JPS63100724A - Alignment process - Google Patents

Alignment process

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JPS63100724A
JPS63100724A JP61245544A JP24554486A JPS63100724A JP S63100724 A JPS63100724 A JP S63100724A JP 61245544 A JP61245544 A JP 61245544A JP 24554486 A JP24554486 A JP 24554486A JP S63100724 A JPS63100724 A JP S63100724A
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JP
Japan
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alignment
distortion
wafer
mark
chip
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JP61245544A
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Japanese (ja)
Inventor
Yuji Imai
裕二 今井
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7092Signal processing
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073Alignment marks and their environment
    • G03F9/7076Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

PURPOSE:To correct any positional errors in case of an exposure by a method wherein, when a chip on a wafer is exposed by step.repeating process, alignment is advanced from on a chip near the middle point in the spiral direction to the peripheral part. CONSTITUTION:The alignment is advanced from on a chip near the middle point 1a in the arrow direction spirally to the peripheral part. Resultantly, any distortion in the radial directions can be recognized by a calculator if there is any distortion of alignment marks in the radial directions since a signal 12 (mark position) becomes asymmetrical while alignment light 10 is scanning alignment marks 11. Through these procedures, the relative positions of a mask and a wafer can be shifted to correct any positional errors due to mark distortion in case of an exposure so that the alignment precision may be promoted all over the wafer surface.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、露光装置や検査装置等におけるクエへのアラ
イメント方法の改良に関するものである。(従来の技術
) ウェハ(1)上の各チップ(2) に対しステップアン
ドリピートの方法により露光を行なう場合、そのアライ
メント又は露光は、従来第2図に矢印で示すように、例
えば図の左上から同一行のチップ(2) を、順番にマ
スクとのアライメントを行なっては露光することを繰返
しながら行われる0図中の番号は、アライメント及び露
光を行なう順序を示すものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an improvement in a method for aligning a pattern in an exposure apparatus, an inspection apparatus, or the like. (Prior Art) When each chip (2) on a wafer (1) is exposed by a step-and-repeat method, the alignment or exposure is conventionally performed at the top left of the figure, for example, as shown by the arrow in FIG. The chips (2) in the same row are sequentially aligned with the mask and then exposed to light.The numbers in the figure indicate the order in which alignment and exposure are performed.

アライメントを行なうには、第3図にみるように、スリ
ット状のアライメント光(lO)を、各チップ(2) 
に付随して形成されたアライメントマーク(11)上を
相対走査せしめ、アライメント光(lO)がマーク(1
1)上を走査するときの信号(12)を検出し、この信
号(12)と走査位置とによりマスクとのアライメント
を行なうのである。
To perform alignment, as shown in Figure 3, a slit-shaped alignment light (lO) is applied to each chip (2).
The alignment mark (11) formed along with the alignment mark (11) is relatively scanned, and the alignment light (lO)
1) Detect the signal (12) when scanning above, and perform alignment with the mask using this signal (12) and the scanning position.

ところで、このアライメントマーク(11)に第4図(
a)に示すような放射方向の歪が存在する場合は、信号
(12)の波形は左右対称とならず、第4図(b)にみ
るように歪んだ波形となる。
By the way, this alignment mark (11) is shown in Figure 4 (
If there is distortion in the radial direction as shown in a), the waveform of the signal (12) will not be symmetrical, but will have a distorted waveform as shown in FIG. 4(b).

なお、放射方向の歪は、ウェハ(1)の中心点(1a)
に関して同一円周上では同一であることが多いから、第
4図(a)にみるように、クエへの中心(la)から等
距離の点では中心点を対称に同一形状となることが多い
、第4図(a)は、ウェハ(1)の直径方向の断面を模
式的に表わし、マーク(11)及び回路パターン(不図
示)の上にはフォトレジスト層(PR)が塗布されてい
る。
Note that the strain in the radial direction is at the center point (1a) of the wafer (1).
Since they are often the same on the same circumference, as shown in Figure 4 (a), points equidistant from the center (la) to the que often have the same shape symmetrically about the center point. , FIG. 4(a) schematically represents a cross section of the wafer (1) in the diametrical direction, and a photoresist layer (PR) is coated on the marks (11) and the circuit pattern (not shown). .

第4図(b)において、横軸は走査位置を表わし、縦軸
は光電信号のレベルを表わすが、マーク(11)が放射
方向に歪んでいるので、波形(12a) (12b)の
重心位置X 2 * X 4は、波形の非対称性のため
本来のマーク位置XI、X3からΔA、ΔBだけシフト
しまう、アライメント系は波形(12a) 、 (12
b)の信号に基づいて位置検出を行なうため、マーク(
11)のウェハ(1)上の位置によってはアライメント
誤差が大粒く変化する。
In FIG. 4(b), the horizontal axis represents the scanning position and the vertical axis represents the level of the photoelectric signal, but since the mark (11) is distorted in the radial direction, the center of gravity of the waveforms (12a) (12b) X 2 * X 4 is shifted by ΔA, ΔB from the original mark position XI,
In order to detect the position based on the signal of b), mark (
The alignment error varies greatly depending on the position of 11) on the wafer (1).

(発明が解決しようとする問題点) ところで、ウェハ(1)上の各チップ(2) をステッ
プアンドリピート方式でアライメントを行なう際、前記
第2図に示すように、各行ごとに順番に移動してゆくと
、上記アライメントマーク(11)の放射方向の歪は、
ウニ八全面のアライメントが完了しなければ知ることは
できず、従ってアライメント途中で上記歪による誤差の
補正を行なうことは不可能であった。
(Problem to be Solved by the Invention) By the way, when aligning each chip (2) on a wafer (1) using the step-and-repeat method, as shown in FIG. Then, the distortion in the radial direction of the alignment mark (11) is
This cannot be known until the alignment of the entire surface of the sea urchin is completed, and therefore it is impossible to correct the error due to the distortion during alignment.

本発明は、従来方法の上記問題点を解消するためになさ
れたもので、アライメントマークの放射状歪みによる誤
差を補正しながら露光し得るアライメント方法を提供し
ようとするものである。
The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems of the conventional method, and it is an object of the present invention to provide an alignment method that can perform exposure while correcting errors caused by radial distortion of alignment marks.

(問題点を解決するための手段) 上記目的を達成するため、本発明においては、ウェハ上
のチップ(局所領域)をステップアンドリピート方式で
露光する際、先ずウェハ中心位置のチップより始めて、
外周へ向ってスパイラル方向にアライメントを進めてゆ
く方法を採用した。
(Means for Solving the Problems) In order to achieve the above object, in the present invention, when exposing chips (local areas) on a wafer in a step-and-repeat method, starting with the chips at the center of the wafer,
We adopted a method of proceeding with alignment in a spiral direction toward the outer periphery.

(作用) この結果、ウニ八中心周囲の数個のチップのアライメン
トマークを検出することによって、マークの放射方向の
歪を知ることができ、それによる露光時の位置の誤差を
補正することができる。
(Function) As a result, by detecting the alignment marks of several chips around the center of the sea urchin eight, it is possible to know the distortion in the radial direction of the marks, and the resulting positional error during exposure can be corrected. .

(発明の実施例) 第1図は、本発明の一実施例であるウェハ上の各チップ
のアライメント順序を示す平面図で、図中(1) はウ
ェハ、(2) はチップ、矢印はアライメントの方向、
Q印肉の数字はアライメントの順序である。
(Embodiment of the Invention) FIG. 1 is a plan view showing the alignment order of each chip on a wafer according to an embodiment of the present invention, in which (1) indicates the wafer, (2) indicates the chip, and the arrow indicates the alignment. direction,
The numbers on the Q stamp are the order of alignment.

図に示すように、アライメントは、ウェハ(1)の中心
(la)に近いチップr I Jより始められて外周に
向ってスパイラル状に進められる。
As shown in the figure, the alignment starts from the chip r I J near the center (la) of the wafer (1) and proceeds in a spiral manner toward the outer periphery.

この結果、第4図にみるように、アライメントマークに
放射方向の歪があれば、信号(12)は左右非対称とな
るので、中心(la)の付近のチップ数個rl、 r2
. r3. r4.のアライメントマークを検出するこ
とにより、コンピュータを用いて放射方向の歪をウェハ
上のどの方向に関しても概ね認識することができる。
As a result, as shown in Fig. 4, if there is radial distortion in the alignment mark, the signal (12) becomes asymmetrical, so that several chips rl, r2 near the center (la)
.. r3. r4. By detecting the alignment marks, the radial distortion can be generally recognized in any direction on the wafer using a computer.

このため、露光時にはマーク歪による位置の誤差を補正
するように、マスクとクエへとの相対位置をずらすこと
が可能となる。又このような放射方向の歪は、ウェハ(
1)の外周に向う程大きくなる。
Therefore, during exposure, it is possible to shift the relative positions of the mask and the square so as to correct positional errors due to mark distortion. Moreover, such radial distortion is caused by the wafer (
1) becomes larger toward the outer periphery.

従って、ウェハ中心(la)から外周へ向フて、順次ア
ライメント及び露出を行なえば、アライメントマーク(
11)の歪の小さい時からマーク歪の量や傾向を学習す
ることができ、外周へ向うほど学習量が増し、マーク歪
による誤差の正確な補正が各チップの露光前に可能とな
る。
Therefore, if alignment and exposure are performed sequentially from the wafer center (la) toward the outer periphery, the alignment mark (
11) The amount and tendency of mark distortion can be learned from when the distortion is small, and the learning amount increases toward the outer periphery, making it possible to accurately correct errors caused by mark distortion before exposing each chip.

なお、上記実施例においては、全チップ(2)のアライ
メント計測を行なったが、特に高精度のアライメントが
要求されない場合は、はぼ同心円上に位置する数個のチ
ップを選びアライメント計測を行ない、その結果に基づ
いて計測を行なわないチップに対しては、演算によって
アライメント位置の決定を行なって露光する方法を採用
してもよい。
In the above embodiment, alignment measurement was performed for all the chips (2), but if particularly high precision alignment is not required, alignment measurement is performed on several chips located on approximately concentric circles. For chips for which measurement is not performed based on the results, a method may be adopted in which the alignment position is determined by calculation and then exposed.

例えば第1図中の r I J r 2 J 、 r 
3 J r 4 J  及び「17J r20.  r
21’J r24. r25J r28J 129. 
r32.のチップを選び、該チップのアライメント計測
を行なって、放射方向のマーク歪を検出し、誤差を補正
してもよい。
For example, r I J r 2 J , r in Figure 1
3 J r 4 J and “17 J r20. r
21'J r24. r25J r28J 129.
r32. It is also possible to select a chip, measure the alignment of the chip, detect mark distortion in the radial direction, and correct the error.

さて、第5図は、本発明の実施例による方法をステップ
アンドリピート方式の投影露光装置に適用した場合のブ
ロック図である。
Now, FIG. 5 is a block diagram when the method according to the embodiment of the present invention is applied to a step-and-repeat type projection exposure apparatus.

回路パターンが形成されたレチクルRは、投影レンズ(
20)に対して位置決めされているものとする。レチク
ルRの投影像はウェハ(1)に投影される。ウェハ(1
)は、xy方向に2次元移動するウェハステージ(21
)上に載置される。ステージ(21)はモータ(22)
によって駆動され、その座標位置はレーザ干渉計(23
)により逐時検出される。
The reticle R on which the circuit pattern is formed is attached to the projection lens (
20). A projected image of the reticle R is projected onto the wafer (1). Wafer (1
) is a wafer stage (21
) is placed on top. The stage (21) is the motor (22)
The coordinate position is determined by a laser interferometer (23
) is detected sequentially.

ウェハ(1)上のマークを検出するために、投影レンズ
(20)とレチクルRとの間にはアライメント系が設け
られる。このアライメント系は、レーザ光源(24)、
ビームスプリッタ(25)、対物レンズ(26)、及び
ミラー(27)により構成され、ウェハ(1)上に第3
図に示したようなシート状のスポット光(10)を形成
するための送光系と、マーク(11)からの光情報を投
影レンズ(20)を介して受光するためのミラー(27
)、対物レンズ(26)、ビームスプリッタ(25)、
リレーレンズ(2B)、空間フィルタ(29)及び光電
素子(30)で構成される受光系とを備えている。
An alignment system is provided between the projection lens (20) and the reticle R to detect marks on the wafer (1). This alignment system includes a laser light source (24),
It consists of a beam splitter (25), an objective lens (26), and a mirror (27), and a third beam is placed on the wafer (1).
A light transmitting system for forming a sheet-like spot light (10) as shown in the figure, and a mirror (27) for receiving optical information from a mark (11) via a projection lens (20).
), objective lens (26), beam splitter (25),
It includes a light receiving system composed of a relay lens (2B), a spatial filter (29), and a photoelectric element (30).

さらに、このアライメント系は、干渉計(23)で検出
される単位穆!l!II量毎のパルス信号に応答して、
光電素子(30)からの光電信号をデジタルサンプリン
グする波形処理回路(32)を備える。
Furthermore, this alignment system has a unit value detected by an interferometer (23). l! In response to the pulse signal for each II amount,
It includes a waveform processing circuit (32) that digitally samples the photoelectric signal from the photoelectric element (30).

この波形処理回路(32)は、^/D変換器、メモリ等
を含み、マーク(11)からの回折光の波形を記憶する
ものである。マーク位置検出回路(34)は、波形処理
回路(32)からの波形情報を入力して、その波形の特
徴からマーク(11)の中心位置(スポット光(lO)
とマーク(11)とが一致したときのステージ(21)
の座標位置)を演算により検出する。コンピュータ(3
8)は、検出された位置に基づいて、干渉計(23)か
らのステージ(21)の現在位置の情報を入力しつつ、
モータ(22)を制御して、ステージ(21)を所定位
置に送り込む。
This waveform processing circuit (32) includes a ^/D converter, a memory, etc., and stores the waveform of the diffracted light from the mark (11). The mark position detection circuit (34) inputs the waveform information from the waveform processing circuit (32) and determines the center position (spot light (lO)) of the mark (11) from the characteristics of the waveform.
Stage (21) when and mark (11) match
(coordinate position) is detected by calculation. Computer (3
8) inputs information on the current position of the stage (21) from the interferometer (23) based on the detected position,
The motor (22) is controlled to send the stage (21) to a predetermined position.

これにより、ウェハ(1)上の所望のチップ(2) と
レチクルRの投影像との重ね合わせ露光が可能となる。
This makes it possible to perform overlapping exposure of the desired chip (2) on the wafer (1) and the projected image of the reticle R.

以上の構成は、特開昭60−130742号公報で公知
であり、本発明の方法を実施するために必要な新たな構
成は、波形処理回路(32)からの波形情報を入力して
、マーク波形の歪みを検出し、その歪みから推定される
マーク位置のシフト量を求め、その結果をコンピュータ
(38)に送り出す波形歪み検出回路(36)を設けた
ことである。
The above configuration is known from Japanese Patent Application Laid-open No. 130742/1982, and the new configuration required to implement the method of the present invention is to input waveform information from the waveform processing circuit (32) and mark A waveform distortion detection circuit (36) is provided which detects waveform distortion, calculates the estimated shift amount of the mark position from the distortion, and sends the result to the computer (38).

コンピュータ(38)は、ウェハ(1)のチップ(2)
が第1図に示す順番でアライメントされるようなマツプ
データを有し、そのチップのアライメントが終るたびに
波形歪み検出回路(36)で求められたシフト量を入力
し、マツプデータと対応させて順次記憶していく。
A computer (38) is a chip (2) on a wafer (1).
has map data that is aligned in the order shown in Figure 1, and each time the alignment of the chip is completed, the shift amount obtained by the waveform distortion detection circuit (36) is inputted and stored sequentially in correspondence with the map data. I will do it.

そして、第1図のように、中心付近の4つのチップr1
. r2jr3. r4.のアライメント(及び露光)
が終った時点で、チップ「5」の位置におけるマークの
シフト量や方向を、前の4つのチップのアライメントで
収集されたマークのシフト情報を加味して推定し、アラ
イメント誤差(シフト分)だけステージ(21)の位置
を補正して、そのチップ「5」の露光を行なう。
Then, as shown in Fig. 1, the four chips r1 near the center
.. r2jr3. r4. alignment (and exposure)
When this is completed, the shift amount and direction of the mark at the position of chip "5" are estimated by taking into account the mark shift information collected in the alignment of the previous four chips, and the alignment error (shift amount) is calculated. The position of the stage (21) is corrected and the chip "5" is exposed.

以上のことをウェハ(1)上の各チップに対して同様に
繰り返していく。
The above steps are repeated in the same manner for each chip on the wafer (1).

従って、アライメントしたチップ数が増せば、それだけ
マークのシフト量やシフト方向の推定能力が高まること
になる。
Therefore, as the number of aligned chips increases, the ability to estimate the shift amount and shift direction of the mark increases accordingly.

尚、波形歪みの検出にはいくつかの方法が考えられる0
例えば、アライメント用のスポット光(10)の走査方
向の光強度がガウス分布であることから、マーク波形と
理論上のガウス波形との相関を求める手法、マーク波形
の立上り部と立下り部の傾き量の差を歪みとする手法、
マーク波形を多数の異なるスライスレベルで2値化し、
各スライスレベルに対応して2値化波形上の中心点の夫
々を求め、各中心点のずれ方から歪みを求める手法、あ
るいはマーク波形の重心(面積の中心)と波形のピーク
位置とのずれを歪みとする手法等が採用できる。もちろ
ん、他の手法によって波形歪み(マーク歪み)を認識で
きるとは言うまでもない。
There are several methods for detecting waveform distortion.
For example, since the light intensity in the scanning direction of the alignment spot light (10) has a Gaussian distribution, there is a method to find the correlation between the mark waveform and the theoretical Gaussian waveform, and the slope of the rising and falling parts of the mark waveform. A method that uses the difference in quantity as distortion,
Binarizes the mark waveform at many different slice levels,
A method of determining each center point on the binarized waveform corresponding to each slice level and calculating distortion from the shift of each center point, or the shift between the center of gravity (center of area) of the mark waveform and the peak position of the waveform. A method that uses distortion as the distortion can be adopted. Of course, it goes without saying that waveform distortion (mark distortion) can be recognized by other methods.

(発明の効果) 以上説明したように、本発明は、ウェハ上のチップのア
ライメントを、ウェハ中心より外周に向ってスパイラル
状に行なったので、次に述べるような優れた効果を上げ
ることができた。
(Effects of the Invention) As explained above, according to the present invention, the chips on the wafer are aligned in a spiral manner from the center of the wafer toward the outer circumference, so that the following excellent effects can be achieved. Ta.

■ アライメントマークの放射方向の歪みを検出でき、
その歪みによる露光時の位置の誤差を補正することが可
能となった。
■ Radial distortion of alignment marks can be detected,
It has become possible to correct positional errors during exposure due to this distortion.

■ クエへの外周に向う程、歪みは大きくなり、コンピ
ュータの学習量も増し、局所的なチップのマーク歪みを
認識できるようになり、ウニ八全面に亘りアライメント
精度の向上が期待できることとなりた。
■ Distortion becomes larger toward the outer periphery of the chip, and the amount of computer learning increases, making it possible to recognize local chip mark distortion and improving alignment accuracy across the entire surface of the chip.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の実施例によるアライメント方法を示す
平面図、第2図は従来のアライメント方法を示す平面図
、第3図はアライメントマークの検出の様子と信号波形
を示す説明図、第4図はマークの歪みの様子と信号波形
を示す説明図、第5図は本発明の方法を適用した投影露
光装置の概略的な構成を示すブロック図である。 (1)・・・ウェハ、(2)・・・チップ、 (10)
・・・スポット光、(11)・・・マーク、(20)−
・・投影レンズ、(21)・・・ステージ、(22)・
・・モータ、(23)・・・レーザ干渉計、(24)・
・・レーザ光源、(30)・・・光電素子、(32)・
・・波形処理回路、(34)・・・マーク位置検出回路
、(38)・・・コンピュータ、R・・・レチクル。
FIG. 1 is a plan view showing an alignment method according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view showing a conventional alignment method, FIG. 3 is an explanatory diagram showing how alignment marks are detected and signal waveforms, and FIG. FIG. 5 is an explanatory diagram showing the state of mark distortion and signal waveforms, and FIG. 5 is a block diagram showing a schematic configuration of a projection exposure apparatus to which the method of the present invention is applied. (1)...Wafer, (2)...Chip, (10)
...Spot light, (11) ...Mark, (20)-
・・Projection lens, (21) ・・Stage, (22)・
...Motor, (23)...Laser interferometer, (24)...
・・Laser light source, (30) ・・Photoelectric element, (32)・
... Waveform processing circuit, (34) ... Mark position detection circuit, (38) ... Computer, R ... Reticle.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 ウェハ上にマトリックス状に配列された複数の局所領域
の夫々をステップアンドリピート方式で露光する装置を
用いたアライメント方法において、 露光すべき局所領域の夫々に付随したアライメントマー
クを検出する順序を、ウェハ中心部の特定の局所領域よ
り外周に向ってスパイラル状に選択したことを特徴とす
るアライメント方法。
[Claims] In an alignment method using an apparatus that exposes each of a plurality of local regions arranged in a matrix on a wafer in a step-and-repeat method, an alignment mark attached to each of the local regions to be exposed is provided. An alignment method characterized in that the order of detection is selected in a spiral manner from a specific local area at the center of the wafer toward the outer periphery.
JP61245544A 1986-10-17 1986-10-17 Alignment process Pending JPS63100724A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61245544A JPS63100724A (en) 1986-10-17 1986-10-17 Alignment process

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JP61245544A JPS63100724A (en) 1986-10-17 1986-10-17 Alignment process

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JP (1) JPS63100724A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8859312B2 (en) 2006-10-03 2014-10-14 Plastic Logic Limited Distortion tolerant processing

Cited By (2)

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