JPS6239505Y2 - - Google Patents

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JPS6239505Y2
JPS6239505Y2 JP14802279U JP14802279U JPS6239505Y2 JP S6239505 Y2 JPS6239505 Y2 JP S6239505Y2 JP 14802279 U JP14802279 U JP 14802279U JP 14802279 U JP14802279 U JP 14802279U JP S6239505 Y2 JPS6239505 Y2 JP S6239505Y2
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diode
voltage
resistor
transistor
abnormality detection
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は異常検知回路に係り、常開スイツチ又
は常閉スイツチの動作により異常を検出するもの
に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an abnormality detection circuit, which detects an abnormality based on the operation of a normally open switch or a normally closed switch.

従来より用いられる異常検知回路として、異常
時に作動する常開スイツチ又は常閉スイツチを用
いた感震器、サーモスタツト等が知られている。
しかし、近年その用途の拡大により、使用状況に
応じて常開スイツチ又は常閉スイツチを簡単に増
設可能なものの開発が要求され、更には接触不良
による雑音の混入又は線路に重畳される誘導雑音
の混入を原因とした誤動作に対し有効な対策が施
された異常検知回路の開発が要求されている。
2. Description of the Related Art Conventionally used abnormality detection circuits include earthquake sensors, thermostats, and the like that use a normally open switch or a normally closed switch that operates when an abnormality occurs.
However, as its uses have expanded in recent years, there has been a need to develop a switch that can easily add normally open or normally closed switches depending on the usage situation. There is a need to develop an abnormality detection circuit that takes effective measures against malfunctions caused by contamination.

本考案はこのような点に鑑みなされ、異常を検
出する常閉スイツチ又は常開スイツチを必要に応
じ簡単に増設でき、更には接点の接触不良に係る
雑音および線路に誘導される雑音を原因として誤
動作することのない異常検知回路を提供するもの
である。
The present invention was developed in view of these points, and allows for easily adding normally closed or normally open switches to detect abnormalities as necessary, and furthermore, eliminates noise caused by poor contact and noise induced in the line. The present invention provides an abnormality detection circuit that does not malfunction.

次に本考案の一実施例を図面に基づき説明す
る。
Next, one embodiment of the present invention will be described based on the drawings.

11は直流電源から電圧Eが供給される電源端
子である。この端子11に出力される電圧Eは第
1の抵抗12、第1のダイオード13および第2
の抵抗14の直列回路を介して分圧され、更には
第1のダイオード13のアノード(以後P点と記
す)には第2のダイオード15および第3のダイ
オード16のアノードが共通に接続されている。
11 is a power supply terminal to which voltage E is supplied from a DC power supply. The voltage E output to this terminal 11 is applied to the first resistor 12, the first diode 13 and the second
The voltage is divided through a series circuit of resistors 14, and the anodes of a second diode 15 and a third diode 16 are commonly connected to the anode of the first diode 13 (hereinafter referred to as point P). There is.

17はマイクロスイツチをもつて形成された常
閉スイツチであり、その一端が第1のダイオード
13のカソードに接続され、その他端が第3の抵
抗18を介して端子11に接続されるとともに第
3のダイオード16のカソードに低抗19を介し
て接続されている。この常閉スイツチ17は通常
オンしており、異常を検出するとオフするよう動
作する。
17 is a normally closed switch formed with a micro switch, one end of which is connected to the cathode of the first diode 13, the other end of which is connected to the terminal 11 via a third resistor 18, and the third is connected to the cathode of the diode 16 via a low resistor 19. This normally closed switch 17 is normally on, and operates to turn off when an abnormality is detected.

また、20はマイクロスイツチをもつて形成さ
れ第3のダイオード16のカソードとアースとの
間に接続された常開スイツチであり、通常はオフ
しており異常を検出するとオンするよう動作す
る。
Further, 20 is a normally open switch formed with a micro switch and connected between the cathode of the third diode 16 and the ground, which is normally off and turns on when an abnormality is detected.

21はコレクタが抵抗22と介して端子11に
接続されエミツタがアースされたトランジスタで
あり、そのベースに第2のダイオード15の出力
が印加されている。通常この種のトランジスタ2
1をオンするに要する電圧はダイオードの降下電
圧VDと略同程度であるため、このトランジスタ
21をオンするにはP点に第2のダイオード15
の電圧降下VDを考慮して2VDの電圧を印加すれ
ばよい。従つて、このトランジスタ21はP点の
電圧VPがVP2VDであればオンされ、そのコレ
クタに正常動作を表示する信号「L」を異常検知
信号として出力し、VP<2VDであればトランジ
スタ21はオフされ、そのコレクタに異常の発生
を表示する信号「H」を出力する。また、トラン
ジスタ21のベース・エミツタ間には保護用の抵
抗23が接続されている。
21 is a transistor whose collector is connected to the terminal 11 through a resistor 22 and whose emitter is grounded, and the output of the second diode 15 is applied to its base. Usually this type of transistor 2
Since the voltage required to turn on transistor 15 is approximately the same as the voltage drop V D of the diode, in order to turn on this transistor 21, a second diode 15 is connected to point P.
It is sufficient to apply a voltage of 2V D in consideration of the voltage drop V D . Therefore, this transistor 21 is turned on when the voltage V P at point P is V P 2V D , outputs a signal "L" indicating normal operation to its collector as an abnormality detection signal, and when V P < 2V D , the transistor 21 is turned on. If so, the transistor 21 is turned off and outputs a signal "H" to its collector indicating the occurrence of an abnormality. Further, a protection resistor 23 is connected between the base and emitter of the transistor 21.

なお、前記第1、第2および第3の抵抗12,
14,18の抵抗値をR1,R2,R3とすると、ダ
イオード降下電圧VDと第1および第2の抵抗1
2,14とは、 R(E−V)/R+R<VD の関係を満たし、降下電圧VDと第2および第3
の抵抗14,18とは、 RE/R+R>VD の関係を満足するよう設定されている。
Note that the first, second and third resistors 12,
14 and 18 are R 1 , R 2 , and R 3 , the diode drop voltage V D and the first and second resistors 1
2 and 14 satisfy the relationship R 2 (E-V D )/R 1 + R 2 <V D , and the voltage drop V D and the second and third
The resistors 14 and 18 are set to satisfy the relationship R 2 E/R 2 +R 3 >V D.

次に動作を正常動作時と異常検出時とに分け、
更には異常検出動作を常閉スイツチ17の動作に
係るものと常開スイツチ20の動作に係るものと
に分けて説明する。
Next, we divide the operation into normal operation and abnormality detection.
Furthermore, the abnormality detection operation will be explained separately into those related to the operation of the normally closed switch 17 and those related to the operation of the normally open switch 20.

() 正常動作時 この場合においては常閉スイツチ17はオンし
常開スイツチ20はオフしており、端子11から
供給される電流は、主として第3の抵抗18、常
閉スイツチ17、第2の抵抗14を介してアース
に流れ込むものと、第1の抵抗12、第1のダイ
オード13、第2の抵抗14を介してアースに流
れ込むものとが考えられる。
() During normal operation In this case, the normally closed switch 17 is on and the normally open switch 20 is off, and the current supplied from the terminal 11 mainly flows through the third resistor 18, the normally closed switch 17, and the second It is conceivable that the current flows into the ground via the resistor 14, and the other flows into the ground via the first resistor 12, the first diode 13, and the second resistor 14.

しかし、第1のダイオード13のカソード(以
後q点と記す)の電圧Vqは前述した条件 RE/R+R>VD;R(E−V)/R
+R<VD により Vq=RE/R+R で与えられる。
However, the voltage Vq at the cathode of the first diode 13 (hereinafter referred to as point q) satisfies the above-mentioned condition: R2E / R2 + R3 >VD; R2 (E- VD )/ R1
Since +R 2 <V D , it is given by V q =R 2 E/R 2 +R 3 .

すなわち、第1のダイオード13はその両端に
印加される電圧がダイオード降下電圧VD以下で
ある場合には通電されず、その結果q点の電圧は
常閉スイツチ17を介して流入する電流により決
定される。
That is, the first diode 13 is not energized when the voltage applied across it is less than the diode drop voltage V D , and as a result, the voltage at point q is determined by the current flowing through the normally closed switch 17. be done.

従つてP点の電圧VPは、VPq+VD>2VD
となり、この電圧が第2のダイオード15を介し
てトランジスタ21のベースに印加されることに
より、トランジスタ21はオンされそのコレクタ
に異常検知信号「L」を出力する。この際、トラ
ンジスタ21のベース・エミツタ間の電圧はダイ
オード降下電圧VDと同様の大きさとなり、P点
の電圧VPはVP≒2VDで与えられる。
Therefore, the voltage V P at point P is V P V q +V D >2V D
When this voltage is applied to the base of the transistor 21 via the second diode 15, the transistor 21 is turned on and outputs an abnormality detection signal "L" to its collector. At this time, the voltage between the base and emitter of the transistor 21 has the same magnitude as the diode drop voltage V D , and the voltage V P at point P is given by V P ≈2V D.

以上の如く、正常動作時においては、トランジ
スタ21はそのベースに常に電流が供給されてい
るため、線路が長い場合にあつても抵抗値または
電源電圧Eを適当な値に選択し回路に流れる電流
を多めに設定することにより、雑音の混入および
接点の接触不良時による誤動作が有効に防止され
る。
As described above, during normal operation, current is always supplied to the base of the transistor 21, so even if the line is long, the resistance value or power supply voltage E can be selected to an appropriate value to control the current flowing through the circuit. By setting a relatively large value, noise intrusion and malfunctions due to contact failure can be effectively prevented.

() 異常検出時 まず、常閉スイツチ17のオフに係る異常検出
の動作について説明する。
() At the time of abnormality detection First, the operation of abnormality detection related to turning off the normally closed switch 17 will be explained.

この場合においては、端子11から供給される
電流は第1の抵抗12、第1のダイオード13、
第2の抵抗14を介してアースに流れ込む。従つ
て、q点の電圧Vqは条件より Vq=R(E−V)/R+R<VD で与えられ、P点の電圧VPは、VP=Vq+VD
2VDとなる。このため、トランジスタ21はオフ
され、そのコレクタに異常検知信号「H」を出力
する。
In this case, the current supplied from the terminal 11 passes through the first resistor 12, the first diode 13,
It flows through the second resistor 14 to ground. Therefore, the voltage V q at point q is given by the condition V q = R 2 (E-V D )/R 1 + R 2 < V D , and the voltage V P at point P is given by the following condition: V P = V q + V D <
It becomes 2V D. Therefore, the transistor 21 is turned off and outputs an abnormality detection signal "H" to its collector.

次に、常開スイツチ20のオンに係る異常検出
の動作について説明する。
Next, the abnormality detection operation related to turning on the normally open switch 20 will be explained.

この場合においては、端子11から供給される
電流は第1の抵抗12、第3のダイオード16、
常開スイツチ20を介してアースに流れ込む。従
つてP点の電圧VPはダイオード降下電圧VDによ
りVP=VD、つまりVP<2VDとなりトランジス
タ21はオフされ、そのコレクタに異常検知信号
「H」を出力する。
In this case, the current supplied from the terminal 11 passes through the first resistor 12, the third diode 16,
It flows to ground via the normally open switch 20. Therefore, the voltage V P at point P becomes V P =V D due to the diode drop voltage V D , that is, V P <2V D , and the transistor 21 is turned off, outputting an abnormality detection signal "H" to its collector.

なお、本実施例において、第1、第2および第
3のダイオード13,15,16および第1、第
2の抵抗12,14はトランジスタ制御回路を構
成するものである。
In this embodiment, the first, second and third diodes 13, 15 and 16 and the first and second resistors 12 and 14 constitute a transistor control circuit.

第2図は他の実施例を示すものであり、第1図
の第1のダイオード13、第2の抵抗14および
常閉スイツチ17からなる回路にこれと同様に第
1のダイオード13′、第2の抵抗14′、常閉ス
イツチ17′から形成された回路を並列に接続す
るとともに、第3のダイオード16、常開スイツ
チ20および抵抗19からなる回路にこれと同様
に第3のダイオード16′、常開スイツチ20′、
抵抗19′から形成された回路を並列に接続し、
2個の常閉スイツチ17,17′と、2個の常開
スイツチ20,20′とをもつて異常を検知し、
いずれか1つのスイツチが動作することによりト
ランジスタ21をオフして異常検知信号「H」を
出力するものである。また、本実施例においては
抵抗23と並列にコンデンサ24を接続し雑音耐
量の増加を図つている。
FIG. 2 shows another embodiment, in which a first diode 13', a normally closed switch 17 and a first diode 13' are added to the circuit of FIG. A circuit formed by the second resistor 14' and the normally closed switch 17' is connected in parallel, and a third diode 16' is connected in parallel to the circuit formed by the third diode 16, the normally open switch 20, and the resistor 19. , normally open switch 20',
A circuit formed from resistors 19' is connected in parallel,
Detects an abnormality using two normally closed switches 17, 17' and two normally open switches 20, 20',
When one of the switches operates, the transistor 21 is turned off and an abnormality detection signal "H" is output. Further, in this embodiment, a capacitor 24 is connected in parallel with the resistor 23 to increase noise tolerance.

なお、第2図と同様の方法により、必要に応じ
常開スイツチ又は常閉スイツチを更に増設するこ
とも可能である。
It is also possible to add more normally open switches or normally closed switches as required by the same method as shown in FIG.

以上の如く、本考案によれば、異常を検知する
常開スイツチ又は常閉スイツチを必要に応じ簡単
に増設することができ、また回路に常に電流を通
電した状態で異常検知信号を出力するトランジス
タを制御することにより、回路を構成する接点の
接触不良が有効に防止され、これを原因とした雑
音の発生を低減することができるとともに、回路
を構成する線路長が長い場合にあつても、通電す
る電流値を適当に選択することにより線路に誘起
される雑音が回路に与える影響を無視することが
でき、誤動作の発生が有効に防止された信頼性の
高い異常検知回路を提供することができる。
As described above, according to the present invention, normally open switches or normally closed switches for detecting an abnormality can be easily added as necessary, and a transistor that outputs an abnormality detection signal with current constantly flowing through the circuit can be easily added. By controlling this, it is possible to effectively prevent contact failures of the contacts that make up the circuit, reduce the generation of noise caused by this, and even when the line length that makes up the circuit is long, By appropriately selecting the current value to be applied, the influence of noise induced in the line on the circuit can be ignored, and it is possible to provide a highly reliable abnormality detection circuit that effectively prevents malfunctions. can.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本考案の異常検知回路の一実施例を示
す回路図、第2図は他の実施例を示す回路図であ
る。 12……第1の抵抗、13,13′……第1の
ダイオード、14,14′……第2の抵抗、15
……第2のダイオード、16,16′……第3の
ダイオード、17,17′……常開スイツチ、1
8……第3の抵抗、20,20′……常閉スイツ
チ、21……トランジスタ。
FIG. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of the abnormality detection circuit of the present invention, and FIG. 2 is a circuit diagram showing another embodiment. 12...First resistor, 13,13'...First diode, 14,14'...Second resistor, 15
...Second diode, 16, 16'...Third diode, 17, 17'...Normally open switch, 1
8... Third resistor, 20, 20'... Normally closed switch, 21... Transistor.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】 (1) 直流電源と、オフされることにより異常検知
信号を出力するトランジスタと、アノード側が
共通に接続された第1のダイオード、第2のダ
イオード、第3のダイオードを有し上記電源の
電圧Eを第1の抵抗R1、第1のダイオード、
第2の抵抗R2からなる直列回路をもつて分圧
しこの分圧出力を第2のダイオードを介して上
記トランジスタのベースに印加するトランジス
タ制御回路と、上記第3のダイオードのカソー
ドとアースとの間に接続され異常時にオンされ
る常開スイツチと、上記第1のダイオードのカ
ソードと電源との間に第3の抵抗R3を介して
接続され異常時にオフされる常閉スイツチとを
備え、ダイオードの降下電圧VDと第1および
第2の抵抗R1,R2とは、 R(E−V)/R+R<VD の関係を満たし、ダイオードの降下電圧VD
第2および第3の抵抗R2,R3とは、 RE/R+R>VD の関係を満たすことを特徴とする異常検知回
路。 (2) 常開スイツチおよび常閉スイツチとしてマイ
クロスイツチを用いたことを特徴とする実用新
案登録請求の範囲第1項記載の異常検知回路。
[Claims for Utility Model Registration] (1) A DC power supply, a transistor that outputs an abnormality detection signal when turned off, and a first diode, a second diode, and a third diode whose anode sides are commonly connected. and the voltage E of the power supply is connected to a first resistor R 1 , a first diode,
A transistor control circuit divides the voltage using a series circuit consisting of a second resistor R 2 and applies the divided voltage output to the base of the transistor via a second diode, and connects the cathode of the third diode to the ground. a normally open switch connected between the two and turned on in the event of an abnormality, and a normally closed switch connected between the cathode of the first diode and the power source via a third resistor R3 and turned off in the event of an abnormality, The voltage drop V D of the diode and the first and second resistors R 1 and R 2 satisfy the relationship R 2 (E-V D )/R 1 + R 2 <V D , and the voltage drop V D of the diode and An abnormality detection circuit characterized in that the second and third resistors R 2 and R 3 satisfy the relationship R 2 E/R 2 +R 3 >V D. (2) The abnormality detection circuit according to claim 1 of the utility model registration, characterized in that micro switches are used as the normally open switch and the normally closed switch.
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