JPS6243749A - Security key - Google Patents

Security key

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Publication number
JPS6243749A
JPS6243749A JP60182899A JP18289985A JPS6243749A JP S6243749 A JPS6243749 A JP S6243749A JP 60182899 A JP60182899 A JP 60182899A JP 18289985 A JP18289985 A JP 18289985A JP S6243749 A JPS6243749 A JP S6243749A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
key
contact
memory
receptacle
contact terminal
Prior art date
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Pending
Application number
JP60182899A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tei Fuaagason Terii
テリー・テイ・フアーガソン
Masao Okubo
昌男 大久保
Kazumasa Okubo
和正 大久保
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Electronic Materials Corp
Original Assignee
Japan Electronic Materials Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Japan Electronic Materials Corp filed Critical Japan Electronic Materials Corp
Priority to JP60182899A priority Critical patent/JPS6243749A/en
Publication of JPS6243749A publication Critical patent/JPS6243749A/en
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  • Storage Device Security (AREA)

Abstract

PURPOSE:To secure connection by bringing a contact terminal into contact with a contact pin provided to a receptacle, using a memory as part of the memory of a target memory, and providing a ring-shaped conductor to the contact terminal. CONSTITUTION:When a key 10 is inserted into the receptacle 50 and rotated as specified, a switch 53 at the bottom part of the receptacle 50 is turned ON to start the processor 101 of the target system 100 or initiate an interruption. At the same time, the claw of a plate falls in a cam groove and pogo pin groups 54... and 55... of the receptacle 50 are lowered to contact contact terminal groups 17... and 18... of the key 10. Then, a processor 101 sends a signal for accessing the memory 40 of the key 10 to the side of the key 10 through a bus 104, either of the pogo pin groups 54... and 55... of the receptacle, and either of the contact terminal groups 17... and 18... of the key.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の利用分呵コ 本発明は、セキュリティキーに関し、特に、コンビュー
タンステムのメモリ、外部記憶装置等に格納されたセン
シティブな(機密性のある)情報のアクセスを制限し、
制御する電r装置用安全/ステムに使用されるセキュリ
ティキーに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Uses of the Invention] The present invention relates to a security key, and in particular is used to restrict access to sensitive information stored in the memory of a computer system, external storage device, etc. death,
This invention relates to a security key used in a safety/system for controlling electrical equipment.

[従来の技術] 電子装置に格納されたセンシテブな情報のアクセスを制
限し制御するために種々の安全装置が提案されている。
[Prior Art] Various safety devices have been proposed to limit and control access to sensitive information stored in electronic devices.

従来技術の 例として、キー口、り装置をイlするlu
f”A置があるが、かかる/ステl、は、口、りを解除
するのに必殻な情報が、イモリ、例えば装置内に配置−
没されたP ROM等に格納されていて、これと入力さ
れた暗椙=1−ド”71 、:を照合することでその口
、りが解除され、7殼な情報かアクセスできるというも
のである。
As an example of the prior art, a key opening,
There is a location, but the information necessary to release the barrier is located in the newt, for example, in the device.
It is stored in a destroyed PROM, etc., and by matching this with the input code ``71,:'', the password will be removed and you will be able to access the remaining information. be.

また、他の+に置を備えるンステノ、では、ターゲット
/ステノ、によって+I、しいと認識されたとき、アク
セス命令4:、畳、を発生する。
In addition, in other stenos with a position on +, when +I is recognized by the target/steno, access command 4:, tatami, is generated.

さらに、プロセッサをイ「するメモリカード等にあって
は、それがターゲット/ステムに挿入される、と、ター
ゲット/ステノ、が動作して特定の情報がアクセスでき
るようになり、ターゲット/ステムからメモリカードを
除去すると、ターゲット/ステl、をJ1動作状態にす
るようなシステムを挙げることかできる。
In addition, when a memory card or the like that supports the processor is inserted into the target/stem, the target/stem operates and allows access to specific information, allowing the target/stem to access memory. One may mention a system in which the removal of a card puts the target/steel into the J1 operating state.

[解決しようとする問題点コ このような従来の/ス=Aにあっては、ターゲ、トノス
テムのメLす“9に格納された情報の安全を1−分に保
障できない。そこで、このような問題を解決するために
、プログラノ・情報とか、多くのフード情報とかを記憶
したメモリを内蔵するキー又はカードで構成されるセキ
ュリティキーを提案して、すでに出願済みである。
[Problems to be solved] In such a conventional /S=A, the security of the information stored in the target system's memory cannot be guaranteed within 1 minute. In order to solve this problem, we have proposed a security key consisting of a key or card that has a built-in memory that stores program information and a lot of food information, and has already filed an application.

このセキュリティキーにあっては、それに内蔵されたメ
モリがターゲット/ステムのメモリの部をなすようなン
ステl、であって、セキュリティキーのメモリにプログ
ラム等を記憶することにより、セキュリティキーが挿着
されない限り、ターゲット/ステムが動作しないもので
ある。その結果として、機密情報専の安全性を保障し、
不当な機密情報のアクセスを禁市し、かつターゲット/
ステt、のメモリの・品が2’l弓された便用期間以外
ではル実1−除去されるようにして、ターゲット/ステ
ム側のメモリ又は外部記憶装置δに格納された情報の安
全をさらに保障する。
This security key has a built-in memory that forms part of the memory of the target/stem, and the security key can be inserted by storing a program etc. in the memory of the security key. The target/stem will not work unless the As a result, we guarantee the security of confidential information,
Prohibit unwarranted access to confidential information and
The security of the information stored in the target/stem memory or external storage device δ is ensured by ensuring that the contents of the system's memory are removed except during periods of temporary use. Further guarantee.

しかしながら、このようなシステムにあっては、キー又
はカードが数丁回動ヤは数万回抜き差しされた場合であ
ってもキー又はカード側とターゲット/ステl、側との
接続がl−分保障されることが実用l・必安きされる。
However, in such a system, even if the key or card is rotated several times or inserted and removed tens of thousands of times, the connection between the key or card side and the target/steel side only takes 1 minute. It is guaranteed that it will be practical and cheap.

そこで、数丁″回動子は数万回の抜き差しに対しても、
より確実にキー又はカード側とターゲット/ステム側止
の接続がなされるような接続方式が゛及請される。
Therefore, several inch rotators can be inserted and removed tens of thousands of times.
A connection method that more reliably connects the key or card side and the target/stem side stop is requested.

[発明の目的] 本発明は、前記のような従来技術の問題点を解決し、先
11″技術の安請に応えるものであって、通常のキー又
はカードとしての繰り返し使用においてターゲット/ス
テムとの接続を1−分保障できるようなセキュリティキ
ーを提供することにある。
[Object of the Invention] The present invention solves the problems of the prior art as described above and responds to the demands of the prior 11" technology, and is intended to solve the problems of the prior art as described above and to meet the needs of the target/stem in repeated use as a normal key or card. The purpose is to provide a security key that can guarantee the connection for one minute.

なお、この明細書において使用しているセキュリティキ
ーとは、その外観がキ一様のものに限定されるものでは
なく、通常のキーをはじめとして、その外観形状が棒状
のキー、そしてその外観形状がカード状のもの9・を含
むものとして使用している。
Note that the security keys used in this specification are not limited to those with a uniform key appearance, but include ordinary keys, keys with a bar-like appearance, and keys with an external appearance. It is used to include card-like items 9.

[問題点を解決するためのL段] しかして、ll’l記の問題点を解決するためのこの発
明のセキュリティキーにおける1段は、メモリとこのメ
モリの端子に直接又は間接的に接続された接触端子とを
有するキー若しくはカードで構成されたセキュリティキ
ーにおいて、キー若しくはカードがターゲットシステム
に設けられたレセプタタルに挿着され、さらに接触端子
がこのレセプタクルに設けられた接触ビンに接触するこ
とにより、メモリがターゲット/ステムのメモリの一部
分となるものであって、接触端子にリング状の導体を設
けるというものである。
[L Stage for Solving the Problems] Therefore, the first stage of the security key of the present invention for solving the problems described in ll'l is connected directly or indirectly to a memory and a terminal of this memory. In a security key consisting of a key or a card having a contact terminal, the key or card is inserted into a receptacle provided in the target system, and the contact terminal is brought into contact with a contact bottle provided in the receptacle. , the memory is a part of the target/stem memory, and the contact terminal is provided with a ring-shaped conductor.

[作用] このように接触端子にリング状の導体を設けることによ
り、ターゲット/ステムのレセプタクル側の接触ピンが
リングの内側で案内されるので、これらの間の接続が確
実となる。しかも接触端子が導電性のリングであって、
この縁がバッファ作用を持つことから、数千回乃至は数
刀回の抜き差ししても、数1回乃至は数刀回の接触が行
われた結果レセプタクル側の1妾触ピ/側とか、キーの
接触端子側において摩耗が発生したり、位置すれか11
シたとしても、リングの周囲に接触することで(信nが
矯11:され、接触状態が確保され、さらには1と触面
のはがれの防市にも没\rつ。
[Function] By providing the ring-shaped conductor in the contact terminal in this way, the contact pin on the receptacle side of the target/stem is guided inside the ring, so that the connection between them is ensured. Moreover, the contact terminal is a conductive ring,
Because this edge has a buffering effect, even if it is inserted and removed several thousand times or several times, as a result of contact being made several times or several times, one contact point on the receptacle side, etc. If there is wear or misalignment on the contact terminal side of the key.
Even if the ring is in contact with the surrounding area, the ring will be corrected (11:), the contact state will be secured, and it will also be destroyed by 1 and the prevention of the peeling of the contact surface.

したがって、数T回動子は数万回の抜き差し使用に対し
てもその接続が確実なものとなる。
Therefore, the connection of the several T rotor is reliable even after tens of thousands of insertions and removals.

[実施例コ 以ドこの発明の一実施例について図面を用いて詳細に説
明する。
[Embodiment Code] An embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第1図は、キーとレセプタクルを示す安全システムのブ
ロック図、第2図は、レセプタクルから分離したキーの
透視図、第3図(a)及び(b)は、それぞれキー側の
接触端子とレセプタクルのポゴピン(接触ピン)、l!
:の接続関係の説明図、第4図は、そのヘッド部分の拡
大断面図、第5図は、キーの積層前の各セラミックス層
を構成する基板の説明図である。
FIG. 1 is a block diagram of the safety system showing the key and receptacle, FIG. 2 is a perspective view of the key separated from the receptacle, and FIGS. 3(a) and 3(b) are the contact terminals on the key side and the receptacle, respectively. Pogo pin (contact pin), l!
FIG. 4 is an enlarged sectional view of the head portion thereof, and FIG. 5 is an explanatory view of the substrate constituting each ceramic layer before the key is laminated.

第1図及び第2図においては、キー10とレセプタクル
50とターゲットシステム100を全体的に示す。
1 and 2, key 10, receptacle 50, and target system 100 are generally shown.

この実施例の特徴は、キー10が、電r的にプログマブ
ルであり、電r的に変更+1■能であり、電r的に読出
(−11f ’1−) ’+’+I能であり、そして不
揮発的な随時アクセスデジタルメモリ40 (E2 F
ROM)を備える点にある。
The feature of this embodiment is that the key 10 is electrically programmable, electrically changeable +1 function, electrically readable (-11f'1-)'+'+I function, and nonvolatile, anytime-access digital memory 40 (E2 F
ROM).

そして、メモリ40が、レセプタクル50に挿入される
とターゲットシステム100のメモリの重要な部分を構
成する少なくとも一部となる。また、キー10が、レセ
プタタル50から抜かれると、ターゲットシステム10
0は、メモリの重要な部分又は大部分が事実上はずれる
ので、確実に動作しなくなる。
Memory 40 then becomes at least a portion of the memory of target system 100 when inserted into receptacle 50 . Also, when the key 10 is removed from the receptor 50, the target system 10
0 will definitely fail as a significant or large portion of the memory will be effectively dislodged.

ここで、レセプタクル50は、ソケット51とシリンダ
52、リミットスイッチ53、そしてばね負荷のポゴピ
ン54.55からなる2列のポゴピン群54,54. 
 ・・・、55.55.−・・とを自していて、これら
ポゴピンは、キー10に設けられた導電性の接触端f’
17.18からなる2列の接触端子群群17.17. 
 ・東・18,18、・・・に対応して設けられている
Here, the receptacle 50 includes a socket 51, a cylinder 52, a limit switch 53, and two rows of pogo pin groups 54, 54.
..., 55.55. -..., and these pogo pins have conductive contact ends f' provided on the key 10.
17. Two rows of contact terminal groups consisting of 17.17.
・Established corresponding to East 18, 18,...

第2図において、キー10は、ヘッド部12および/セ
フ8部13を自゛する酋通のキーの一般的形状をしたセ
ラミ、り基板からなる。キー10の接触端J’7ff1
7,17.−−−及び18,18゜e・・は、それぞれ
円形の接触端子であって、メモリ40を内蔵している而
と同一面側の表面側にそれぞれ所定間隔で配タリされて
設けられている。
In FIG. 2, the key 10 is made of a ceramic resin substrate having a head portion 12 and a safety portion 13 in the general shape of a key. Contact end J'7ff1 of key 10
7,17. --- and 18, 18°e... are circular contact terminals, which are arranged at predetermined intervals on the same side as the one in which the memory 40 is built-in. .

接触端f’17,18は、それぞれ第3図(a)及び(
b)に見るように円形の金の接触面17a。
The contact ends f'17 and 18 are shown in FIGS. 3(a) and (), respectively.
A circular gold contact surface 17a as seen in b).

18aに対してその周囲を囲むようにその上に金属ワノ
/ヤ15,16がそれぞれ固定して形成されている。
Metal wires 15 and 16 are fixedly formed on the periphery of the metal wire 18a so as to surround the periphery thereof.

方、キー10には、第2図に見るように、(ぼみ20が
、随時アクセスメモリ40を受は入れるために、へ、ド
部12に形成されている。そして配線14が、くぼみ2
0と接触端子J!H7,17、・・・及び18.18.
  ・・・との間に設けられ、このへ線14によりくぼ
み20に設けられたメモリ40の端子と接触端子RN7
.17.  ・・・及び18,18.  ・・・とがそ
れぞれ接続される。
As shown in FIG.
0 and contact terminal J! H7, 17,... and 18.18.
..., and the terminal of the memory 40 provided in the recess 20 and the contact terminal RN7 are connected by this wire 14.
.. 17. ...and 18,18. ... are connected respectively.

また、第4図に見るように、メモリ40のチップ又はこ
のチップがボンディングされた基板がンエナーダイオー
ドの静電防市層42の[〕に載置されている そして、多層のセラミックス層が、セラミックス基板」
−に設けられていて、外側には金属板層30(裏面では
金属板層43aが対応、第4図参照)がセラミックス層
上に埋設され、通常の金属製キーの外観をキー10に対
して与えている。ここで金属板層30(金属板層43a
)は、付加的に静電気を最小に保持する。なお、その詳
細は、後述の第4図、第5図にて説明する。
Further, as shown in FIG. 4, the chip of the memory 40 or the substrate to which this chip is bonded is placed on the electrostatic protection layer 42 of the energy diode. "Ceramics substrate"
A metal plate layer 30 (corresponding to the metal plate layer 43a on the back side, see FIG. 4) is embedded on the ceramic layer on the outside, and the appearance of a normal metal key is compared to the key 10. giving. Here, the metal plate layer 30 (metal plate layer 43a
) additionally keeps static electricity to a minimum. The details will be explained later in FIGS. 4 and 5.

ここで、キー10は、事実り容易に着脱でき、制御でき
及び持ち運べるデータ格納媒体として用いることができ
、通常のFROMまたはROM装置として使用できるも
のであって、しかも通常のキーと同じ機能ように機能す
るものである。
Here, the key 10 can in fact be used as an easily removable, controllable and portable data storage medium, and can be used as a normal FROM or ROM device, yet has the same functions as a normal key. It's something that works.

さて、第3図(a)に見るように、レセプタクル50の
/す/ダ52内には、プレート56が1−ドに移動i+
J能に支承されていて、このプレート56には、2列に
配列されたポゴピンJ!T54.54゜・拳−,55,
55,・・・が接触端子群17゜17、・・・及び18
,18.  ・・・に対応して植設されている。
Now, as shown in FIG. 3(a), the plate 56 is moved to the 1- and i +
This plate 56 has pogo pins arranged in two rows. T54.54°・Fist-,55,
55, . . . are contact terminal groups 17° 17, . . . and 18
,18. It has been planted in response to...

プレート56は、キー10が挿着されて、所定のセット
位置に来たときに、キー10に対して降ドしてポゴピン
群54,54.  ・・・、55.55、・・・を接触
端子群17,17.  ・・・及び18.18.  ・
・・にそれぞれ接触させるものである。
When the key 10 is inserted and comes to a predetermined setting position, the plate 56 is lowered relative to the key 10 and the pogo pin groups 54, 54 . ..., 55.55, ... are the contact terminal groups 17, 17. ...and 18.18.・
...is brought into contact with each of them.

なお、プレート56は、通常、ばね57,57により降
ド方向に付勢されていて、図示しないカム溝にプレート
56に設けられた爪が落ちることに降下する。
Note that the plate 56 is normally urged in the lowering direction by springs 57, 57, and is lowered when a pawl provided on the plate 56 falls into a cam groove (not shown).

さて、ポゴピン群54. 54.−・・、55゜55、
・・・と接触端子群17.17.−・・及びts、ts
、  ・・Oとの接触関係は、第3図(b)に見るよう
に、それぞれの接触端子に1役けられた金属ワ、ンヤ1
5.16の内側周面にt妾して円形の金の接触面17a
、18aに接触することによる。したがって、ポゴピン
1!T54,54.  ・・・、55,55.  ・争
・が摩耗しても、まlこ、金の接触面17a、18aが
へこんでもリング状の内周而に案内されて確実にこれら
の間の[触が確保される。しかも接触に際してリングの
周囲が力学的にバッファ作用を持つ。
Now, pogo pin group 54. 54. -..., 55°55,
... and contact terminal group 17.17. -...and ts, ts
, . . O, as shown in Figure 3(b), the contact relationship between the metal wire and the wire is as shown in Fig. 3(b).
5.A circular gold contact surface 17a is attached to the inner peripheral surface of 16.
, 18a. Therefore, pogo pin 1! T54,54. ..., 55, 55. Even if the contact surfaces 17a and 18a are dented, they will be guided by the ring-shaped inner periphery and the contact between them will be ensured. Furthermore, the periphery of the ring has a dynamic buffering effect upon contact.

なお、この場合接触ピンであるポゴピン54゜55の先
端径は、金属ワッシャ15.lE3の内径よりも小さい
径となっている。ここに、接触ピン(ポゴピン群54.
 54.  ・・・、  55. 55゜・・・)は、
通常、その先端側の径は小さく、ドーナ、ツ状に内側に
孔をあけたワ、ンヤであれば通常、この先端径より大き
い関係となる。
In this case, the diameter of the tip of the pogo pin 54°55, which is the contact pin, is the same as that of the metal washer 15. The diameter is smaller than the inner diameter of lE3. Here, contact pins (pogo pin group 54.
54. ..., 55. 55°...) is
Usually, the diameter on the tip side is small, and if it is a donut or horn-shaped hole with a hole on the inside, it will usually be larger than this tip diameter.

したがって、ポゴピン54.55と接触端子群17.1
8との位置が相対的にづれた状態でも、ポゴピンの先端
側がリング状の内周而に案内されてより確実な接触状態
に入る。
Therefore, the pogo pin 54.55 and the contact terminal group 17.1
Even if the position of the pogo pin is shifted relative to the pogo pin 8, the tip side of the pogo pin is guided by the ring-shaped inner periphery and enters a more reliable contact state.

さらに、多くの場合、縁に当たることからこのリング状
の縁は、ポゴピンの先端が接触端子に接触する際にバッ
ファ効果を持っていて、リング内面の接触面17a (
18a)に対する圧力を和らげてそのはがれを防上する
役割も果たす。しかも仝属ワブンヤ15(1B)の縁で
接触した状態でもポゴピン(接触ピン)側との接触が採
れ、数千回、数万回の接触に耐え(する接触を確保し得
る。
Furthermore, since the ring-shaped edge often touches the edge, it has a buffer effect when the tip of the pogo pin contacts the contact terminal, and the ring-shaped edge has a buffer effect when the tip of the pogo pin comes into contact with the contact terminal.
It also plays the role of relieving the pressure on 18a) and preventing it from peeling off. Moreover, even when the edge of the Wabunya 15 (1B) is in contact, contact with the pogo pin (contact pin) side can be established, and contact that can withstand thousands or tens of thousands of times can be ensured.

また、このようにリングの内側に接触ピンが配置される
構造となることから、接触状態でのユーザーの不注意な
キーの引き抜きが不可能となり、ターゲラトンステムに
対して安全に接触状態が維持できる。
In addition, since the contact pin is placed inside the ring, it becomes impossible for the user to inadvertently pull out the key while it is in contact with the key, and the key is safely maintained in contact with the target stem. can.

ところで、この場合はこり等を回避するために、キーl
Oとプレート56との位置関係を逆転させて、ポゴピン
群54.54.  ・拳・、55,55゜・・−を)°
側に配置して、これらを上界させて、キー10の接触端
子JtH7,17,・・・及び18.18.  ・・・
と接触させるようにしてもよい。
By the way, in this case, in order to avoid stiffness etc.
By reversing the positional relationship between O and the plate 56, the pogo pin groups 54, 54.・Fist・、55、55゜・・・-)°
contact terminals JtH7, 17, . . . and 18, 18 . ...
It may be made to contact with.

このように下側から上へと移動させて接触させることに
より、接触端子JtH7,17,・・拳及び18,18
.  ・・・に付着するほこり、ゴミ等を落下させて、
確実により安定した状態で接触させることが可能となる
By moving from the bottom to the top and making contact, the contact terminals JtH7, 17, ... fist and 18, 18
.. Dropping off dust, dirt, etc. that adheres to...
This makes it possible to ensure contact in a more stable state.

次にこの静電破壊防IFに対するキー10の構造につい
て第2図、第4図に従って説明する。
Next, the structure of the key 10 for this electrostatic breakdown prevention IF will be explained with reference to FIGS. 2 and 4.

先の第2図に見るように、キー10は、そのヘッド部1
2のくぼみ20にメモリ40が挿itされていて、メモ
リ40のチップ41は、第4図に見るようにツェナーダ
イオード基板層421−に載置されている。モしてチッ
プ41.!:ツェナーダイオード基板層42とは金メッ
キ層42aを介して相互に融召されており、ツェナーダ
イオード基板層42の融着面と反対側の而には、グラン
ドとして同様に金のメッキ層42bか設けられていて、
第1セラミックス層43に設けられたグランド配線と接
続している。
As seen in FIG. 2 above, the key 10 has its head portion 1
A memory 40 is inserted into the recess 20 of No. 2, and a chip 41 of the memory 40 is placed on a Zener diode substrate layer 421- as shown in FIG. Chip 41. ! : The Zener diode substrate layer 42 and the gold plated layer 42a are mutually fused, and a gold plated layer 42b is similarly provided as a ground on the side opposite to the fused surface of the Zener diode substrate layer 42. I was being treated,
It is connected to the ground wiring provided in the first ceramic layer 43.

ツェナーダイオード基板層42には、その周囲にボンデ
ング端子21,21.  ・・φがチップ41のボンデ
ングパ、ソド41 a+  41 a、・拳−(こ対応
するようにそれぞれ設けられていて、チ、プ41の各ボ
ンデングパノド41aに対する配線は、そのボンデング
パノド部分からこのボンデング端J”21,21.  
・・・にワイヤ22,22.  ・・・により−件1−
落とされてワイヤボンデングされ、このボンデング端J
’−21からそのそれぞれに対応して設けられた外部端
子23.23.  ・・・へとワイヤ24,24.  
・拳拳により再びワイヤボンデングされて、外部のリー
ド端子23とチップ41とがワイヤボンデングされるも
のである。
The Zener diode substrate layer 42 has bonding terminals 21, 21 . . . φ is the bonding pad of the chip 41, 41 a+ 41 a, ・fist- (these are provided so as to correspond to each other, and the wiring for each bonding panode 41a of the chip 41 is connected from the bonding panod part to this bonding end J. “21, 21.
... to wires 22, 22. Due to...-Case 1-
It is dropped and wire bonded, and this bonding end J
'-21 to external terminals 23, 23. ...to wires 24, 24.
- The external lead terminals 23 and the chip 41 are wire-bonded again by fisting.

ところで、外部端子23,23.  ・・・は、第3セ
ラミックス層45の端部に形成されていて、第1セラミ
ックス層43には、その裏面側に比較的厚い金属板層4
3aが埋設されていて、その上面側に信号の配線43b
がなされ、それがスルーホールヲ介して前記第3セラミ
ックス層45の対応する所定の外部端子23,23. 
 ・・・へと接続されている。なお、金属板層43aは
、説明の都合状金属板層30と別のものとして説明して
いるが、金属板層43aとは、金属板層30に連続して
いて、これは、金属板層30に相当する裏面側部分であ
って、これらは、金属のメッキが表面に施されて一体的
なものとなっている。
By the way, the external terminals 23, 23 . ... are formed at the end of the third ceramic layer 45, and the first ceramic layer 43 has a relatively thick metal plate layer 4 on its back side.
3a is buried, and the signal wiring 43b is on the top surface side.
are connected to corresponding predetermined external terminals 23, 23 . of the third ceramic layer 45 via through holes.
...is connected to... Although the metal plate layer 43a is described as being separate from the metal plate layer 30 for convenience of explanation, the metal plate layer 43a is continuous with the metal plate layer 30, and is different from the metal plate layer 30. 30, these are integrally plated with metal on the surface.

−−方、第3セラミックス層45の1〕面には、アドレ
ス信号の配線45aがなされていて、これらも同様にそ
の対応する所定の外部端−f’23,23゜・拳・に接
続されている。
--On the other hand, address signal wiring 45a is formed on the 1] surface of the third ceramic layer 45, and these are similarly connected to the corresponding predetermined external ends -f'23, 23°, fist, and the like. ing.

そして、第1及び第3のセラミックス層の間にある第2
のセラミックス層44のト面には、ノイズの影響を除去
するために、スルーホールR分を除きグランド而44a
が設けられている。さらに第4のセラミックス層46も
同様なグランド而46aがその上面に設けられていて、
第5セラミックス層47に電源ライン47aが走ってい
る。
and a second ceramic layer between the first and third ceramic layers.
The top surface of the ceramic layer 44 is grounded except for the through hole R to eliminate the influence of noise.
is provided. Further, a similar ground 46a is provided on the upper surface of the fourth ceramic layer 46.
A power line 47a runs through the fifth ceramic layer 47.

最上部となる第6のセラミックス層48専には、グラン
ド層としての比較的厚い金属板層30が埋設されている
A relatively thick metal plate layer 30 serving as a ground layer is embedded in the sixth ceramic layer 48 which is the uppermost layer.

第5図は、これら各層を積層する前の状態を各層に展開
したものであって、第1のセラミックス層43から第6
のセラミックス層48までは、それぞれセラミックス基
板43Sから48Sまでを順次積層して・体化されて形
成されたものであって、これらは個々に焼成されたもの
を積層してもよいし、同時に焼成処理して多層化されて
もよい。
FIG. 5 shows the state of each layer before they are laminated, and shows the state of each layer from the first ceramic layer 43 to the sixth ceramic layer 43.
The ceramic layers 48 are formed by sequentially laminating ceramic substrates 43S to 48S, and these may be fired individually and then laminated, or they may be fired at the same time. It may also be processed into multiple layers.

また、各グランド而44a、46aは、それぞれ各セラ
ミックス基板488.448の表面の金属メッキ層とし
て形成されるものであって、金属プレー)43aS、3
08は、それぞれ補強と静電破壊防ll’、、そしてノ
イズの影響を回避するために最上層のセラミックス層4
3と最上層のセラミ、クス層48に一体的に埋め込まれ
、これらが金属板層30及び金属板層43aを構成する
ものである。そしてこれらとセラミックス基板とはセラ
ミックス基板に施された金属メッキ層で接合されて、さ
らにこれら金属プレート43aS、308は、その表面
トに金属メッキが施され、表裏一体内な補強兼静電破壊
防][・、ノイズ防止層となる。
Further, each ground 44a, 46a is formed as a metal plated layer on the surface of each ceramic substrate 488, 448, respectively, and metal plates 43aS, 3
08 is for reinforcement and electrostatic breakdown prevention, and the top ceramic layer 4 to avoid the influence of noise.
3 and the uppermost ceramic layer are integrally embedded in the clay layer 48, and these constitute the metal plate layer 30 and the metal plate layer 43a. These and the ceramic substrate are joined by a metal plating layer applied to the ceramic substrate, and furthermore, these metal plates 43aS and 308 are plated with metal on their surfaces to provide internal reinforcement and electrostatic damage prevention. ] [・, becomes a noise prevention layer.

また、各セラミックス基板における孔は、それぞれスル
ーホール又は接触端子を構成する部分であって、これら
の部分は、グランド而となる金属メッキ而から除外され
てメッキがなされる。そしてこれらは、各層に設けられ
た配線のうち必要なものと接続される。
Further, the holes in each ceramic substrate are portions constituting through holes or contact terminals, and these portions are plated so as to be excluded from the metal plating serving as the ground. Then, these are connected to necessary wirings among the wirings provided in each layer.

ところで、以−Fのように、信号配線、アドレス配線、
そして電源ラインをグランド而配線でサンドウィッチし
た構造とすることで、静電破壊及びノイズに強い構造と
することができる。なお、前記信号線の配線43b、ア
ドレス線の配線45a。
By the way, as shown in F below, signal wiring, address wiring,
By sandwiching the power supply line with ground wiring, a structure that is resistant to electrostatic damage and noise can be achieved. Note that the signal line wiring 43b and the address line wiring 45a.

そして電源ライン47a等の総称としてこれらが第1図
における配線14として現れている。
These power supply lines 47a and the like appear as wiring 14 in FIG. 1.

さて、このように構成することにより、キーを持った人
の体等から高圧静電気がキーに入っても、ツェナーダイ
オード層42が受けてこれがブレークダウンし、高圧静
電気は、その裏面側の金の層からグランドへと落ちる。
With this configuration, even if high-voltage static electricity enters the key from the body of the person holding the key, the Zener diode layer 42 receives it and breaks down, and the high-voltage static electricity is transferred to the gold on the back side. Falling from layer to ground.

その結果、ROMチップには、高電圧が印加されること
はなく、静電気でROMを破壊するおそれがない。
As a result, no high voltage is applied to the ROM chip, and there is no risk of destroying the ROM due to static electricity.

したがって、通常の使用状態において、キーを持った人
の体から高圧静電気がキーに加わっても、また、キーに
帯電又は印加される静電気があっても内蔵されたメモリ
が破壊される危険性はほとんどなく、通常のキーき同様
に安易な使用ができる。
Therefore, under normal usage conditions, even if high-voltage static electricity is applied to the key from the body of the person holding the key, or even if static electricity is charged or applied to the key, there is no risk of damage to the built-in memory. There are almost no keys, and it can be used easily like a regular key.

なお、第4図において、(ぼみ20のに部において点線
で小めす部分は、くぼに20部分を封1)二するキ?7
ブ25である。
In addition, in Fig. 4, (the part indicated by the dotted line at the edge of the recess 20 is the key to seal the 20 part in the recess). 7
It is 25.

次に、全体的な動作を説明すると、キー10がレセプタ
クル50に挿入されて、所定の回転がなされたとき、レ
セプタクル50の底部に配置されたスイッチ53が“O
N”してターゲット7ステム100のプロセッサ101
が起動をかけられ又は割込みが発生する。このとき同時
にカム溝にプレート56の爪か落ち込み、レセプタクル
50のポゴピン群54,54.  拳・−,55,55
,−・・が降トしてキー10の対応する接触端子群17
.17.  ・φ・、18,18・φ・とそれぞれ接触
する。
Next, to explain the overall operation, when the key 10 is inserted into the receptacle 50 and a predetermined rotation is made, the switch 53 disposed at the bottom of the receptacle 50 switches to "O".
N” and the processor 101 of the target 7 stem 100
is activated or an interrupt occurs. At this time, the claws of the plate 56 simultaneously fall into the cam grooves, and the pogo pin groups 54, 54 . of the receptacle 50 . Fist -, 55, 55
, -... descend and the corresponding contact terminal group 17 of the key 10
.. 17.・φ・, 18, 18・φ・, respectively.

そこで、プロセッサlotは、バス104とレセプタク
ル50のポゴピン群54. 54.  ・・・。
Therefore, the processor lot has bus 104 and pogo pin group 54 . of receptacle 50 . 54. ....

55.55.  ・・・のうち選択されたものと、キー
の接触端子群17,17.  ・Φ・、そして接触端子
7!TI8,18.  ・拳・のうち選択されたちのと
を介してキー10のメモリ40をアクセスする信シシを
キー10側に送る。このアクセスイ、7弓がメモリ40
に送出されて、メモリ40のアクセスされた番地から所
定のデータが読出される。
55.55. . . . and the key contact terminal group 17, 17 .・Φ・, and contact terminal 7! TI8,18. - Send a message to the key 10 side to access the memory 40 of the key 10 via the selected fist. This access key has 7 bows and 40 memory.
The predetermined data is read from the accessed address of the memory 40.

読み出されたデータは、キー10側の接触M+Ai、/
J!07,17.  ・・・、18.18.  ・・・
のうち選択されたもの、レセプタクル50側の接触11
群54. 54.  ・・・、55.55のうち選択さ
れたもの、舎・・バス104を経てプロセッサlO1へ
と渡されて所定の処理がなされる。
The read data is read out by touching M+Ai on the key 10 side, /
J! 07,17. ..., 18.18. ...
selected one of them, contact 11 on the receptacle 50 side
Group 54. 54. . . , 55.55, the selected one is passed to the processor IO1 via the bus 104, and predetermined processing is performed.

さて、ここで、キー10のメモリ40は、プロセッサ1
01の持つアドレス空間の一部に割り当てられていて、
ターゲットシステム100のンステム内のRAM 10
2とか、プログラムROM 103と同様にアクセスさ
れるものとなる。
Now, here, the memory 40 of the key 10 is stored in the processor 1.
It is allocated to a part of the address space of 01,
RAM 10 in the system of the target system 100
2, it is accessed in the same way as the program ROM 103.

そして、メモリ40に格納された指令等のプログラムの
情報又はデータ情報を得て、プロセッサ101は、あら
かじめ定められた所定の動作をして、ターゲットシステ
ム100のメモリ又は外部記憶装置の特定の情報がアク
セスされることになる。
Then, upon obtaining program information or data information such as commands stored in the memory 40, the processor 101 performs a predetermined operation to retrieve specific information in the memory or external storage device of the target system 100. will be accessed.

キー10のメモリ40にPROM、EPROM。The memory 40 of the key 10 includes PROM and EPROM.

E2 PROM等を用いた場合には、プログラマ−で1
杯プログラムし得る。キーは、ハイブリッド技術を介し
て例えば16384ビツトの情報を含み得て、同様な他
のFROMを18384ビツトまでエミュレーションし
得る。
When using E2 PROM etc., the programmer can
You can program the cup. The key may contain, for example, 16,384 bits of information via hybrid technology, emulating other similar FROMs up to 18,384 bits.

メモリ40に格納されたデータは、キー10がレセプタ
クル50に挿入されると全体または1軍分的に書込み、
読出しまたは!J[iされ得るものである。
The data stored in the memory 40 is written in whole or in parts when the key 10 is inserted into the receptacle 50.
Read or! J[i can be done.

キー10におけるメモリ40の記憶情報は、主システム
にアクセスを許容する非常に多くの個人的な個別コード
(50〜100字)を含むんでもよい。キー10は、ま
たターミナル装置の、Tlな部分を含み、それなくして
ターミナルは適当に動作しないものとすることができる
The information stored in the memory 40 in the key 10 may include a large number of personal and unique codes (50-100 characters) that allow access to the main system. The key 10 also includes the Tl portion of the terminal device, without which the terminal may not operate properly.

以−に説明してきたが、実施例では、キーの接触端子と
して、円形の金の接触而を用いているが、これは金に限
定されるものではない。また、この接触而の周囲に固定
されたり、/ヤは、金属を使用しているが、これは、接
触而が金のときには、製造過程で金のワッシャを融着す
るとよく、これらを容易に一体化し1!Jる。また、全
以外の金属ワッシャを使用するときには、低融点はんだ
5を介在させて固定するとよい。
As explained above, in the embodiment, a circular gold contact is used as the contact terminal of the key, but this is not limited to gold. Also, metal is used for the parts fixed around the contacts, but when the contacts are made of gold, gold washers are often fused during the manufacturing process, making it easy to remove them. Unified 1! Jru. Moreover, when using a metal washer other than the metal washer, it is preferable to interpose a low melting point solder 5 and fix it.

なお、ワッシャは、リング状のものならば円形のものに
限定されるものではなく、四角リングであってもよい。
Note that the washer is not limited to a circular ring-shaped washer, and may be a square ring.

また、実施例では、接触端子、メモリを内蔵している面
と同一面側の表面側に設けているが、これは、裏面側若
しくは表裏側にそれぞれ設けてもよく、また、通常のキ
ーの山/谷溝を設ける而となる上又は下若しくは−L下
のサイドに設けてもよい。
In addition, in the embodiment, the contact terminals are provided on the front side, which is the same side as the side containing the memory, but they may be provided on the back side or on the front and back sides respectively. It may be provided on the upper or lower side or on the lower side of -L where the ridges/valleys are provided.

さらに、実施例では、キーにメモリを内蔵して、いるが
、このメモリにRAMを用いて書込みできるようにする
場合には、キーに電池を内蔵させることができる。そし
て接触端子とメモリの端子との間に、増幅器等のバ、フ
ァ回路等を介してこれ、、か接続されてもよいことはも
ちろんである。
Furthermore, in the embodiment, the key has a built-in memory, but if this memory is to be written using a RAM, a battery can be built into the key. Of course, the contact terminal and the memory terminal may be connected via a buffer circuit such as an amplifier or the like.

赴1]1!1例では、キーにE2PROMのメモリを内
蔵しているか、これは、EPROM、FROM等を使用
できることはもちろんである。
1] In the 1!1 example, does the key have a built-in E2PROM memory? Of course, EPROM, FROM, etc. can be used.

さJ、に、実施例ではキーにメモリを内蔵しているか、
メモ]!を内蔵するキーに変えてメモリを内蔵するカー
ドを用いてもよいこ乏はもちろんである。
In the example, does the key have a built-in memory?
Memo]! Of course, it is possible to use a card with a built-in memory instead of a key with a built-in memory.

[発明の効果] 以l、の説明から理解できるように、この発明によれば
、イモ11とこのメモリの端子に直接又は間接的に接続
された接触端子とをイ1″するキー若しくはカードで構
成されたセキュリティキーにおいて、キー7°、シ<は
カードがターゲット/ステムに設けられたレセプタクル
に挿着され、接触端子がこのレセプタクルに設けられた
接触ピンに接触することにより、メモリがターゲット/
ステムのメモリの一部分きなるものであって、接触端子
にリング状の導体を設けているので、ターゲット/ステ
ムのレセプタタル側の接触ピンをリングの内側で案内す
ることかできる。
[Effects of the Invention] As can be understood from the explanation below, according to the present invention, a key or a card is used to connect the potato 11 and the contact terminal directly or indirectly connected to the terminal of this memory. In the constructed security key, the key 7°, < is inserted into the receptacle provided on the target/stem, and the memory is inserted into the target/stem by contacting the contact terminal with the contact pin provided on this receptacle.
Since it is a part of the memory of the stem and the contact terminal is provided with a ring-shaped conductor, the contact pin on the receptor side of the target/stem can be guided inside the ring.

その結果、これらの間の1i続が確′太となる。しかも
接触端γが導・h性のリングであって、その縁がバッフ
1作用を持つことから、数丁間乃至は数万回の抜き差し
しCも、数1回乃至は数力回の(X触が行われた結果レ
セプタクル側の接触ピン側とか、キーの接触端子 (i
llにおいて摩耗が発生したり、位置すれが生じたとし
ても、リングの周囲に接触することで位置が矯正され、
接触状態が確保され、さらには接触面のはがれの防11
にも役\γ−)。
As a result, the 1i continuation between them is guaranteed. Moreover, since the contact end γ is a conductive ring and its edge has a buff 1 effect, insertion and removal C can be performed several times or tens of thousands of times ( As a result of the X touch, the contact pin side of the receptacle side or the contact terminal of the key (i
Even if wear or misalignment occurs in the ring, the position will be corrected by contacting the ring around the ring.
The contact condition is ensured, and furthermore, the contact surface is prevented from peeling11.
Also useful \γ-).

したがって、数丁・回乃至は数カ回の抜き差し使用に対
してもその接続が確実になされる。
Therefore, the connection can be made reliably even after several times of insertion and removal.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、キーとレセプタクルを示す安全/ステムのブ
ロック図、第2図は、レセプタタルから分離したキーの
透視図、第3図(a)及び(b )は、それぞれキー側
の接触端子とレセプタタルのポゴピン(接触ピン)との
接続関係の説明図、第4図は、そのヘッド部分の拡大断
面図、第5図は、キーの積層前の各セラミックス層を構
成する基板の説明図である。 10・・・キー、13・・・ンヤフト部、12・・・ヘ
ッド、L  15,16・・・ワノ/ヤ、17.18・
・・接触端子、20・・・くぼみ、21・・・ボンデン
グ端子1 24・・・セラミックス層、23・・・配線、30.4
3a・・・金属板層、40・・・メモリ、41・・・チ
lブ、42・・・ンエナーダイオード基板層、43・・
・第1セラミックス層、 44・・・第2セラミックス層、 45・・・第3セラミックス層、 46・・・第4セラミ、クス層、 47・・・第5セラミックス層、47・・・第6セラミ
ノクス層、50・・・レセプタタル、 51・・・ソケット、52・・・/リンダ、53・・・
スイlチ、54.55・・・ポゴピン。 特許j11願人 L1本電子材料株式会社代理人   
弁理二)4 梶 山 拮 是第3図((1) 第4図 5図 43aS
Figure 1 is a block diagram of the safety/stem showing the key and receptacle, Figure 2 is a perspective view of the key separated from the receptacle, and Figures 3 (a) and (b) show the contact terminals on the key side, respectively. An explanatory diagram of the connection relationship between the receptacle and the pogo pin (contact pin), Fig. 4 is an enlarged sectional view of the head portion thereof, and Fig. 5 is an explanatory diagram of the substrate constituting each ceramic layer before the key is laminated. . 10...Key, 13...Nyaft part, 12...Head, L 15, 16...Wano/Ya, 17.18.
... Contact terminal, 20 ... Hollow, 21 ... Bonding terminal 1 24 ... Ceramic layer, 23 ... Wiring, 30.4
3a... Metal plate layer, 40... Memory, 41... Chip, 42... Ener diode substrate layer, 43...
・First ceramic layer, 44... Second ceramic layer, 45... Third ceramic layer, 46... Fourth ceramic layer, 47... Fifth ceramic layer, 47... Sixth ceramic layer. Ceraminox layer, 50... receptor, 51... socket, 52.../linda, 53...
Switch, 54.55...pogo pin. Patent J11 applicant L1 Electronic Materials Co., Ltd. Agent
Patent Attorney 2) 4 Kajiyama Kakeru Figure 3 ((1) Figure 4 Figure 5 43aS

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)メモリとこのメモリの端子に直接又は間接的に接
続された接触端子とを有するキー若しくはカードで構成
されたセキュリティキーにおいて、前記キー若しくはカ
ードがターゲットシステムに設けられたレセプタクルに
挿着され、前記接触端子がこのレセプタクルに設けられ
た接触ピンに接触することにより、前記メモリがターゲ
ットシステムのメモリの一部分となるものであって、前
記接触端子にはリング状の導体が設けられていることを
特徴とするセキュリティキー。
(1) A security key consisting of a key or card having a memory and a contact terminal connected directly or indirectly to a terminal of the memory, in which the key or card is inserted into a receptacle provided in a target system. , the memory becomes a part of the memory of the target system when the contact terminal contacts a contact pin provided on the receptacle, and the contact terminal is provided with a ring-shaped conductor. A security key featuring:
(2)キーは、そのヘッド部分にメモリが内蔵され、そ
のシャフト部分に複数の接触端子が配列されているもの
であり、接触ピンはポゴピンであって、前記接触端子は
このポゴピンに接触してターゲットシステムに接続され
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のセキュ
リティキー。
(2) A key has a built-in memory in its head part and a plurality of contact terminals arranged in its shaft part, and the contact pin is a pogo pin, and the contact terminal is in contact with the pogo pin. The security key according to claim 1, characterized in that it is connected to a target system.
(3)キーは、積層されたセラミックス層からなる基板
を有していて、リング状の導体は導電性の金属ワッシャ
であり、接触端子は金のコンタクト上に前記金属ワッシ
ャを固定して形成され、かつ前記メモリを内蔵している
面と同一面側の表面側又は裏面側若しくは表裏側におい
てメモリの端子に対応してそれぞれ設けられ、前記メモ
リのチップ又はこのチップがボンディングされた基板が
ツェナーダイオードの静電防止層の上に載置されている
ことを特徴とする特許請求の範囲第2項記載のセキュリ
ティキー。
(3) The key has a substrate made of laminated ceramic layers, the ring-shaped conductor is a conductive metal washer, and the contact terminal is formed by fixing the metal washer on a gold contact. , and provided corresponding to the terminals of the memory on the front side or the back side or the front and back sides on the same side as the side containing the memory, and the memory chip or the substrate to which this chip is bonded is a Zener diode. 3. The security key according to claim 2, wherein the security key is placed on an antistatic layer.
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