JPS628872B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS628872B2 JPS628872B2 JP12497179A JP12497179A JPS628872B2 JP S628872 B2 JPS628872 B2 JP S628872B2 JP 12497179 A JP12497179 A JP 12497179A JP 12497179 A JP12497179 A JP 12497179A JP S628872 B2 JPS628872 B2 JP S628872B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- magnetic domain
- cylindrical magnetic
- cylindrical
- domain
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気記憶装置に用いる円筒磁区の発生
器に係るものである。
器に係るものである。
レアーアースオルソフエライトやガーネツトの
ような一軸磁気異方性をもつ結晶を、その軸に垂
直な面で薄片状に切断したもの、あるいはエピタ
キシヤル成長させたガーネツト薄膜に、その垂直
方向すなわちその磁化容易軸方向に適当な大きさ
の均一磁場を加えると、その周辺部と磁化の方向
が逆の円筒磁区、いわゆるバブルドメインが作ら
れることが知られている。この円筒磁区を記憶素
子として使うに際し最もよく使用されている方式
は、円筒磁区のある時を情報“１”に、ない時を
情報“０”に対応させる方式であり、従つて情報
に応じて円筒磁区を自由に発生させる装置または
素子が必要となる。
ような一軸磁気異方性をもつ結晶を、その軸に垂
直な面で薄片状に切断したもの、あるいはエピタ
キシヤル成長させたガーネツト薄膜に、その垂直
方向すなわちその磁化容易軸方向に適当な大きさ
の均一磁場を加えると、その周辺部と磁化の方向
が逆の円筒磁区、いわゆるバブルドメインが作ら
れることが知られている。この円筒磁区を記憶素
子として使うに際し最もよく使用されている方式
は、円筒磁区のある時を情報“１”に、ない時を
情報“０”に対応させる方式であり、従つて情報
に応じて円筒磁区を自由に発生させる装置または
素子が必要となる。
円筒磁区を発生させる方法として、従来最も広
く使用されている方法は第１図に示すように、デ
イスク状の軟磁性体材料１′に種となる円筒磁区
２′を付けておき、回転磁場Hrを回転させること
により種となる円筒磁区を伸ばし切断する方式で
ある。
く使用されている方法は第１図に示すように、デ
イスク状の軟磁性体材料１′に種となる円筒磁区
２′を付けておき、回転磁場Hrを回転させること
により種となる円筒磁区を伸ばし切断する方式で
ある。
この方式の欠点の一つは、種バブルが回転磁場
Hrの回転に対し、相対的に大きなデイスク状パ
タンの廻りを一回転するために、回転磁場Hrの
回転周波数の上昇とともに次第に追随がむづかし
くなり、高周波での円筒磁区の発生が不可能にな
る点にある。
Hrの回転に対し、相対的に大きなデイスク状パ
タンの廻りを一回転するために、回転磁場Hrの
回転周波数の上昇とともに次第に追随がむづかし
くなり、高周波での円筒磁区の発生が不可能にな
る点にある。
この欠点を除去するために開発されたのが、磁
化を直接に反転させることにより円筒磁区を発生
させる方式、通常ニユークリエーシヨン型の発生
器と呼ばれるものである。第２図にこの一例を示
す。YY型駆動パタンのＹパタン１とＹパタン２
の間にＩ型パタン３を配し、このパタンの下に導
体４を配することにより円筒磁区発生器を構成し
ている。位置５における局所的垂直磁場の方向が
円筒磁区材料の磁化方向と逆向きになるように、
導体４に電流を流すことにより、円筒磁区が５の
位置に発生する。円筒磁区を発生させるために必
要な最小限の電流値は、円筒磁区材料のもつ磁化
の大きさ、磁気異方性の大きさ、素子の構成方法
等により異なるが、実験結果によると、通常のガ
ーネツト薄膜に対しては300〜400ｍＡである。円
筒磁区の発生には、このようにかなり大きな電流
値を必要とし、このため一度発生した円筒磁区は
Ｉ型パタン３にそつて位置５から位置６にわたつ
て伸びてしまい、次のＹパタンへの移動マージン
が減少してしまう現象がみられる。
化を直接に反転させることにより円筒磁区を発生
させる方式、通常ニユークリエーシヨン型の発生
器と呼ばれるものである。第２図にこの一例を示
す。YY型駆動パタンのＹパタン１とＹパタン２
の間にＩ型パタン３を配し、このパタンの下に導
体４を配することにより円筒磁区発生器を構成し
ている。位置５における局所的垂直磁場の方向が
円筒磁区材料の磁化方向と逆向きになるように、
導体４に電流を流すことにより、円筒磁区が５の
位置に発生する。円筒磁区を発生させるために必
要な最小限の電流値は、円筒磁区材料のもつ磁化
の大きさ、磁気異方性の大きさ、素子の構成方法
等により異なるが、実験結果によると、通常のガ
ーネツト薄膜に対しては300〜400ｍＡである。円
筒磁区の発生には、このようにかなり大きな電流
値を必要とし、このため一度発生した円筒磁区は
Ｉ型パタン３にそつて位置５から位置６にわたつ
て伸びてしまい、次のＹパタンへの移動マージン
が減少してしまう現象がみられる。
本発明の目的は、Ｉ型パターンの形を変形し、
Ｉ型パターンの一部に円筒磁区を反撥する磁極を
発生させることにより円筒磁区がＩ型パターンに
そつて伸びることを抑御し、移動マージンを減少
させないような円筒磁区発生器を提供することに
ある。
Ｉ型パターンの一部に円筒磁区を反撥する磁極を
発生させることにより円筒磁区がＩ型パターンに
そつて伸びることを抑御し、移動マージンを減少
させないような円筒磁区発生器を提供することに
ある。
本発明の原理を一実施例である第３図を参照し
て詳しく説明する。
て詳しく説明する。
YY型駆動パターンのＹパターン１とＹパター
ン２の間にＩ型パターンを変形した変形Ｉ型パタ
ーン１３を配し、このパターンの下に導体１４を
配する。
ン２の間にＩ型パターンを変形した変形Ｉ型パタ
ーン１３を配し、このパターンの下に導体１４を
配する。
この場合、変形Ｉ型パターン１３は、その途中
部分１６でＩ型パターン上部６が円筒磁区移動方
向の川上側に向くように折れ曲つた形状をしてい
る。さらに、この変形にともなつて、導体パター
ン１４の一部を変形Ｉ型パターンの上部に平行に
なるように配置することが望ましい。これは無用
な段差の発生をさけるためである。このようにＩ
型パターンを変形することにより円筒磁区が面内
回転磁場Hr２０，２１，２２に従つて移動する
時、面内回転磁場Hr２１のタイミングでパター
ン１３の折れ曲り部分１６に円筒磁区を反撥する
磁極が発生する。このために円筒磁区は、位置５
から位置６に変形Ｉ型パターン１３にそつて伸び
ることが抑制され、円筒磁区は伸びることなく、
面内回転磁場Hrが回転するにしたがつて誤動作
なく次のＹパターンに移動してゆく。このため駆
動マージンに大巾な増加がみられる。
部分１６でＩ型パターン上部６が円筒磁区移動方
向の川上側に向くように折れ曲つた形状をしてい
る。さらに、この変形にともなつて、導体パター
ン１４の一部を変形Ｉ型パターンの上部に平行に
なるように配置することが望ましい。これは無用
な段差の発生をさけるためである。このようにＩ
型パターンを変形することにより円筒磁区が面内
回転磁場Hr２０，２１，２２に従つて移動する
時、面内回転磁場Hr２１のタイミングでパター
ン１３の折れ曲り部分１６に円筒磁区を反撥する
磁極が発生する。このために円筒磁区は、位置５
から位置６に変形Ｉ型パターン１３にそつて伸び
ることが抑制され、円筒磁区は伸びることなく、
面内回転磁場Hrが回転するにしたがつて誤動作
なく次のＹパターンに移動してゆく。このため駆
動マージンに大巾な増加がみられる。
以上は一実施例に示したのみであり、変形Ｉ型
パターンの形は本発明の主旨にしたがう範囲では
自由に変形しうることは勿論である。
パターンの形は本発明の主旨にしたがう範囲では
自由に変形しうることは勿論である。
第１図は従来のデイスク型の円筒磁区発生器を
示し、１′は種バブル２′を保持するための軟磁性
材料からなる薄膜パタン、３′は発生した円筒磁
区が移動するためのパタンであり、図は回転磁場
Hrが１０の方向に向いた時の状態を示す。 第２図は従来のニユークリエーシヨン型の円筒
磁区発生器を示し、Ｙ型パタン１および２の間に
Ｉ型パタン３を配し、同時に導体４がＩ型パタン
全体を囲むように配されている。 第３図は本発明の一実施例を示し、１３は変形
されたＩ型パターン、１８は円筒磁区移動の川下
側を１９は川上側を示す。
示し、１′は種バブル２′を保持するための軟磁性
材料からなる薄膜パタン、３′は発生した円筒磁
区が移動するためのパタンであり、図は回転磁場
Hrが１０の方向に向いた時の状態を示す。 第２図は従来のニユークリエーシヨン型の円筒
磁区発生器を示し、Ｙ型パタン１および２の間に
Ｉ型パタン３を配し、同時に導体４がＩ型パタン
全体を囲むように配されている。 第３図は本発明の一実施例を示し、１３は変形
されたＩ型パターン、１８は円筒磁区移動の川下
側を１９は川上側を示す。
Claims (1)
- １ 円筒磁区転送パターン間にその転送方向と垂
直方向のＩ型パターンを設け、このＩ型パターン
下に導体を配してなるニユークリエーシン型円筒
磁区発生器において、前記Ｉ型パターンの上端が
円筒磁区転送方向に対して川上側に向くように折
れ曲つていることを特徴とする円筒磁区発生器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12497179A JPS5651078A (en) | 1979-09-28 | 1979-09-28 | Generator for cylindrical magnetic domain |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12497179A JPS5651078A (en) | 1979-09-28 | 1979-09-28 | Generator for cylindrical magnetic domain |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5651078A JPS5651078A (en) | 1981-05-08 |
| JPS628872B2 true JPS628872B2 (ja) | 1987-02-25 |
Family
ID=14898743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12497179A Granted JPS5651078A (en) | 1979-09-28 | 1979-09-28 | Generator for cylindrical magnetic domain |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5651078A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5694573A (en) * | 1979-12-28 | 1981-07-31 | Fujitsu Ltd | Bubble magnetic domain generator |
-
1979
- 1979-09-28 JP JP12497179A patent/JPS5651078A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5651078A (en) | 1981-05-08 |
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