JPS6241449Y2 - - Google Patents

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JPS6241449Y2
JPS6241449Y2 JP11516179U JP11516179U JPS6241449Y2 JP S6241449 Y2 JPS6241449 Y2 JP S6241449Y2 JP 11516179 U JP11516179 U JP 11516179U JP 11516179 U JP11516179 U JP 11516179U JP S6241449 Y2 JPS6241449 Y2 JP S6241449Y2
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  • Control Of Amplification And Gain Control (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、電子ボリユームを利用した信号減衰
回路の改良に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an improvement in a signal attenuation circuit using an electronic volume.

電子ボリユーム回路は一般に差動回路の99段接
続で成り、印加する直流電圧のレベルによつて減
衰量を調整するものであり、最大減衰量は約−
80dβ〜−90dβ(0dβ=0.775V)である。とこ
ろがこの電子ボリユーム回路は多くの電流を必要
とし、このためトランジスタから発生するノイズ
が多く、従つて次段に増幅器を接続するとそのノ
イズが大きく増幅されると共に、最大減衰量でも
前記の程度であるので入力信号の漏れが生じてこ
れが増幅されるようになる。
Electronic volume circuits generally consist of 99 stages of differential circuits, and the amount of attenuation is adjusted depending on the level of the applied DC voltage, and the maximum amount of attenuation is approximately -
80dβ to −90dβ (0dβ=0.775V). However, this electronic volume circuit requires a large amount of current, and therefore generates a lot of noise from the transistor. Therefore, when an amplifier is connected to the next stage, that noise is greatly amplified, and even the maximum attenuation is about the same as above. Therefore, input signal leakage occurs and is amplified.

本考案は斯る点に鑑みたもので、電子ボリユー
ムにミユーテイング素子を接続して、減衰増大時
には電子ボリユーム回路の最大減衰点付近で該素
子によりミユーテイングを徐々にかけ、減衰減少
時にはその逆を行なうようにして、前記したよう
なノイズや漏れた信号が次段の増幅器等に至らな
いようにせんとするものである。
The present invention has been developed in view of this point, in which a muting element is connected to the electronic volume, and when the attenuation increases, the muting is gradually applied by the element near the maximum attenuation point of the electronic volume circuit, and the opposite is performed when the attenuation decreases. This is intended to prevent the above-mentioned noise and leaked signals from reaching the next stage amplifier, etc.

以下、図を参照して本考案の一実施例を説明す
る。第1図において、電子ボリユーム回路1は一
定の直流電圧が印加されている可変抵抗VRによ
り分割して得た第1の制御電圧としての調整電圧
を制御端子1aに印加することにより、第2図に
示すような減衰特性をもつ。この第2図の横軸は
制御端子1aに加わる直流電圧、縦軸は入力端子
1bを0dβ(=0.775V)とした場合の出力端子
1cに現われるレベルを示す。この場合調整電圧
が2Vで減衰量は最大の−90dβとなつている。
Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In FIG. 1, the electronic volume circuit 1 applies to the control terminal 1a an adjusted voltage as a first control voltage obtained by dividing a constant DC voltage by a variable resistor VR, as shown in FIG. It has the attenuation characteristics shown in . In FIG. 2, the horizontal axis shows the DC voltage applied to the control terminal 1a, and the vertical axis shows the level appearing at the output terminal 1c when the input terminal 1b is set to 0dβ (=0.775V). In this case, the adjustment voltage is 2V and the attenuation amount is -90dβ, which is the maximum.

PチヤンネルのFETQ1はそのドレーン・ソー
スが電子ボリユーム回路1と増幅器2とに接続さ
れたミユーテイング回路を構成し、電圧+Bが抵
抗R1,R2を介して第2の制御電圧としてゲート
に加わることにより、ドレーン・ソース間の抵抗
値を最少にするが、トランジスタQ2の導通の程
度に比例してゲートへの印加電圧が減少し、ドレ
ーン・ソース間の抵抗値を増大してミユーテイン
グ作用を行なう。そして、このトランジスタQ2
は抵抗R4,R5とコンデンサCとの共通接続点A
の電位によつて制御される。
P channel FETQ 1 constitutes a muting circuit whose drain and source are connected to electronic volume circuit 1 and amplifier 2, and voltage +B is applied to the gate as a second control voltage via resistors R 1 and R 2 . This minimizes the resistance value between the drain and source, but the voltage applied to the gate decreases in proportion to the degree of conduction of transistor Q2 , increasing the resistance value between the drain and source and causing a muting effect. Let's do it. And this transistor Q 2
is the common connection point A between resistors R 4 and R 5 and capacitor C
controlled by the potential of

並列接続されたトランジスタQ3とQ4はカレン
トスイツチ回路を構成し、一方のトランジスタ
Q3のベースには抵抗R6とR7で電圧+Bを分割し
て得た電圧VB1がスイツチ動作基準電圧として印
加されている。この電圧VB1は電子ボリユーム回
路1の減衰量が最大(−90dβ)となる直前の制
御端子1aの調整電圧(2.5V)に相当する電圧
点Pに設定する。抵抗R8は共通のエミツタ抵
抗、抵抗R9,R10は同値のコレクタ抵抗である。
従つてこのカレントスイツチ回路においては、電
子ボリユーム回路1の制御端子1aに抵抗R11
介して接続される他方のトランジスタQ4のベー
ス電圧VB2が、VB2<VB1の時トランジスタQ4
通、Q3遮断する第1の状態となり、VB2>VB1
時はその逆の第2の状態となる。
Transistors Q 3 and Q 4 connected in parallel form a current switch circuit, and one transistor
A voltage V B1 obtained by dividing voltage +B by resistors R 6 and R 7 is applied to the base of Q 3 as a switch operation reference voltage. This voltage V B1 is set at a voltage point P corresponding to the regulated voltage (2.5 V) at the control terminal 1a immediately before the attenuation of the electronic volume circuit 1 reaches its maximum (-90dβ). Resistor R 8 is a common emitter resistance, and resistors R 9 and R 10 are collector resistances of the same value.
Therefore, in this current switch circuit, when the base voltage V B2 of the other transistor Q 4 connected to the control terminal 1a of the electronic volume circuit 1 via the resistor R 11 is V B2 <V B1 , the transistor Q 4 becomes conductive. , Q 3 is cut off, and when V B2 > V B1 , the second state is the opposite.

抵抗R4とコンデンサCは積分回路を構成し、
トランジスタQ4の導通によつて生じる抵抗R10
電圧をC・R4の時定数でA点に与える。トラン
ジスタQ5はトランジスタQ3の導通によつて導通
し、コンデンサCの電荷を抵抗R5を介して放電
させる。
Resistor R4 and capacitor C constitute an integrating circuit,
The voltage across resistor R10 generated by conduction of transistor Q4 is applied to point A with a time constant of C· R4 . Transistor Q 5 becomes conductive due to the conduction of transistor Q 3 and discharges the charge on capacitor C through resistor R 5 .

以上において、可変抵抗VRを調整することに
より、電子ボリユーム回路1の減衰特性は第2図
のようになるが、これによりVB2>VB1の範囲内
にあればトランジスタQ3が導通、Q4が遮断して
おり、このためトランジスタQ5も導通してお
り、従つてトランジスタQ2は遮断しており、
FETQ1はこの導通度が最大となつて、増幅器2
には電子ボリユーム回路1からの信号がそのまま
入力する。
In the above, by adjusting the variable resistor VR, the attenuation characteristic of the electronic volume circuit 1 becomes as shown in FIG . is blocking, so transistor Q 5 is also conducting, so transistor Q 2 is blocking,
FETQ 1 has the highest degree of conductivity and is connected to amplifier 2.
The signal from the electronic volume circuit 1 is input as is.

そして可変抵抗VRによつて制御端子1aへの
電圧を徐々に下げてゆき、VB2<VB1となると、
トランジスタQ3が遮断してQ4が導通するように
なり、A点の電位が徐々に上昇し、これによりト
ランジスタQ2の導通度が徐々に向上し、従つて
FETQ1のドレーン・ソース間の抵抗が徐々に増
加するようになる。この場合のFETQ1の減衰特
性は第3図のようになり、電子ボリユーム回路1
における減衰がP点となつた時点t0から減衰すな
わちミユーテイングを開始する。従つて増幅器2
へのノイズや漏れ信号が伝達しない減衰レベルS
になるまでの時間t1をC・R4で決める。
Then, the voltage applied to the control terminal 1a is gradually lowered by the variable resistor VR, and when V B2 < V B1 ,
Transistor Q 3 is cut off and Q 4 becomes conductive, the potential at point A gradually increases, which gradually improves the conductivity of transistor Q 2 , and therefore
The resistance between the drain and source of FETQ 1 will gradually increase. In this case, the attenuation characteristics of FETQ 1 are as shown in Figure 3, and the electronic volume circuit 1
Attenuation, that is, mutating, starts from time t 0 when the attenuation at point P reaches point P. Therefore amplifier 2
Attenuation level S at which noise and leakage signals are not transmitted to
Determine the time t 1 until it becomes C・R 4 .

次に以上の状態から可変抵抗VRを調整して今
度はVB2>VB1にすると、トランジスタQ4が遮断
してQ3が導通し、これによりトランジスタQ5
導通するようになる。このためコンデンサCの電
荷は、抵抗R4とR10、抵抗R3とトランジスタQ2
ルート以外に抵抗R5とトランジスタQ5のルート
を介しても放電されるようになり、このためトラ
ンジスタQ2の導通度が徐々に下り、FETQ1のド
レーン・ソース間の低抗が徐々に減少してミユー
テイングを解除するようになる。
Next, from the above state, when the variable resistor VR is adjusted so that V B2 >V B1 , the transistor Q 4 is cut off and Q 3 becomes conductive, which causes the transistor Q 5 to become conductive. Therefore, the charge in capacitor C is discharged not only through the route between resistors R4 and R10 , resistor R3 and transistor Q2 , but also through the route between resistor R5 and transistor Q5 . The conductivity of FETQ 2 gradually decreases, and the low resistance between the drain and source of FETQ 1 gradually decreases, releasing the muting.

従つて以上から、可変抵抗VRを調整して制御
端子1aへの電圧を徐々に減少してゆき、電子ボ
リユーム回路1の減衰量がP点に至るとFETQ1
により徐々にミユーテイングがかかり、増幅器2
へのノイズや漏れ信号が効果的に減衰されるよう
になる。そして次に制御端子1aへの電圧を徐々
に上昇してゆけば、減衰量がP点にまで至つてか
らFETQ1によるミユーテイングが徐々に解除さ
れるようになる。この場合の総合減衰特性は第4
図のようになる。P点から上の範囲は電子ボリユ
ーム回路1の制御端子1aへの直流電圧による減
衰特性、下の範囲はFETQ1の時間的変化による
減衰特性である。
Therefore, from the above, the voltage applied to the control terminal 1a is gradually decreased by adjusting the variable resistor VR, and when the attenuation amount of the electronic volume circuit 1 reaches point P, FETQ 1
Muting is gradually applied, and amplifier 2
noise and leakage signals are effectively attenuated. Then, if the voltage to the control terminal 1a is gradually increased, the muting by FETQ 1 will be gradually canceled after the attenuation amount reaches point P. In this case, the overall damping characteristic is the fourth
It will look like the figure. The range above point P is the attenuation characteristic due to the DC voltage applied to the control terminal 1a of the electronic volume circuit 1, and the range below is the attenuation characteristic due to the temporal change of FETQ1 .

以上から本考案によれば、電子ボリユームがあ
る減衰量以上になるとミユーテイング回路が働く
ので理論的に減衰量を−∞にすることが可能とな
り、ノイズや信号の漏れを完全に無くすることが
できるようになると共に、前記ミユーテイング回
路は時間経過に略比例してその伝達量を低下させ
るので、音声信号伝送回路に利用する場合には音
量或いは電子ボリユーム回路等からの残留ノイズ
成分を徐々に低化させることになり聴感上好まし
いものとなる。また、この時点より音量を増大さ
せるよう電子ボリユーム回路を制御すると、減衰
量が−∞の状態から徐々に小さくなつて音量が
徐々に増大することになり、自然な聴感感覚を得
ることができる。
From the above, according to the present invention, when the electronic volume exceeds a certain attenuation amount, the muting circuit works, so it is theoretically possible to reduce the attenuation amount to -∞, and noise and signal leakage can be completely eliminated. At the same time, the mutating circuit reduces its transmission amount approximately in proportion to the passage of time, so when used in an audio signal transmission circuit, residual noise components from a volume or electronic volume circuit, etc. are gradually reduced. This makes it more pleasing to the auditory sense. Furthermore, if the electronic volume circuit is controlled to increase the volume from this point on, the amount of attenuation will gradually decrease from the -∞ state and the volume will gradually increase, making it possible to obtain a natural auditory sensation.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本考案の一実施例の回路図、第2図は
電子ボリユームの減衰特性図、第3図はFETQ1
の減衰特性図、第4図は本実施例による総合減衰
特性図である。
Figure 1 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention, Figure 2 is an electronic volume attenuation characteristic diagram, and Figure 3 is a diagram of FETQ 1.
FIG. 4 is a comprehensive attenuation characteristic diagram according to this embodiment.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】 信号伝送回路に挿入され第1の制御電圧により
入力信号の減衰量が制御される電子ボリユーム回
路と、 この電子ボリユーム回路の出力端に接続され前
記電子ボリユーム回路からの出力信号の伝達量を
第2の制御電圧に応じて制御するミユーテイング
回路と、 前記電子ボリユーム回路に与える前記第1の制
御電圧を一方の入力とし、基準電圧を他方の入力
として前記第1の制御電圧が、前記電子ボリユー
ム回路の減衰量を最大減衰量近傍の第1の値から
それ以上の減衰量に制御する第2の値に設定され
た場合に第1の状態から第2の状態にスイツチン
グし、前記第2の値から前記第1の値に設定され
た場合に前記第2の状態から前記第1の状態にス
イツチングするスイツチング回路と、 このスイツチング回路の前記第1の状態から前
記第2の状態にスイツチングした時に充電を開始
し、又前記第2の状態から前記第1の状態にスイ
ツチングした時に放電を開始する積分回路とを備
え、 この積分回路の充電電圧を前記第2の制御電圧
として用いるようにしたことを特徴とする信号減
衰回路。
[Claims for Utility Model Registration] An electronic volume circuit that is inserted into a signal transmission circuit and whose attenuation amount of an input signal is controlled by a first control voltage; a muting circuit that controls the transmission amount of an output signal according to a second control voltage; and a muting circuit that controls the first control using the first control voltage applied to the electronic volume circuit as one input and a reference voltage as the other input. Switching from the first state to the second state when the voltage is set to a second value that controls the attenuation of the electronic volume circuit from the first value near the maximum attenuation to an attenuation above the maximum attenuation. a switching circuit that switches from the second state to the first state when the second value is set to the first value; and a switching circuit that switches the switching circuit from the first state to the second state. an integrating circuit that starts charging when switching from the second state to the first state, and starts discharging when switching from the second state to the first state, and the charging voltage of the integrating circuit is set to the second control voltage. A signal attenuation circuit characterized in that it is used as a signal attenuation circuit.
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