JPS6297845A - Substance treater by ultraviolet ray - Google Patents

Substance treater by ultraviolet ray

Info

Publication number
JPS6297845A
JPS6297845A JP61169950A JP16995086A JPS6297845A JP S6297845 A JPS6297845 A JP S6297845A JP 61169950 A JP61169950 A JP 61169950A JP 16995086 A JP16995086 A JP 16995086A JP S6297845 A JPS6297845 A JP S6297845A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
radiation
coating
parabolic
layer
shells
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61169950A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
ハインツ・ケーレル
マルチン・レーネル
ラインハルト・ボルン
ハンス−ゲオルク・ロッツ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Balzers und Leybold Deutschland Holding AG
Original Assignee
Leybold Heraeus GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Leybold Heraeus GmbH filed Critical Leybold Heraeus GmbH
Publication of JPS6297845A publication Critical patent/JPS6297845A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • EFIXED CONSTRUCTIONS
    • E04BUILDING
    • E04GSCAFFOLDING; FORMS; SHUTTERING; BUILDING IMPLEMENTS OR AIDS, OR THEIR USE; HANDLING BUILDING MATERIALS ON THE SITE; REPAIRING, BREAKING-UP OR OTHER WORK ON EXISTING BUILDINGS
    • E04G21/00Preparing, conveying, or working-up building materials or building elements in situ; Other devices or measures for constructional work
    • E04G21/32Safety or protective measures for persons during the construction of buildings
    • E04G21/3204Safety or protective measures for persons during the construction of buildings against falling down
    • EFIXED CONSTRUCTIONS
    • E04BUILDING
    • E04GSCAFFOLDING; FORMS; SHUTTERING; BUILDING IMPLEMENTS OR AIDS, OR THEIR USE; HANDLING BUILDING MATERIALS ON THE SITE; REPAIRING, BREAKING-UP OR OTHER WORK ON EXISTING BUILDINGS
    • E04G3/00Scaffolds essentially supported by building constructions, e.g. adjustable in height
    • E04G3/24Scaffolds essentially supported by building constructions, e.g. adjustable in height specially adapted for particular parts of buildings or for buildings of particular shape, e.g. chimney stacks or pylons
    • EFIXED CONSTRUCTIONS
    • E04BUILDING
    • E04GSCAFFOLDING; FORMS; SHUTTERING; BUILDING IMPLEMENTS OR AIDS, OR THEIR USE; HANDLING BUILDING MATERIALS ON THE SITE; REPAIRING, BREAKING-UP OR OTHER WORK ON EXISTING BUILDINGS
    • E04G3/00Scaffolds essentially supported by building constructions, e.g. adjustable in height
    • E04G3/24Scaffolds essentially supported by building constructions, e.g. adjustable in height specially adapted for particular parts of buildings or for buildings of particular shape, e.g. chimney stacks or pylons
    • E04G3/243Scaffolds essentially supported by building constructions, e.g. adjustable in height specially adapted for particular parts of buildings or for buildings of particular shape, e.g. chimney stacks or pylons following the outside contour of a building
    • EFIXED CONSTRUCTIONS
    • E04BUILDING
    • E04GSCAFFOLDING; FORMS; SHUTTERING; BUILDING IMPLEMENTS OR AIDS, OR THEIR USE; HANDLING BUILDING MATERIALS ON THE SITE; REPAIRING, BREAKING-UP OR OTHER WORK ON EXISTING BUILDINGS
    • E04G3/00Scaffolds essentially supported by building constructions, e.g. adjustable in height
    • E04G3/28Mobile scaffolds; Scaffolds with mobile platforms
    • E04G3/30Mobile scaffolds; Scaffolds with mobile platforms suspended by flexible supporting elements, e.g. cables

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Civil Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Supply, Installation And Extraction Of Printed Sheets Or Plates (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Working Measures On Existing Buildindgs (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、紫外線(以下U’Vと称す)による物質の処
理、好ましくはU4ラッカー或はU’/インキで塗布さ
れる表面の乾燥、例えば輪転印刷機で印刷直後のUVイ
ンキの乾燥、およびガス及び液体の放射に対し紫外線源
および少なくとも1つの反射面から成るハウジングから
構成される装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The invention relates to the treatment of materials with ultraviolet light (hereinafter referred to as U'V), preferably the drying of surfaces coated with U4 lacquer or U'/ink, for example immediately after printing on a rotary printing press. The present invention relates to an apparatus for drying UV inks and for radiation of gases and liquids, consisting of a housing consisting of an ultraviolet source and at least one reflective surface.

多色輪転印刷機の場合では第2印刷ユニツトによりイン
キを塗布できる前に第1印刷ユニツトにより塗布される
インキを乾燥する必要がある。従って各印刷ユニットの
直後に大抵強い熱源から成る乾燥装置を置くことが提案
されている。
In the case of multicolor rotary printing presses, it is necessary to dry the ink applied by the first printing unit before it can be applied by the second printing unit. It has therefore been proposed to place a drying device, which usually consists of an intense heat source, immediately after each printing unit.

従来の設備は、目下ますます使用されているいわゆるU
Vインキの乾燥に適していない。なぜならば本乾燥プロ
セスが水を溶媒とするようなインキの揮発成分の蒸発に
基づかないで、紫外線の作用のもとに行なわれる重合を
苓礎とするからである。従って、U4インキを乾燥する
ため、光源は一般にできる限シ高い割合の紫外線を放射
するものが提案される。このような場合では、市場で入
手可能な石英水銀燈が選択され、それらの水銀燈は、こ
の水銀燈から紙、プラスチック薄板或は金属の印刷され
た材料へできるだけ多くの560°放射線を指向させる
ように1つ或はそれ以上の反射鏡てよって取り囲まれて
いる。それらの反射鏡は、アルミニウム、アルマイト或
は不銹鋼からつくられる。
Conventional equipment is now increasingly used in the so-called U
Not suitable for drying V-ink. This is because the present drying process is not based on the evaporation of the volatile components of the ink using water as a solvent, but is based on polymerization carried out under the action of ultraviolet light. Therefore, for drying U4 ink, light sources are generally proposed that emit as high a proportion of ultraviolet radiation as possible. In such cases, commercially available quartz mercury lamps are selected, and these mercury lamps are designed to direct as much 560° radiation as possible from the mercury lamp to the printed material of paper, plastic sheet or metal. Surrounded by one or more reflecting mirrors. These reflectors are made from aluminum, anodized aluminum or stainless steel.

これに反して、従来のU V放射装置は、印刷表面の選
択される範囲に対し直接に或はそれらの反射鏡によって
間接に所望紫外線を指向するのみならず、また大きいス
ペクトル範囲(約、200ないし101000nを包含
する放射線源によって発せられる全放射線をも同様指向
する欠陥がある。400nm以上の可視及び赤外線の高
い割合によってひき起される高い壁温度650ないし8
00℃のために、この結果は、印刷表面が高温になりか
つ、材料の型式に従って、プラスチック薄板の膨張及び
湿気関連そり、歪曲或は紙の焦げをもたらす可能性があ
り、従って印刷表面を冷却するため(表面の最高安全温
度40℃)諸対策をとらねばならない。
In contrast, conventional UV radiation devices not only direct the desired UV radiation directly or indirectly by their reflectors onto selected areas of the printing surface, but also over a large spectral range (approximately 200 There are also defects that direct the total radiation emitted by the radiation source including from 650 to 101,000 nm.High wall temperatures caused by the high proportion of visible and infrared radiation above 400 nm 650 to 8
For 00°C, this results in a high temperature of the printing surface and, depending on the type of material, may lead to expansion of the plastic sheet and moisture-related warping, distortion or scorching of the paper, thus cooling the printing surface. (maximum safe surface temperature is 40°C), various measures must be taken.

反射鏡の配置及び条件に従って、50%を十分上回る可
能性のある理論的比率の間接放射線を反射鏡材料の能力
の限定反射容量の結果として印刷表面へ指向させること
ができないという別の欠陥もある。250ナノメータ(
nm )の程度では反射係数は、アルマイトに対し70
%に、陽極酸化しないアルミニウムに対し50%及び不
銹鋼に対し僅か40%しかに当らない。
Another drawback is that, depending on the configuration and conditions of the reflector, the theoretical proportion of indirect radiation, which can be well above 50%, cannot be directed towards the printing surface as a result of the limited reflective capacity of the reflector material's ability. . 250 nanometers (
nm), the reflection coefficient is 70 for anodized aluminum.
%, it corresponds to 50% for non-anodized aluminum and only 40% for stainless steel.

考慮すべき別の不利は、それらの反射鏡を老化させる速
度である。放射線、熱及び、同時に、印刷表面から発生
する蒸気及びガス、凝縮水および水銀燈を投入する場合
発生されるオゾンの作用の結果として、反射表面は、極
めて速かに腐蝕し、反射能力が比較的短かい期間の使用
だけの後にかなり減少されることを意味する。研究およ
び測定の示すところによれば、紫外線及び熱の作用のも
とに分割するUVインキから漏れる塩素化水素の結果と
して、それによって大気へ塩素を放出し、塩酸が凝縮水
と共に生成され、そのため反射鏡材料を腐蝕する。同様
に、トリクロロエチレンを含むローラ洗浄剤からの蒸気
も同じ作用を発生させる。
Another disadvantage to consider is the rate at which these mirrors age. As a result of the action of radiation, heat and, at the same time, steam and gases generated from the printing surface, condensed water and ozone generated when injecting mercury lamps, reflective surfaces corrode very quickly and their reflective ability becomes relatively low. It is meant to be significantly reduced after only a short period of use. Studies and measurements have shown that as a result of hydrogen chloride escaping from UV inks that split under the action of ultraviolet light and heat, thereby releasing chlorine into the atmosphere, hydrochloric acid is formed together with the condensed water, and therefore Corrodes the reflector material. Similarly, vapor from roller cleaners containing trichlorethylene can produce the same effect.

測定の証明するところによれば、80年/分で搬送され
る表面でUVインキを十分乾燥或は重合させるに必要な
紫外線エネルギ9ないし10ワット分/平方米は、丁度
500運転時間後最低値以下に下降する。もしそれらの
反射鏡を取り換えない場合、そのときにはこの装置は、
全く経済的に成り立たない遅い処理速度で運転し続ける
しか可能性がない。
Measurements have shown that the ultraviolet energy required to sufficiently dry or polymerize UV ink on a surface transported at 80 years/min is 9 to 10 watts per square meter, with a minimum value after just 500 operating hours. Descend below. If you do not replace those reflectors, then this device will
The only possibility is to continue operating at a slow processing speed that is completely uneconomical.

本発明の目的は、全範囲の長波放射線或は紫外線源のス
ペクルが減少するから、紫外線が増加され、従って放射
装置及びそれらの反射鏡の効率及び有効寿命を増加する
ように従来の紫外線放射装置を改良することにある。
It is an object of the present invention to reduce the spectrum of the full range long wave radiation or ultraviolet radiation source so that the ultraviolet radiation is increased, thus increasing the efficiency and useful life of the emitting devices and their reflectors. The aim is to improve the

この目的の達成は、紫外線放射装置及び少なくとも1つ
の反射鏡によって実施され、それによってこの反射鏡の
少なくとも1つの表面が紫外線源の紫外線を反射するた
め1つ以上の層のコーチング及び紫外線源のスペクトル
の長波範囲を吸収させる前述の層の下にあるコーチング
を備えている。
The achievement of this objective is carried out by means of an ultraviolet emitting device and at least one reflector, whereby at least one surface of this reflector is coated with one or more layers to reflect the ultraviolet radiation of the ultraviolet source and spectra of the ultraviolet source. It has a coating underneath the aforementioned layer that absorbs the long wave range of .

反射鏡は、2つの放物或は渭円面の半体シエルから成る
のが好ましい。なぜならば著しく湾曲される表面に対し
所要コーチングを塗布するのが極めて困難であるからで
ある。
Preferably, the reflector consists of two parabolic or cylindrical half-shells. This is because it is extremely difficult to apply the required coating to surfaces that are highly curved.

それらの半体シエルは、正しく反射放射線を合焦できる
ようにお互に対し蝶着して配置させるのが望ましい。
The half-shells are preferably hinged relative to each other to properly focus the reflected radiation.

アルミニウム或はその合金、銅、黄銅或は鋼は、放物面
半体シエルをつくる材料に好ましいものと判明した。
Aluminum or its alloys, copper, brass or steel have been found to be preferred materials for making the parabolic half shell.

吸収層に対して塗布された反射層は、共にいわゆる干渉
フィルタを形成する高及び低屈折材料の多数の交代層か
ら成る。
The reflective layer applied to the absorbing layer consists of a number of alternating layers of high and low refractive materials which together form a so-called interference filter.

エロツクス、黒色クロム、陽極酸化、黒色ニッケル及び
研磨されためつきは、吸収層を提供するのに好ましいも
のと判明した。
Elox, black chrome, anodized, black nickel and polished glaze have been found preferred for providing the absorbent layer.

放射或は楕円面半体シエルは、商標多電エクストルーダ
ル50g で市販されるアルミニウム合金から成るのが
好ましい。吸収層は、若干層の銅及びニッケルから成る
のが好ましく、各々或は片方が研磨され、またそれらが
予じめ研磨されたアルミニウム表面へ貼りつけられる。
The radial or ellipsoidal half shell is preferably comprised of an aluminum alloy commercially available under the trademark Polyden Extrudal 50g. The absorption layer preferably consists of several layers of copper and nickel, each or one of which is polished and then applied to a previously polished aluminum surface.

研磨ニッケル層は、黒色クロムめっきされる。The polished nickel layer is plated with black chrome.

吸収層と反射層との間に物理厚さ少なくとも15μを有
する拡散遮断層を設けるのが好ましい。
Preferably, a diffusion barrier layer having a physical thickness of at least 15μ is provided between the absorption layer and the reflection layer.

好ましくはこの拡散遮断層は、5iolから成る。Preferably this diffusion barrier layer consists of 5 iol.

なぜならばsio、が光学面に関して不利に挙動しまた
更に、既存のものと異なるコーチング材料を必要としな
いからである。
This is because sio behaves unfavorably with respect to the optical surface and furthermore does not require a coating material different from existing ones.

放物面半体シエルは、なるべく連続鋳造中空部分から成
る“エクストルーダル50gからつくるのが好ましく、
それらの空洞が冷却装置へ連結される。
It is preferable that the parabolic half-shell be made from 50 g of extrudal made of a continuously cast hollow part.
The cavities are connected to a cooling device.

石英水銀燈のまわりKある2つの放物面半体シエルから
成るUV放射装置は、紫外線を通過させる下方開口でカ
バーを備えるのが好ましい。
The UV radiation device, consisting of two parabolic half-shells around a quartz mercury lamp, is preferably provided with a cover with a downward opening through which ultraviolet radiation passes.

このカバーは石英ガラスから構成するのが有利である。Advantageously, this cover is made of quartz glass.

ラインを突然に停止すべき場合放射線を遮断するため下
記開口を速かにカバーするようにUV放射装置の下方開
口に対して不透明カバーをはめ込むのも好ましい。さら
に塵埃、蒸気或はガスを反射鏡でたまらせないように確
実にするため若干過圧にした閉鎖或は開放回路の乾燥及
び濃過空気或は不活性ガスを供給することによって石英
ガラスの下方カバーをもつ装置の内部を換気するのが好
ましいと判明した。
It is also preferred to fit an opaque cover over the lower opening of the UV radiator so as to quickly cover the opening in order to block the radiation if the line is to be suddenly stopped. In addition, to ensure that no dust, vapors or gases accumulate on the reflector, the quartz glass can be removed by supplying dry and concentrated air or inert gas in a closed or open circuit with a slight overpressure. It has been found preferable to ventilate the interior of the device with a cover.

さらに本発明を説明するため添付した図面および線図で
示されるような本発明の設計例を参照する。
To further explain the invention, reference is made to exemplary designs of the invention as illustrated in the accompanying drawings and diagrams.

第1図のグラフでは、特定の材料幅及び材料速度80米
/分に対し乾燥される表面平方来車り必要とされる紫外
線に対する最小値は、9ないし10Wとして示されてい
る。従来UV放射装置の放射線量を表す2つの下方の曲
線で示されるように、最小値は、腐蝕の結果として反射
鏡の紫外線反射が低下するために丁度4001転時間後
ですら最早や達せられない。上方の曲線は、本発明によ
る装置によって発せられる放射線量を示している。25
00運転時間ですらこの曲線は、明らかに最小値以上で
ある。しかしながら、この場合の放射線量の低下は、反
射鏡の腐蝕によるものではなくて、石英水銀燈の出力の
減少に基づくものである。
In the graph of FIG. 1, for a particular material width and material speed of 80 US/min, the minimum value of UV radiation required per surface squared to be dried is shown as 9 to 10 W. As shown in the two lower curves representing the radiation dose of conventional UV radiators, the minimum value is no longer reached even after exactly 4001 conversion times due to the reduction of the UV reflection of the reflector as a result of corrosion. . The upper curve shows the radiation dose emitted by the device according to the invention. 25
Even at 00 hours of operation, this curve is clearly above the minimum value. However, the decrease in radiation dose in this case is not due to corrosion of the reflector, but is due to a decrease in the output of the quartz mercury lamp.

第2図の線図では、従来のUv放射装置A及びBは、そ
れらの効率に関して本発明による装置!!LCと比較さ
れ、それによって装置Cの全紫外線が100%で示され
ている。
In the diagram of FIG. 2, the conventional UV radiation devices A and B are compared with the device according to the invention with respect to their efficiency! ! Compared to LC, the total UV radiation of device C is shown as 100%.

UV放射装置Aは、Cの放射線の57%しか達成せず、
放射装置Bが71%だけを記録している。Aの間接放射
線は、反射鏡の悪い反射のために10%にしか等しくな
いのに、石英水銀灯の直接放射が27%を占める。悪い
効率の結果として、所要出力を達成するために2つの型
式Aの放射器を直列に配置しなければならない。
UV radiator A achieves only 57% of the radiation of C;
Radiation device B records only 71%. The indirect radiation of A is only equal to 10% due to the poor reflection of the reflector, while the direct radiation of the quartz mercury lamp accounts for 27%. As a result of the poor efficiency, two type A radiators must be placed in series to achieve the required power.

放射装置Bの性能は、71%で比較的良好であり、それ
で間接放射が37.5%及び直接放射が3五5%を占め
る。全体として、UV放射装置Bの有効寿命を考える場
合悪い結果を示している。なぜならば全体性能の低下が
間接放射の高い割合の結果として特に大きくかつ上述の
性能低下が反射鏡腐蝕のためであるからである。
The performance of radiator B is relatively good at 71%, with indirect radiation accounting for 37.5% and direct radiation accounting for 355%. Overall, it shows poor results when considering the useful life of the UV emitting device B. This is because the overall performance reduction is particularly large as a result of the high proportion of indirect radiation, and the performance reduction mentioned above is due to reflector corrosion.

本発明による装置Cの場合では、直接対間放射の性能比
はほとんど等しいが、しかし間接放射に関しいかなるか
なりの程度の低下をももたらさない。なぜならば反射鏡
が実際上摩耗も腐蝕もされないからである。本発明によ
る装置の1つの基本的長所は、下記の事実にある。すな
わち、放射線源は、可視及び赤外線のかなりの減少のた
めに材料ストリップに対して比較的近接して置くことが
でき、そのため紫外線の作用を増加できる点にある。
In the case of device C according to the invention, the performance ratios for direct versus indirect radiation are almost equal, but do not result in any appreciable reduction with respect to indirect radiation. This is because the reflector is practically not subject to wear or corrosion. One fundamental advantage of the device according to the invention lies in the fact that: That is, the radiation source can be placed relatively close to the material strip for a significant reduction in the visible and infrared radiation, to the point that the effect of the ultraviolet radiation can be increased.

第3図は、赤外線に関し第2図に例示される比較を示し
、それで本発明による装置Cに対する粘礎として赤外線
100%とする。本例において、本発明の対象による吸
収層の効率は明らかである。Cに対する間接放射の割合
は24%にしかにならないのに、Aに対する間接放射の
割合は68%に等しくかつCに比較して全体の赤外線に
対し122%で記録されている。
FIG. 3 shows the comparison illustrated in FIG. 2 with respect to infrared light, thus taking 100% infrared light as the basis for device C according to the invention. In this example, the efficiency of the absorption layer according to the subject of the invention is evident. While the proportion of indirect radiation for C amounts to only 24%, the proportion of indirect radiation for A is equal to 68% and is recorded at 122% for the total infrared radiation compared to C.

型式Aの放射装置2つが有効な乾燥に必要とされるから
、そのときこのため2倍の赤外線割合245%及び間接
割合的156%という結果になる。紫外線に対する比較
の根拠に基づいて、従来の反射鏡が紫外線よりも比較的
大きい赤外線を反射させることも明らかとなり。そのた
め大きいシェアの紫外線(約50ないし40%)が反射
されないことを意味している。
Since two radiators of type A are required for effective drying, this then results in a doubling of the infrared fraction to 245% and the indirect fraction to 156%. Based on the basis of comparison to ultraviolet light, it is also clear that conventional reflectors reflect relatively more infrared light than ultraviolet light. This means that a large share of ultraviolet light (approximately 50 to 40%) is not reflected.

紫外線放射装置Bの場合では、この関係はより悪ぐむら
にもなる。Cと比較して、全体の赤外線は約171%に
等しい。間接赤外線が100%より多くなる。この例で
は、間接赤外線が間接紫外線より大きく々つていること
も明らかになる。
In the case of ultraviolet radiation device B, this relationship becomes even worse. Compared to C, the total infrared radiation is equal to about 171%. Indirect infrared radiation increases by more than 100%. In this example, it is also clear that the indirect infrared rays are larger than the indirect ultraviolet rays.

第7及び第8図の線図は、反射鏡シェルが互いに異なる
角度で置かれる場合(7,5°及び20° )、紫外及
び赤外線の作用を示している。
The diagrams in FIGS. 7 and 8 show the effect of ultraviolet and infrared radiation when the mirror shells are placed at different angles to each other (7, 5° and 20°).

UV印刷インキの乾燥は露出時間により比較的少なくか
つインキ層へ侵入する紫外線の能力により比較的多く左
右されることが十分公知である。比較の示すところによ
れば半体シエルを20°に傾斜させて紫外線を合焦させ
ることによって大体において放射線強度を増加させるこ
とがで舞る。赤外線吸収をかなり改良したためK、これ
は、合焦される場合ですらUV放射装置Bに対し第2図
で示される値よりなお少なく、それによって放射線源と
印刷材料との間の距離は、従来の乾燥機に対してよりも
20%少ない。
It is well known that the drying of UV printing inks depends relatively less on the exposure time and relatively more on the ability of the UV radiation to penetrate into the ink layer. Comparisons show that by tilting the half-shell at 20° and focusing the ultraviolet radiation, it is possible to generally increase the radiation intensity. Due to the considerably improved infrared absorption K, which even when focused is still less than the value shown in FIG. 2 for the UV emitting device B, the distance between the radiation source and the printing material is therefore 20% less than for dryers.

従来のUVi燥機を合焦しようとすると、印刷材料が燃
焼して火炎となるような高温になるだろう。
If you try to focus a conventional UVi dryer, it will reach such high temperatures that the printing material will burn and become a flame.

本発明によシ第4図に示される装置(1)は、ハウジン
グ(2)およびその上を印刷材料(5)が速度80米/
分で引っ張られるテーブル(4)から成り、また蝶着し
て保持される。ノ・ウジング(2)の上方部分では、容
易に交換できる石英水銀燈(6)がある。さらに、2つ
の放物面半体シエル(7及び7I)は、ノ・ウジング(
2)で取りつけられている。“エクストルーダル50I
アルミニウムから成る中空連続鋳造部分は、複数の管路
(8)を備え、水或は同様な物質のような冷却材を通し
ている。ハウジング(2)の下方開口は、石英ガラス板
(9)によって被覆される。石英ガラス板(9)の下部
には、この場合図示されない適当な制御方式及び装置に
よって印刷プロセスが中断される場合、石英板(9)の
前部で速かに引き出すことができるシャッタ(10)が
ある。
According to the invention, the apparatus (1) shown in FIG.
It consists of a table (4) that is pulled in a minute and is also held hinged. In the upper part of the no-using (2) there is a quartz mercury lamp (6) which can be easily replaced. Furthermore, the two parabolic half-shells (7 and 7I) are
2) is attached. “Extrudal 50I
The hollow continuous cast part made of aluminum is provided with a plurality of conduits (8) through which a coolant, such as water or a similar substance, is passed. The lower opening of the housing (2) is covered by a quartz glass plate (9). At the bottom of the quartz glass plate (9) there is a shutter (10) which can be quickly pulled out in front of the quartz plate (9) if the printing process is interrupted by means of suitable control schemes and devices, not shown in this case. There is.

ハウジングの内側に向って指向する放物面半体シエル(
7及び7′)の表面は、それぞれ1つの研磨される鋼及
びニッケルコーチングから成りまた黒色クロムめっきさ
れている吸収層(11)をもっている。
A parabolic half-shell (
The surfaces of 7 and 7') each have an absorption layer (11) made of polished steel and a nickel coating and plated with black chromium.

試験の証明するところによれば、すべてそれらのパラメ
ータに関して、亀エクストルーダル50tアルミニウム
合金の引抜き連続鋳造部分の黒色クロムめっきは、最良
の04反射鏡を達成することを必ずしも意味しないけれ
ども、最良の結果が得られる。吸収層(11)は、赤外
線の良好な吸収を確保するのみならず、また蒸着石英層
が反射層(12)に対して結合できる良好な基礎をも提
供する。反射層は、引抜きアルミニウム表面の黒色クロ
ムめっきに対して塗布される。黒色クロムめっきプロセ
スの後にそれらの表面は無光沢及び構造がなく、それに
よって結合に対する良好な基礎を提供する一方、例えば
、ニッケルめっきのみ極めて悪い結合蟇硫を提供する。
Tests have shown that, with respect to all those parameters, black chrome plating on pultruded continuous cast parts of Tortoise Extrudal 50t aluminum alloy provides the best results, although it does not necessarily mean achieving the best 04 reflector. is obtained. The absorbing layer (11) not only ensures good absorption of infrared radiation, but also provides a good basis on which the vapor-deposited quartz layer can bond to the reflective layer (12). A reflective layer is applied to the black chrome plating of the pultruded aluminum surface. After the black chrome plating process their surfaces are matte and unstructured, thereby providing a good basis for bonding, while for example nickel plating only provides extremely poor bonding.

反射層(12)は、合計66の独立Iaから成り、それ
らの層のうち奇数番号をもつ層が二酸化ハフニウムから
成りまた偶数番号をもつ層が二酸化硅素から成る。これ
らの層の各1つは、λ/4の何倍かとして表わすことが
できる特定の厚さをもち、その際λは、本例では、35
0nmに等しくなっているいわゆる1参照波長Iである
。λ/4の倍数は、例えば、整数(例えば1.00 )
だけであり;多数層の場合ではこれらが1.00より以
下に等しく、かつ最終(第66)層だけが1.00以上
、すなわち1.36である。
The reflective layer (12) consists of a total of 66 individual Ia layers, of which the odd-numbered layers consist of hafnium dioxide and the even-numbered layers consist of silicon dioxide. Each one of these layers has a certain thickness that can be expressed as a multiple of λ/4, where λ is in this example 35
One so-called reference wavelength I is equal to 0 nm. The multiple of λ/4 is, for example, an integer (e.g. 1.00)
in the case of multiple layers, these are equal to less than or equal to 1.00, and only the last (66th) layer is greater than or equal to 1.00, ie 1.36.

生じる反射曲線(第6図)は、範囲250ないし400
nmにおいてその層系が急を縁によつて画定される反射
最大を示すことを全く明瞭に示す。
The resulting reflection curve (FIG. 6) is in the range 250 to 400
It is quite clearly shown that in nm the layer system exhibits a reflection maximum defined by an abrupt edge.

反射層をつくるため、“エクストルーダル50Iアルξ
ニウム合金の黒色めっきされる連続鋳造部分からつくら
れる反射鏡半体シエルは、蒸着装置型式1100  (
製造者;西独、)・ナラのレイボルトヘラオイス有限会
社)の内部の支持体ホルダ上で置かれた。この装置は、
6分間以内に圧力10paまで排気された。その後でそ
れらの支持体が通常のようにグロー放電によって清浄に
された。これに続いて、この装置は、さらに30分間以
内に圧力5X10pa4で排気されかつそれらの支持体
が260℃へ加熱され、その後圧力2 X 1 G=p
aに達するまで拡散ガスとして酸素を供給して入れた。
In order to create a reflective layer, “Extrudal 50I Al
The reflector half shell, which is made from a continuous casting part that is black-plated with aluminum alloy, is manufactured using vapor deposition equipment model 1100 (
Manufacturer: West Germany, Leibold Hellaois GmbH, Germany) was placed on an internal support holder. This device is
The pressure was evacuated to 10 pa within 6 minutes. The supports were then cleaned in the usual way by means of a glow discharge. Following this, the apparatus was evacuated within a further 30 minutes at a pressure of 5×10 pa4 and their supports were heated to 260° C., after which a pressure of 2×1 G=p
Oxygen was supplied as a diffusion gas until the temperature reached a.

その後、蒸発るつぼ内にあった二酸化ノーウニラム(H
fo雪)は、圧力が安定になるまで、電子ビーム銃で2
分間の間通された、これに続き、HfO!は、第1コー
ト及び結合剤として蒸発速度t5nm/秒で蒸着された
。公知の発振水晶法が蒸発速度を調整しかつ隔膜を制御
するため適用され、それらの隔膜は蒸発装置上へ揺動さ
せることができまたそれらの隔膜によって各コートに対
する蒸発プロセスを中断させることができる。HfO,
層に続いて、第15i(11層が蒸発速度1.0nm 
7秒で別の電子ビーム銃を使用して蒸着され、それによ
ってHfO,は、少量のエネルギを供給することによっ
て十分高い温度で保持された。一度8 i 09蒸発装
置に対する隔膜が閉鎖すると、蒸発装置は、少量のエネ
ルギを供給することによって高い温度で同様保持され、
かつHfO!蒸発(C対する電子ビーム銃が再び蒸発動
力まで上昇された。このコーチング手順を交代するよう
に反復することによって総て66の独立層が蒸着され、
それらの層の各々がλ/4の夜当な倍数に等しい厚さを
もち、その際λがこの明、m−*で説明される目的に対
して350nmで選択されたいわゆる参照波長である。
After that, nounilum dioxide (H
Fo Yuki) is heated 2 times with an electron beam gun until the pressure stabilizes.
Following this, HfO! was deposited as first coat and binder at an evaporation rate of t5 nm/sec. The known oscillating crystal method is applied to adjust the evaporation rate and control the diaphragms, which can be rocked onto the evaporator and by which the evaporation process for each coat can be interrupted. . HfO,
Following the layer 15i (layer 11 has an evaporation rate of 1.0 nm)
It was deposited using a separate electron beam gun for 7 seconds, whereby the HfO was kept at a sufficiently high temperature by supplying a small amount of energy. Once the diaphragm to the 8 i 09 evaporator is closed, the evaporator is maintained at a high temperature as well by supplying a small amount of energy;
And HfO! The electron beam gun for evaporation (C) was again raised to evaporation power. A total of 66 independent layers were deposited by alternating repetition of this coating procedure.
Each of the layers has a thickness equal to a reasonable multiple of λ/4, where λ is the so-called reference wavelength chosen at 350 nm for the purpose described here in m-*.

上述のλ/4の倍数は、第2層から第65層まで(16
6ないし1.00で変化する。第1層に対し数字がCL
J6に等しくまたSingの第66層に対しt56に等
しい。
The multiples of λ/4 mentioned above are from the 2nd layer to the 65th layer (16
It varies from 6 to 1.00. The number is CL for the first layer
Equal to J6 and equal to t56 for the 66th layer of Sing.

全プロセスの間、真空室の圧力は一定に維持された。一
度量後の層を塗布すると、蒸発装置は遮断されかつ5分
間冷却させる。それからこの系は水で満された。反射挙
動に対して行なわれた測定は、関心のある波長範囲25
0ないし400nmにおいて険しい縁によって画定され
る秀れた反射挙動を示す第6図の曲線を得る結果となっ
た。この層系(は極めて良好に付着し、亀裂等なくまた
全範囲を介して読み87〜97%(反射)トもっている
。赤外線に対する読みは約5%しかなかった。
The pressure in the vacuum chamber was kept constant during the entire process. Once the dosed layer has been applied, the evaporator is shut off and allowed to cool for 5 minutes. The system was then filled with water. Measurements made on the reflection behavior cover the wavelength range of interest 25
This resulted in the curve of FIG. 6 showing excellent reflection behavior defined by a steep edge from 0 to 400 nm. This layer system adheres very well, without cracks and has a reading of 87-97% (reflection) over the entire range.The reading in the infrared was only about 5%.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、本発明による放射装置と従来のUV放射装置
との効率の比較を示すグラフ、第2図は従来のU’/放
射装置および本発明対象との紫外線効率の比較を示す図
表、第3図は、第2図と同じであるが、しかし赤外線効
率に関し、71114図は本発明による装置の側面図、
第5図は放物面半体シエル表面のコーチングの断面図、
第6図は、波長に関する反射層*(%で)の詳細図、第
7図及びga図は、互いに角度を変更した半体シエルで
の紫外線及び赤外線の放射強度を示す図表である。
FIG. 1 is a graph showing a comparison of efficiency between a radiation device according to the present invention and a conventional UV radiation device; FIG. FIG. 3 is the same as FIG. 2, but with regard to infrared efficiency, FIG. 71114 is a side view of the device according to the invention;
Figure 5 is a cross-sectional view of the coating on the parabolic half-shell surface;
FIG. 6 is a detailed view of the reflective layer* (in %) with respect to wavelength; FIGS. 7 and GA are diagrams showing the radiation intensity of ultraviolet and infrared radiation in half-shells at different angles with respect to each other.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 紫外線源及び少なくとも1つの反射鏡を収容するハ
ウジングから成る紫外線による物質処理装置において、
少なくとも、1つの反射鏡表面が紫外線源の紫外線の反
射に対する、1つ或はそれ以上のコーチング(12)及
び紫外線源(6)のスペクトルの長波部分の吸収に対す
る上記コーチングの下にあるコーチング (11)を備えていることを特徴とする装置。 2 反射鏡が2つの放物或は楕円面半体シエル(7及び
7′)から成ることを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の装置。 3 放物或は楕円面半体シエル(7及び7′)が互いに
蝶着されるように設けられていることを特徴とする特許
請求の範囲第2項記載の装置。 4 放物或は楕円面半体シエル(7及び7′)がアルミ
ニウム或はその合金、銅、黄銅或は鋼から成ることを特
徴とする特許請求の範囲第2項記載の装置。 5 放物或は楕円面半体シエル(7及び7′)が“エク
ストルーダル50”として公知のアルミニウム合金から
成ることを特徴とする特許請求の範囲第3或は第4項記
載の装置。 6 反射層(12)が数個の別々の層から成り、それら
の層が交代する高及び低屈折絶縁体から成りまた、35
0nmの参照波長入に関して、波長の1/4程度の層厚
をもち、従つて反射の読みが波長範囲250ないし40
0nmに対し基本的に80%以上であることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の装置。 7 紫外線を反射するコーチングが真空コーチング法に
よつて交代に付着される低屈折絶縁性層SiO_2及び
高屈折絶縁性層HfO_2から成ることを特徴とする特
許請求の範囲第6項記載の装置。 8 成層構造が高屈折絶縁層で出発しかつ低屈折絶縁層
で終ることを特徴とする特許請求の範囲第7項記載の装
置。 9 それらの層が反射鏡温度100ないし500℃、好
ましくは120ないし200℃で付着されることを特徴
とする特許請求の範囲第8項記載の装置。 10 吸収層(11)が黒色エロツクス、黒色クロム、
黒色ニツケル、陽極酸化或は磨き仕上めつきから成るこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の装置。 11 半体シエルの研磨面へ付着される放物或は楕円面
半体シエル(7と7′)の吸収層が磨き鋼コーチング、
ニツケルコーチング及び黒色クロムめつき層から成るこ
とを特徴とする特許請求の範囲第10項記載の装置。 12 拡散遮断コーチングが吸収コーチング(11)と
反射コーチング(12)との間で置かれ、物理厚さ少な
くとも0.5μをもつ絶縁体から成ることを特徴とする
特許請求の範囲第6或は第10項記載の装置。 13 拡散遮断層がSiO_2から成ることを特徴とす
る特許請求の範囲第12項記載の装置。 14 放物面半体シエル(7及び7′)が吸収熱を散逸
させる冷却装置を備えることを特徴とする特許請求の範
囲第4項記載の装置。 15 放物面半体シエル(7及び7′)が連続鋳造中空
部分から成り、この部分の空洞が冷却装置へ連結される
ことを特徴とする特許請求の範囲第5項記載の装置。 16 印刷材料(5)に向つて配向される下方開口が紫
外線に透明なカバー(9)を嵌めていることを特徴とす
る特許請求の範囲第1ないし第15項の、項記載の装置
。 17 カバー(9)が石英ガラスから成ることを特徴と
する特許請求の範囲第16項記載の装置。 18 印刷材料に向つて配向される開口が放射線に対し
不透明である連動カバー(9)をとりつけていることを
特徴とする特許請求の範囲第1ないし第17項の1項記
載の装置。 19 石英ガラスのカバー(9)によつて遮断される装
置が閉鎖換気装置へ連結され、この装置を介して乾燥及
びろ過空気或は乾燥及びろ過不活性ガスを循環させるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の装置。 20 石英ガラスにより遮断される装置の内側が開放換
気装置へ連結され、換気装置を介乾燥及びろ過空気が若
干過圧のもとに内側へ供給されることを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載の装置。 21 紙、プラスチツク或は金属のストリツプ材料でU
Vインキを乾燥及び硬化させるため特許請求の範囲第1
ないし第20項の1項記載の装置の応用。
[Scope of Claims] 1. An ultraviolet radiation material treatment device comprising a housing containing an ultraviolet source and at least one reflector, comprising:
At least one reflector surface has one or more coatings (12) for reflection of ultraviolet radiation of the ultraviolet source (6) and a coating (11) underlying said coating for absorption of the long wave part of the spectrum of the ultraviolet source (6). ). 2. Device according to claim 1, characterized in that the reflector consists of two parabolic or ellipsoidal half-shells (7 and 7'). 3. Device according to claim 2, characterized in that the parabolic or ellipsoidal half-shells (7 and 7') are arranged hingedly to each other. 4. Device according to claim 2, characterized in that the parabolic or ellipsoidal half-shells (7 and 7') are made of aluminum or its alloys, copper, brass or steel. 5. Device according to claim 3 or 4, characterized in that the parabolic or ellipsoidal half-shells (7 and 7') consist of an aluminum alloy known as "Extrudal 50". 6 the reflective layer (12) consists of several separate layers, the layers consisting of alternating high and low refractive insulators;
Regarding the reference wavelength input of 0 nm, the layer thickness is about 1/4 of the wavelength, so the reflection reading is within the wavelength range of 250 to 40 nm.
The device according to claim 1, characterized in that the radiation density is basically 80% or more with respect to 0 nm. 7. Device according to claim 6, characterized in that the UV-reflecting coating consists of a low-refraction insulating layer SiO_2 and a high-refraction insulating layer HfO_2, which are deposited alternately by a vacuum coating method. 8. Device according to claim 7, characterized in that the layered structure starts with a high-index insulating layer and ends with a low-index insulating layer. 9. Device according to claim 8, characterized in that the layers are deposited at a reflector temperature of 100 to 500°C, preferably 120 to 200°C. 10 Absorption layer (11) is black Erotx, black chrome,
2. Device according to claim 1, characterized in that it is made of black nickel, anodized or polished. 11 The absorption layer of the parabolic or ellipsoidal half-shell (7 and 7') attached to the polished surface of the half-shell is a polished steel coating;
11. Device according to claim 10, characterized in that it comprises a nickel coating and a black chrome plating layer. 12. Claim 6 or 1, characterized in that the diffusion-blocking coating is placed between the absorbing coating (11) and the reflective coating (12) and consists of an insulator with a physical thickness of at least 0.5 μ. The device according to item 10. 13. Device according to claim 12, characterized in that the diffusion barrier layer consists of SiO_2. 14. Device according to claim 4, characterized in that the parabolic half-shells (7 and 7') are provided with a cooling device for dissipating the absorbed heat. 15. Device according to claim 5, characterized in that the parabolic half-shells (7 and 7') consist of continuously cast hollow sections, the cavities of which are connected to a cooling device. 16. Device according to claims 1 to 15, characterized in that the lower opening oriented towards the printing material (5) is fitted with a UV-transparent cover (9). 17. Device according to claim 16, characterized in that the cover (9) consists of quartz glass. 18. Device according to one of claims 1 to 17, characterized in that it is fitted with an interlocking cover (9) whose opening directed towards the printing material is opaque to radiation. 19 Claim characterized in that the device, which is shut off by a quartz glass cover (9), is connected to a closed ventilation device, through which drying and filtered air or drying and filtered inert gas is circulated. The device according to item 1. 20. Claim 1, characterized in that the inside of the device, which is shielded by quartz glass, is connected to an open ventilation system, through which dry and filtered air is supplied to the inside under a slight overpressure. Apparatus described in section. 21 Paper, plastic or metal strip material
Claim 1 for drying and curing V ink
Application of the device according to item 1 of item 20.
JP61169950A 1985-07-20 1986-07-21 Substance treater by ultraviolet ray Pending JPS6297845A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19853526088 DE3526088A1 (en) 1985-07-20 1985-07-20 Protective platform for chimneys
DE3526088.3 1985-07-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6297845A true JPS6297845A (en) 1987-05-07

Family

ID=6276372

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61169950A Pending JPS6297845A (en) 1985-07-20 1986-07-21 Substance treater by ultraviolet ray

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JPS6297845A (en)
DE (1) DE3526088A1 (en)
DK (1) DK342786A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH063554U (en) * 1992-06-23 1994-01-18 上田ブレーキ株式会社 Braking disc retouching device
JP2008020182A (en) * 2006-07-14 2008-01-31 Man Roland Druckmas Ag Dryer for treating material surface to be printed in working machine
JP2011041879A (en) * 2009-08-19 2011-03-03 Panasonic Electric Works Co Ltd Ultraviolet irradiation device

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3635597C2 (en) * 1986-10-20 1996-08-29 Michael Barnsteiner Device for demolishing chimneys or the like and method for assembling the device
AT4624U1 (en) * 2000-08-11 2001-09-25 Rund Stahl Bau Gmbh & Co ADJUSTABLE WORKSTAGE
WO2005064152A2 (en) 2003-12-30 2005-07-14 Pp Energy Aps Device for enabling access to a structure above ground level
CN102943560B (en) * 2012-11-30 2015-07-08 上海市机械施工集团有限公司 Top opening working platform of high-altitude spherical equipment and mounting method of top opening working platform
DE102013002886B3 (en) * 2013-02-19 2014-03-27 Gerhard Lehmann Device for driving on tower and/or tower-like structures e.g. wind turbines, has tubular connection profile with setting profile whose ends are provided with self-powered trolley, and guide roller that guides setting profile
GB2520939B (en) * 2013-12-03 2017-02-08 Dolan Francis A Platform

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH063554U (en) * 1992-06-23 1994-01-18 上田ブレーキ株式会社 Braking disc retouching device
JP2008020182A (en) * 2006-07-14 2008-01-31 Man Roland Druckmas Ag Dryer for treating material surface to be printed in working machine
JP2011041879A (en) * 2009-08-19 2011-03-03 Panasonic Electric Works Co Ltd Ultraviolet irradiation device

Also Published As

Publication number Publication date
DK342786A (en) 1987-01-21
DK342786D0 (en) 1986-07-18
DE3526088A1 (en) 1987-01-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4798960A (en) Device for the treatment of substances by UV radiation
EP0265939B1 (en) Apparatus and method for curing photosensitive coatings
US5608227A (en) Mercury-vapor high-pressure short-arc discharge lamp, and method and apparatus for exposure of semiconductor wafers to radiation emitted from said lamp
JP2002260595A (en) Ultraviolet ray lamp system and method therefor
US6018146A (en) Radiant oven
JPS6297845A (en) Substance treater by ultraviolet ray
RU97118326A (en) SEMICONDUCTOR PLATE THERMAL PROCESSING DEVICE
JP3522333B2 (en) UV irradiation device
JP2002093377A (en) Dielectric barrier discharge lamp device
US3202070A (en) Diazotype copying apparatus
US6035548A (en) UV dryer with improved reflector
JP2019501494A (en) Laser-sustained plasma light source with tilted absorption features
JP2004170877A (en) Reflector and manufacturing method thereof
US2067907A (en) Mirror, process of making same, and composition of reflecting element therefor
US6351070B1 (en) Lamp with self-constricting plasma light source
CA1280086C (en) Device for the treatment of substances by uv radiation
JP2005083862A (en) Optical thin-film and mirror using it
JPS61158455A (en) Ultraviolet-ray irradiation device
US20020084756A1 (en) High-pressure discharge lamp
EP0283667B1 (en) Method and apparatus of treating photoresists
JPS62201639A (en) Device for irradiating ultraviolet ray
RU9340U1 (en) SOURCE OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN THE OPTICAL RANGE
JP2002039675A (en) Drying device for coating and printing on glass vessel
Schroeder et al. A commercial cold reflector
McCusker Air and water cooling of ultraviolet curing systems for industrial applications