JPS6238885B2 - - Google Patents
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- JPS6238885B2 JPS6238885B2 JP54062842A JP6284279A JPS6238885B2 JP S6238885 B2 JPS6238885 B2 JP S6238885B2 JP 54062842 A JP54062842 A JP 54062842A JP 6284279 A JP6284279 A JP 6284279A JP S6238885 B2 JPS6238885 B2 JP S6238885B2
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/38—DC amplifiers with modulator at input and demodulator at output; Modulators or demodulators specially adapted for use in such amplifiers
- H03F3/387—DC amplifiers with modulator at input and demodulator at output; Modulators or demodulators specially adapted for use in such amplifiers with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
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- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/217—Class D power amplifiers; Switching amplifiers
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はステレオ再生装置の出力回路等に使用
されるパルス幅変調信号を増幅するパルス幅変調
信号増幅回路に関し、特に出力信号波形の振幅方
向の非線形に基づく出力信号の歪を改善する様に
したものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a pulse width modulation signal amplification circuit for amplifying a pulse width modulation signal used in an output circuit of a stereo reproduction device, and more particularly, to a pulse width modulation signal amplification circuit for amplifying a pulse width modulation signal used in an output circuit of a stereo reproduction device, and more particularly, to This is designed to improve distortion.
従来ステレオ再生装置の出力回路に第1図に示
す如きパルス幅変調信号増幅回路が使用されてい
る。即ち第1図に於いて、1は音声信号が供給さ
れる音声信号入力端子を示し、この音声信号入力
端子1に供給される音声信号をパルス幅変調回路
2に供給し、このパルス幅変調回路2に於いて、
この入力音声信号により搬送波信号をパルス幅変
調する。このパルス幅変調回路2の出力側に得ら
れる音声信号のパルス幅変調信号をnpn形トラン
ジスタ3及びpnp形トランジスタ4の夫々のベー
スに供給する。このトランジスタ3及び4の夫々
のエミツタを互に接続すると共にこのトランジス
タ3及び4の夫々のエミツタの接続点を抵抗器5
を介して接地し、又トランジスタ3のコレクタを
ダイオード6及び7の夫々のカソードに接続し、
このダイオード6のアノードをpnp形トランジス
タ8のベースに接続すると共にこのトランジスタ
8のベースを抵抗器9を介して正の直流電圧Vcc
が供給される電源端子10に接続し、このトラン
ジスタ8のエミツタを電源端子10に接続し、又
ダイオード7のアノードをトランジスタ8のコレ
クタに接続する。又トランジスタ4のクレクタを
ダイオード11及び12の夫々のアノードに接続
し、このダイオード11のカソードをnpn形トラ
ンジスタ13のベースに接続し、このトランジス
タ13のベースを抵抗器14を介して負の直流電
圧−Vccが供給される電源端子15に接続すると
共にこのトランジスタ13のエミツタを電源端子
15に接続し、又ダイオード12のカソードをト
ランジスタ13のコレクタに接続すると共にこの
トランジスタ13のコレクタをダイオード16の
カソードに接続しこのダイオード16のアノード
をトランジスタ8のコレクタに接続する。このト
ランジスタ8のコレクタを一方のスイツチング素
子を構成するnpn形トランジスタ17のベースに
接続すると共にトランジスタ13のコレクタを他
方のスイツチング素子を構成するpnp形トランジ
スタ18のベースに接続し、之等トランジスタ1
7及び18の夫々のエミツタを互に接続し、トラ
ンジスタ17のコレクタを正の直流電圧Vccが供
給される電源端子10に接続すると共にトランジ
スタ18のコレクタを負の直流電圧−Vccが供給
される電源端子15に接続し、又トランジスタ1
7及び18の夫々のエミツタの互の接続点をリタ
ーン電流処理用ダイオード19のアノード及びリ
ターン電流処理用ダイオード20のカソードに接
続し、このダイオード19のカソードを電源端子
10に接続すると共にこのダイオード20のアノ
ードを電源端子15に接続し、このトランジスタ
17及び18の夫々のエミツタの接続点をコイル
21a及びコンデンサ21bより成る低減通過フ
イルタ21と負荷抵抗器例えばスピーカ22とを
介して接地する。 Conventionally, a pulse width modulation signal amplification circuit as shown in FIG. 1 has been used in the output circuit of a stereo reproduction device. That is, in FIG. 1, 1 indicates an audio signal input terminal to which an audio signal is supplied, and the audio signal supplied to this audio signal input terminal 1 is supplied to a pulse width modulation circuit 2. In 2,
The carrier wave signal is pulse width modulated by this input audio signal. The pulse width modulation signal of the audio signal obtained at the output side of the pulse width modulation circuit 2 is supplied to the bases of the npn type transistor 3 and the pnp type transistor 4, respectively. The respective emitters of the transistors 3 and 4 are connected to each other, and the connection point of the respective emitters of the transistors 3 and 4 is connected to a resistor 5.
, and the collector of the transistor 3 is connected to the cathodes of the diodes 6 and 7, respectively.
The anode of this diode 6 is connected to the base of a pnp transistor 8, and the base of this transistor 8 is connected to a positive DC voltage Vcc through a resistor 9.
The emitter of this transistor 8 is connected to the power supply terminal 10, and the anode of the diode 7 is connected to the collector of the transistor 8. Further, the collector of the transistor 4 is connected to the anodes of diodes 11 and 12, and the cathode of the diode 11 is connected to the base of an NPN transistor 13, and the base of the transistor 13 is connected to a negative DC voltage through a resistor 14. -Vcc is connected to the power supply terminal 15, and the emitter of this transistor 13 is connected to the power supply terminal 15, and the cathode of the diode 12 is connected to the collector of the transistor 13, and the collector of this transistor 13 is connected to the cathode of the diode 16. The anode of this diode 16 is connected to the collector of the transistor 8. The collector of this transistor 8 is connected to the base of an npn transistor 17 constituting one switching element, and the collector of the transistor 13 is connected to the base of a pnp transistor 18 constituting the other switching element.
The emitters of transistors 7 and 18 are connected to each other, the collector of transistor 17 is connected to power supply terminal 10 to which positive DC voltage Vcc is supplied, and the collector of transistor 18 is connected to power supply terminal 10 to which negative DC voltage -Vcc is supplied. Connected to terminal 15 and also connected to transistor 1
The connection points of the respective emitters 7 and 18 are connected to the anode of the return current processing diode 19 and the cathode of the return current processing diode 20, and the cathode of this diode 19 is connected to the power supply terminal 10, and the diode 20 The anodes of the transistors 17 and 18 are connected to the power supply terminal 15, and the connection points of the respective emitters of the transistors 17 and 18 are grounded through a low pass filter 21 consisting of a coil 21a and a capacitor 21b and a load resistor such as a speaker 22.
斯る第1図に於いてはパルス幅変調回路2の出
力側に得られる第2図Aに示す如きパルス幅変調
信号がトランジスタ3及び4の夫々のベースに供
給されたときはスイツチング素子を構成するトラ
ンジスタ17及び18の夫々のベースにこれと同
様のパルス幅変調信号が供給され、このトランジ
スタ17及び18を交互にオンオフし、このトラ
ンジスタ17及び18の夫々のエミツタの接続点
にこのパルス幅変調信号の増幅した信号を得、こ
の増幅されたパルス幅変調信号を低減通過フイル
タ21を介してスピーカ22に供給しているの
で、スピーカ22より音声信号入力端子1に供給
される音声信号の再生音を得ることができる。 In FIG. 1, when a pulse width modulation signal as shown in FIG. 2A obtained at the output side of the pulse width modulation circuit 2 is supplied to the bases of transistors 3 and 4, a switching element is formed. A similar pulse width modulation signal is supplied to the bases of transistors 17 and 18 to turn them on and off alternately. Since the amplified signal is obtained and the amplified pulse width modulated signal is supplied to the speaker 22 via the reduction pass filter 21, the reproduced sound of the audio signal supplied from the speaker 22 to the audio signal input terminal 1 is can be obtained.
然しながら斯る第1図に於いては例えばトラン
ジスタ17及び18の夫々のベースに供給される
パルス幅変調信号が第2図Aに示す如きであつた
ときトランジスタ17、リターン電流処理用ダイ
オード19、トランジスタ18及びリターン電流
処理用ダイオード20を夫々流れる電流I1,I2,
I3及びI4は夫々第2図B,C,D及びEに示す如
くなり、このリターン電流処理用ダイオード19
に電流I2が流れているときには出力電圧即ちトラ
ンジスタ17及び18の夫々のエミツタの接続点
に得られる電圧Voのレベルは第2図Gに示す如
くVcc+Vf(Vfはダイオードの順方向降下電圧で
ある。)となり、トランジスタ17に電流I1が流
れているときは出力電圧Voは第2図Gに示す如
くVcc−Vs(Vsはトランジスタのコレクタ−エ
ミツタ間飽和電圧である。)となり、このリター
ン電流処理用ダイオード20に電流I4が流れてい
るときには出力電圧Voは第2図Gに示す如く−
Vcc−Vfとなり、トランジスタ18に電流I3が流
れているときには出力電圧Voは第2図Gに示す
如く−Vcc+Vsとなり、出力電圧Voの波形が振
幅方向の非線形所謂段差をもつたものとなる。こ
の様に出力電圧Voの波形が振幅方向の非線形と
なることは負荷抵抗器例えばスピーカ22に供給
される信号に歪が生じ、出力音声信号が歪む原因
となる。第2図Fはトランジスタ17及び18の
夫々のエミツタの接続点より負荷抵抗器22に流
れる電流I0である。 However, in FIG. 1, if the pulse width modulation signals supplied to the bases of transistors 17 and 18 are as shown in FIG. 2A, for example, transistor 17, return current processing diode 19, and transistor 18 and the return current processing diode 20, the currents I 1 , I 2 ,
I 3 and I 4 are as shown in FIG. 2 B, C, D and E, respectively, and the return current handling diode 19
When the current I2 is flowing through the output voltage, that is, the voltage Vo obtained at the connection point of the respective emitters of the transistors 17 and 18, the level is Vcc + Vf (Vf is the forward voltage drop of the diode) as shown in Figure 2G. ), and when the current I1 is flowing through the transistor 17, the output voltage Vo becomes Vcc-Vs (Vs is the saturation voltage between the collector and emitter of the transistor) as shown in FIG. 2G, and this return current When the current I4 is flowing through the processing diode 20, the output voltage Vo is − as shown in FIG. 2G.
When the current I3 is flowing through the transistor 18, the output voltage Vo becomes -Vcc+Vs as shown in FIG. 2G, and the waveform of the output voltage Vo has a nonlinear step in the amplitude direction. This nonlinear waveform of the output voltage Vo in the amplitude direction causes distortion in the signal supplied to the load resistor, such as the speaker 22, and causes distortion in the output audio signal. FIG. 2F shows the current I 0 flowing into the load resistor 22 from the connection point of the emitters of the transistors 17 and 18, respectively.
本発明は斯る点に鑑み、上述の如き出力電圧
Vo波形の振幅方向の非線形に基づく出力信号の
歪を改善する様にしたものである。 In view of this, the present invention provides an output voltage as described above.
This is intended to improve the distortion of the output signal based on the nonlinearity of the Vo waveform in the amplitude direction.
以下第3図を参照しながら本発明パルス幅変調
信号増幅回路の一実施例につき説明しよう。この
第3図に於いて第1図に対応する部分には同一符
号を付し、その詳細説明は省略する。 Hereinafter, one embodiment of the pulse width modulation signal amplification circuit of the present invention will be explained with reference to FIG. In FIG. 3, parts corresponding to those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals, and detailed explanation thereof will be omitted.
本例に於いてはスイツチング素子を構成するト
ランジスタ17及び18の夫々のエミツタの接続
点をリターン電流処理用ダイオード19のアノー
ド及びリターン電流処理用ダイオード20のカソ
ードに夫々接続し、このダイオード19のカソー
ドをコンデンサ23を介して正の直流電圧Vccが
供給される電源端子10に接続すると共にダイオ
ード20のアノードをコンデンサ24を介して負
の直流電圧−Vccが供給される電源端子15に接
続する。又25は例えば20kHzの方形波信号を発
生する方形波信号発振回路を示し、この方形波発
振回路25の出力信号をトランス26の1次巻線
26aに供給し、又このトランス26の2次巻線
26bの一端をスイツチング素子を構成するnpn
形トランジスタ27aのベースに接続すると共に
この2次巻線26bの他端をこのトランジスタ2
7aのエミツタに接続し、このトランジスタ27
aのコレクタをダイオード19及びコンデンサ2
3の接続点に接続する。又このトランス26に2
次巻線26bとは互に逆相の出力信号が得られる
如く巻装された3次巻線26cを設け、この3次
巻線26cの一端をスイツチング素子を構成する
npn形トランジスタ27bのベースに接続すると
共にこの3次巻線26cの他端をトランジスタ2
7bのエミツタに接続し、このトランジスタ27
bのエミツタをダイオード20及びコンデンサ2
4の接続点に接続する。又トランジスタ27aの
エミツタをトランジスタ27bのコレクタに接続
し、このトランジスタ27aのエミツタ及びトラ
ンジスタ27bのコレクタの接続点をトランス2
8の1次巻線28aを介して接地する。この場合
トランス26の2次巻線26b及び3次巻線26
cは互に逆相の信号が得られる如く巻装されてい
るのでトランジスタ27a及び27bは方形波信
号発振回路25の出力信号により交互にオンオフ
する。又このトランス28の2次巻線28bの一
端を接地すると共にこの2次巻線28bの他端を
ダイオード29のアノード及びダイオード30の
カソードに夫々接続し、このダイオード29のカ
ソードを電源端子10に接続すると共にこのダイ
オード30のアノードを電源端子15に接続す
る。この場合トランジスタ17及び18の夫々の
コレクタ−エミツタ間飽和電圧をVs、ダイオー
ド19,20,29及び30の夫々の順方向降下
電圧をVfとし、又トランジスタ27a及び27
bとしては電流容量の小さいものが使用できるの
で、このコレクタ−エミツタ間飽和電圧は極めて
小さく、之を無視し得るものを使用したときに於
いて、トランス28の1次巻線28aの巻数を
N1、2次巻線28bの巻数をN2としたとき
N2/N1≒Vcc+Vf/Vcc−(Vf+V
s)
を満足する如く設定する。又この場合トランス2
8の1次巻線28aの大地側をクール側とすると
共に2次巻線28bの一端即ち大地側をホツト側
とする如くする。その他は第1図と同様に構成す
る。 In this example, the connection points of the emitters of the transistors 17 and 18 constituting the switching element are connected to the anode of the return current processing diode 19 and the cathode of the return current processing diode 20, respectively. is connected via a capacitor 23 to the power supply terminal 10 to which a positive DC voltage Vcc is supplied, and the anode of the diode 20 is connected via a capacitor 24 to a power supply terminal 15 to which a negative DC voltage -Vcc is supplied. Further, 25 indicates a square wave signal oscillation circuit that generates a 20kHz square wave signal, and the output signal of this square wave oscillation circuit 25 is supplied to the primary winding 26a of the transformer 26, and the secondary winding of this transformer 26 npn constituting a switching element at one end of the line 26b
It is connected to the base of the transistor 27a, and the other end of the secondary winding 26b is connected to the base of the transistor 27a.
This transistor 27 is connected to the emitter of 7a.
Connect the collector of a to diode 19 and capacitor 2
Connect to connection point 3. Also, this transformer 26 has 2
A tertiary winding 26c is provided, which is wound so as to obtain an output signal having a phase opposite to that of the secondary winding 26b, and one end of this tertiary winding 26c constitutes a switching element.
It is connected to the base of the npn transistor 27b, and the other end of the tertiary winding 26c is connected to the base of the transistor 27b.
7b, and this transistor 27
Connect the emitter of b to diode 20 and capacitor 2.
Connect to connection point 4. Also, the emitter of the transistor 27a is connected to the collector of the transistor 27b, and the connection point between the emitter of the transistor 27a and the collector of the transistor 27b is connected to the transformer 2.
It is grounded through the primary winding 28a of No.8. In this case, the secondary winding 26b and the tertiary winding 26 of the transformer 26
The transistors 27a and 27b are turned on and off alternately by the output signal of the square wave signal oscillation circuit 25, since the transistors 27a and 27b are wound so that signals having opposite phases to each other can be obtained. Also, one end of the secondary winding 28b of this transformer 28 is grounded, and the other end of this secondary winding 28b is connected to the anode of the diode 29 and the cathode of the diode 30, respectively, and the cathode of the diode 29 is connected to the power supply terminal 10. At the same time, the anode of this diode 30 is connected to the power supply terminal 15. In this case, the collector-emitter saturation voltage of each of the transistors 17 and 18 is Vs, the forward drop voltage of each of the diodes 19, 20, 29, and 30 is Vf, and the transistors 27a and 27
Since b can be used with a small current capacity, the saturation voltage between the collector and emitter is extremely small and can be ignored, and when the number of turns of the primary winding 28a of the transformer 28 is
N 1 , and when the number of turns of the secondary winding 28b is N 2 , N 2 /N 1 ≒Vcc+Vf/Vcc-(Vf+V
s). Also in this case transformer 2
The ground side of the primary winding 28a of No. 8 is set as the cool side, and one end of the secondary winding 28b, that is, the ground side is set as the hot side. The rest of the structure is the same as in FIG. 1.
本発明は上述の如く構成されているので、パル
ス幅変調回路2の出力側に第2図Aに示す如きパ
ルス幅変調信号が得られ、之がトランジスタ3及
び4の夫々のベースに供給されたとき、このパル
ス幅変調信号がスイツチング素子を構成するトラ
ンジスタ17及び18の夫々のベースに供給さ
れ、このトランジスタ17及び18を交互にオン
オフし、このトランジスタ17及び18の夫々の
エミツタの接続点にこのパルス幅変調信号の増幅
された信号が得られ、この増幅されたパルス幅変
調信号が低域通過フイルタ21を介してスピーカ
22に供給されるので、このスピーカ22より音
声信号入力端子1に供給される音声信号の再生音
を得ることができる。 Since the present invention is constructed as described above, a pulse width modulation signal as shown in FIG. At this time, this pulse width modulation signal is supplied to the respective bases of transistors 17 and 18 constituting the switching element, turns these transistors 17 and 18 on and off alternately, and connects the emits of these transistors 17 and 18 to the connection point of each emitter. An amplified pulse width modulated signal is obtained, and this amplified pulse width modulated signal is supplied to the speaker 22 via the low-pass filter 21, so that it is supplied from the speaker 22 to the audio signal input terminal 1. You can obtain the reproduced sound of the audio signal.
又トランジスタ17及び18の夫々のベースに
例えば第2図Aに示す如きパルス幅変調信号が供
給されたとき、第1図例と同様にトランジスタ1
7、リターン電流処理用ダイオード19、トラン
ジスタ18及びリターン電流処理用ダイオード2
0に夫々第2図B,C,D及びEに示す如き電流
I1,I2,I3及びI4が流れる。この場合にトランジス
タ27a,27bの夫々のオン時の抵抗値を零
(飽和電圧を零)としたときに於いて、ダイオー
ド19及びコンデンサ23の接続点bの電圧が
Vcc−(Vf+Vs)のときでトランジスタ27aが
オンのときトランジスタ27aのエミツタ及びト
ランジスタ27bのコレクタの接続点dにはこの
Vcc−(Vf+Vs)の電圧が発生し、トランス28
の2次巻線28b及びダイオード29,30の接
続点eには
−N2/N1(Vcc−Vf−Vs)=−Vcc−Vf
の電圧が発生する。従つてダイオード30の電圧
降下がVfであるので点bの電圧が更に上昇しよ
うとしたときはこのダイオード30がオンとなり
負の直流電圧−Vccが供給される電源端子15の
方向に電流が流れ、このためトランジスタ17及
び18の夫夫のエミツタの接続点aの出力電圧
VoがVcc−Vs以上に上昇しようとしたときはリ
ターン電流処理用ダイオード19がオンし、この
上昇分に係る電荷を負の電源端子15にリターン
することになる。 Further, when a pulse width modulation signal as shown in FIG. 2A is supplied to the bases of the transistors 17 and 18, the transistor 1
7. Return current processing diode 19, transistor 18 and return current processing diode 2
0 as shown in Figure 2 B, C, D and E, respectively.
I 1 , I 2 , I 3 and I 4 flow. In this case, when the resistance value of each of the transistors 27a and 27b when turned on is set to zero (the saturation voltage is zero), the voltage at the connection point b between the diode 19 and the capacitor 23 is
When the transistor 27a is on at Vcc-(Vf+Vs), this connection point d between the emitter of the transistor 27a and the collector of the transistor 27b is
A voltage of Vcc−(Vf+Vs) is generated, and the transformer 28
A voltage of -N2 / N1 (Vcc-Vf-Vs)=-Vcc-Vf is generated at the connection point e between the secondary winding 28b and the diodes 29 and 30. Therefore, since the voltage drop across the diode 30 is Vf, when the voltage at point b attempts to rise further, this diode 30 turns on and current flows in the direction of the power supply terminal 15 to which the negative DC voltage -Vcc is supplied. Therefore, the output voltage at the connection point a of the emitters of transistors 17 and 18 is
When Vo is about to rise above Vcc-Vs, the return current processing diode 19 is turned on, and the charge associated with this rise is returned to the negative power supply terminal 15.
又ダイオード20及びコンデンサ24の接続点
cの電圧が−Vcc+(Vf+Vs)のときでトランジ
スタ27bがオンのときd点には−Vcc+(Vf+
Vs)の電圧が発生し、e点には
−N2/N1(−Vcc+Vf+Vs)=Vcc+Vf
の電圧が発生する。従つてダイオード29の電圧
降下がVfであるので点cの電圧が更に下がろう
としたときはダイオード29がオンとなり正の直
流電圧Vccが供給される電源端子10の方向に電
流が流れ、このためトランジタ17及び18の
夫々のエミツタの接続点aの出力電圧Voが−Vcc
+Vs以下に下がろうとしたときはリターン電流
処理用ダイオード20がオンし、この降下分に係
る電荷を正の電源端子10にリターンすることに
なる。 Also, when the voltage at the connection point c between the diode 20 and the capacitor 24 is -Vcc+(Vf+Vs) and the transistor 27b is on, the voltage at the point d is -Vcc+(Vf+
A voltage of −N 2 /N 1 (−Vcc+Vf+Vs)=Vcc+Vf is generated at point e. Therefore, since the voltage drop across diode 29 is Vf, when the voltage at point c is about to drop further, diode 29 turns on and current flows in the direction of power supply terminal 10 to which positive DC voltage Vcc is supplied. The output voltage Vo at the connection point a of the emitters of each of transistors 17 and 18 is −Vcc.
When the voltage is about to drop below +Vs, the return current processing diode 20 turns on, and the charge related to this drop is returned to the positive power supply terminal 10.
従つてトランジスタ27a及び27bが交互に
オンオフし、上述動作を順次繰り返したときはb
点の電圧は常にVcc−(Vf+Vs)を保持し、又c
点の電圧は常に−Vcc+(Vf+Vs)を保持するこ
とになる。この為ダイオード19に電流I2が流れ
ているときの出力電圧Voの振幅も第2図Hに示
す如くトランジスタ17に電流I1が流れていると
きの振幅Vcc−Vsと等しくなり、又ダイオード2
0に電流I4が流れているときの出力電圧Voの振幅
も第2図Hに示す如くトランジスタ18に電流I3
が流れているときの振幅−Vcc+Vsと等しくな
り、出力信号の振幅方向は線形となる。 Therefore, when the transistors 27a and 27b are turned on and off alternately and the above operations are repeated in sequence, b
The voltage at the point always maintains Vcc-(Vf+Vs), and c
The voltage at the point will always remain -Vcc+(Vf+Vs). Therefore, the amplitude of the output voltage Vo when the current I2 is flowing through the diode 19 is also equal to the amplitude Vcc-Vs when the current I1 is flowing through the transistor 17, as shown in FIG.
The amplitude of the output voltage Vo when the current I 4 is flowing through the transistor 18 is also as shown in FIG .
The amplitude is equal to -Vcc+Vs when is flowing, and the amplitude direction of the output signal is linear.
従つて本発明に依れば出力電圧Vo波形の振幅
方向の非線形に基づく出力信号の歪を改善するこ
とができる。 Therefore, according to the present invention, it is possible to improve the distortion of the output signal due to the nonlinearity of the output voltage Vo waveform in the amplitude direction.
又第4図及び第5図は夫々本発明の他の実施例
を示す。第3図例に於いてはスイツチング素子を
構成するトランジスタ17及び18より成るスイ
ツチング回路をエミツタ−フオロワスイツチング
回路構成としたが第4図はコレクタ−フオロワス
イツチング回路構成とした例であり、第5図はド
レインフオロワスイツチング回路構成とした例で
ある。 Further, FIGS. 4 and 5 respectively show other embodiments of the present invention. In the example in FIG. 3, the switching circuit consisting of transistors 17 and 18 constituting the switching element is configured as an emitter-follower switching circuit, but in FIG. 4, it is configured as a collector-follower switching circuit. , FIG. 5 shows an example of a drain follower switching circuit configuration.
即ち第4図に於いてはトランジスタ3のコレク
タをnpn形トランジスタ31及びpnp形トランジ
スタ32の夫々のベースに接続し、このトランジ
スタ31及び32の夫々のベースの接続点を抵抗
器33を介して電源端子10に接続し、トランジ
スタ31のコレクタを電源端子10に接続し、又
トランジスタ31及び32の夫々のエミツタを互
に接続し、このエミツタの接続点をスイツチング
素子を構成するpnp形トランジスタ17aのベー
スに接続し、トランジスタ32のコレクタをバイ
アス設定用の電池34を介して電源端子10に接
続し、又トランジスタ4のコレクタをnpn形トラ
ンジスタ35及びpnp形トランジスタ36の夫々
のベースに接続し、このトランジスタ35及び3
6の夫々のベースの接続点を抵抗器37を介して
電源端子15に接続し、トランジスタ35のコレ
クタをバイアス設定用の電池38を介して電源端
子15に接続し、又トランジスタ35及び36の
夫夫のエミツタを互に接続し、このエミツタの接
続点をスイツチング素子を構成するnpn形トラン
ジスタ18aのベースに接続し、トランジスタ3
6のコレクタを電源端子15に接続し、又トラン
ジスタ35及び36の夫々のベースの接続点を2
個のダイオード39及び40の直列回路を介して
トランジスタ31及び32の夫々のベースの接続
点に接続し、このダイオード39及び40の接続
点をトランジスタ17a及び18aの夫々のコレ
クタの互の接続点に接続し、このトランジスタ1
7a及び18aの夫々のコレクタの接続点をリタ
ーン電流処理用ダイオード19及び20の接続点
に接続すると共にこのコレクタの接続点を低域通
過フイルタ21を介して負荷抵抗器22に接続す
る様にし、トランジスタ17aのエミツタを電源
端子10に接続し、又トランジスタ18aのエミ
ツタを電源端子15に接続し、その他は第3図と
同様に構成する様にしたものである。斯る第4図
は上述第3図例に於いてスイツチング回路をコレ
クタフオロワスイツチング回路構成としたもので
あり、この第4図に於いても第3図例同様の作用
効果があることは容易に理解できよう。 That is, in FIG. 4, the collector of transistor 3 is connected to the bases of NPN transistor 31 and PNP transistor 32, and the connection point of the bases of transistors 31 and 32 is connected to the power supply via resistor 33. The collector of the transistor 31 is connected to the power supply terminal 10, and the emitters of the transistors 31 and 32 are connected to each other, and the connection point of these emitters is connected to the base of the pnp transistor 17a constituting the switching element. The collector of the transistor 32 is connected to the power supply terminal 10 via the bias setting battery 34, and the collector of the transistor 4 is connected to the bases of the NPN transistor 35 and the PNP transistor 36, respectively. 35 and 3
6 is connected to the power supply terminal 15 via a resistor 37, the collector of the transistor 35 is connected to the power supply terminal 15 via a bias setting battery 38, and the husbands of the transistors 35 and 36 are connected to each other. Connect the emitters of the emitters to each other, connect the connection point of the emitters to the base of the npn transistor 18a that constitutes the switching element, and connect the transistor 3.
6 is connected to the power supply terminal 15, and the connection point of the bases of transistors 35 and 36 is connected to 2.
A series circuit of diodes 39 and 40 is connected to a connection point between the bases of transistors 31 and 32, and a connection point between diodes 39 and 40 is connected to a connection point between the collectors of transistors 17a and 18a. Connect this transistor 1
The connection point of each collector of 7a and 18a is connected to the connection point of return current processing diodes 19 and 20, and the connection point of this collector is connected to a load resistor 22 via a low-pass filter 21, The emitter of the transistor 17a is connected to the power supply terminal 10, and the emitter of the transistor 18a is connected to the power supply terminal 15, and the other configuration is the same as that shown in FIG. 4 shows a configuration in which the switching circuit in the example shown in FIG. 3 is configured as a collector follower switching circuit, and it is noted that this example in FIG. It's easy to understand.
又第5図はトランジスタ3のコレクタをダイオ
ード41及び42の夫々のカソードに夫々接続
し、このダイオード41のアノードをnpn形トラ
ンジスタ43及びpnp形トランジスタ44の夫々
のベースに接続し、之等トランジスタ43及び4
4の夫々のベース接続点を抵抗器45を介して電
源端子10に接続し、トランジスタ43のコレク
タを電源端子10に接続し、又ダイオード42の
アノードをトランジスタ44のコレクタに接続す
ると共にこのトランジスタ44のコレクタをバイ
アス設定用の電池46を介して電源端子10に接
続し、又トランジスタ43及び44の夫々のエミ
ツタを互に接続し、この接続点をスイツチング素
子を構成する電界効果トランジスタ47のゲート
に接続する。又トランジスタ4のコレクタをダイ
オード48及び49の夫々のアノードに接続し、
このダイオード48のカソードをnpn形トランジ
スタ50及びpnp形トランジスタ51の夫々のベ
ースに接続し、之等トランジスタ50及び51の
夫々のベースの接続点を抵抗器52を介して電源
端子15に接続し、又トランジスタ51のコレク
タを電源端子15に接続し、又ダイオード49の
カソードをトランジスタ50のコレクタに接続す
ると共にこのトランジスタ50のコレクタをバイ
アス設定用の電池53を介して電源端子15に接
続し、之等トランジスタ50及び51の夫々のエ
ミツタを互に接続し、このエミツタの接続点を電
界効果トランジスタ54のゲートに接続する。こ
の電界効果トランジスタ47及び54の夫々のソ
ースを夫々電源端子10及び15に夫々接続し、
この電界効果トランジスタ47のドレインをダイ
オード55及び56の直列回路を介して電界効果
トランジスタ54のドレインに接続し、このダイ
オード55及び56の接続点をリターン電流処理
用ダイオード19及び20の接続点に接続すると
共にこのダイオード55及び56の接続点を低域
通過フイルタ21を介して負荷抵抗器22に接続
する様にする。その他は第3図と同様に構成す
る。 FIG. 5 also shows that the collector of the transistor 3 is connected to the cathodes of diodes 41 and 42, respectively, and the anode of this diode 41 is connected to the bases of an npn type transistor 43 and a pnp type transistor 44, respectively. and 4
4 are connected to the power supply terminal 10 via a resistor 45, the collector of the transistor 43 is connected to the power supply terminal 10, and the anode of the diode 42 is connected to the collector of the transistor 44. The collector of is connected to the power supply terminal 10 via a bias setting battery 46, and the emitters of transistors 43 and 44 are connected to each other, and this connection point is connected to the gate of a field effect transistor 47 constituting a switching element. Connecting. Further, the collector of transistor 4 is connected to the anodes of diodes 48 and 49, respectively.
The cathode of this diode 48 is connected to the bases of an npn transistor 50 and a pnp transistor 51, and the connection point of the bases of the transistors 50 and 51 is connected to the power supply terminal 15 via a resistor 52, Further, the collector of the transistor 51 is connected to the power supply terminal 15, the cathode of the diode 49 is connected to the collector of the transistor 50, and the collector of this transistor 50 is connected to the power supply terminal 15 via the battery 53 for bias setting. The emitters of the transistors 50 and 51 are connected to each other, and the connection point of the emitters is connected to the gate of the field effect transistor 54. The sources of the field effect transistors 47 and 54 are connected to the power supply terminals 10 and 15, respectively,
The drain of the field effect transistor 47 is connected to the drain of the field effect transistor 54 through a series circuit of diodes 55 and 56, and the connection point between the diodes 55 and 56 is connected to the connection point between the return current processing diodes 19 and 20. At the same time, the connection point between the diodes 55 and 56 is connected to the load resistor 22 via the low-pass filter 21. The rest of the structure is the same as that shown in FIG.
斯る第5図は上述第3図例に於けるスイツチン
グ回路をドレインフオロワスイツチング回路構成
としたものであり、この第5図に於いても第3図
例同様の作用効果があることは容易に理解できよ
う。ただしこの第5図例に於いては電界効果トラ
ンジスタ47,54の飽和電圧をVsとしたと
き、電界効果トランジスタ47に電流I1が流れて
いるときの出力点即ちダイオード55及び56の
接続点aの出力電圧がVcc−(Vs+2Vf)とな
り、又電界効果トランジスタ54に電流I3が流れ
ているときのa点の出力電圧が−Vcc+(Vs+
2Vf)となるので点b及びcの電圧がVcc−(Vs
+2Vf)及び−Vcc+(Vs+2Vf)となる如くトラ
ンス28の1次巻線28aの巻数N1及び2次巻
線28bの巻数N2を選定する如くする。 5 shows a configuration in which the switching circuit in the above-mentioned example in FIG. 3 is configured as a drain follower switching circuit, and it is noted that this example in FIG. 5 has the same effect as in the example in FIG. 3. It's easy to understand. However, in this example in FIG. 5, when the saturation voltage of the field effect transistors 47 and 54 is Vs, the output point when the current I1 is flowing through the field effect transistor 47, that is, the connection point a of the diodes 55 and 56. The output voltage at point a is Vcc-(Vs+2Vf), and the output voltage at point a when current I3 is flowing through the field effect transistor 54 is -Vcc+(Vs+2Vf).
2Vf), so the voltage at points b and c is Vcc-(Vs
The number of turns N 1 of the primary winding 28a of the transformer 28 and the number of turns N 2 of the secondary winding 28b of the transformer 28 are selected so that the voltages are +2Vf) and -Vcc+(Vs+2Vf).
尚本発明は上述実施例に限らず本発明の要旨を
逸脱することなく、その他種々の構成が取り得る
ことは勿論である。 It goes without saying that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and that various other configurations can be adopted without departing from the gist of the present invention.
第1図は従来のパルス幅変調信号増幅回路の例
を示す構成図、第2図は本発明の説明に供する線
図、第3図は本発明パルス幅変調信号増幅回路の
一実施例を示す構成図、第4図及び第5図は夫々
本発明の他の実施例を示す構成図である。
1は音声入力端子、2はパルス幅変調回路、1
0は正の直流電圧Vccが供給される電源端子、1
5は負の直流電圧−Vccが供給される電源端子、
17,18,27a及び27bは夫々トランジス
タ、19,20,29及び30は夫々ダイオー
ド、23及び24は夫々コンデンサ、25は方形
波信号発振回路、26及び28は夫夫トランスで
ある。
Fig. 1 is a block diagram showing an example of a conventional pulse width modulation signal amplification circuit, Fig. 2 is a diagram for explaining the present invention, and Fig. 3 shows an embodiment of the pulse width modulation signal amplification circuit of the present invention. The block diagram, FIG. 4, and FIG. 5 are block diagrams showing other embodiments of the present invention, respectively. 1 is an audio input terminal, 2 is a pulse width modulation circuit, 1
0 is the power supply terminal to which positive DC voltage Vcc is supplied, 1
5 is a power supply terminal to which negative DC voltage -Vcc is supplied;
17, 18, 27a and 27b are transistors, 19, 20, 29 and 30 are diodes, 23 and 24 are capacitors, 25 is a square wave signal oscillation circuit, and 26 and 28 are transformers.
Claims (1)
第1及び第2のスイツチング素子の直列回路を有
し、該直列回路の一端及び他端を夫々正及び負の
直流電源に接続し、上記第1及び第2のスイツチ
ング素子の接続点を第1のリターン電流処理用ダ
イオード及び第1のコンデンサの直列回路を介し
て上記正の直流電源に接続すると共に上記第1及
び第2のスイツチング素子の接続点を第2のリタ
ーン電流処理用ダイオード及び第2のコンデンサ
の直列回路を介して上記負の直流電源に接続し、
上記第1及び第2のスイツチング素子の接続点を
低域通過フイルターを介して負荷に接続する様に
し、上記第1のリターン電流処理用ダイオード及
び第1のコンデンサの接続点を所定周波数で交互
にオン・オフする第3及び第4のスイツチング素
子の直列回路を介して上記第2のリターン電流処
理用ダイオード及び第2のコンデンサの接続点に
接続し、該第3及び第4のスイツチング素子の接
続点をトランスの1次巻線の一端に接続し、第1
次巻線の他端及び該トランスの2次巻線の他端を
夫々接地し、該2次巻線の一端を第3のダイオー
ドのアノード及び第4のダイオードのカソードに
夫々接続し、該第3のダイオードのカソードを上
記正の直流電源に接続すると共に該第4のダイオ
ードのアノードを上記負の直流電源に接続する様
にしたことを特徴とするパルス幅変調信号増幅回
路。1. It has a series circuit of first and second switching elements that are turned on and off alternately by a pulse width modulation signal, one end and the other end of the series circuit are connected to positive and negative DC power sources, respectively, and the first and second switching elements are The connection point of the second switching element is connected to the positive DC power supply through a series circuit of a first return current processing diode and a first capacitor, and the connection point of the first and second switching elements is connected to the first return current processing diode and the first capacitor. connected to the negative DC power supply through a series circuit of a return current processing diode No. 2 and a second capacitor;
The connection point between the first and second switching elements is connected to the load via a low-pass filter, and the connection point between the first return current processing diode and the first capacitor is alternately connected at a predetermined frequency. Connect to the connection point of the second return current processing diode and the second capacitor through a series circuit of third and fourth switching elements that turn on and off, and connect the third and fourth switching elements. Connect the point to one end of the primary winding of the transformer, and
The other end of the secondary winding and the other end of the secondary winding of the transformer are respectively grounded, one end of the secondary winding is connected to the anode of the third diode and the cathode of the fourth diode, respectively. A pulse width modulation signal amplification circuit characterized in that the cathode of the third diode is connected to the positive DC power supply, and the anode of the fourth diode is connected to the negative DC power supply.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6284279A JPS55154810A (en) | 1979-05-22 | 1979-05-22 | Amplifying circuit for pulse-width-modulated signal |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6284279A JPS55154810A (en) | 1979-05-22 | 1979-05-22 | Amplifying circuit for pulse-width-modulated signal |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS55154810A JPS55154810A (en) | 1980-12-02 |
JPS6238885B2 true JPS6238885B2 (en) | 1987-08-20 |
Family
ID=13211957
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6284279A Granted JPS55154810A (en) | 1979-05-22 | 1979-05-22 | Amplifying circuit for pulse-width-modulated signal |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS55154810A (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59122005A (en) * | 1982-12-27 | 1984-07-14 | Pioneer Electronic Corp | Pulse-width modulating power amplifier |
JP2002345071A (en) * | 2001-05-11 | 2002-11-29 | Sony Corp | Audio signal reproducing device |
-
1979
- 1979-05-22 JP JP6284279A patent/JPS55154810A/en active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS55154810A (en) | 1980-12-02 |
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