JPS627565B2 - - Google Patents

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JPS627565B2
JPS627565B2 JP4229678A JP4229678A JPS627565B2 JP S627565 B2 JPS627565 B2 JP S627565B2 JP 4229678 A JP4229678 A JP 4229678A JP 4229678 A JP4229678 A JP 4229678A JP S627565 B2 JPS627565 B2 JP S627565B2
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JP
Japan
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switching element
temperature
thyristor
semiconductor switching
triax
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JP4229678A
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Japanese (ja)
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JPS54134280A (en
Inventor
Suzuo Kojima
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は感熱サイリスタを用いた温度制御装置
に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a temperature control device using a heat-sensitive thyristor.

第1図は従来の感熱サイリスタを用いた温度制
御装置の回路図である。同図において、交流電源
1、ヒータ2及びヒータ2に供給する交流電力を
制御するトライアツク3とを直列に接続し、トラ
イアツク3のT2端子及びゲートGを整流ダイオ
ード31,32,33,34により構成されるダ
イオードブリツジの交流入力へ接続し、ダイオー
ドブリツジの出力と並列にトライアツク3をトリ
ガするための補助サイリスタ6及び周囲温度を検
出する感熱サイリスタ4をそれぞれ電流制限用抵
抗22,21を通して接続する。さらに感熱サイ
リスタ4の陽極と補助サイリスタ6のゲートの間
に、感熱サイリスタ4がオフ時に電圧位相が進み
所定の電圧(ツエナー電圧)以上の電圧が印加さ
れたとき補助サイリスタ6のゲートへゲート電流
を供給するためのツエナーダイオード5を感熱サ
イリスタ側が陽極となるように接続する。又感熱
サイリスタ4の陽極、ゲート間に温度設定用の抵
抗8及びノイズによる感熱サイリスタの誤動作を
防止するためのコンデンサ9を接続する。なおト
ライアツク3のゲート、T1端子間及び補助サイ
リスタ6のゲート、陰極間に接続されている抵抗
23及び7はいずれも誤動作を防止するためのも
のである。
FIG. 1 is a circuit diagram of a temperature control device using a conventional heat-sensitive thyristor. In the figure, an AC power supply 1, a heater 2, and a triax 3 that controls the AC power supplied to the heater 2 are connected in series, and the T2 terminal and gate G of the triax 3 are connected by rectifier diodes 31, 32, 33, and 34. The auxiliary thyristor 6 for triggering the triax 3 and the heat-sensitive thyristor 4 for detecting the ambient temperature are connected to the AC input of the diode bridge constructed in parallel with the output of the diode bridge through current limiting resistors 22 and 21, respectively. Connecting. Furthermore, when a voltage is applied between the anode of the heat-sensitive thyristor 4 and the gate of the auxiliary thyristor 6, the voltage phase advances when the heat-sensitive thyristor 4 is off, and a voltage equal to or higher than a predetermined voltage (Zener voltage) is applied to the gate of the auxiliary thyristor 6. A Zener diode 5 for supplying the heat is connected so that the heat-sensitive thyristor side becomes the anode. A resistor 8 for temperature setting and a capacitor 9 for preventing malfunction of the heat-sensitive thyristor due to noise are connected between the anode and gate of the heat-sensitive thyristor 4. Note that the resistors 23 and 7 connected between the gate and T1 terminal of the triac 3 and between the gate and cathode of the auxiliary thyristor 6 are for preventing malfunction.

例えば、従来技術を恒温槽に応用したときを考
える。今温度が所定の温度より低いとき、感熱サ
イリスタ4はオフ状態にあるので、全波整流され
た電圧波形が補助サイリスタ6の陽極、陰極間に
印加されるとともに、ゲートにも印加される。し
かし、零電圧の位相すなわち、全波整流電圧がツ
エナー電圧以下のときには、補助サイリスタ6の
ゲートには電圧は印加されないが、位相が進み、
印加電圧がツエナー電圧以上になると、補助サイ
リスタ6のゲートに電流が流れ、補助サイリスタ
6がオン状態となり、トライアツク3がトリガさ
れる。したがつてヒータ2に電力を供給し続け
る。
For example, consider the case where the conventional technology is applied to a thermostatic chamber. When the current temperature is lower than a predetermined temperature, the heat-sensitive thyristor 4 is in an off state, so a full-wave rectified voltage waveform is applied between the anode and cathode of the auxiliary thyristor 6, and is also applied to the gate. However, in the phase of zero voltage, that is, when the full-wave rectified voltage is below the Zener voltage, no voltage is applied to the gate of the auxiliary thyristor 6, but the phase advances.
When the applied voltage becomes equal to or higher than the Zener voltage, a current flows through the gate of the auxiliary thyristor 6, the auxiliary thyristor 6 is turned on, and the triac 3 is triggered. Therefore, power continues to be supplied to the heater 2.

温度が上昇し、所定の温度以上になると、感熱
サイリスタ4がオン状態になり、補助サイリスタ
6のゲート陰極はバイパスされるためゲートには
電流は流れない。したがつて補助サイリスタ6は
オン状態となり、トライアツク3のゲートには電
流が流れないため、ヒータ2には電力が供給され
なくなり、恒温槽内の温度が低下する。
When the temperature rises to a predetermined temperature or higher, the heat-sensitive thyristor 4 is turned on and the gate cathode of the auxiliary thyristor 6 is bypassed, so no current flows through the gate. Therefore, the auxiliary thyristor 6 is turned on, and since no current flows through the gate of the triax 3, power is no longer supplied to the heater 2, and the temperature inside the thermostatic oven drops.

次に所定の温度より下がると、再び感熱サイリ
スタ4がオフ状態となり、ヒータ2に電力が供給
される。温度の設定は抵抗8によつて調整するこ
とができる。
Next, when the temperature drops below a predetermined temperature, the heat-sensitive thyristor 4 is turned off again, and power is supplied to the heater 2. The temperature setting can be adjusted by means of a resistor 8.

しかしながら、第1図の従来回路では補助サイ
リスタ6、感熱サイリスタ4などのスイツチング
素子が、ダイオードブリツジの出力側に接続され
ており交流電源1のアースラインから浮いている
ため、サージ電圧、ノイズ電圧に対して誤トリガ
を起こしやすい欠点がある。例えば感熱サイリス
タ4のゲート大地間に浮遊容量が存在すれば、感
熱サイリスタ4の陽極、ゲート浮遊容量を通して
大地に電流が流れ、感熱サイリスタ4を誤動作さ
せる。温度が上昇し、感熱サイリスタ4がスイツ
チする直前のときには、非対象動作をし、半波の
みオン状態となることがある。
However, in the conventional circuit shown in Fig. 1, the switching elements such as the auxiliary thyristor 6 and the heat-sensitive thyristor 4 are connected to the output side of the diode bridge and are floating from the ground line of the AC power supply 1, resulting in surge voltage and noise voltage. However, it has the disadvantage of being prone to false triggers. For example, if a stray capacitance exists between the gate and ground of the heat-sensitive thyristor 4, a current flows to the ground through the anode of the heat-sensitive thyristor 4 and the gate stray capacitance, causing the heat-sensitive thyristor 4 to malfunction. When the temperature rises and the heat-sensitive thyristor 4 is about to switch, it may operate asymmetrically and be on only for half a wave.

この他第2の欠点として次のことがあげられ
る。第1図の回路はトライアツク3を交流電源電
圧の零位相でトリガせず、ツエナダイオード5の
ツエナー電圧に達したときにトリガするので、わ
ずかではあるが、位相制御された状態となり、高
調波を発生し、ラジオノイズとなる。このため、
実際には電波回路に第1図に示されていないフイ
ルタを必要とする。
In addition, the following is a second drawback. In the circuit shown in Figure 1, the triax 3 is not triggered at the zero phase of the AC power supply voltage, but is triggered when the zener voltage of the zener diode 5 is reached, resulting in a slightly phase-controlled state and harmonics. This occurs and becomes radio noise. For this reason,
In reality, a filter not shown in FIG. 1 is required in the radio wave circuit.

本発明は上記の従来のものの第1の欠点を除去
するためになされたもので、感熱サイリスタを交
流電源の一線と同電位とし、かつトライアツクが
負のサイクルでトリガすると必ず次の正の半サイ
クルでトリガする。いわゆる従属トリガ方式を採
用することにより、外来ノイズやサージ電圧に対
して誤動作を少なくし、半波動作のない温度制御
装置を提供することを目的としている。
The present invention has been made in order to eliminate the first drawback of the above-mentioned conventional ones.The heat-sensitive thyristor is set at the same potential as the main line of the AC power supply, and when the tri-ac is triggered in a negative cycle, it is always triggered in the next positive half cycle. Trigger with . By employing a so-called dependent trigger system, the purpose of this invention is to reduce malfunctions due to external noise and surge voltage, and to provide a temperature control device without half-wave operation.

第2図は本発明の一実施例である温度制御装置
の回路図である。第2図において、交流電源1、
トライアツク3及びヒータ2を直列に接続し、交
流電源1と並列に、恒温槽の温度を検出するため
の感熱サイリスタ(感熱スイツチング素子)4と
抵抗21との第1の直列体を接続し、さらにトラ
イアツク3をトリガするための補助サイリスタ
(第1の半導体スイツチング素子)6、トライア
ツク3を従属トリガするためのコンデンサ11、
コンデンサ11を充電するための抵抗13及び整
流ダイオード17の第2の直列体を交流電源1と
並列に接続する。
FIG. 2 is a circuit diagram of a temperature control device that is an embodiment of the present invention. In FIG. 2, AC power supply 1,
A triax 3 and a heater 2 are connected in series, a first series body of a heat-sensitive thyristor (heat-sensitive switching element) 4 and a resistor 21 for detecting the temperature of the thermostatic oven is connected in parallel with the AC power supply 1; an auxiliary thyristor (first semiconductor switching element) 6 for triggering the triax 3; a capacitor 11 for auxiliary triggering of the triax 3;
A second series body of a resistor 13 and a rectifier diode 17 for charging the capacitor 11 is connected in parallel with the AC power supply 1.

一方補助サイリスタ6のゲートと感熱サイリス
タ4の陽極との間に感熱サイリスタ4がオフ時に
電圧の位相が進み所定の電圧(ツエナー電圧)以
上の電圧が印加されたとき補助サイリスタ6のゲ
ートへゲート電流を供給するためのツエナーダイ
オード5を感熱サイリスタ4側が陰極となるよう
に接続する。
On the other hand, when a voltage higher than a predetermined voltage (Zener voltage) is applied between the gate of the auxiliary thyristor 6 and the anode of the heat-sensitive thyristor 4, the phase of the voltage advances when the heat-sensitive thyristor 4 is off, and the gate current flows to the gate of the auxiliary thyristor 6. A Zener diode 5 for supplying is connected so that the heat-sensitive thyristor 4 side becomes a cathode.

さらにトライアツク3の従属トリガを行うため
のスイツチング素子として用いたトランジスタ
(第2の半導体スイツチング素子)12のコレク
タを整流ダイオード18を通してコンデンサ11
と整流ダイオード17との接続点へ接続し、トラ
ンジスタ12のエミツタは交流電源1とヒータ2
との接続点へ接続するとともに、トランジスタ1
2のベースは電源電圧の位相が反転したとき瞬時
にトランジスタ12がオンとなりトライアツク3
のゲートに電流が流れるように抵抗14を通して
他の交流電源端子に接続される。又トライアツク
3のゲートは抵抗15を通して、コンデンサ11
と補助サイリスタ6の陽極との接続点へ接続され
る。
Furthermore, the collector of the transistor (second semiconductor switching element) 12 used as a switching element for performing the dependent trigger of the triax 3 is connected to the capacitor 11 through a rectifier diode 18.
and the rectifier diode 17, and the emitter of the transistor 12 is connected to the AC power supply 1 and the heater 2.
Transistor 1
At the base of 2, when the phase of the power supply voltage is reversed, the transistor 12 is turned on instantaneously, and the TRIAT 3 is activated.
It is connected to another AC power supply terminal through a resistor 14 so that current flows through the gate of the AC power supply terminal. Also, the gate of triac 3 is connected to capacitor 11 through resistor 15.
and the anode of the auxiliary thyristor 6.

なおトランジスタ12のベース、エミツタ間に
逆接続されたダイオード16はトランジスタ12
を電圧破壊から防止するためのダイオードであ
る。又抵抗7と抵抗21との比があまり大きくな
いときには感熱サイリスタ4の電圧破壊を防止す
るため抵抗21と直列に整流ダイオードを接続す
る。その他の符号は第1図において説明した符号
と同じである。本発明の動作を第2図に基づいて
説明する。まず恒温槽の温度が所定の温度より低
いときについて考える。交流電源1の負の半サイ
クル期間では感熱サイリスタ4はオフ状態にある
ので、電源電圧の位相が零より進み、電源電圧
が、ツエナーダイオード5のツエナー電圧より高
くなると、交流電源1から、抵抗21、ツエナー
ダイオード5を通して補助サイリスタ6のゲート
にゲート電流が流れる。このため補助サイリスタ
6はオン状態となり交流電源1→ヒータ2→トラ
イアツク3のT1端子→ゲート→抵抗15→補助
サイリスタ6→交流電源1のループでトライアツ
ク3にゲート電流が流れてトライアツク3がオン
状態となる。したがつてヒータ2には電力が供給
される。この負の半サイクル期間中にコンデンサ
11は抵抗13、整流ダイオード17を通して図
示の極性に充電される。次に電源電圧が反転して
正の半サイクル期間に移行すると、抵抗14を通
してトランジスタ12のベースに電流が流れ、ト
ランジスタ12はオンとなる。そのため、コンデ
ンサ11の充電電荷はコンデンサ11→整流ダイ
オード18→トランジスタ12→ヒータ2→トラ
イアツク3のT1端子→ゲート→抵抗15→コン
デンサ11のループでトライアツク3にゲート電
流が流れ、正の半サイクルのはじめにトライアツ
ク3がトリガされ、負の半サイクルに引き続き、
正の半サイクルでもトライアツク3がオン状態と
なり交流電源1よりヒータ2に電力を供給する。
このようにして温度が低いときには感熱サイリス
タ4がオフ状態にあるので、ヒータ2は加熱し続
け温度が上昇する。
Note that the diode 16 connected in reverse between the base and emitter of the transistor 12 is connected to the transistor 12.
This is a diode to prevent voltage breakdown. Further, when the ratio between the resistor 7 and the resistor 21 is not very large, a rectifier diode is connected in series with the resistor 21 to prevent voltage breakdown of the heat-sensitive thyristor 4. Other symbols are the same as those explained in FIG. The operation of the present invention will be explained based on FIG. First, let us consider the case where the temperature of the constant temperature bath is lower than a predetermined temperature. Since the heat-sensitive thyristor 4 is in the off state during the negative half cycle period of the AC power supply 1, when the phase of the power supply voltage advances from zero and becomes higher than the Zener voltage of the Zener diode 5, the resistance 21 is removed from the AC power supply 1. , a gate current flows through the Zener diode 5 to the gate of the auxiliary thyristor 6. Therefore, the auxiliary thyristor 6 is turned on, and the gate current flows to the triax 3 in the loop of AC power supply 1 → heater 2 → T1 terminal of triax 3 → gate → resistor 15 → auxiliary thyristor 6 → AC power supply 1, and triax 3 is turned on. state. Therefore, electric power is supplied to the heater 2. During this negative half cycle, capacitor 11 is charged to the polarity shown through resistor 13 and rectifier diode 17. Next, when the power supply voltage is reversed and shifts to a positive half cycle period, current flows through the resistor 14 to the base of the transistor 12, and the transistor 12 is turned on. Therefore, the charge in the capacitor 11 is transferred to the capacitor 11 → rectifier diode 18 → transistor 12 → heater 2 → T1 terminal of triac 3 → gate → resistor 15 → capacitor 11, and the gate current flows to triac 3, resulting in a positive half cycle. Triack 3 is triggered at the beginning of , and following the negative half cycle,
Even in the positive half cycle, the triac 3 is turned on and power is supplied from the AC power source 1 to the heater 2.
In this way, when the temperature is low, the heat-sensitive thyristor 4 is in the off state, so the heater 2 continues to heat and the temperature rises.

次に温度が高くなり、所定の値以上になると、
感熱サイリスタ4がオン状態となり、補助サイリ
スタ6のゲートを短絡するので、補助サイリスタ
6はオン状態とはならない。
Next, when the temperature rises and exceeds a predetermined value,
Since the heat-sensitive thyristor 4 is turned on and the gate of the auxiliary thyristor 6 is short-circuited, the auxiliary thyristor 6 is not turned on.

したがつて、トライアツク3もトリガされない
のでオン状態にはならず、ヒータ2には電力は供
給されない。補助サイリスタ6及びトライアツク
3がオフ状態ならば、負の半サイクル期間中にコ
ンデンサ11は充電されないため、次の正の半サ
イクル期間にトランジスタ12がオンとなつて
も、トライアツク3にはゲート電流が供給されず
ヒータ2には電力は供給されない。このようにし
て温度の高いときは正負の両サイクル期間ともヒ
ータ2には電力が供給されない。
Therefore, since the triator 3 is not triggered, it is not turned on, and no power is supplied to the heater 2. If the auxiliary thyristor 6 and the triax 3 are off, the capacitor 11 will not be charged during the negative half cycle, so even if the transistor 12 is turned on during the next positive half cycle, the triax 3 will have no gate current. Therefore, no power is supplied to the heater 2. In this way, when the temperature is high, no power is supplied to the heater 2 during both positive and negative cycle periods.

次に温度が再び所定の値より低下すると、再び
感熱サイリスタ4がオフ状態となつてヒータ2に
電力が供給される。
Next, when the temperature falls below the predetermined value again, the heat-sensitive thyristor 4 is turned off again and power is supplied to the heater 2.

以上のようにして、トライアツク3はオンオフ
を繰返して温度は所定の値に保たれる。
As described above, the triax 3 is repeatedly turned on and off, and the temperature is maintained at a predetermined value.

第3図は、本発明の他の実施例を示したもので
ある。第3図は第2図のコンデンサ11の充放電
の方法を簡略化したものである。コンデンサ11
の充電は整流ダイオード16、トランジスタ12
のベースコレクタ及び抵抗13を通して行われ、
放電は整流ダイオード19、トランジスタ12を
通して行われる。これ以外の動作は第2図のそれ
と全く同じである。
FIG. 3 shows another embodiment of the invention. FIG. 3 shows a simplified method of charging and discharging the capacitor 11 shown in FIG. capacitor 11
is charged by rectifier diode 16 and transistor 12
through the base collector and resistor 13,
Discharge occurs through the rectifier diode 19 and the transistor 12. The other operations are exactly the same as those shown in FIG.

次に第2図の回路で、トランジスタ12と整流
ダイオード18の代わりに逆阻止サイリスタを接
続しこの逆阻止サイリスタのゲートをトランジス
タ12のベースの代わりに抵抗14に接続しても
同様な動作が得られる。
Next, in the circuit shown in FIG. 2, if a reverse blocking thyristor is connected in place of the transistor 12 and the rectifier diode 18, and the gate of this reverse blocking thyristor is connected to the resistor 14 in place of the base of the transistor 12, the same operation can be obtained. It will be done.

又第2図、第3図で第1の半導体スイツチング
素子としては補助サイリスタ6を用いているが、
トランジスタに置きかえても同様な動作が得られ
る。又感熱サイリスタ4の代わりにサーマルリー
ドリレーなどの感熱スイツチング素子を用いても
よい。さらに上記実施例において、ヒータ2の加
熱状態を知るために、ヒータ2と並列にランプを
設けて構成しても良く、この場合ランプのチラツ
キのない良好な監視が行なえる。
Furthermore, although the auxiliary thyristor 6 is used as the first semiconductor switching element in FIGS. 2 and 3,
A similar operation can be obtained by replacing it with a transistor. Further, instead of the heat-sensitive thyristor 4, a heat-sensitive switching element such as a thermal reed relay may be used. Further, in the above embodiment, a lamp may be provided in parallel with the heater 2 in order to know the heating state of the heater 2, and in this case, good monitoring without flickering of the lamp can be performed.

本発明の説明では例えば恒温槽を例にして行つ
たが、感熱サイリスタによつて検出する温度は空
気、熱板、壁面及び、水温、油温などの液温のい
ずれでもよい。
Although the present invention has been described using a constant temperature bath as an example, the temperature detected by the heat-sensitive thyristor may be any of air, a hot plate, a wall surface, and liquid temperature such as water temperature and oil temperature.

第2図の説明では感熱サイリスタ4は一個とし
ているが、温度の検出個所を多く必要とする場合
には複数個設け、目的に応じて並列又は直列にし
てもよい。
In the explanation of FIG. 2, one heat-sensitive thyristor 4 is used, but if a large number of temperature detection points are required, a plurality of heat-sensitive thyristors 4 may be provided, and they may be arranged in parallel or in series depending on the purpose.

また、本発明では負荷としてヒータを用い温度
制御装置として説明しているが、温度警報装置な
どへも応用できる。例えば、負荷として交流ブザ
ー又はランプを組合わせれば温度が上昇し、急険
な温度に達したとき、ブザーを鳴らしたり、ラン
プを点灯したりして警報を発することができる。
Furthermore, although the present invention has been described as a temperature control device using a heater as a load, it can also be applied to a temperature alarm device and the like. For example, if an AC buzzer or a lamp is combined as a load, the temperature will rise and when the temperature suddenly reaches a precipitous temperature, an alarm can be issued by sounding a buzzer or lighting a lamp.

さらに負荷としてフアンを組合わせると、所定
の温度以上になると、フアンが回わりはじめ換気
する換気扇、室内温度に応じてフアンが回転し、
室内の温度を調整するフアンユニツト(リビング
マスタなど)、エアコンなどにも応用できる。
Furthermore, when a fan is combined as a load, when the temperature exceeds a predetermined temperature, the fan starts rotating and provides ventilation, and the fan rotates according to the indoor temperature.
It can also be applied to fan units (living masters, etc.) that adjust indoor temperature, air conditioners, etc.

この発明は以上説明したように、交流電源に対
して感熱スイツチング素子を並列に接続して構成
したので、その感熱スイツチング素子の端子が交
流電源のラインから浮くことがなく、そのため外
来ノイズ、サージ電圧による誤動作が防止されて
安定に動作し、また第1、及び第2の半導体スイ
ツチング素子とコンデンサによつてトライアツク
にゲート電流を供給するよう構成したので、ヒー
タには必らず全波電流が流れ、トライアツクのオ
ン、オフ移行時に一時的に半波導通になるという
現象を防止できる効果があり、さらにはトライア
ツクにゲート電流を供給するスイツチング素子と
して半導体スイツチング素子を使用することによ
り、自己発熱による誤差を低減することができる
とともに上記コンデンサを小さくできる等の実用
上の効果がある。
As explained above, this invention is constructed by connecting a heat-sensitive switching element in parallel to an AC power supply, so that the terminals of the heat-sensitive switching element do not come off the line of the AC power supply, and therefore, external noise and surge voltage are reduced. Since malfunction caused by the heater is prevented and the heater operates stably, and since the first and second semiconductor switching elements and the capacitor are configured to supply gate current to the triax, a full-wave current always flows through the heater. This has the effect of preventing the phenomenon of temporary half-wave conduction during the ON/OFF transition of the triax, and furthermore, by using a semiconductor switching element as the switching element that supplies the gate current to the triax, errors due to self-heating can be reduced. This has practical effects such as being able to reduce the size of the capacitor and making the size of the capacitor smaller.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の温度制御装置を示す回路図、第
2図はこの発明の一実施例である温度制御装置を
示す回路図、第3図はこの発明の他の実施例を示
す回路図である。 図中、1は交流電源、2はヒータ、3はトライ
アツク、4は感熱サイリスタ、5はツエナーダイ
オード、6はサイリスタ、11はコンデンサ、1
2はトランジスタである。なお、図中同一符号は
同一または相当部分を示す。
Fig. 1 is a circuit diagram showing a conventional temperature control device, Fig. 2 is a circuit diagram showing a temperature control device which is an embodiment of the present invention, and Fig. 3 is a circuit diagram showing another embodiment of the present invention. be. In the figure, 1 is an AC power supply, 2 is a heater, 3 is a triac, 4 is a heat-sensitive thyristor, 5 is a Zener diode, 6 is a thyristor, 11 is a capacitor, 1
2 is a transistor. Note that the same reference numerals in the figures indicate the same or corresponding parts.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 交流電源と、前記交流電源より電力を供給さ
れ、温度を上昇させるための負荷手段と、前記負
荷手段へ供給する電力をオンオフにより制御する
トライアツクと、前記交流電源に対して抵抗を介
して並列接続するとともに、前記負荷手段から生
じた温度を検出し、所定の温度以上になるとオ
ン、所定の温度以下に低下すると、オフとなる1
個又は複数個の感熱スイツチング素子と、前記交
流電源の負の半サイクル期間中に前記感熱スイツ
チング素子がオフのときオンとなり、前記トライ
アツクにゲート電流を供給する第1の半導体スイ
ツチング素子と、前記感熱スイツチング素子がオ
フのとき前記第1の半導体スイツチング素子の制
御端子に信号を印加する手段と、前記交流電源の
負の半サイクル期間中に前記第1の半導体スイツ
チング素子がオンとなり、前記トライアツクがオ
ンとなつたとき充電し、前記交流電源が正の半サ
イクルになつたとき放電することにより前記トラ
イアツクにゲート電流を供給するコンデンサと、
前記交流電源が正の半サイクルに反転したとき、
前記コンデンサの充電電荷を放電し、前記トライ
アツクのゲートに電流を供給する第2の半導体ス
イツチング素子を有する温度制御装置。 2 第1の半導体スイツチング素子はサイリスタ
で構成することを特徴とする特許請求の範囲第1
項に記載の温度制御装置。 3 第1の半導体スイツチング素子はトランジス
タで構成することを特徴とする特許請求の範囲第
1項に記載の温度制御装置。 4 第2の半導体スイツチング素子はサイリスタ
で構成することを特徴とする特許請求の範囲第1
項に記載の温度制御装置。 5 第2の半導体スイツチング素子はトランジス
タで構成することを特徴とする特許請求の範囲第
1項に記載の温度制御装置。
[Scope of Claims] 1. An AC power supply, a load means supplied with power from the AC power supply and for raising the temperature, a triax for controlling power supplied to the load means by turning on and off, and a triax for the AC power supply. are connected in parallel through a resistor, and detect the temperature generated from the load means, and turn on when the temperature exceeds a predetermined temperature, and turn off when the temperature drops below a predetermined temperature.
a first semiconductor switching element that is turned on when the heat-sensitive switching element is off during a negative half cycle of the AC power source and supplies a gate current to the triax; means for applying a signal to a control terminal of the first semiconductor switching element when the switching element is off; and means for applying a signal to a control terminal of the first semiconductor switching element when the switching element is turned off; a capacitor that supplies a gate current to the triax by charging when the alternating current source reaches a positive half cycle and discharging when the alternating current power supply enters a positive half cycle;
When the AC power source reverses to a positive half cycle,
A temperature control device comprising a second semiconductor switching element for discharging the charge in the capacitor and supplying current to the gate of the triac. 2. Claim 1, wherein the first semiconductor switching element is composed of a thyristor.
Temperature control device as described in section. 3. The temperature control device according to claim 1, wherein the first semiconductor switching element is composed of a transistor. 4. Claim 1, characterized in that the second semiconductor switching element is constituted by a thyristor.
Temperature control device as described in section. 5. The temperature control device according to claim 1, wherein the second semiconductor switching element is composed of a transistor.
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