JPS62500270A - ビデオ出力部を有する撮像管、該撮像管を用いる撮映装置及び該撮像管の作動方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ビデオ出力部を有する撮像管、該撮像管を用いる撮映装置及び該撮像管の作動方 法本発明は、入射放射線の画像を電気信号に変換するだめのビデオ出力部を有す る撮像管に関する。

次に述べる説明に於いては、レントゲン写真撮影の分野で用いられるビデオ出力 部を有する撮像管、耶ちＸ−線変換器又は増強管について特に言及する。しかし ながら可視スペクトルの範囲内、Ｘ線又は中性子流等の非可視スペクトルの範囲 内の放射線を検出又は変換する撮像管ｌこ本発明を応用し得ることも当業者にと って明白なことである。このような場合に、変換すべき入射放射線ｌこ応じて入 力スクリーンを適合させるためには、入力スクリーンの特性を変える必要がある 。

本発明が解決する課題を完全に把握するために、第１（ａ）図及び第１（ｂ）因 にレントゲン写真撮影の分野に於いて用いられるビデオ出力部を有する２つの画 像システムを示す。この２つの画像システムはビデオ出力部を有するレントゲン 写真撮影画像増強管と、ビジコン管と光学的に接続した画像増強管によって構成 されるシステムである。

第１（ａ）図に示したビデオ出力部を有する画像増強管は参照数字１によってそ の全体が示されている。この画像増強管は、本図の左から右に見た場合、同一の 真空囲障２内に内蔵された撮映部と共に画像増強等自体から成っている。真空囲 障２はＸ−線ビームに対して透明な入口窓４を有しておシ、Ｘ−線ビームは被観 測体３を横断通過した後に横用される。

従って、この画像増強管は囲障内に −フラッシュデバイス又はフリツカーテバイス５と、Ｘ−Ｍを発光光子に変換し 次に光電子に確実に変換する光１陰極６とによって構成される入口スクリーン、 −電子を確実に集束させ且つ電子に加速電圧をかけるグリッドｇ＋　＋　ｇｚ及 びｇ３によって構成される電子光学部、−円錐状陽ＭＡ。

−面ｆ！で電子ビームの衝撃を受けるターゲット７、ターゲットの他方の面ｆ２ は、フィラメント８によって加熱された陰極Ｋによって生ずる電子ビームによシ 走査線ごとに水平に走査される。この電子ビームはグリッドｇ４〜ｇｔｌこよっ て集束され且つ加速される。

−電子ビームを集中させ且つ偏向させるためのコイル（図示せず） を内蔵している。

この場合、出力ビデオ信号Ｓはターゲット７０面ｆ、上に集められる。

第１（ｂ）図に示されるシステムは画像増強管Ｔ、光学的結合システムＬ及びビ ジコン管Ｖとから成っている。この画像増強管Ｔは第１（ａ）図に示した画像増 強管部と同一である。これらの２つの画像増強管の唯一の差異は、第１（ｂ）図 の画像増強管Ｔが被観測体の可視像を生ずるエレクトロルミネセントスクリーン ７′を含むことにある。同様に、ビジコン管Ｖは、第１（ａ）図に示した画像増 強管の掃映部と類似しているので再度詳細に説明しない。両方の図で同じエレメ ントには同じ参照符号を付した。

とりわけレントゲン写真撮影の分野に用いた場合のこれら２つの撮映装置の主要 な欠点は、その大きさが大きいことであって、特に大画像面用管についてはかさ ばることにある。実際に、画像増強等の場合電子光学部は広角開口部を設けると 画像の質を低下させる。このような状況のために１．３：１以上の長さ／画像面 比を選択することになる。同様に、ビジコン管の場合電気光学的理由から長さ／ 画像面比は４：１より大きい。従って、第１（ｂ）図に示したシステムの場合、 光学結合システムＬのためにビジコン管Ｖが画像増強管Ｔに対して垂直に配置さ れる場合でも、影像が大きくなるにつれて装置の奥行きが大きくなる。

例えば、有効面積を４０×４０ｃ１ｎ２とすると、在来の画像増強管の場合７５ ｎ以上の奥行きになる。

従って、広い画面を有し且つ奥行きが小さい撮映装置の製作が要求される場合に は、先行技術に於いて既に利用されている概念とは違った概念を利用する必要が ある。

本発明の要約 本発明は、公知の撮像管よりも小さな長さ／画像面比をもつビデオ出力部を有す る新規な撮像管に関する。

入射放射線の画像を電気イｇ号に変換する作用を行う本発明のビデオ出力部を有 する撮像管は、実質的に−入射放射線に対して透明な入口窓を備える真空囲障、 −基本容量部からなるモザイク電極を形成するスクリーン−光電陰極アセンブリ 、このアセンブリは入射放射線を電子流又は光電子流に確実に変換し且つ入射放 射線の画像を確実に記憶する、 −光電陰極の最高電位を決定し且つ光電子の抽出を誘発させる手段、 −電子流又は光電子流を用いて光電陰極に衝撃を与えることにより光電陰極を基 準電位に戻す手段、−光電陰極の走査を行う発光ビームの通路として真空囲障上 に設けられた少なくとも１個の光学窓、前記発光ビームは光電陰極の電位を最高 電位に導く作用をする、 −発光ビームによる走査中に得られる電気信号を集める手段、及び −別種の電子流又は光電子流を加速し且つ方向プけるため１こ各種の電位が与え られる電子光学部 から成っている。

この場合、電子光学部は光電陰極から生ずる光電子の画像をスクリーン上に形成 する作用を行わない。従って、電子光学部を極めてコンパクトな形状に製作する ことが可能であり、そのために長さ／画像面比を減少させ得る。

本発明は、上述のようなビデオ出力部を有する撮像管と共１こ、発光ビームを放 出する発光源と、光電陰極の全表面上で集束損失を伴わずに発光ビームを確実に 偏向させる走査システム又（ま掃引システムと、場合によυ発光ビームを光電陰 極に向かわせる光学的中継システムとから成っておシ、この中継システムは中間 分散面の画像を形成させる広角型の光学システムもしくは並置された微小レンズ のいずれかによって構成される撮映装置にも関する。

本発明は、データ記入記憶段階、読み取υ段階及びゼロ復帰段階とから成るビデ オ出力部を有する撮像管の作動法にも関する。この作動法の場合、 −データ記入記憶段階の間、入射放射線が放射されている状況のもとで、スクリ ーン−光電陰極アセンブリが入射放射線を検出又は変換して、光電子流を放出し 、この光電子流は陽極によって集められ、そのために光電陰極の各種点の電位が 変えられる、 −読み取９段階の間、光電陰極の各点は発光ビームを用いて走査され、その結果 前記各点の電位は電界グリッドによって与えられる最高電位に戻され、この光励 起ｉこよって得られる信号電流が集められる、次に −ゼロ復帰段階の間、光電陰極は電子流又は光電子流によって衝撃を受けて、光 電陰極の電位は基準電位に戻る。

本発明のその他の目的、利点及び特徴は添付図面を参照しながら説明する具体例 から明らかになるであろう。

第１（ａ）図は先行技術のビデオ出力部を有する画像増強管の略図、第１（ｂ） 図はビジコン管と光学的に結合された画像増強管を含むシステムの略図、第２図 は本発明の第１具体例によるビデオ出力部を有する撮像管の略図、第３図は本発 明の第２具体例によるビデオ出力部を有する撮像管の略図、第４図は本発明の撮 映装置の略図、第５図は本発明の撮像管に用いられるスクリーン−光電陰極アセ ンブリの拡大断面図、及び第６図は異なる作動段階に於ける光電陰極の各点の電 位を示す線図である。

各図面について、同じエレメントには同じ参照符号を用いた。

更に、よシ明瞭ｉこするために、各種のエレメントの大きさと寸法は考慮しなか った。

第２図及び第３図に示すように、本発明のビデオ出力部を有する撮像管は真空囲 障Ｅを備えている。この囲障はアルミニウム、ステンレススチール、鉄−ニッケ ル合金又は鉄−コバルト合金等の金属又は合金から造られるのが好ましい。囲障 Ｅはガラスから造られてもよい。然しなから、この場合、電位を明確にするため にガラスを金属被覆で被覆する。

囲障Ｅには、入射放射線、即ちレントゲン写真撮影の分野に用いられる管の場合 にはＸ−線に曝される面上に前記放射線に対して透明な入口窓Ｆ、を備えている 。この窓は薄いガラス、チタニウム、アルミニウム又は薄いスチールから造られ るのが好ましい。

囲障Ｅは、窓Ｆ１に対向する部分に発光ビームＬを通過させる少なくとも１個の 光学窓Ｆ２を備えている。第２図及び第３図に示すように光学窓Ｆ、を横方向ｌ こ設けることもでき、また、第４図に示す・ように光学窓Ｆ２を軸方向に設ける ことができる。

この第４図の配置は、後述するように感光性層又は光電陰極の光学的走査を有利 にする。

更に、真空囲障の大きさは長さ／画像面比が好ましくは０．５〜１になるよう正 こ選択される。

囲障内に下記のエレメント（図中入口窓Ｆ１から出発して左から右へと配置され る）が実質的に設けられる。

−スクリーン−光電陰極アセンブリ５ｃ−ｃ’、−電界グリッドｇ１１、 −　加速集束グリッドｇ’２ｅ　ｇ’ｓ　＋　ｇ’ｓと、電子を集めるだめの少 なくとも１個の陽極Ａ′とから成る電子光学部、及び−電子流又は光電子流を放 出する手段に、、に、。

Ｘ−線放射の場合には、スクリーン−光電陰極アセンブリは光放出性層又は光電 陰極Ｃ′で被覆したフリッカリングデバイスＳＣによって実質的に構成される。

このアセンブリは導電性支持電極ＥＣ上（こ配置されて、第５図に示されるよう な基本容量部を形成するように構成される。用いられるフリッカリングデバイス はＸ−線を発光光子に変換するための公知の７リツカリングデバイスのいずれで あってもよく、このフリッカリングデバイスはアルカリノ・ロゲン化物、アルカ リ土類）・ロゲン化物、オキシ硫化ガドリニウム、硫化亜鉛、Ｃａ　ＷＯ４等か ら造られる。

実際、フリッカリングデバイスは沃化セシウムから造られるのが好ましい。実際 上、例えばアルミニウムから造られた導電性基板上に沃化セシウムを相互蕃こ絶 縁された針の形状で設置して肺胞構造を有するスクリーンを得ることは公知であ る。光放出性層はフリッカリングデバイスと両立し得る公知の光放出性層のいず れかによって実現される。従って、光放出性層は、例えばアンチモン化アルカリ 金属から造ることができる。例えばフリッカリングデバイス上に配置したグリッ ドを介して蒸発させてアンチモン化アルカリ金属をフリッカリングデバイス上に 析出させて、モザイク状の構造体を得、第５図に示すような基本容量部を造る。

本明細書の序文に述べたよ月こ、スクリーンを構成する材料は入射放射線に応じ て変えられる。スクリーンを構成する材料は銹電体からできている。恐らく、７ リツカリングデバイスと光電陰極とが化学的Ｉこ両立し得ない場合には、フリッ カリングデバイスと光電陰極との間に阻止層（ｓｔｏｐ　１ａｙｅｒ）を設ける ことができる。この阻止層はアルミナ又はシリカの薄層から造シ得る。スクリー ンが沃化セシウムから造られ、また光電陰極がアンチモン化合物から造られてい る場合には、阻止層は不要である。

電界グリッドｇ’１は光電陰極Ｃ′の前方に設置される。この電界グリッドを光 電陰極Ｃ′かられずかな間隔を置いて平行に設置するのが好ましいけれどもこの ことは必須ではない。可変外部電位に接続されるこの電界グリッドＪＺ’＋は、 光Ｎ陰極Ｃ′の最高電位を決定する作用を行い且つ光電子の抽出を誘発する。

電界グリッドｇ′１はステンレススチール、ニッケル、銅、又ハ任意の類似金属 から造られるのが好ましい。電界グリッドｇ’ｓは発光光子に対する透明度を最 高にして光走査ビームの隠蔽を最小にする。他方、表面光電気を消滅させると同 時に光学的反射率を減少させるためにグリッドの表面を僅かに酸化させることが できる。

電界グリッドｇ’＋の次に加速集束グリッドｇ’ｂ及びｇ’ｓと場合によっては グリノｌ−″ｇ４によって囲まれた少なくとも１個の電極Ａ／とから実質的Ｉこ 成る光学システムが設置される。これらのグリッドと陽極の機能ｌこついて後述 する。

グリッドｇ’ｓ及びｇ’ｓは密閉形コネクタ（図示せず）を介して外部電圧供給 部と接続される。この電圧供給部はこれらのグリッドの電位を制御する。

電子を集めるために別種の陽極を用いることができる。第２図１こ示すように陽 極Ａ′は好ましくはＣｕＢｅ　、　ＡｇＭｇ又はＧａＰから造られた陽極である 。陽極Ａ′はグリッドＩＺ’４によって囲まれておシ、このグリッドは陽極Ａ／ の電位に対して適応し得る電位に接続されて、陽極Ａ′の二次電子の抽出を順調 にし、その結果として電子の増強作用を行う。

第３図に示した別の具体例によれば、陽極Ａ′は金属化カソードルミネセントス クリーンから成っており、このスクリーンは例えば残光性の極めて少くない金属 化リンから造られ、この金属化リンをガラスフィンガー上に析出させる。この陽 極は囲障の外部にある光増強器ＰＭ／こ向う発光光子の放出を可能にする。

更に、陽極Ａ／は公知の電子増強器の第１ダインードによって構成することもで きる。

同様ｌこして、光！陰極Ｃ′に電子流又は光電子流を送る手段に！、Ｋｚが囲障 内に設けられる。これらの手段は、第２図及び第３図に示したような１個又は数 個の熱放出性陰極に１及びに２によって構成される。然しなから、光放出性陰極 を用いることもできる。熱放出性陰極は一般に直接加熱又は間接加熱を伴う酸化 物陰極又はタングステンから造られた溝付きもしくは溝のない陰極である。熱放 出性陰極はコントロールグリッド又はウエネレットシリンダＷ　（ｗｈｅｎｅｌ ｔ　ｃｙｌｉｎｄｅｒ　Ｗ）によって囲まれている。このコントロールグリッド 又はウェネレットシリンダは陰極に！又はに２によって放出された電子流を遮蔽 し又は放出させ且つ電子が陰極を離れた場合に電子の行路を正確に制御する。光 放出性陰極はカリウム、ナトリウム、セシウム又はルビジニウム形のアルカリ金 属とアンチモンを組み合せて構成することもできる。

本発明の撮像管は、Ｓｂ　−Ｃｓ又はｓｂ−アルカリ金属、特に５ｂ−１＜−Ｃ ｓ形の光放出性層を製作するための手段等の画像増強管に普通Ｉこ設けられる別 の手段を含み得る。これらの手段は撮像管内に組み込むことができ、これらの手 段をエバポレータで構成するか又はポンプ配管を介して導入し得る物質で構成す ることができる。

真空を高度１こ維持するために活性ゲッタ及び／又は化学ゲッタを撮像管中に組 み入れることができる。

添付図面を簡単に把握するために、これらの手段は図示されていない。

第４図に示すように、本発明のビデオ出力部を有する撮像管は発光ビームＬを放 出する発光源と、光電陰極ｃｌの全表面上で集束損失を生ぜずに発光ビームを確 実に偏向させる走査システムＤと、場合によ多中継光学システムと協働する。こ の中継光学システムは散乱面Ｐによって構成され、この散乱面は例えば光学ファ イバプレー１と広角形の光学部Ｏを用いて得られる。

並置された微小レンズを用いることもできる。

本発明のビデオ出力部を有する撮像管の機能方法を第６図を特別に参照しながら 説明する。

機能方法は −入射放射線の画像を検出して、統合と記憶を介して電子画像に変換する段階、 −記憶した画像を読み取る段階、 −ゼロに復帰する段階 の３つの異なる段階から成っている。

ゼロに復帰する段階の間、熱放出陰極に、とに２は電界グリッドｇ’１の電位に 対して負の電位に導かれ、コントロール電極Ｗが解放される。このようにして陰 極に１とに２は光電陰極Ｃ／に向って電子を放出する。この電子の行路は、グリ ッドｇ’ｚとｇ’ｓに適用される電位によって、光電陰極Ｃ′に対して直角に衝 撃を与えるように制御される。例えば、陰極の電位に□、に２＝Ｏｖの場合、電 界グリッドｇ’１の電位は１００〜２００ｖの間に選択され、グリッドｇ’２と ｇ’ｓの電位は０〜５０Ｖの間に選択される。

電子衝撃によって、第６図の線図の右側の部分に示すように光電陰極の電位は連 続的に陰極Ｊ（、、Ｋ２の電位に到達する。

検出段階の間、被疲測体はＸ−線の照射を受ける。Ｘ−線放射は、被観測体と入 口窓を通過した後フリッカリングデバイスＳＣに達し、このデバイスＳＣはＸ線 の作用下で発光光子流を放出し、この発光光子流が光電陰極Ｃ′を励起する。こ の光励起が行われている状態のもとでは、光電陰極が光電子を放出し、この光電 子は電界グリッドｇ’＋を通過し２て陽極Ａ／によって集められる。これらの電 極は適切な電位に到達する。例えば、電界グリシｌ−″ｇ’、　ｏ電位ｇ’ｘ＝ １００Ｖならば、他）’ＩＭ極ｇ’２＋　ｇ’。

及びＡの電位は０〜１００ｖの正の値である。

陽極に向って放出される電子のために、各光電陰極エレメントの電位は放出され る電荷に応じて明確に変化し、第６図の線図の左側の部分にａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ 、ｆとして示される値をとる。

実際、各光電陰極エレメントがとり得る電位の最高限度は電界グリッドの電位に よって決定される。この電位以上ではもはや電子を放出しなくなる。この現象は ある種の画像の動特性を制限するのに有用なことに注目されたい。

検出を行った後は、入射画像の局部的な輝度が０から電界グリッドｇ’＋の電位 まで変化する分布に応じて光電陰極エレメントの電位によって変えられる。

読み取り段階は、発光ビームＬを用いて光電陰極Ｃ′の各点又は各エレメントを 継続的に探査することによって達成される。

この操作中陽極Ａ′は、例えば１００〜約１０００ボルトの間にある正の電位を 与えられる。グリッドｇ’２　ｒ　ｇ′３は一１００Ｖから約１０Ｖまで変化す る電位はあって、光電陰極Ｃ′から発生して電界グリッドｇ１を通過する光電子 の行路を最小にする。

発光光子流が作用している状態の下では、第６図例示されるように光電陰極の各 点の浮動電位は、′戒界グリッドｇ１によって印加される最高電位に於いて画像 検出後に得られる値だ到達し、その結果記憶された光信号と相補し合う読み取り 信号を生ずる。

読み取り信号を陽極Ａ′上又は支持電極ＥＣ上に集めることができる。

第２図の場合には、陽極Ａ′は電子を直接集めて、外部のビデオ増幅器（図示せ ず）に送給する。

増強作用はグリッドｇＳを陽極Ａ′の電位に対して正の電位にすることによって 得られ、その結果陽極Ａ′上での光電子衝撃第３図の場合、陽極Ａ′は金属化カ ソードルミネセントスクリーンで構成されているために、光電子の衝撃を受けて いる状態の下では陽極Ａ′は発光光子を放出し、この発光光子は光学窓を形成す るガラスフィンガを通って光増強器ＰＭに向って送られ、この光増強器は信号電 流を送出する。

第４図の場合、第２図に示した具体例の場合のように２つの陽極Ａ、とＡ、上で 直接集められた電子は一緒にされて全信号電流を生ずる。

ともかく、ビデオ増幅器に接続された支持電極ＥＣから信号を取り出すこともで きる。この場合、信号／雑音比を改善するために、支持電極をビデオ増幅器にそ れぞれ接続された数個の電極に分割することができる。

本発明のビデオ出力部を有する撮像管は現在公知の撮像管に対して多数の利点を 有する。

従って上述の構造は、０．５に達し得る長さ／画像面比を有する極めてコン・リ ドなビデオ出力部を有する撮像管の製作を可能にする。

集束電子画像を形成させずに機能させる方法によって矩形フォーマットを得るこ とができ、該フォーマットはＸ−線の分野に於ける用途に適合しておりより有効 である。

ｌＱｍｖＪ末溝の電力を消費するレーザ源又はダイオード等の僅かな空間しか必 要としない比較的安価な発光源を用いて、ビデオ信号を得る光学的走査を行うこ とができる。

本発明の撮像管は’ＩＪＣ界グリッドｇ１の電圧を制御することによって調節可 能な動特性を示し、この撮像管をＸ線の分野の用途に用いる場合にはＸ線透視の 際もしくはレントゲン写真撮影の際にその機能を発揮する。

図面の浄書（内容に変更なし） 手続ネ市正書（方式） １．事件の表示　ＰＣＴ／ＦＲ８５１００２４３２、発明の名称　ビデオ出力部 を有する撮像管、該搬像管を用いる撮映装置及び該囮＠管の作動方法 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 名　称　トムソンーセエスエフ ４、代　理　人　東京都新宿区新宿１丁目１番１４号　山田ビル５、補正命令の 日付　昭和６１年１０月３０日６、補正により増加する発明の数 ７、補正の対象　図面の翻訳文 ８、補正の内容 （１）適正な図面の翻訳文（Ｆ　ｉｇ５．６）を別紙の通り補充する。

（内容に変更なし） 国際調査報告 ；ｆｌＮＥＸ　Ｔｏ　ＴＨＥ　ＩＮＴ二ＲａＮＡＴＩＯＮＡＬ　５ＥＡＲＣＨＲ ＥＰＯＲＴ　０ＮＩＮＴＥＲＮＡＴＩＯＮＡＬ　ＡＰＰＬＩＣＡＴＩＯＮ　Ｎｏ 、　ＰＣＴ／ＦＲ８５１００２４３（ＳＡ　１０５７９）ＦＲ−Ａ−１１３７４ ２５ＮＬ−Ａ−１９１３９３１１＋Ｒ−Ａ−１２７７７２５ＧＥ−Ａ−９７１５ ３４ＦＲ−Ａ−２２１２６３５２６１０７／７４　ＮｏｎｅＵＳ−Ａ−３７１６ ７４７１３１０２／７３　Ｎｏｎｅ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 入射放射線の画像を電気信号に変換する作用を行うビデオ出力部を有する撮 像管であって、入射放射線に対して透明な入口窓（Ｆ１）を備える真空囲障（Ｅ ）内に、基本容量部からなるモザイクを形成するスクリーン光電陰極アセンブリ （ＥＣ−ＳＣ−Ｃ′）と、前記光電陰極（Ｃ′）の最高電位を決定し且つ光電子 の抽出を誘発させる手段（ｇ１′）と、電子流又は光電子流によつて光電陰極に 衝撃を与えて光電陰極を基準電位に戻す手段（Ｋ１，Ｋ２）と、前記真空囲障に 設けられて光電陰極の走査を行う発光ビームの通路となる少なくとも１個の光学 窓（Ｆ２）と、前記発光ビームによる走査中に得られる電気信号を集める手段（ Ａ′，ＥＣ）と、別種の電子流又は光電子流を加速し且つ方向づけるべく各種の 電位を与えられる電子光学部（ｇ２′，ｇ３′）とから成っており、前記アセン プリは入射放射線を電子流又は光電子流に確実に変換し且つ入射放射線の面像を 確実に記憶し、前記発光ビームが光電陰極の電位を最高電位に導く作用をする前 記撮像管。 ２前記スクリーンが誘電体で構成されることを特徴とする請求の範囲１に記載の 撮像管。 ３前記スクリーンが入射放射線を発光光子に変換するフラツシングデバイス又は フリツカリングデバイス（ＳＣ）で構成されることを特徴とする請求の範囲１に 記載の撮像管。 ４前記フラツシングデバイス又はフリツカリングデバイスが硫化亜鉛，オキシ硫 化ガドリニウム，ＣａＷＯ４，沃化セシウム等のアルカリハロゲン化物又はアル カリ土類ハロゲン化物の中から選択されることを特徴とする請求の範囲３に記載 の撮像管。 ５前記スクリーン（ＳＣ）が入射放射線に対して透明な導電性電極（ＥＣ）上に 配置されることを特徴とする請求の範囲１に記載の撮像管。 ６光電陰極上に電子流又は光電子流を送ることによって光電陰極（Ｃ′）を基準 電位に戻す手段が少なくとも１個の熱放出性陰極又は少なくとも１個の光放出性 陰極（Ｋ１，Ｋ２）で構成されることを特徴とする請求の範囲１に記載の撮像管 。 ７前記熱放出性陰極が電子流の阻止又は放出を可能にする制御グリッド（Ｗ）に よつて囲まれていることを特徴とする請求の範囲６に記載の撮像管。 ８前記電子光学部は、光電陰極（Ｃ′）から生ずる電子流又は光電子流を集める ための少なくとも１個の陽極（Ａ′）と別種の電子流又は光電子流を方向づける ための少なくとも１個のグリツド（ｇ２′、ｇ３′）からなることを特徴とする 請求の範囲１に記載の撮像管。 ９発光ビームによる走査中に得られる電気信号を集めるための手段が陽極（Ａ′ ）によつて構成されることを特徴とする請求の範囲１に記載の撮像管。 １０発光ビームによる走査中に得られる電気信号を集めるための手段が支持電極 （ＥＣ）によつて構成されることを特徴とする請求の範囲１に記載の撮像管。 １１陽極（Ａ′）が電子増強装置（ｇ４′，ＰＭ）と協働することを特徴とする 請求の範囲９に記載の撮像管。 １２前記電子増強装置が陽極（Ａ′）を囲むグリッド（ｇ４′）によって構成さ れており、陽極に対して正の電位に導かれることを特徴とする請求の範囲１１に 記載の撮像管。 １３陽極がＣｕＢｅ，ＡｇＭｇ又はＧａＰから造られることを特徴とする請求の 範囲１２に記載の撮像管。 １４陽極がガラスフインガ上に設けられた金属化カソードルミネセント層によっ て構成されており、この陽極が外部の光増強装置（ＰＭ）と協働することを特徴 とする請求の範囲１１に記載の撮像管。 １５入射放射線の画像を電気信号に変換するための撮映装置であって、この装置 が請求の範囲１に記載のビデオ出力部を有する撮像管を含んでおり、発光光線源 と走査デバイス（Ｄ）が発光ビームを確実に偏向させて光電陰極（Ｃ′）の全表 面上で集光損失を生じないことを特徴とする前記撮映装置。 １６撮映装置が更に中継光学部を含んでおり、この光学部が発光ビームを光電陰 極（Ｃ′）に向わせることを特徴とする請求の範囲１５に記載の撮映装置。 １７前記中継光学部が中間散乱面（Ｐ）と、この面の画像を形成させる広角形光 学部（Ｏ）とに上って構成されることを特徴とする請求の範囲１６に記載の撮映 装置。 １８前記中継光学部が並置した微小レンズによつて構成されることを特徴とする 請求の範囲１６に記載の撮映装置。 １９データ記録記憶段階，読み取り段階及びゼロ復帰段階とから成るビデオ出力 を有する撮像管の作動方法であって、ーデータ記録記憶段階の間、入射放射線が 放射される状態のもとで、スクリーンー光電陰極アセンブリが入射放射線を検出 又は変換し、陽極によつて集められた光電子流を放出して光電陰極の各点の電位 が変更され、 ー読み取り段階の間、光電陰極の各種の点の電位を電界グリッドによつて与えら れる最高電位に戻すために、発光ビームを用いて前記光電陰極の各種の点を走査 し、得られた信号電流がこの光による励起によつて集められ、−次に、ゼロ復帰 段階の間、光電陰極の電位を基準電位に戻すべく、光電陰極が電子流又は光電子 流による衝撃を受けることを特徴とする前記方法。