio k.

このように2つの独立したレンズLens l 、 L
ens 2の合成によって形成された主電子レンズは、
その口径比kを小さく選ぶことによって球面収差の改善
を図ることができるものであるが、このレンズでは非点
収差、像面彎曲収差に関しては、これが大きな値になっ
てしまう。したがってこのような合成レンズ系を、第3
図に説明したように複数例えば3つのビームに対して共
通の主電子レンズとして用い、前述したようにフラウン
フォーファの条件を満足させるように、すなわちコマ収
差が零になる条件の位置で3本のビームBR,BG及び
BBが交叉するような構成として両サイドのビームBR
及びBBのスポットサイズが悪くなる。
In this way, two independent lenses Lens l, L
The main electron lens formed by the synthesis of ens2 is
Spherical aberration can be improved by selecting a small aperture ratio k, but this lens has large values for astigmatism and curvature of field. Therefore, such a composite lens system can be
As explained in the figure, it is used as a common main electron lens for a plurality of beams, for example, three beams, and the three Beams BR on both sides are configured so that the book beams BR, BG, and BB intersect.
and the BB spot size becomes worse.

そこで、サイドビームといえども、良好なスポットを得
ることができるようにするものとして、前述した特開昭
55−19755号公開公報に開示された電子銃装置が
提案された。この電子銃装置では、前述したように前段
の電子レンズLensl、すなわち前段の電子レンズ作
用領域と、これと分離された後段の電子レンズLens
 2、すなわち、後段の電子レンズ作用領域とによって
主電子レンズを構成し、特に前段の電子レンズを各カソ
ードよりの各ビームに対応して、夫々独別個々に設け、
後段の電子レンズを非点収差、像面彎曲収差の小さい電
子レンズによって構成し、これを各ビームに対し、共通
に設け、各前段のレンズ口径を、後段のレンズ口径より
小に選定するものである。
Therefore, the electron gun device disclosed in the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-open No. 19755-1983 was proposed as a device that can obtain a good spot even with a side beam. In this electron gun device, as described above, there is a front-stage electron lens Lensl, that is, a front-stage electron lens action area, and a rear-stage electron lens Lensl separated from this.
2. That is, the main electron lens is constituted by the latter electron lens action area, and in particular, the front electron lens is provided individually and individually corresponding to each beam from each cathode,
The rear-stage electron lens is composed of an electron lens with small astigmatism and field curvature, and this is provided in common for each beam, and the aperture of each front-stage lens is selected to be smaller than the rear-stage lens aperture. be.

このような構成を実現した電子銃を第2図に示す。この
場合各色に対応する各カソードK R1K G及びKB
を設け、これらに関してそれぞれ第1グリッドGIR,
GIG及びGIBを個々に設ける。そして、これらに共
通してその後段に第2グリツドG2〜第6グリノドG6
を設ける。第3グリツドG〕は第2グリツドG2と対向
する前段側端面板(31)と第4グリツドG4と対向す
る後段I11端面坂(32)とを有して成り、第4グリ
ンドG4は第3グリツドG3と対向する側に端面板(4
1)を有して成る。
FIG. 2 shows an electron gun with such a configuration. In this case, each cathode K R1K G and KB corresponding to each color
and the first grid GIR, GIR,
GIG and GIB are provided individually. In common to these, the second grid G2 to the sixth grid G6 are installed in the subsequent stage.
will be established. The third grid G] has a front side end plate (31) facing the second grid G2 and a rear stage I11 end face slope (32) facing the fourth grid G4. An end plate (4
1).

第1グリッドGIR,GIG、 GiB、第2グリツド
G2、第3グリツドG3の各端面板(31) 、  (
32)、第4グリツドG4の端面板(41)には、夫々
各カソードKR、Ka 、KBからとり出される電子ビ
ームBR+  BG、BBの電子ビーム透過孔h工R1
hia、  hIB+  h2R+  h201h2B
、h31R+  hxla +11318 、h3R+
  h3G+  h3B+  )14R+  h4G+
  h4Bが対向するように穿設される。このような構
成において、例えば第4グリツドG4と第6グリンドG
6に高電圧の、例えば28kVが印加され、第3及び第
5グリツドG3及びG5にこれの25〜30%程度に相
当する低電圧の例えば8kVのフォーカス電圧が印加さ
れる。また、各第1グリツドG IR、G IG +G
1BにはO〜数IQV 、第2グリツドG2には600
〜700■が印加され、各カソードK (KR,KG。
Each end plate (31) of the first grid GIR, GIG, GiB, the second grid G2, and the third grid G3
32), the end plate (41) of the fourth grid G4 has electron beam transmission holes R1 for electron beams BR+ BG, BB taken out from each cathode KR, Ka, KB, respectively.
hia, hIB+ h2R+ h201h2B
, h31R+ hxla +11318 , h3R+
h3G+ h3B+ )14R+ h4G+
h4B are drilled so as to face each other. In such a configuration, for example, the fourth grid G4 and the sixth grid G4
A high voltage, e.g., 28 kV, is applied to G3 and G5, and a low voltage, e.g., 8 kV, corresponding to about 25 to 30% of this voltage, is applied to the third and fifth grids G3 and G5. In addition, each first grid G IR, G IG +G
1B has O~several IQV, 2nd grid G2 has 600
~700 μ is applied to each cathode K (KR, KG.

Ka)と、各第1グリンドG1CG1R,Gia、  
Gts)と第3グリツドG3によってカソード・ブリフ
ォーカス電子レンズが構成され、第3グリツドG3の後
段側端面板(32)と第4グリッドG、の端面板(41
)の各電子ビーム透過孔間に主電子レンズの小口径の前
段電子レンズLenstPL+ LenstB 、 L
ensIBが形成され、これと分離して第4〜第6グリ
ノド04〜G6によって主電子レンズの大口径の共通の
後段電子レンズLens 2が形成される。
Ka) and each first grind G1CG1R, Gia,
Gts) and the third grid G3 constitute a cathode prefocus electron lens, and the rear end plate (32) of the third grid G3 and the end plate (41) of the fourth grid G
) between each electron beam transmission hole of the main electron lens, a small diameter front electron lens LenstPL+LenstB, L
ensIB is formed, and separated from this, a large-diameter common rear-stage electron lens Lens 2 of the main electron lens is formed by the fourth to sixth grids 04 to G6.

この場合、各カソードの軸心、各電子ビーム透過孔hL
R+  )lIG+  htB+  h2R+  F’
20+  h2B+  fi31R+h 3i Q +
  h 31 Elについては、電子銃の中心軸と一致
する軸OGと、これに対し所要の角度をもって交叉する
軸0R100上に夫々配置させるが、前段レンズLen
s1R+ Lensla + LenstBについては
すなわち電子ビーム透過孔h 3R+  h 3G+ 
 h 3B、h 4R1h4G+  h4Bについては
互いに平行をなす軸上に配置するようにして製作の簡易
化精度の向上をはかった場合で、この場合これらレンズ
LenstRI LensH) +Lensxsに対し
て両サイドの電子ビームBG、BBは斜めに入射するよ
うにすることになるので、この場合には、これらのレン
ズはフラウンフォーファの条件が満たされるようにその
位置の設定を行う。
In this case, the axis of each cathode, each electron beam transmission hole hL
R+ )lIG+ htB+ h2R+ F'
20+ h2B+ fi31R+h 3i Q +
h 31 El is placed on the axis OG that coincides with the central axis of the electron gun, and on the axis 0R100 that intersects this at a required angle, but the front lens Len
For s1R+ Lensla + LenstB, that is, electron beam transmission hole h 3R+ h 3G+
h 3B, h 4R1 h4G + h4B are arranged on mutually parallel axes to simplify manufacturing and improve accuracy. In this case, the electron beams BG on both sides of these lenses LenstRI LensH) , BB are to be incident obliquely, so in this case, the positions of these lenses are set so that the Fraunhofer condition is satisfied.

このような構成の電子銃によれば、前述したところから
明らかなように収差の改善がはかられるが、この構成に
よる電子銃は、第2グリツドG2に対向する第3グリツ
ドG3がフォーカス電位、すなわち高圧V、の25〜3
0%程度に相当する低い電圧が印加されているという特
徴を有する。
With the electron gun having such a configuration, aberrations can be improved as is clear from the above, but in the electron gun with this configuration, the third grid G3 facing the second grid G2 has a focus potential, That is, high pressure V, 25 to 3
It has the characteristic that a low voltage corresponding to about 0% is applied.

そこで、本発明においては、このような電子銃構成をと
り、その特徴を利用して上述した中央カソードを後退さ
せた場合の電界の彎曲を回避する。
Therefore, in the present invention, such an electron gun configuration is adopted and its characteristics are utilized to avoid the above-described curvature of the electric field when the central cathode is retracted.

すなわち、本発明においては、第1図に示すように、複
数のカソードK (KR,KO,KB)を設け、主電子
レンズが、各カソードによる電子ビームの各通路上に個
々に設けられる前段の電子レンズ作用領域と、これら前
段の電子レンズ作用領域と分離されに々のビームの通路
上に共通に設けられる後段の電子レンズ作用領域とより
成る構成とし、前段の電子レンズ作用領域による電子レ
ンズの電子レンズ口径を後段の電子レンズ作用領域の電
子レンズLens 20径より小に選定する構成とする
ものであるが、更に、各カソードの配置位置を、中央の
カソードKaO主電子レンズの後段電子レンズLens
 2からの距離が、両外側のカソードKR,KB、の後
段電子レンズLens 2からの距離より大になるよう
に選定する。そして、各カソード、すなわち各電子ビー
ムに関するカソード・プリフォーカス電子レンズを構成
する各カソード及びグリッドを、これらカソード及び各
グリッドの対向部を互いの対向面が平行平坦となるよう
に形成する。
That is, in the present invention, as shown in FIG. 1, a plurality of cathodes K (KR, KO, KB) are provided, and the main electron lens is provided individually on each path of the electron beam by each cathode. The structure consists of an electron lens action area, and a rear electron lens action area that is separated from these preceding electron lens action areas and is provided in common on the path of each beam. The aperture of the electron lens is selected to be smaller than the diameter of the electron lens Lens 20 in the action area of the subsequent electron lens, and the placement position of each cathode is further adjusted to the position of the central cathode KaO main electron lens and the subsequent electron lens Lens.
Lens 2 is selected so that the distance from the latter electron lens Lens 2 is greater than the distance from the rear electron lens Lens 2 of both outer cathodes KR and KB. Then, each cathode, that is, each cathode and grid constituting a cathode prefocus electron lens for each electron beam, is formed such that the facing portions of these cathodes and each grid are parallel and flat.

〔作用〕[Effect]

上述の構成によれば、各電子ビームに関するカソード・
プリフォーカス電子レンズを構成する互いの対向面を平
行平坦としたことにより、各ビーム通路に関して互いに
他のビームとは異なるような不要なレンズ作用が生じる
ようなことが回避される。
According to the above configuration, the cathode and
By making the mutually opposing surfaces constituting the prefocus electron lens parallel and flat, it is possible to avoid unnecessary lens effects that are different from those of other beams with respect to each beam path.

〔実施例〕〔Example〕

第1図を参照して、本発明装置の一例を更に詳細に説明
する。この例は、第2図に説明した電子銃構成に対応し
たものであり、第1図において、第2図と対応する部分
には同一符号を付して重複説明を省略するが、本発明に
おいては、中央部のカソードKaを、他の両側カソード
KR及びKBに比し、主電子レンズの後段電子レンズL
ens 2よりの距離を大に、つまり後退させて配置す
る。そして、これに応じてこのカソードKGに対向する
第1グリツドGIGについてもこれを後退させて、各カ
ソードK (KR,KO,KB)と第1グリツドGL 
 (Gza、  G工G、Gxs)との間をほぼ一定に
選定する。
An example of the apparatus of the present invention will be explained in more detail with reference to FIG. This example corresponds to the electron gun configuration explained in FIG. 2, and in FIG. 1, parts corresponding to those in FIG. compares the cathode Ka in the center with the cathodes KR and KB on both sides, and compares the cathode Ka in the center with the cathodes KR and KB on both sides.
Place it at a greater distance from ens 2, that is, move it backwards. Then, in response to this, the first grid GIG facing this cathode KG is also moved backward, and each cathode K (KR, KO, KB) and the first grid GL
(Gza, G Engineering G, Gxs) are selected almost constant.

そして、特に第2グリツドG2の各電子ビーム透過孔h
 1  (hIR+  hIG+  hts)の穿設さ
れた端面板を、各透孔h1の穿設部において、各第1グ
リツドG1に対し、夫々はぼ同一間隔で且つ平行平坦面
をもって対向するようにする。これがため、第2グリツ
ドG2の端面板の中央の電子ビーム透過孔h20が穿設
される中央部を第1グリツドGIGに向かって突出する
ように、第1グリツドG□Gより大なる径をもって円筒
状部SG2を絞り出し加工し、この円筒状部SG2の頂
面が第1グリツドGiaと平行に対向するようにする。
In particular, each electron beam transmission hole h of the second grid G2
1 (hIR+hIG+hts) are arranged to face each first grid G1 at approximately the same distance and with parallel flat surfaces at the perforated portion of each through hole h1. Therefore, the central part of the end plate of the second grid G2, where the electron beam transmission hole h20 is formed, is made into a cylinder with a diameter larger than that of the first grid G The shaped part SG2 is squeezed so that the top surface of the cylindrical part SG2 faces the first grid Gia in parallel.

また第3グリツドG3についてもその前段側端面板(3
1)の、中央の電子ビーム透過孔h3−10が穿設され
る中央部を、例えば第2グリツドの円筒状部SG2内に
入り込むように第2グリツドG2側に向がって突出する
ように円筒状部5C13を絞り出し加工し、百円筒状部
SG2及びSG3の各頂面板が平行平坦に対向するよう
にする。
Also, regarding the third grid G3, its front end plate (3
In 1), the center part where the central electron beam transmission hole h3-10 is bored is made to protrude toward the second grid G2 side so as to enter, for example, into the cylindrical part SG2 of the second grid. The cylindrical portion 5C13 is squeezed out so that the top plates of the cylindrical portions SG2 and SG3 are parallel and flat and face each other.

このようにして、各カソードKに関して夫々のカソード
に1第1グリッドG1%第2グリッドG2、第3グリッ
ド03間の間隔を均一化して各ビームに関する各カソー
ド・プリフォーカスレンズの特性を一様化すると共に、
センタービームBGに関しても第1図に細線aで示すよ
うに、第2及び第3のグリッドG2及び03間のソ電位
面を平行平坦化することができ此処に第2図で説明した
ような等電位面の彎曲が生じレンズ作用が付加されるよ
うな不都合が回避される。
In this way, for each cathode K, the intervals between the first grid G1%, the second grid G2, and the third grid 03 are made uniform, and the characteristics of each cathode and prefocus lens for each beam are made uniform. At the same time,
As for the center beam BG, as shown by the thin line a in FIG. 1, the solenoid potential surface between the second and third grids G2 and 03 can be parallelized and flattened. Inconveniences such as curvature of the potential surface and addition of lens action are avoided.

尚、この場合、第3グリツドG3の前段側端面板(31
)の中央部に円筒状部SG3を設けたことにより此処に
おいて後段側の端面板(32)との距離が他部より大と
なるが、両端面板(31)及び(32)は同一グリッド
G3の一部であって両者は同一電位であるので、各ビー
ムについて不要なレンズ作用を生じるような電界の不均
一性を生じることがない。
In this case, the front side end plate (31
) Since the cylindrical part SG3 is provided in the center of the grid G3, the distance to the rear end plate (32) is larger here than in other parts, but both end plates (31) and (32) are of the same grid G3. Since both parts are at the same potential, there is no non-uniformity in the electric field that would cause unnecessary lensing for each beam.

尚、上述した例では主電子レンズの後段レンズがユニポ
テンシャル型構成とした場合のものであるが延長電界型
パイポテン込ヤルとするなど種々の構成に変型変更し得
る。
In the above-described example, the lens subsequent to the main electron lens has a unipotential structure, but it can be modified to various structures such as an extended electric field type pipotential structure.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれば、中央のカソードを後退させて各カソー
ドからの電子ビームに関するフォーカス電圧の一致をは
かるものであるが、特に第3グリツドが低電圧であるよ
うな特別の電子銃構成とし、これによって、カソード・
プリフォーカス電子レンズを構成する各電極間間隔を、
近接できるようにして、各ビームに関与する電界の一様
化をはかったので、不要なレンズの発生を回避でき、す
ぐれた特性の電子銃を構成することができるものである
According to the present invention, the central cathode is retracted to match the focus voltages of the electron beams from each cathode, and a special electron gun configuration in which the third grid has a low voltage is used. By the cathode
The spacing between each electrode that makes up the prefocus electron lens is
Since the electric fields involved in each beam are made uniform by allowing the electron beams to approach each other, the generation of unnecessary lenses can be avoided, and an electron gun with excellent characteristics can be constructed.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明による電子銃装置の一例の電極配置構成
図、第2図はその説明に供する電子銃装置の電極配置構
成図、第3図及び第4図は従来装面の電極配置図、第5
図、第6図、第8図及び第9図は夫々電子レンズの構成
図、第7図は焦点距湘とレンズ口径との比と球面収差係
数の関係を示す曲線図、第10図は電子レンズの説明図
、第11図は前段及び後段レンズ口径比と両者間距離り
と物点距離の関係を示す曲線図、平12図及び第13図
は夫々球面収差を示す曲線図である。 KR,KO及びKBはカソード、GIR,G工G及びG
asは第1グリツド、G2〜CGは第2〜第6グリソド
、LsnsIH、Lensl(3及びし5nstsは前
段レンズ、Lens 2は後段レンズである。
FIG. 1 is an electrode layout configuration diagram of an example of an electron gun device according to the present invention, FIG. 2 is an electrode layout configuration diagram of an electron gun device used for explanation thereof, and FIGS. 3 and 4 are electrode layout diagrams of a conventional device. , 5th
Figures 6, 8, and 9 are configuration diagrams of electronic lenses, Figure 7 is a curve diagram showing the relationship between the ratio of focal length and lens aperture, and the spherical aberration coefficient, and Figure 10 is a diagram of the electron lens. FIG. 11 is a curve diagram showing the relationship between the aperture ratio of the front and rear lenses, the distance between them, and the object distance, and FIGS. 12 and 13 are curve diagrams showing spherical aberration, respectively. KR, KO and KB are cathodes, GIR, G and G
as is the first grid, G2 to CG are the second to sixth grids, LsnsIH, Lensl (3 and 5nsts are the front lenses, and Lens 2 is the rear lens.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 (a)複数のカソードが設けられ、 (b)主電子レンズが、上記各カソードによる電子ビー
ムの各通路上に個々に設けられる前段の電子レンズ作用
領域と、これら前段の電子レンズ作用領域と分離され上
記複数のビームの通路上に共通に設けられる後段の電子
レンズ作用領域とより構成され、 (c)上記前段の作用領域による電子レンズ系の電子レ
ンズ口径が上記後段の電子レンズ作用領域の電子レンズ
口径より小に選定され (d)上記各カソードの配置位置を、中央部のカソード
の上記後段の電子レンズからの距離が、両外側のカソー
ドの上記後段の電子レンズからの距離より大になるよう
に選定し、 (e)上記各カソードに関するカソード・プリフォーカ
ス電子レンズを構成する各カソード及びグリッドを、こ
れらカソード及びグリッドの互いの対向部が平行平坦な
面となるように形成したことを特徴とする電子銃装置。
[Scope of Claims] (a) A plurality of cathodes are provided; (b) a main electron lens includes a front-stage electron lens action area individually provided on each path of the electron beam by each of the cathodes; (c) the electron lens aperture of the electron lens system due to the front stage working area is separated from the electron lens working area and is provided in common on the path of the plurality of beams; (d) The position of each of the cathodes is selected such that the distance from the central cathode to the rear electron lens is smaller than the rear electron lens of both outer cathodes. (e) Each cathode and grid constituting the cathode prefocus electron lens for each of the above cathodes are selected such that the mutually opposing parts of these cathodes and grids are parallel and flat surfaces. An electron gun device characterized in that it is formed as follows.
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