JPS6276755A - Manufacture of circuit device - Google Patents
Manufacture of circuit deviceInfo
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- JPS6276755A JPS6276755A JP60217253A JP21725385A JPS6276755A JP S6276755 A JPS6276755 A JP S6276755A JP 60217253 A JP60217253 A JP 60217253A JP 21725385 A JP21725385 A JP 21725385A JP S6276755 A JPS6276755 A JP S6276755A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、集積回路の回路装置(例えば、半導体装置、
抵抗モジュール等)の製造方法に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to integrated circuit circuit devices (for example, semiconductor devices,
The present invention relates to a method of manufacturing a resistor module (resistance module, etc.).
回路装置の製造方法には、レーザ光を用いて回路装置の
接続線をカットし、パラメータf山を調整するトリミン
グ工程を有するものがある。このトリミング工程は、例
えば、ウェハ上に形成した抵抗モジュールの接続線をレ
ーザ光で選択的にカットして抵抗値を調整する工程であ
る。Some methods of manufacturing circuit devices include a trimming step of cutting connection lines of the circuit device using laser light and adjusting the parameter f peak. This trimming step is, for example, a step of selectively cutting connection lines of a resistance module formed on a wafer with a laser beam to adjust the resistance value.
従来、トリミング工程を有する回路装置の製造方法には
、例えば、第7図に示すようにウェハ上でトリミングを
行なうものがあった。この方法は、トリマステージSに
のせたウェハBにレーザ光りを照射するものである。Conventionally, there has been a method of manufacturing a circuit device that includes a trimming process, for example, as shown in FIG. 7, in which trimming is performed on a wafer. In this method, a wafer B placed on a trimmer stage S is irradiated with laser light.
また、第8図に示すように、組立後の状態でレーザ光り
を照射するものがあった。Furthermore, as shown in FIG. 8, there is a device that irradiates laser light after assembly.
しかし、第7図で示す方法では、トリミング工程の後の
工程すなわち組立、パッケージングの工程で調整値にず
れが生じ、また第8図に示す方法では、トリミング後の
工程であるパッケージング工程で調整値がずれる。この
ため、装置の精度が悪くなったり、歩留りが低下すると
いう問題点があった。However, in the method shown in Fig. 7, deviations occur in the adjustment values in the processes after the trimming process, that is, in the assembly and packaging processes, and in the method shown in Fig. 8, in the packaging process, which is the process after trimming. The adjustment value is off. For this reason, there have been problems in that the accuracy of the device is deteriorated and the yield is reduced.
本発明は上述した問題点を除去するためになされたもの
であり、トリミング工程後における調整値のずれが少な
く、回路装置を高t^度化できるとともに、水留りを向
上できる回路装置の製造方法を実現することを目的とす
る。The present invention has been made in order to eliminate the above-mentioned problems, and it is possible to manufacture a circuit device that has less deviation in adjustment values after the trimming process, can increase the temperature of the circuit device, and can improve water retention. The purpose is to realize the method.
本発明は、レーザ光を用いて集積回路の回路装置のパラ
メータ値を調整するトリミング工程を有する回路装置の
製造方法において、前記トリミング工程をパッケージン
グ後に行なうことを特徴とする回路装置の製造方法であ
る。The present invention relates to a method of manufacturing a circuit device that includes a trimming step of adjusting parameter values of a circuit device of an integrated circuit using laser light, wherein the trimming step is performed after packaging. be.
以下、図面を用いて本発明を説明する。 The present invention will be explained below using the drawings.
第1図は本発明に係る回路装置の製造方法の一実施例を
示したフローチャートである。FIG. 1 is a flowchart showing an embodiment of a method for manufacturing a circuit device according to the present invention.
図で、ウニハエ程では、所望の回路をウェハ上に形成す
る。このウニハエ程後にトリミングを行なう場合が第7
図に示す製造方法である。In the figure, a desired circuit is formed on a wafer. The seventh step is to trim after this sea urchin fly process.
This is the manufacturing method shown in the figure.
次に、ダイシング工程でウェハに切れ目を入れる。Next, cuts are made in the wafer in a dicing process.
そして、ウェハ・ブレイク工程ではウェハを切れ口に沿
って割る。Then, in the wafer breaking process, the wafer is broken along the cut edges.
次のダイ・ボンディング工程では、ウェハを割ったもの
であるチップをヘッダに接着する。この段階での回路装
置のでき上り状態は第2図に示すようになる。第2図で
、lはチップ、2はヘッダである。In the next die bonding step, the chips, which are split from the wafer, are bonded to the header. The completed state of the circuit device at this stage is shown in FIG. In FIG. 2, l is a chip and 2 is a header.
更に、ワイヤ・ボンディング工程ではチップとヘッダ間
の配線を行なう。この段階で、回路装置は第3図に示す
ようになっている。ワイヤ・ボンディング工程後にトリ
ミングを行なう場合が第8図に示す製造方法である。Furthermore, the wire bonding process performs wiring between the chip and the header. At this stage, the circuit arrangement is as shown in FIG. The manufacturing method shown in FIG. 8 is where trimming is performed after the wire bonding process.
その後、パッケージング工程では、チップにパッケージ
を被せてハーメチェックシールを施す。Then, in the packaging process, a package is placed over the chip and a herme check seal is applied.
この段階での回路装置の状態を第4図に示す。図で、3
はレーザ光りが透過可能なガラス窓であり、パッケージ
4のチップ1に対向する位置に設けられている。The state of the circuit device at this stage is shown in FIG. In the figure, 3
is a glass window through which laser light can pass, and is provided at a position facing the chip 1 of the package 4.
次のトリミング工程では、第5図に示すように、チップ
1に、レーザ光りがガラス窓3を透過して照射される。In the next trimming step, the chip 1 is irradiated with laser light through the glass window 3, as shown in FIG.
例えば、回路装置が第6図に示すOPアンプで、そのオ
フセット電圧を調整するトリミング工程では、オフセッ
ト電圧が正である場合は抵抗R1の接続線をレーザ光で
カットし、負である場合は抵抗R2の接続線をレーザ光
でカットし、抵抗値を上昇させる。第6図で、IN+は
非反転入力、IN−は反転入力、OUTは出力、Vcは
定電圧である。For example, in the trimming process for adjusting the offset voltage of an OP amplifier shown in FIG. 6 as a circuit device, if the offset voltage is positive, the connection line of resistor R1 is cut with a laser beam; Cut the R2 connection wire with a laser beam to increase the resistance value. In FIG. 6, IN+ is a non-inverting input, IN- is an inverting input, OUT is an output, and Vc is a constant voltage.
その後、出荷検査を行なって終了する。After that, a shipping inspection is performed and the process ends.
なお、実施例では回路装置がOPアンプである場合につ
いて説明したが、回路装置はこれ以外のもの例えば抵抗
モジュール、半導体装置等であってもよい。In addition, in the embodiment, the case where the circuit device is an OP amplifier has been described, but the circuit device may be other than this, such as a resistor module, a semiconductor device, etc.
また、抵抗モジュール、温度センサ、圧力センサ等の回
路装置は入射光によって特性が変わりやすいため、トリ
ミングを行なった後は、ガラス窓1をふさぐ必要がある
。Further, since the characteristics of circuit devices such as a resistance module, a temperature sensor, and a pressure sensor are likely to change depending on incident light, it is necessary to cover the glass window 1 after trimming.
本発明に係る方法によれば、最終段階すなわち回路素子
にパッケージを施した後に、レーザ光によるトリミング
を行なっているため、調整値のずれが少ない。これによ
って、回路装置を高精度化できるとともに歩留りを向上
できる。According to the method according to the present invention, since trimming is performed using a laser beam at the final stage, that is, after the circuit element is packaged, there is little deviation in adjustment values. This makes it possible to improve the precision of the circuit device and improve yield.
第1図は本発明に係る回路装置の製造方法の一実施例を
示したフローチャート、第2図〜第6図は第1図のフロ
ーチャートの説明図、第7図及び第8図は回路装置の製
造方法の従来例を示した図である。
1・・・ガラス窓、2・・・パッケージ。
第1図
第2図
第3図
第4図FIG. 1 is a flowchart showing an embodiment of the method for manufacturing a circuit device according to the present invention, FIGS. 2 to 6 are explanatory diagrams of the flowchart in FIG. 1, and FIGS. 1 is a diagram showing a conventional example of a manufacturing method. 1...Glass window, 2...Package. Figure 1 Figure 2 Figure 3 Figure 4
Claims (1)
調整するトリミング工程を有する回路装置の製造方法に
おいて、 前記トリミング工程をパッケージング後に行なうことを
特徴とする回路装置の製造方法。[Claims] A method for manufacturing a circuit device including a trimming step of adjusting parameter values of a circuit device of an integrated circuit using a laser beam, characterized in that the trimming step is performed after packaging. Method.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60217253A JPS6276755A (en) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | Manufacture of circuit device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60217253A JPS6276755A (en) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | Manufacture of circuit device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6276755A true JPS6276755A (en) | 1987-04-08 |
Family
ID=16701246
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60217253A Pending JPS6276755A (en) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | Manufacture of circuit device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6276755A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1069618A4 (en) * | 1998-04-01 | 2001-08-22 | Ricoh Kk | Semiconductor device and manufacture thereof |
-
1985
- 1985-09-30 JP JP60217253A patent/JPS6276755A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1069618A4 (en) * | 1998-04-01 | 2001-08-22 | Ricoh Kk | Semiconductor device and manufacture thereof |
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