JPS631034A - シミユレ−シヨン方法 - Google Patents
シミユレ−シヨン方法Info
- Publication number
- JPS631034A JPS631034A JP61143002A JP14300286A JPS631034A JP S631034 A JPS631034 A JP S631034A JP 61143002 A JP61143002 A JP 61143002A JP 14300286 A JP14300286 A JP 14300286A JP S631034 A JPS631034 A JP S631034A
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- theta
- etching
- incidence
- angle
- theta2
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- Pending
Links
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- 238000004088 simulation Methods 0.000 title claims abstract description 11
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はシミュレーション技術に係り、特にドライエツ
チングによる加工形状の確認や予測などに好適なエツチ
ング加工形状シミュレーション方法に関する。
チングによる加工形状の確認や予測などに好適なエツチ
ング加工形状シミュレーション方法に関する。
従来５エツチング加工形状シミユレーシヨン方法につい
てはストリングモデルが最も一般的であり、これについ
ては、アイ・イー・イー・イー。
てはストリングモデルが最も一般的であり、これについ
ては、アイ・イー・イー・イー。
トランザクションオンエレクトロンデバイシーズイーデ
ー ２７．（１９８０年）第１４５５頁から第１４５９
頁（Ｉ Ｅ Ｅ Ｅ 、 Ｔｒａｎｓ。
ー ２７．（１９８０年）第１４５５頁から第１４５９
頁（Ｉ Ｅ Ｅ Ｅ 、 Ｔｒａｎｓ。
Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ、 Ｅ Ｄ −２７
（１９８０）ｐｐ、１４５５−１４５９）において論じ
られている。
（１９８０）ｐｐ、１４５５−１４５９）において論じ
られている。
上記従来技術は本来フォトレジストの現像計算用に開発
された方法で、フォトレジスト表面におけるフォトレジ
ストと現像液の反応過程に伴うフォトレジスト形状の変
化をモデル化したものである。したがって、上記従来技
術は等方向な化学エツチングについては考慮されている
が、異方的な物理エツチングについては充分配慮されて
いない。
された方法で、フォトレジスト表面におけるフォトレジ
ストと現像液の反応過程に伴うフォトレジスト形状の変
化をモデル化したものである。したがって、上記従来技
術は等方向な化学エツチングについては考慮されている
が、異方的な物理エツチングについては充分配慮されて
いない。
すなわち、異方性エツチングを実現できるのは入射する
粒子が方向性を有しており、エツチングが粒子の入射方
向に進行するからである。
粒子が方向性を有しており、エツチングが粒子の入射方
向に進行するからである。
このため、すへてのエツチングが試料表面に垂直に進行
するとする上記従来技術をドライエツチングの加工形状
シミュレーションに用いた場合、エツチング粒子の入射
方向が加工形状に反映されないという問題点があった。
するとする上記従来技術をドライエツチングの加工形状
シミュレーションに用いた場合、エツチング粒子の入射
方向が加工形状に反映されないという問題点があった。
本発明の目的はエツチング粒子の入射方向が反映された
加工形状とするためのエツチング加工形状シミュレーシ
ョン方法を提供することにある。
加工形状とするためのエツチング加工形状シミュレーシ
ョン方法を提供することにある。
ｃ問題点を解決するための手段〕
上記目的は、エツチング粒子の入射確率密度の入射角度
依存性（以下入射確率密度分布と呼ぶ）と被エツチング
材料の表面形状により決まるエツチング粒子の入射可能
角度範囲（以下見込み角と呼ぶ）を考慮し、粒子による
エツチング方向を入射方向とし１個々の粒子によるエツ
チングをすべての入射粒子について積分した結果にもと
づき試料表面上の任意の点のエツチングを決定する計算
方法とすることにより達成される。
依存性（以下入射確率密度分布と呼ぶ）と被エツチング
材料の表面形状により決まるエツチング粒子の入射可能
角度範囲（以下見込み角と呼ぶ）を考慮し、粒子による
エツチング方向を入射方向とし１個々の粒子によるエツ
チングをすべての入射粒子について積分した結果にもと
づき試料表面上の任意の点のエツチングを決定する計算
方法とすることにより達成される。
エツチング粒子の入射確率密度分布および見込み角はそ
れぞ九プラズマ中で発生したエツチング粒子および試料
の表面形状をモデル化したものである。これら２つのモ
デルに粒子によるエツチングが粒子の入射方向に進行す
るという実験的事実をあわせることにより１種々の方向
から入射する個々の粒子によるエツチング効果の緩和と
して全体のエツチング進行方向を計算することができる
。
れぞ九プラズマ中で発生したエツチング粒子および試料
の表面形状をモデル化したものである。これら２つのモ
デルに粒子によるエツチングが粒子の入射方向に進行す
るという実験的事実をあわせることにより１種々の方向
から入射する個々の粒子によるエツチング効果の緩和と
して全体のエツチング進行方向を計算することができる
。
この結果、第１図に示すように、非対称な試料１１．１
２に−様な入射確率密度分布を有するエツチング粒子で
エツチングを行った場合、加工形状１３には上記入射化
率密度分布および試料形状が反映されることになり、ド
ライエツチングの加工形状シミュレーションが可能とな
る。
２に−様な入射確率密度分布を有するエツチング粒子で
エツチングを行った場合、加工形状１３には上記入射化
率密度分布および試料形状が反映されることになり、ド
ライエツチングの加工形状シミュレーションが可能とな
る。
以下、本発明の一実施例を図面を用いて説明する。
第２図にエツチング加工形状シミュレーションシステム
におけるエツチング計算の流れの概略を示す。最初に、
初期形状やエツチングレート、入射確率密度分布など各
種データの読み込みを行う。
におけるエツチング計算の流れの概略を示す。最初に、
初期形状やエツチングレート、入射確率密度分布など各
種データの読み込みを行う。
次に、エツチング反応が行なわれる試料表面の全体形状
を表わす輪郭の抽出を行う。次に、エツチング計算で必
要となる見込み角の計算などの前処理を行った後、新表
面位置を求めるためのエツチング計算を行う。次に、上
記エツチング計算に不可避的に伴う層間のつき抜けや領
域外へのはみ出し、ループの発生などに対する後処理を
行う。ここで、前処理から後処理までをエツチングが終
了するまで繰返し行う。最後に、エツチング終了後の加
工形状を出力し、シミュレーションを終了する。
を表わす輪郭の抽出を行う。次に、エツチング計算で必
要となる見込み角の計算などの前処理を行った後、新表
面位置を求めるためのエツチング計算を行う。次に、上
記エツチング計算に不可避的に伴う層間のつき抜けや領
域外へのはみ出し、ループの発生などに対する後処理を
行う。ここで、前処理から後処理までをエツチングが終
了するまで繰返し行う。最後に、エツチング終了後の加
工形状を出力し、シミュレーションを終了する。
第３図に上記エツチング速度計算の概略を示す。
最初に、エツチング粒子として（１）式で表わされるガ
ウス型の入射確率密度分布１を有するイＰ（０）＝１／
σ２７Ｃｅｘｐ （０２／２ａ２） （１）オン
２を考える。次に、見込み角５が（０２゜θ２）である
被エツチング材料・１の表面上の点Ａにおけるエツチン
グ速度のＸ方向、Ｙ方向成分ＶやｒＶＹはそれぞれ（２
）、（３）式で与えられる。
ウス型の入射確率密度分布１を有するイＰ（０）＝１／
σ２７Ｃｅｘｐ （０２／２ａ２） （１）オン
２を考える。次に、見込み角５が（０２゜θ２）である
被エツチング材料・１の表面上の点Ａにおけるエツチン
グ速度のＸ方向、Ｙ方向成分ＶやｒＶＹはそれぞれ（２
）、（３）式で与えられる。
θ１
ここで、０はイオンの入射角で、Ｒは定数である。
（２）、（３）式より明らかなように、エツチング速度
はイオンの入射角度とエツチングマスクも含めた試料表
面形状より定まる見込み角に依存することが判る。この
ため、ドライエツチングのように加工形状にエツチング
粒子の入射方向が反映されるような場合もシミュレーシ
ョン可能である。
はイオンの入射角度とエツチングマスクも含めた試料表
面形状より定まる見込み角に依存することが判る。この
ため、ドライエツチングのように加工形状にエツチング
粒子の入射方向が反映されるような場合もシミュレーシ
ョン可能である。
次に、上記イオンに加えて（４）式で表わされる−様な
入射確率密度分布を有するラジカルが存Ｑ（θ）＝ｌ／
π （４）在する場合、ラジカルのみ
によるエツチング反応に加えてイオンとラジカルの相互
作用によるイオンアシストエツチング反応が起こる。こ
のため、見込み角が（θ１．θ２）である試料表面上の
点におけるエツチング速度のＸ方向、Ｙ方向成分ＶアＩ
ＶＹはそれぞれ（５）、（６）式で与えられる。
入射確率密度分布を有するラジカルが存Ｑ（θ）＝ｌ／
π （４）在する場合、ラジカルのみ
によるエツチング反応に加えてイオンとラジカルの相互
作用によるイオンアシストエツチング反応が起こる。こ
のため、見込み角が（θ１．θ２）である試料表面上の
点におけるエツチング速度のＸ方向、Ｙ方向成分ＶアＩ
ＶＹはそれぞれ（５）、（６）式で与えられる。
＋Ｒ３Ｐ（θ）−Ｑ（θ）ｌｓｉｎθ ｄθ （
５）ここで、θはイオンの入射角で、Ｒ，、Ｒ，。
５）ここで、θはイオンの入射角で、Ｒ，、Ｒ，。
Ｒ３は定数である。（２）、（３）大同様、（５）。
（６）式も入射角θと見込み角に依存することが判る。
すなわち、イオンに加えてラジカルも考慮することによ
り異方性エツチングとして最も広く利用されている反応
性イオンエツチングについてもシミュレーション可能で
ある。
り異方性エツチングとして最も広く利用されている反応
性イオンエツチングについてもシミュレーション可能で
ある。
以上の説明では、入射確率密度分布としてガウス分布お
よび一様分布を示したが、数値積分法を利用することに
より、任意の分布が扱えることは明らかである。
よび一様分布を示したが、数値積分法を利用することに
より、任意の分布が扱えることは明らかである。
本発明によれば、エツチング粒子の入射方向が反映され
た加工形状を予測できるので、ＶＬＳ Ｉ（Ｖｅｒｙ
Ｌａｒｇｅ ５ｃａｌｅ上ｎシＢｌａｔ、１ｏｎ）の製
造に広く利用されているドライエツチングを用いた加工
形状のシミュレーションが可能である。このため、ドラ
イエツチングにおける重要な技術課題である加工形状の
制御性向上の促進に効果がある。
た加工形状を予測できるので、ＶＬＳ Ｉ（Ｖｅｒｙ
Ｌａｒｇｅ ５ｃａｌｅ上ｎシＢｌａｔ、１ｏｎ）の製
造に広く利用されているドライエツチングを用いた加工
形状のシミュレーションが可能である。このため、ドラ
イエツチングにおける重要な技術課題である加工形状の
制御性向上の促進に効果がある。
第１図は非対称なエツチングマスクを有する試料を−様
な入射確率密度分布を有するエツチング粒子でエツチン
グした場合の断面図、第２図は実施例のエツチング計算
の流ｉ図、第３図はエツチング速度計算方法を示す説明
図である。 １１．３３・・・エツチングマスク １２．３４・・・被エツチング材料 １３・・・単位時間ごとの輪郭形状 ３１・・・イオンの入射確率密度分布 ３２・・・入射イオン ３５・・・見込み角
な入射確率密度分布を有するエツチング粒子でエツチン
グした場合の断面図、第２図は実施例のエツチング計算
の流ｉ図、第３図はエツチング速度計算方法を示す説明
図である。 １１．３３・・・エツチングマスク １２．３４・・・被エツチング材料 １３・・・単位時間ごとの輪郭形状 ３１・・・イオンの入射確率密度分布 ３２・・・入射イオン ３５・・・見込み角
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、任意形状の物体における表面の移動に伴う形状変化
シミュレーションにおいて、表面の移動方向として表面
の法線方向以外も含むことを特徴とするシミュレーショ
ン方法。 ２、上記表面の移動を引起す外的要因に方向性が存在す
る場合、表面の移動方向をこの方向性の方向とすること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のシミュレーシ
ョン方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61143002A JPS631034A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | シミユレ−シヨン方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61143002A JPS631034A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | シミユレ−シヨン方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS631034A true JPS631034A (ja) | 1988-01-06 |
Family
ID=15328662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61143002A Pending JPS631034A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | シミユレ−シヨン方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS631034A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02224228A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | 形状シミュレーション方法 |
| JPH02271525A (ja) * | 1989-04-12 | 1990-11-06 | Nec Corp | エッチングプロセスのシミュレーション方法 |
| JP2002256456A (ja) * | 2001-03-05 | 2002-09-11 | Dainippon Printing Co Ltd | エッチング形状予測方法 |
| JP2002324089A (ja) * | 2001-04-25 | 2002-11-08 | Dainippon Printing Co Ltd | 孔形状モデル化装置 |
| US7363205B2 (en) | 2004-05-25 | 2008-04-22 | Fujitsu Limited | Topology simulation system, topology simulation method, and computer product |
| US10947742B2 (en) | 2016-03-04 | 2021-03-16 | Shinko Kasei Co., Ltd. | Recyclable synthetic resin tile and method of manufacturing the same |
-
1986
- 1986-06-20 JP JP61143002A patent/JPS631034A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02224228A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | 形状シミュレーション方法 |
| JPH02271525A (ja) * | 1989-04-12 | 1990-11-06 | Nec Corp | エッチングプロセスのシミュレーション方法 |
| JP2002256456A (ja) * | 2001-03-05 | 2002-09-11 | Dainippon Printing Co Ltd | エッチング形状予測方法 |
| JP2002324089A (ja) * | 2001-04-25 | 2002-11-08 | Dainippon Printing Co Ltd | 孔形状モデル化装置 |
| JP4662404B2 (ja) * | 2001-04-25 | 2011-03-30 | 大日本印刷株式会社 | 孔形状モデル化装置 |
| US7363205B2 (en) | 2004-05-25 | 2008-04-22 | Fujitsu Limited | Topology simulation system, topology simulation method, and computer product |
| US10947742B2 (en) | 2016-03-04 | 2021-03-16 | Shinko Kasei Co., Ltd. | Recyclable synthetic resin tile and method of manufacturing the same |
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