JPS6242526B2 - - Google Patents
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- JPS6242526B2 JPS6242526B2 JP7259181A JP7259181A JPS6242526B2 JP S6242526 B2 JPS6242526 B2 JP S6242526B2 JP 7259181 A JP7259181 A JP 7259181A JP 7259181 A JP7259181 A JP 7259181A JP S6242526 B2 JPS6242526 B2 JP S6242526B2
- Authority
- JP
- Japan
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- circularly polarized
- current
- radiating element
- microstripline
- microstrip line
- Prior art date
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- Expired
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 12
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 8
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 8
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
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- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q9/00—Electrically-short antennas having dimensions not more than twice the operating wavelength and consisting of conductive active radiating elements
- H01Q9/04—Resonant antennas
- H01Q9/0407—Substantially flat resonant element parallel to ground plane, e.g. patch antenna
Landscapes
- Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
- Waveguide Aerials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、誘電体基板上に導体膜からなる給
電用マイクロストリツプラインと放射素子を形成
して平板状に構成したアンテナに係り、特に円偏
波の回旋方向を切換える機能を有する偏波切換型
円偏波アンテナに関する。
電用マイクロストリツプラインと放射素子を形成
して平板状に構成したアンテナに係り、特に円偏
波の回旋方向を切換える機能を有する偏波切換型
円偏波アンテナに関する。
従来、円偏波の回旋方向を切換える機能を有す
るこの種の円偏波アンテナは、一般に第1図に示
すように構成されている。すなわち、1は裏面に
接地導体膜2が被着された誘電体基板であり、こ
の基板1上に導体膜からなる給電回路3および放
射素子4が形成される。給電回路3は3dBハイブ
リツドカツプラ5とマイクロストリツプライン
6,7,8,9からなる。
るこの種の円偏波アンテナは、一般に第1図に示
すように構成されている。すなわち、1は裏面に
接地導体膜2が被着された誘電体基板であり、こ
の基板1上に導体膜からなる給電回路3および放
射素子4が形成される。給電回路3は3dBハイブ
リツドカツプラ5とマイクロストリツプライン
6,7,8,9からなる。
このような構成で、今、マイクロストリツプラ
イン6を給電端、マイクロストリツプライン7を
終端として放射素子4に給電すると、3dBハイブ
リツドカツプラ5の出力であるマイクロストリツ
プライン8,9上の電流は、振幅が等しく、位相
はマイクロストリツプライン9上の電流がマイク
ロストリツプライン8上の電流に比べ90゜遅れて
いる。このような電流が放射素子4に給電される
と、第2図に示すようにマイクロストリツプライ
ン8から結合される電流21とマイクロストリツ
プライン9から結合される電流22とが放射素子
4上に流れる。電流21と電流22は90゜の位相
差があり、電流22は電流21に対し90゜位相が
遅れている。この結果、放射素子4から接地導体
膜2側より見て時計方向に回転する右旋円偏波が
放射される。次にマイクロストリツプライン7を
給電端、マイクロストリツプライン6を終端とし
て放射素子4に給電すると、3dBハイブリツド5
を通過後のマイクロストリツプライン8,9上の
電流成分は前記と逆になり、振幅が等しく位相は
マイクロストリツプライン8上の電流がマイクロ
ストリツプライン9より90゜遅れた状態になる。
その結果、放射素子4上にマイクロストリツプラ
イン8,9から結合される電流は第3図の31,
32のようになり、第2図の場合と逆方向回転
の、すなわち左旋円偏波が放射される。
イン6を給電端、マイクロストリツプライン7を
終端として放射素子4に給電すると、3dBハイブ
リツドカツプラ5の出力であるマイクロストリツ
プライン8,9上の電流は、振幅が等しく、位相
はマイクロストリツプライン9上の電流がマイク
ロストリツプライン8上の電流に比べ90゜遅れて
いる。このような電流が放射素子4に給電される
と、第2図に示すようにマイクロストリツプライ
ン8から結合される電流21とマイクロストリツ
プライン9から結合される電流22とが放射素子
4上に流れる。電流21と電流22は90゜の位相
差があり、電流22は電流21に対し90゜位相が
遅れている。この結果、放射素子4から接地導体
膜2側より見て時計方向に回転する右旋円偏波が
放射される。次にマイクロストリツプライン7を
給電端、マイクロストリツプライン6を終端とし
て放射素子4に給電すると、3dBハイブリツド5
を通過後のマイクロストリツプライン8,9上の
電流成分は前記と逆になり、振幅が等しく位相は
マイクロストリツプライン8上の電流がマイクロ
ストリツプライン9より90゜遅れた状態になる。
その結果、放射素子4上にマイクロストリツプラ
イン8,9から結合される電流は第3図の31,
32のようになり、第2図の場合と逆方向回転
の、すなわち左旋円偏波が放射される。
しかしながら、このアンテナでは給電回路3に
3dBハイブリツドカツプラ5を必要とするため、
1つの放射素子4に対して必要とする誘電体基板
1上の占有面積が大きくなつてしまい、価格的に
も高くなる。従つてアレイアンテナを実現しよう
とする場合、放射素子4の配列に大きな制約を受
けるという問題がある。さらに給電端を機械的も
しくは電気的に切換えなければならず、そのため
に複雑な装置を必要とする問題がある。
3dBハイブリツドカツプラ5を必要とするため、
1つの放射素子4に対して必要とする誘電体基板
1上の占有面積が大きくなつてしまい、価格的に
も高くなる。従つてアレイアンテナを実現しよう
とする場合、放射素子4の配列に大きな制約を受
けるという問題がある。さらに給電端を機械的も
しくは電気的に切換えなければならず、そのため
に複雑な装置を必要とする問題がある。
この発明は、上記の問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は簡単かつ形状的に小さな構成で
円偏波の回旋方向を切換えることができる偏波切
換型円偏波アンテナを提供するにある。
ので、その目的は簡単かつ形状的に小さな構成で
円偏波の回旋方向を切換えることができる偏波切
換型円偏波アンテナを提供するにある。
この発明は、誘電体基板上に給電用マイクロス
トリツプラインおよびこれと分布結合する円偏波
放射素子を導体膜により形成し、給電用マイクロ
ストリツプラインの先端を開放状態と短絡状態と
に切換えることによつて、円偏波の回旋方向を右
旋、左旋に切換えるようにしたことを特徴として
いる。この発明によるアンテナは、給電用マイク
ロストリツプラインと放射素子および簡単なスイ
ツチング素子を含む偏波切換手段によつて構成さ
れるため、従来のアンテナに比べ著しく簡単化、
かつ小型化される。また、円偏波の回旋方向の切
換えは給電用マイクロストリツプラインと放射素
子との結合モードの切換えによつてなされるた
め、その切換えに複雑な装置を必要としないとい
う利点がある。
トリツプラインおよびこれと分布結合する円偏波
放射素子を導体膜により形成し、給電用マイクロ
ストリツプラインの先端を開放状態と短絡状態と
に切換えることによつて、円偏波の回旋方向を右
旋、左旋に切換えるようにしたことを特徴として
いる。この発明によるアンテナは、給電用マイク
ロストリツプラインと放射素子および簡単なスイ
ツチング素子を含む偏波切換手段によつて構成さ
れるため、従来のアンテナに比べ著しく簡単化、
かつ小型化される。また、円偏波の回旋方向の切
換えは給電用マイクロストリツプラインと放射素
子との結合モードの切換えによつてなされるた
め、その切換えに複雑な装置を必要としないとい
う利点がある。
以下、この発明の実施例を図面を参照して説明
する。
する。
第4図にこの発明の一実施例の偏波切換型円偏
波アンテナの構成を示す。第4図において41は
誘電体基板であり、その裏面には接地導体膜42
が一様に被着されている。この誘電体基板41に
は導体膜からなる給電用マイクロストリツプライ
ン43および円偏波放射素子44が形成されてい
る。放射素子44はこの例では、誘電体基板41
による波長短縮率を考慮した波長をλgとしたと
き、一辺の長さがほぼλg/2の正方形状に形成
され、かつ一つの対角線上にスリツト45が設け
られている。なお、放射素子44全体の形状は長
方形もしくは円形状等の他の形状であつてもよ
い。放射素子44は一辺が給電用マイクロストリ
ツプライン43に近接して配置されており、マイ
クロストリツプライン43の一端43aを例えば
高周波信号源に接続してマイクロストリツプライ
ン43に電流を流したとき、放射素子44はマイ
クロストリツプライン43との分布結合により励
振される。なお、放射素子の形状が円形状の場合
は、給電用マイクロストリツプラインは例えば放
射素子の半周に沿つてわん曲して形成されて、放
射素子と分布結合することになる。
波アンテナの構成を示す。第4図において41は
誘電体基板であり、その裏面には接地導体膜42
が一様に被着されている。この誘電体基板41に
は導体膜からなる給電用マイクロストリツプライ
ン43および円偏波放射素子44が形成されてい
る。放射素子44はこの例では、誘電体基板41
による波長短縮率を考慮した波長をλgとしたと
き、一辺の長さがほぼλg/2の正方形状に形成
され、かつ一つの対角線上にスリツト45が設け
られている。なお、放射素子44全体の形状は長
方形もしくは円形状等の他の形状であつてもよ
い。放射素子44は一辺が給電用マイクロストリ
ツプライン43に近接して配置されており、マイ
クロストリツプライン43の一端43aを例えば
高周波信号源に接続してマイクロストリツプライ
ン43に電流を流したとき、放射素子44はマイ
クロストリツプライン43との分布結合により励
振される。なお、放射素子の形状が円形状の場合
は、給電用マイクロストリツプラインは例えば放
射素子の半周に沿つてわん曲して形成されて、放
射素子と分布結合することになる。
給電用マイクロストリツプライン43の先端4
3bは、偏波方向の切換えのためのスイツチング
素子としてのダイオードスイツチ46を介して接
地端子48に接続されるとともに、直流成分を通
過させ高周波成分は通過させないためのローパス
フイルタ47を介してバイアス端子49に接続さ
れている。
3bは、偏波方向の切換えのためのスイツチング
素子としてのダイオードスイツチ46を介して接
地端子48に接続されるとともに、直流成分を通
過させ高周波成分は通過させないためのローパス
フイルタ47を介してバイアス端子49に接続さ
れている。
次に、このアンテナの動作を第5図および第6
図を用いて説明する。今、バイアス端子49に接
地電位または負の電圧を印加し、ダイオードスイ
ツチ46に逆方向バイアスを与えると、ダイオー
ドスイツチ46がカツトオフ状態となることによ
り、給電用マイクロストリツプライン43の先端
43bは開放状態となる。このときの様子を第5
図に示す。すなわち、マイクロストリツプライン
43の先端43bが開放状態のときには、マイク
ロストリツプライン43上の電圧V、電流I分布
は第5図aに示すようになり、放射素子44の一
辺に対向している部分の両端で電圧最大、中央部
で電流最大となる。従つて、この場合のマイクロ
ストリツプライン43と放射素子44との分布結
合は、電流結合(誘導結合)となる。その結果、
放射素子44には第5図bに示すようにストリツ
プライン43と平行な方向に電流51が流れる。
このとき、スリツト45によりこの電流51のモ
ードの縮退が解かれるため、結局この電流51の
向に対して±45゜の方向つまりスリツト45に平
行な方向およびこれと直交する方向に、いわゆる
直交ダイポールモードの2つの電流52,53が
分離して流れ、円偏波が発生する。すなわち電流
52,53は振幅が等しく、位相はスリツト45
に平行な方向の電流52に対し直交する方向の電
流53が90゜遅れた関係になつている。従つて、
この場合は接地導体膜42側から見て時計方向の
右旋円偏波が発生することになる。
図を用いて説明する。今、バイアス端子49に接
地電位または負の電圧を印加し、ダイオードスイ
ツチ46に逆方向バイアスを与えると、ダイオー
ドスイツチ46がカツトオフ状態となることによ
り、給電用マイクロストリツプライン43の先端
43bは開放状態となる。このときの様子を第5
図に示す。すなわち、マイクロストリツプライン
43の先端43bが開放状態のときには、マイク
ロストリツプライン43上の電圧V、電流I分布
は第5図aに示すようになり、放射素子44の一
辺に対向している部分の両端で電圧最大、中央部
で電流最大となる。従つて、この場合のマイクロ
ストリツプライン43と放射素子44との分布結
合は、電流結合(誘導結合)となる。その結果、
放射素子44には第5図bに示すようにストリツ
プライン43と平行な方向に電流51が流れる。
このとき、スリツト45によりこの電流51のモ
ードの縮退が解かれるため、結局この電流51の
向に対して±45゜の方向つまりスリツト45に平
行な方向およびこれと直交する方向に、いわゆる
直交ダイポールモードの2つの電流52,53が
分離して流れ、円偏波が発生する。すなわち電流
52,53は振幅が等しく、位相はスリツト45
に平行な方向の電流52に対し直交する方向の電
流53が90゜遅れた関係になつている。従つて、
この場合は接地導体膜42側から見て時計方向の
右旋円偏波が発生することになる。
一方、バイアス端子49に正の電圧を印加し、
ダイオードスイツチ46に順方向バイアスを与え
ると、ダイオードスイツチ46がオン状態となる
ことにより、給電用マイクロストリツプライン4
3の先端43bは接地され、短絡状態となる。こ
のときの様子を第6図に示す。すなわち、マイク
ロストリツプライン43の先端が短絡状態のとき
には、マイクロストリツプライン43上の電圧、
電流分布は第6図aのようになり、第5図aとは
逆に放射素子44の一辺に対向している部分の中
央部で電圧最大、両端部で電流最大となる。従つ
てこの場合のマイクロストリツプライン43と放
射素子44との分布結合は、電界結合(容量結
合)となる。その結果、放射素子44には第6図
bに示すようにストリツプライン43と直交する
方向に電流61が流れる。そしてこの電流61が
同様にスリツト45によつて2つの直交ダイポー
ルモードの電流62,63に分離して流れること
により、円偏波が発生する。この場合は、電流6
2,63は振幅が等しく、位相はやはりスリツト
45に平行な方向の電流に対し、これと直交する
方向の電流63が90゜遅れた関係となるから、第
5図の場合とは逆に左旋円偏波が発生し、ここに
円偏波の回旋方向が切換えられたことになる。
ダイオードスイツチ46に順方向バイアスを与え
ると、ダイオードスイツチ46がオン状態となる
ことにより、給電用マイクロストリツプライン4
3の先端43bは接地され、短絡状態となる。こ
のときの様子を第6図に示す。すなわち、マイク
ロストリツプライン43の先端が短絡状態のとき
には、マイクロストリツプライン43上の電圧、
電流分布は第6図aのようになり、第5図aとは
逆に放射素子44の一辺に対向している部分の中
央部で電圧最大、両端部で電流最大となる。従つ
てこの場合のマイクロストリツプライン43と放
射素子44との分布結合は、電界結合(容量結
合)となる。その結果、放射素子44には第6図
bに示すようにストリツプライン43と直交する
方向に電流61が流れる。そしてこの電流61が
同様にスリツト45によつて2つの直交ダイポー
ルモードの電流62,63に分離して流れること
により、円偏波が発生する。この場合は、電流6
2,63は振幅が等しく、位相はやはりスリツト
45に平行な方向の電流に対し、これと直交する
方向の電流63が90゜遅れた関係となるから、第
5図の場合とは逆に左旋円偏波が発生し、ここに
円偏波の回旋方向が切換えられたことになる。
なお、上記実施例においてスリツト45は第4
図に破線で示すように放射素子44のもう一つの
対角線上に設けてもよく、その場合は逆にマイク
ロストリツプライン43の先端43bを開放状態
としたとき、左旋円偏波、短絡状態としたとき右
旋円偏波がそれぞれ発生することになる。
図に破線で示すように放射素子44のもう一つの
対角線上に設けてもよく、その場合は逆にマイク
ロストリツプライン43の先端43bを開放状態
としたとき、左旋円偏波、短絡状態としたとき右
旋円偏波がそれぞれ発生することになる。
以上説明したように、この発明によればダイオ
ードスイツチのようなスイツチング素子を用い
て、円偏波放射素子と分布結合する結電用マイク
ロストリツプラインの先端を開放状態と短絡状態
とに切換えるという、従来に比べ大幅に簡略化さ
れた構成によつて、円偏波の回旋方向を切換える
ことができるため、誘電体基板上における放射素
子以外の部分の占有面積を非常に小さくすること
が可能であり、アンテナ全体の小型化と、低価格
化を図ることができる。
ードスイツチのようなスイツチング素子を用い
て、円偏波放射素子と分布結合する結電用マイク
ロストリツプラインの先端を開放状態と短絡状態
とに切換えるという、従来に比べ大幅に簡略化さ
れた構成によつて、円偏波の回旋方向を切換える
ことができるため、誘電体基板上における放射素
子以外の部分の占有面積を非常に小さくすること
が可能であり、アンテナ全体の小型化と、低価格
化を図ることができる。
従つて、この発明は誘電体基板上における占有
面積の減少と、デツドスペースの減少によつて、
アレイアンテナを構成する場合、放射素子の配列
に制約を受けることが少なくなり、所望のアレイ
パターンが容易に得られる。第7図はこの発明を
アレイアンテナに適用した実施例を示したもの
で、給電用マイクロストリツプライン43を複数
本平行に配列するとともに、各々のマイクロスト
リツプライン43の両側に放射素子44をマイク
ロストリツプライン43の長さ方向に沿つて配列
している。これによつてサイドローブの低いアン
テナを実現することができる。なお、この場合マ
イクロストリツプライン43と平行の方向および
これと直交する方向において隣接する放射素子の
中心間距離A,Bはいずれもほぼλg程度が適当
である。また、この例では各々のマイクロストリ
ツプライン43の先端にダイオードスイツチ46
およびローパスフイルタ47を個別に装荷してい
るが、これらを複数のマイクロストリツプライン
に対し共用することも可能である。
面積の減少と、デツドスペースの減少によつて、
アレイアンテナを構成する場合、放射素子の配列
に制約を受けることが少なくなり、所望のアレイ
パターンが容易に得られる。第7図はこの発明を
アレイアンテナに適用した実施例を示したもの
で、給電用マイクロストリツプライン43を複数
本平行に配列するとともに、各々のマイクロスト
リツプライン43の両側に放射素子44をマイク
ロストリツプライン43の長さ方向に沿つて配列
している。これによつてサイドローブの低いアン
テナを実現することができる。なお、この場合マ
イクロストリツプライン43と平行の方向および
これと直交する方向において隣接する放射素子の
中心間距離A,Bはいずれもほぼλg程度が適当
である。また、この例では各々のマイクロストリ
ツプライン43の先端にダイオードスイツチ46
およびローパスフイルタ47を個別に装荷してい
るが、これらを複数のマイクロストリツプライン
に対し共用することも可能である。
この発明はその他種々変形して実施が可能であ
り、例えば第8図に示すように給電用ストリツプ
ライン43の先端43bとダイオードスイツチ4
6との間にインピーダンス整合回路50を挿入し
てもよい。
り、例えば第8図に示すように給電用ストリツプ
ライン43の先端43bとダイオードスイツチ4
6との間にインピーダンス整合回路50を挿入し
てもよい。
また、この発明のアンテナにおける円偏波放射
素子としてはスリツトを形成したものに代えて、
第9図に示すように縁部に適当な形状の凸部91
または92を形成したもの、あるいは第10図に
示すように同一対角線上の両端部に切欠き10
1,102または103,104を形成したもの
を用いてもよい。
素子としてはスリツトを形成したものに代えて、
第9図に示すように縁部に適当な形状の凸部91
または92を形成したもの、あるいは第10図に
示すように同一対角線上の両端部に切欠き10
1,102または103,104を形成したもの
を用いてもよい。
さらにこの発明のアンテナは送信アンテナとし
てのみならず、受信アンテナとしても用いること
ができるのはいうまでもない。
てのみならず、受信アンテナとしても用いること
ができるのはいうまでもない。
第1図は従来の偏波切換型円偏波アンテナの構
成を示す平面図および断面図、第2図および第3
図はその動作説明図、第4図はこの発明の一実施
例に係る偏波切換型円偏波アンテナの構成を示す
平面図およびA―A′断面図、第5図および第6
図は第4図のアンテナの動作説明図、第7図a,
bはこの発明をアレイアンテナに適用した実施例
を示す図、第8図はこの発明の他の実施例を示す
平面図、第9図および第10図はこの発明で用い
る円偏波放射素子の他の例を示す平面図である。 41…誘電体基板、42…接地導体膜、43…
給電用マイクロストリツプライン、44…円偏波
放射素子、45…スリツト、46…ダイオードス
イツチ、47…ローパスフイルタ、48…接地端
子、49…バイアス端子、50…整合回路。
成を示す平面図および断面図、第2図および第3
図はその動作説明図、第4図はこの発明の一実施
例に係る偏波切換型円偏波アンテナの構成を示す
平面図およびA―A′断面図、第5図および第6
図は第4図のアンテナの動作説明図、第7図a,
bはこの発明をアレイアンテナに適用した実施例
を示す図、第8図はこの発明の他の実施例を示す
平面図、第9図および第10図はこの発明で用い
る円偏波放射素子の他の例を示す平面図である。 41…誘電体基板、42…接地導体膜、43…
給電用マイクロストリツプライン、44…円偏波
放射素子、45…スリツト、46…ダイオードス
イツチ、47…ローパスフイルタ、48…接地端
子、49…バイアス端子、50…整合回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 誘電体基板上に導体膜からなる給電用マイク
ロストリツプラインおよびこれと分布結合する円
偏波放射素子を形成するとともに、前記マイクロ
ストリツプラインの先端を開放状態と短絡状態と
に切換えて円偏波の回旋方向を切換える偏波切換
手段を備えたことを特徴とする偏波切換型円偏波
アンテナ。 2 偏波切換手段は、給電用マイクロストリツプ
ラインの先端と接地点間に接続されたスイツチン
グ素子からなることを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載の偏波切換型円偏波アンテナ。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7259181A JPS57188107A (en) | 1981-05-14 | 1981-05-14 | Polarization switching type circular polarized wave antenna |
US06/371,927 US4454514A (en) | 1981-05-14 | 1982-04-26 | Strip antenna with polarization control |
DE8282103627T DE3261919D1 (en) | 1981-05-14 | 1982-04-28 | A micro-strip antenna |
EP82103627A EP0066094B1 (en) | 1981-05-14 | 1982-04-28 | A micro-strip antenna |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7259181A JPS57188107A (en) | 1981-05-14 | 1981-05-14 | Polarization switching type circular polarized wave antenna |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS57188107A JPS57188107A (en) | 1982-11-19 |
JPS6242526B2 true JPS6242526B2 (ja) | 1987-09-09 |
Family
ID=13493785
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7259181A Granted JPS57188107A (en) | 1981-05-14 | 1981-05-14 | Polarization switching type circular polarized wave antenna |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS57188107A (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5233358A (en) * | 1989-04-24 | 1993-08-03 | Hughes Aircraft Company | Antenna beam forming system |
JPH07112130B2 (ja) * | 1989-06-02 | 1995-11-29 | 山武ハネウエル株式会社 | 左旋と右旋の2円偏波用アンテナ装置 |
JP3095072B2 (ja) * | 1998-06-17 | 2000-10-03 | 日本電気株式会社 | 偏波切換アンテナ |
GB2396967A (en) * | 2002-12-30 | 2004-07-07 | Nokia Corp | Strip feed arrangement for a compact internal planar antenna element |
KR101043764B1 (ko) | 2009-10-26 | 2011-06-22 | 중앙대학교 산학협력단 | Rf mems 스위치를 사용하는 원형/선형 편파 재구성 안테나 |
-
1981
- 1981-05-14 JP JP7259181A patent/JPS57188107A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS57188107A (en) | 1982-11-19 |
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