JPS6255972A

JPS6255972A - 発光素子

Info

Publication number: JPS6255972A
Application number: JP60197449A
Authority: JP
Inventors: Katsuji Takasu; 高須　克二; Masafumi Sano; 政史佐野; Hisanori Tsuda; 津田　尚徳; Yutaka Hirai; 裕平井
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1985-09-05
Filing date: 1985-09-05
Publication date: 1987-03-11

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、Ｏ，Ａ機器等に利用される光源或いは表示に
使用される発光素子に関する。

〔従来の技術〕

従来、発光素子の発光層を構成する材料としては、種々
のものが報告されているが、その中でも例えばＡｐｐｌ
、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ。

２９　（１９７６）、ＰＰ６２０−６２２．Ｊ　。

１、Ｐａｎｋｏｕ、Ｄ、Ｅ、Ｃａｒｌｓｏｎ。

やＪ　ｐｎ、Ｊ　、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、２１（１９８
２）ＰＰ４７３−４７５．に、Ｔａｋａｈａｓｈｉ他、
に記載されている水素原子を含む非単結晶シリコン（以
後、ｒ　ｎ　ｏ　ｎ、　−Ｓｉ：ＨＪ　と記す）は、単
結晶シリコンと同様の半導体工学の適用が可能であるこ
と、及び潜右曲特性に優れたものがある可能性があるこ
と等の為に注目されている材料の１つである。

上記引用文献に記載されたｎｏｎ−Ｓｉ：Ｈを発光材料
に用いた発光素子の構成は、Ｐ型不純物を含有するＰ型
体導層（Ｐ層）と、Ｐ型及びＮ型のいずれの不純物も含
有しない層（ノンドープ層）と、Ｎ型不純物を含有する
Ｎ型伝導層（Ｎ層）とを積層したホモ接合を有する。

〔解決しようとする問題点〕

しかしながら、この様な構成の従来報告されている発光
素子では、十分な発光量の可視光領域の発光が得られて
おらず、加えて発光強度が弱く、寿命も短い、発光特性
の安定性に欠けると実用的には改良すべき点の多くを残
している。

上記改良案の１つとして、ｎｏｎ−５ｉ：Ｈに炭素原子
を加えて、光学的バンドギャップを拡大し、可視波長領
域の発光を得る試みもなされているが、実用的には未だ
問題を残しており。

０、Ａ機器等に利用される光源素子や表示素子としては
、未だ工業化されるには至っていない。

〔目　的〕

本発明は、上記従来の欠点を改良した発光素子を提供す
ることを主たる目的とする。

本発明の別の目的は、可視波長領域に充分な発光量を有
し、発光効率と再現性の向上を計った発光素子を提供す
ることである。

本発明のもう１つの目的は１発光特性の安定性と寿命を
飛躍的に向上させた発光素子を提供することである。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の発光素子はＮ型伝導層と第１の半導体性中間層
（Ｉ）とＰ型体導層と第２の半導体性中間層（ＩＩ）と
がこの順で積層された層構造を有する発光層と、該発光
層に電気的に接続された少なくとも一対の電極とを有し
、前記発光層は、シリコン原子と炭素原子と水素原子を
含む非単結晶材料から成り、光学的バンドギャップが２
．０ｅＶ以上である事を特徴とする。

〔作　用〕

本発明の発光素子は、上記の構成とすることによって、
可視波長領域に発光ピークを有すると共に充分な発光量
を得、発光効率と再現性を高めることが出来、発光特性
の安定性と寿命を飛躍的に向上させることが出来る。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第１図は、本発明の発光素子の好適な実施態様例の層構
成を示す模式的層構成図である。

第１図に示される発光素子は、基体１０１上に設けられ
た電極１０３上に、Ｐ型体導層（Ｐ層）、第１の半導体
性中間層（Ｉ）Ｎ型伝導層（Ｎ層）及び第２の半導体性
中間層（ＩＩ　）とから成る発光層１０４、該発光層１
０４上に設けられた電極１０５とで構成されている。

１０２は下引層であって、基体１０１と電極１０３との
間の密着性を向上させる目的で設けられるもので、必ず
しも要するものではない。

第１図に示す発光素子を面状発光素子として使用する場
合には、電極１０３又は／及び電極１０５は発光色の色
までも利用するのであれＩｆ、透明であることが必要で
あり、発光量を利用するのであれば１発光する光に対し
て透光性であるのが望ましい、電極１０３側より発光々
を取り出す場合には、基体１０１は電極１０３と同様透
明であるか若しくは発光する光に対して透光性であるこ
とが望ましい。

本発明の発光素子は、前記の様に発光層１０４を構成す
るＰ型体導層（Ｐ層）、第１の半導体性中間層（Ｉ）Ｎ
型伝導層（Ｎ層）及び第２の半導体性中間層（ＩＩ　）
層が、シリコン原子（Ｓ　ｉ）と炭素原子（Ｃ）と水素
原子（Ｈ）を含む非晶質材料（以後ｒｎｏｎ−５ｆＣ：
Ｈ」と略記する）で構成される。

発光層１０４は上記のＰ層、中間層（Ｉ）、Ｎ層、中間
層（ＩＩ　）とがこの順で積層された層構造を有するも
ので、該層構造は、発光特性より向上させる目的で周期
的に繰返されるのが望ましい、その場合、繰返し周期数
は、−周期内の各層の層厚に応じて適宜法められるもの
であるが、各層を量子力学的サイズ効果が出る程に薄層
化する場合には十数周期乃至数十周期とされるのが望ま
しい。その場合、発光層１０４の両端部側は必ずしもそ
の周期層構造の層構成順になってなくても良い。

７！１７　チ、例え１．ｆ［Ｐ層１１　中ｎ１層（Ｉ）
−Ｎ層・中間層（ＩＩ）ＪｎＮ層・寥導体性中間層（Ｉ
［［）・Ｐ層とされる。この際、中間層（Ｉ）、中間層
（ＩＩ　）及び中間層（Ｉ［Ｉ）は、夫々異なる電気伝
導特性であっても良いし、同様の電気伝導特性であって
も良い。

本発明に於いて、Ｐ層、中間層（Ｉ）、Ｎ層及び中間層
（ＴＩ）の層厚は、超格子構造を導入するか、或いは単
なる繰返し周期層構造とするｚ裂ヤ更には素子に要求さ
れる発光特性等を考慮して適宜所望に従って選択される
。

本発明の発光素子に於いては、Ｐ層及びＮ層の層厚とし
ては、好ましくは５人〜１００００人、より好適には８
久〜８０００人、最適には１０人〜７０００人とされる
のが望ましい。

中間層（１）及び中間層（ＩＩ）の層厚としては、好ま
しくは５人〜１５００００人、より好適には８大〜１０
０００人、最適にはｌｏ入入日８０００人されるのが望
ましい。

本発明の発光素子に於いては、半導体性中ｒＵｉ層（Ｉ
）及び半導体性中ｒ！ｆ１層（ＴＩ　）は、真性半導体
特性を示すＩ型伝導層若しくは、僅かにＮ型又はＰ型の
伝導層として形成される。そして、ｎｏｎ−３ｉＣ：Ｈ
で構成される層は、その一般的傾向より所謂Ｐ型及びＮ
型のいずれの不純物も含有しない場合には、僅かにＮ型
傾向を示すので、１型伝導層とするには、僅かにＰ型不
純物を含有させる。

本発明に於いて、超格子構造を導入する為にはＰ層、Ｎ
層、中間層（１）及び中間層（ＩＩ　）の夫々の層厚は
、夫々の層量蕎を構成する材料及び要求される素子特性
に応じて、適宜所望に従って決定されるが、量子サイズ
効果が顕著には、好ましくは、５人〜１００人、より好
適には８久〜８０人、最適には１０久〜７０人とされる
のが望ましい。殊に、キャリアのドブロイ波長程度、或
いはキャリアの平均自由行程の程度とされるのが望まし
い。

発光層中に含有される水素原子（Ｈ）は、シリコン原子
の自由ダングリングボンドを補償し、その含有量は形成
される層の半導体特性。

光学的特性及び素子の発光特性を左右する重要因子であ
って、本発明に於いては、水素原子（Ｈ）の含有量は好
適にはシリコン原子と炭素原子との和に対して０．１〜
４０原子％、より好適には０．５〜３５原子％、最適に
は１〜３０原子％である６発光層を構成するＰ型伝導層及びＮ型伝導層は、層形成
する際にＰ型伝導特性を与えるＰ型不純物或いはＮ型伝
導特性を与えるＮ型不純物を夫々含有するか或いは既に
ｎｏｎ−ＳｉＣ：Ｈで構成された層中に、Ｐ型又はＮ型
の不純物をイオンインプランテーション法等の手段で注
λ１．てめれば白い− Ｐ型不純物としては、所謂周期律表第■族に属する原子
（第■族原子）、即ちＢ（硼素）。

ＡＪ２（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）。

Ｉｎ（インジウム）、Ｔ−１１！（タリウム）等があり
、殊に好適に用いられるのは、Ｂ、Ｇａである。

Ｎ型不純物としては、周期律表第■族に属する原子（第
Ｖ族原子）、例えばＰ（燐）　　、Ａｓ（砒素）、ｓｂ
（アンチモン）　　、Ｂｉ　　（ビスマル）等であり、
殊に、好適に用いられるのはＰ、Ａｓである。

これ昧の不純物は、形成される層の電気伝導特性、ミツ
ドギャップでの局在準位密度等を考慮して、適宜所望に
従ってその含有量が決定される。

本発明においては、光ＣＶＤ法（光エネルギーを反応に
利用した化学的気相法による堆積膜形成法）の採用によ
り前述の構成を与えることが出来るものであり、前記の
不純物を導入する為の原料物質も光ＣＶＤ法に適合する
ものを選択して使用するのが望ましい。

本発明の発光素子は、発光層を挾持して設けられる一組
の電極から発光層中に注入されるキャリア（エレクトロ
ン、ホール）が半導体性中間層の内部電界によって、夫
々、エレクトロンはＮ層近傍に、ホールは、２層近傍に
蓄積されるので通常のバルクの場合に比較して、エレク
トロン及びホールの寿命が長い。その為に発光効率が極
めて高い。又、周期的積層による多層構造を有するので
、エレクトロンとホールの発光に寄与する有効な再結合
領域が複数存在し。

発光効率をより向上させることが出来る。

本発明の発光素子に於いては、印加されるバイアス電圧
は、各層の接合部に順バイアスが印加される様に選択さ
れ、一旦発光層中に注入されたエレクトロンとホールの
再結合する確率が高くなる様にバイアスの大きさが調整
される。

その際のバイアスはＤＣバイアスと同時にＡＣ又はパル
スバイアスが好ましくは用いられる。

本発明においては、可視域の発光波長を得る為に、発光
層を構成する各層の光学的バンドギャップＥｇｏｐｔは
、２．０ｅＶ以上とされるのが望ましい。

発光層を構成する各層は、光学的バンドギャップの中心
（ミツドギャップ）での局在準位密この様に、各層の物
性値を制御することによって、再結合の効率を飛躍的に
向上させることが出来、従って発光効率の向上を一層計
ることが出来る。

又、発光層の外部量子効率を１０−４％以上になる様に
再結合の準位の分布を制御することによって、高い強度
の発光を示す発光素子を得ることが出来る。

上述した様な特性を有する発光素子は、前記した様に光
ＣＶＤ法によって後述の条件で作成されるのが望ましい
。本発明の発光素子の作成法は１本発明の目的が達成さ
れるのであれば、光ＣＶＤ法に限定されるものではなく
、適宜所望の条件に設定して、例えばＨＯＭＯＣＶＤ法
。

プラズマＣＶＤ法等によって成されても良い。

本発明の発光素子を構成する基体及び電極を構成する材
料としては、通常発光素子分野において使用されている
材料の殆んどを挙げることが出来る。

基体としては、導電性でも電気絶縁性であっても良いが
、比較的耐熱性に優れているのが望ましい。

導電性基体の場合には、基体と発光層との間に設けられ
る電極は、必ずしも設ける必要はない。

導電性基体としては、ＮｉＣｒ、ステンレス、ＡｆＬ、
Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｎｂ、Ｔａ。

Ｖ、Ｔｉ等を挙げることが出来る。

電気絶縁性基体としては、ポリエステル、ポリエチレン
、ポリカーボネイト、ポリアミド。

等々の合成樹脂のフィルム、又はシート、或いはガラス
、セラミックス、等々を挙げることが出乎為。

基体として電気絶縁性のものを採用する場合には、発光
層との間の電極として、その表面が導電処理される。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ、Ａｎ
、Ｃｒ、Ｎｏ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ。

Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ　、Ｐｔ　、Ｐｄ、Ｉｎ２０３Ｓｎ０２
　、ＩＴＯ（Ｉ　ｎ２０３＋５ｎ０２）等から成る薄膜
を設けることによって導電性が付与され、或いはポリエ
ステルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣ
ｒ、Ａｉ、Ａｇ。

Ｐｂ、Ｚｎ、Ｎｉ　、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｒ。

Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着
、電子ビーム蒸着、スパッタリング等でその表面に設け
、又は前記金属でその表面をラミネート処理して、その
表面に導電性が付与される。

本発明の発光素子の作成方法の具体例を第４図に示す光
ＣＶＤ装置を用いて以下に説明する。以下に説明される
作成手段及び作成条件は、好適な例を示すもので、本発
明を限定するものでないことは云うまでもない。

第３図中、１は堆積室であり、内部の基体支持台２上に
所望の基体３が載置される。

４は基体加熱用のヒータであり、導線５を介して給電さ
れ、発熱する。基体温度は特に制限されないが、一般に
発光層の光学的バンド・ギャップを犬きくして可視の発
光を得るためには、３００℃以下であることが望ましい
。

６〜９は、ガス供給源であり、通常状態で液状の原料物
質を使用する場合には、適宜の気化装置を具備させる。

気化装置には、加熱沸騰を利用するタイプ、液体原料中
にキャリアガスを通過させるタイプ等があり、いずれで
もよい。

ガス供給源の個数は４個に限定されず、使用する原料物
質の種類の数、希釈ガス等を使用する場合においては、
該希釈ガスと原料ガスとの予備混合の有無等に応じて適
宜選択される６図中、ガス供給源６〜９の符号に、ａを
付したのは分岐管、ｂを付したのは流量計、Ｃを付した
のは各流量計の高圧側の圧力を計測する圧力計、ｄ又は
ｅを付したのは各気体流の開閉及び流量の調整をするた
めのバルブである。

各ガス供給源から供給されるガス状の原料物質等は、ガ
ス導入管１０の途中で混合され、図示しない換気装置に
付勢されて、室１内に導入される。又は、各ガス供給源
から交互に室１内に導入される。１１は、室１内に導入
されるガスの圧力を計測するための圧力計である。また
、１２はガス排気管であり、堆積室１内を減圧したり、
導入ガスを強制排気するための図示しない排気装置と接
続されている。

１３はレギュレーターバルブである。原料ガス等を導入
する前に、室１内を排気し、減圧状態とする場合、室内
の圧力は、好ましくは５Ｘ１０−５Ｔｏｒｒ以下１より
好ましくは１×１Ｏ−ＧＴｏｒｒ以下とされるのが望ま
しい。また、原料物質ガス等を導入した状態において、
室１内の圧力は、好ましくはＩ　Ｘ　１０−２〜１００
Ｔｏｒｒ、より好ましくは５×１０−２〜１０Ｔｏ　ｒ
　ｒであるとされるのが望ましい。

本発明で使用する励起エネルギー供給源の一例として、
１４は光エネルギー発生装置であって、例えば水銀ラン
プ、キセノンランプ、炭酸ガスレーザ、アルゴンイオン
レーザ、エキシマレーザ等が用いられる。なお、本発明
で用いる光エネルギーは紫外線エネルギーに限定されず
、原料ガスに化学反応を起こさせ堆積膜を形成すること
ができるものであれば、波長域を問うものではない。

光エネルギー発生装置１４から適宜の光学系を用いて基
体全体或いは基体の所望部分に向けられた光１５は、矢
印１６の向きに流れている原料物質ガス等に照射される
。

発光素子の作成例として具体的には、まず、基体として
、ガラス基板（ｃ＃７０５９）を用いて、その上に導電
性層として６００久厚のＩＴＯ層をスパッタリングによ
り形成する。膜の抵抗値としては約５０Ω／口とする。

次に上記導電性基体３を、第４図に示す様な光ＣＶＤ装
置の基体ホルダー２に設置し、まずポンプ１２で真空に
排気する。真空度が約Ｉ　Ｘ　１０−６以下になったと
ころで、基体ホルダー２の温度を上げ、基体温度を所望
に従って設定する。

本発明においては、基体温度としては、好適には一２０
℃〜３００℃、より好適にはｏ’ｃ〜２５０℃とされる
のが望ましい。

次に、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ６、Ｃ３Ｈ５、Ｃ４Ｈ１０，Ｃ２
Ｈ４，Ｃ３Ｈ６，Ｃ４Ｈ８，Ｃ２Ｈ２，ＣＨ３Ｃ２Ｈ，
（ＣＨ３）ＳｉＨ２゜（ＣＨ３）　３　Ｓ　ｉ　Ｈｈｉ
；（１）炭素化合物のガスＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６，５ｉ
３ＨＢ等のシラン系ガス、及び必要に応じて不純物導入
用のガス（８２Ｈ６、ＰＨ３、Ｐ２Ｈ４等）を６，７゜
８．９のボンベ、６ｂ〜９ｂのフローメーターを用いて
堆積室１に流入する。このＤ　Ｈ２。

Ａｒ、Ｈｅなどのガスを同時に流入してもよい。

次に、堆積室１上部より低圧水銀灯を用いて１８５　ｎ
ｍの光を基板上で約５〜５０ｍＷ／Ｃｍ２の強度で照射
し、層を増粘する。

Ｐ型、Ｎ型の伝導層を形成するためには、前記炭素系ガ
スと前記シラン系のガスと同時にＰ型の場合にはＢ２Ｈ
６等のガスをＨ２，Ａｒなどのガスと混合して濃度を調
整して堆積室１に流入する。又、Ｎ型の場合にはＰＨ３
，ＡｓＨ３等のガスをＨ２，Ａｒのガスと混合して堆積
室１に流入する。ガスの流入の後、圧力を調整し、ガス
に光を照射して分解し層を堆積する。Ｐ型体導層、半導
体性中間層、Ｎ型伝導層の層厚の制御は光強度及び光照
射時間を変化させて行う。

超格子構造を形成する為に、実際に極薄層を交互に積層
するには、各薄層を形成する為の原料ガスを、その都度
変える必要がある。即ち、異なる薄層の形成の度毎に原
料ガスの堆積室ｌへの導入を止め、排気装置により適当
な真空度まで排気して、オートドーピングを防ぐ様にす
る。又、各層の層厚を所望通りに制御する為にシャッタ
ー１７を開閉動作させることにより励起光の照射を断続
的に行う。

前記の発光素子の発光層を構成する各層の光学的バンド
ギャップは吸収係数αを測定し、ｌαｈνとｈνの関係
より、局在準位密度はＦＥ法より、又量子効率はダイオ
ードの発光特性（温度依存性布）より求めることが出来
る。

実施例１基体としてＩＴＯ基板を用いて、基体温度２２０℃で層
を作成した。Ｐ型体導層はＢ２Ｈｅ／（Ｃ３ＨＢ＋５ｉ
２Ｈ６）＝ｌＯ−２、（Ｃ３Ｈ８／Ｓ　ｉ　２Ｈ６＝１
／１０のｉＲ，量比、総流量１２０ＳＣＣＭ　（水素礼
状）、Ｎ型伝導層はＰＨ３／　（Ｃ３Ｈ８＋Ｓ　ｉ　２
Ｈ６）＝１（１２，Ｃ３ＨＢ／５ｉ２Ｈ６＝１／１０の
流量比で、総流量１２０ＳＣＣＭ（水素稀釈）、半導体
性中間層（Ｉ）及び（ＩＩ　）はＣ３Ｈ８／　Ｓ　ｉ　
２　Ｈ６＝　１　／　１０の流量比で総流量１２０ｓｅ
ｃＭで夫々を、堆積室１内に夫々導入して、圧力０．　
Ｉ　Ｔ　ｏ　ｒ　ｒ　、光強度４０ｍＷ／Ｃｍ２の条件
で反応させて夫々の層を作成した。この際のＰ型体導層
の層厚は２５久、半導体性中間層（Ｉ）及び（Ｔｌ）の
層厚は２５人、Ｎ型伝導層は２５又とし、このＰ層・中
間層（Ｉ）ｅＮ層・中間層（ＩＩ　）を一単位として２
０＠繰返してａ層し、その後上記の層厚でＮ層、中間層
（Ｉ）及びＰ層をこの順で積層した。

この様にして形成した発光層の上部表面にＡＪＩを１０
００人厚蒸着し、上部電極とした。

得られた発光素子は白色の発光を示し、その光学的バン
ドギャップが表１に示される。

実施例２実施例１と同様の装置、同様の条件で基体温度を２５０
℃に設定して層形成を行なった。

この時のＰ型体導層の層厚は３０人、半導体性中間層（
Ｉ）及び（ＩＩ　）の層厚は３０人、Ｎ型伝導層の層厚
は３０人であった。Ｐ層・中間層ＣＩ）・Ｎ層・中間層
（ＩＩ　）の繰返しは２０周期とした。得られた発光素
子は白色の発光を示しその光学的バンドギャップを表１
に示す。

実施例３実施例２と同様の装置で、対応する層の作成条件は同様
の条件として、Ｐ型体導層の層厚を２００人、中間層（
１）及び中間層（ＩＩ）の層厚を１５００人、Ｎ型伝導
層の層厚を２００人とし、これ等の層をＰ層・中間層（
Ｉ）・Ｎ層中中間層（■）・Ｐ層・中間層（Ｉ）−Ｎ層
の層構造に積層した。この様な構造の発光素子は発色発
光を示した。測定された素子の光学的バンドギャップが
表１に示される。

表　　　　１以上の実施例１〜３より本発明の発光素子は、従来のｎ
ｏｎ−５ｔ：Ｈを用いた発光素子が可視の領域での発光
量が小さく、強度も低いのに比較し、より高い強度の白
色発光が得られることがわかった。

又、各実施例における発光素子に就で、寿命を測定した
ところ、従来の発光素子に較べて一桁高い寿命を示し、
再現性の点でも良好で且つ発光特性は寿命測定において
常に安定していた。

〔効　果〕

上述した様に、本発明の発光素子は、可視波長領域に発
光ピークを有すると共に、充分な発光量を得、発光効率
と再現性を高めることが出来、発光特性の安定性と寿命
を水用的に高めることが出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の発光素子の好適な実施態様例の層構
成を示す模式図、第２図は本発明の発光素子を作成する
為の装置の一例を示す模式％式％

Claims

【特許請求の範囲】

（１）Ｎ型伝導層と第１の半導体性中間層（ I ）とＰ
型伝導層と第２の半導体性中間層（II）とがこの順で積
層された層構造を有する発光層と、該発光層に電気的に
接続された少なくとも一対の電極とを有し、前記発光層
は、シリコン原子と炭素原子と水素原子を含む非単結晶
材料から成り且つ光学的バンドギャップが２．０ｅＶ以
上である事を特徴とする発光素子。
（２）前記第１の半導体性中間層（ I ）又は／及び前
記第２の半導体性中間層（II）はＩ型伝導特性を有する
特許請求の範囲第１項に記載の発光素子。
（３）前記第１の半導体性中間層（ I ）又は／及び前
記第２の半導体性中間層（II）はＰ型及びＮ型の不純物
を含有しない特許請求の範囲第１項に記載の発光素子。
（４）前記の層構造が周期的である特許請求の範囲第１
項に記載の発光素子。
（５）発光層の量子効率が１０＾−＾４％以上である特
許請求の範囲第１項に記載の発光素子。