JPS6235666B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6235666B2 JPS6235666B2 JP17976483A JP17976483A JPS6235666B2 JP S6235666 B2 JPS6235666 B2 JP S6235666B2 JP 17976483 A JP17976483 A JP 17976483A JP 17976483 A JP17976483 A JP 17976483A JP S6235666 B2 JPS6235666 B2 JP S6235666B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- metal thin
- film pattern
- white defect
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 52
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 52
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 51
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体集積回路等の製造工程におい
て使用されるフオトマスクのパターン修正方法、
特にパターンの白欠陥部分の修正方法に関するも
のである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a method for modifying patterns of photomasks used in the manufacturing process of semiconductor integrated circuits, etc.
In particular, the present invention relates to a method for correcting a white defect portion of a pattern.
この白欠陥部分とは、金属薄膜パターンが形成
されるべき領域においてその金属薄膜が欠けてい
る箇所のことであり、例えば第１図に示すよう
に、ガラス基板１上にＦ字状の金属パターン２が
形成されている場合に、その金属パターンの存在
すべき領域内において白欠陥部分３が存在してい
る。このような白欠陥部分３を有するフオトマス
クは、これを半導体集積回路の製造工程に使用し
た場合、集積回路パターンに断線等を引き起こす
原因になるため、その白欠陥部分３を修正しなけ
ればならない。 This white defect area is a part where the metal thin film is missing in the area where the metal thin film pattern is to be formed. For example, as shown in FIG. 1, an F-shaped metal pattern is formed on the glass substrate 1. 2 is formed, a white defect portion 3 exists in the region where the metal pattern should exist. When a photomask having such a white defect portion 3 is used in a semiconductor integrated circuit manufacturing process, the white defect portion 3 must be corrected because it may cause disconnection or the like in the integrated circuit pattern.
このような白欠陥部分を有するフオトマスクの
パターン修正方法としては、第２図に示すような
工程が提案されている。すなわち、第２図ａにお
いて、金属薄膜パターン２側のガラス基板１の主
面上と白欠陥部分３を含む金属薄膜パターン２上
とにポジ型レジスト４を被覆し、同図ｂにおい
て、ポジ型レジスト４側から露光機（図示せず）
のステージをセツトし、露光マスク５のスリツト
サイズを白欠陥部分３の寸法より大きく、かつ金
属薄膜パターン２の幅寸法以下に開いて、例えば
高圧水銀灯光で白欠陥部分３周辺のレジスト部分
を前述したスリツトを通して露光部分８を形成す
る。次に、同図ｃにおいて、現像液により現像し
て、前述した露光部分８を除去して、白欠陥部分
３とレジスト除去部分９を形成し、同図ｄにおい
て、レジスト４側、特に白欠陥部分３とレジスト
除去部分９上に新たな金属薄膜１０を形成し、そ
して同図ｅにおいて、レジスト剥離液によりレジ
スト４を剥離することにより、レジスト４上の金
属薄膜１０も同時に剥離されて、前述した白欠陥
部分３とその周辺のレジスト除去部分９にそれぞ
れ金属薄膜部分１１と１２が付着したまま残る。 As a method for correcting the pattern of a photomask having such white defect portions, a process as shown in FIG. 2 has been proposed. That is, in FIG. 2a, a positive resist 4 is coated on the main surface of the glass substrate 1 on the side of the metal thin film pattern 2 and on the metal thin film pattern 2 including the white defect portion 3, and in FIG. Exposure machine (not shown) from the resist 4 side
The slit size of the exposure mask 5 is set to be larger than the size of the white defect area 3 and smaller than the width of the metal thin film pattern 2, and the resist area around the white defect area 3 is exposed to light from a high-pressure mercury lamp as described above. An exposed portion 8 is formed through the slit. Next, as shown in FIG. 3C, development is performed using a developer to remove the exposed portion 8 described above to form a white defect area 3 and a resist removed area 9. In FIG. A new metal thin film 10 is formed on the portion 3 and the resist removed portion 9, and as shown in FIG. Metal thin film portions 11 and 12 remain attached to the white defect portion 3 and the resist removed portion 9 around it, respectively.
ここで、金属薄膜部分１１は白欠陥部分３を修
正したものであるが、金属薄膜部分１２は、白欠
陥部分３周辺の未欠陥部分である金属薄膜パター
ン２上に形成されたものであることから、第２図
ｅに示すように断面的に見て突出形状になつてい
る。 Here, the metal thin film portion 11 is a corrected white defect portion 3, but the metal thin film portion 12 is formed on the metal thin film pattern 2 which is a non-defective portion around the white defect portion 3. As shown in FIG. 2e, it has a protruding shape when viewed in cross section.
このような突出形状の金属薄膜部分１２は金属
薄膜部分１１と共に欠けやすいため、再び白欠陥
を起こすおそれがあり、欠けた金属薄膜部分１
１，１２はともすればガラス基板上に乗り、黒欠
陥部分（金属薄膜パターンが形成されるべき領域
以外の領域に存在する金属薄膜部分をいう。）を
発生しがちであつた。一方、この金属薄膜部分１
２を小さくするには、前述した露光マスク５のス
リツトサイズを限りなく白欠陥部分３の寸法に近
づけることが考えられるが、そのようなスリツト
サイズの調整は煩雑であるばかりでなく、歩留り
低下を招きやすい。 Since the metal thin film portion 12 having such a protruding shape is easily chipped together with the metal thin film portion 11, there is a risk of white defects occurring again, and the chipped metal thin film portion 1
Nos. 1 and 12 tend to sit on the glass substrate and cause black defect portions (meaning metal thin film portions existing in areas other than the area where the metal thin film pattern is to be formed). On the other hand, this metal thin film portion 1
2, it is conceivable to make the slit size of the exposure mask 5 as close to the size of the white defect portion 3 as possible, but such adjustment of the slit size is not only complicated, but also tends to lead to a decrease in yield. .
本発明は上記したような欠点を除去するために
なされたものであり、その目的は、修正のための
金属薄膜を形成済の金属薄膜パターン上に平坦状
に形成すると共に、白欠陥部分に埋設形成し、か
つ容易に行うことのできるフオトマスクのパター
ン修正方法を提供することである。 The present invention was made in order to eliminate the above-mentioned defects, and its purpose is to form a flat metal thin film for correction on an already formed metal thin film pattern, and to bury it in the white defect part. It is an object of the present invention to provide a method for modifying a photomask pattern that can be formed and easily performed.
このような目的を達成させるため、本発明によ
るフオトマスクのパターン修正方法は、白欠陥を
有する金属薄膜パターン側のガラス基板の一方の
主面上に、後記する露光・現像工程において前記
白欠陥に対して実質的に未露光になる解像度を有
するネガ型レジストを被覆する工程と、前記ガラ
ス基板の他方の主面側から前記金属薄膜パターン
を通して前記ネガ型フオトレジストを露光する工
程と、前記ネガ型フオトレジストを現像して前記
金属薄膜パターン上と前記白欠陥部分上に対する
未露光部分を除去する工程と、前記ネガ型レジス
トの露光部分が被覆されている面上と前記除去に
よる前記金属薄膜パターン上とに新たな遮光性の
金属薄膜を形成する工程と、前記露光部分のネガ
型フオトレジストを剥離する工程を必須構成とし
ている。 In order to achieve such an object, the photomask pattern correction method according to the present invention includes a photomask pattern correction method in which white defects are removed on one main surface of a glass substrate on the metal thin film pattern side having white defects in an exposure/development process to be described later. a step of exposing the negative photoresist through the metal thin film pattern from the other main surface side of the glass substrate; developing the resist to remove unexposed portions on the metal thin film pattern and the white defect portion; and removing unexposed portions on the exposed portion of the negative resist and on the metal thin film pattern resulting from the removal. The essential components include a step of forming a new light-shielding metal thin film and a step of peeling off the negative photoresist of the exposed portion.
以下、実施例図面を参照して本発明を詳細に説
明する。 Hereinafter, the present invention will be explained in detail with reference to the drawings.
第３図は、透光性のアルミノボロシリケートガ
ラス（（株）保谷硝子製：LE−30）等から製作さ
れたガラス基板１の主面上に、遮光性金属薄膜と
してクロム（Cr）等の金属薄膜パターン２（膜
厚：約700Å）を真空蒸着等により所定形状に形
成した場合、その金属薄膜パターン２に白欠陥部
分３（寸法：３μｍ）を有する事例を示し、同図
ａにおいて、ネガ型フオトレジスト４（例えば、
東京応化工業（株）製：OMR−83、膜厚：約
7000Å）を、金属薄膜パターン２の形成されてい
る以外の領域における前記ガラス基板の一方の主
面上（白欠陥部分３を有するガラス基板表面部分
を含む。）と金属薄膜パターン２上とに被覆す
る。このレジスト４の解像度が、白欠陥部分３の
寸法を解像しない程度であれば、後の露光・現像
工程において白欠陥部分３があたかも存在してい
ない、換言すれば未露光と同様に作用する。一般
に、ネガ型レジストの解像度は、そのレジストに
ついて所定の露光・現像条件において求められた
最高値であることから、本例の白欠陥部分３の寸
法値（３μｍ）以上に選定した場合、その白欠陥
部分３に対して未露光部分として取り扱われる。
なお、露光・現像の各条件を変えた場合には、レ
ジストの解像度も増大することがあることから、
必ずしも個々のレジスト材料に挙げられた解像度
に限定されず、本発明におけるネガ型レジストの
解像度は、後の露光・現像工程において白欠陥部
分に対して実質的に未露光部分として作用する程
度であればよい。 Figure 3 shows a film of chromium (Cr) or the like as a light-shielding metal thin film on the main surface of a glass substrate 1 made of translucent aluminoborosilicate glass (LE-30 manufactured by Hoya Glass Co., Ltd.). An example is shown in which a metal thin film pattern 2 (thickness: approximately 700 Å) is formed into a predetermined shape by vacuum evaporation or the like, and the metal thin film pattern 2 has a white defect portion 3 (dimension: 3 μm). Type photoresist 4 (e.g.
Manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.: OMR-83, film thickness: approx.
7000 Å) on one main surface of the glass substrate in areas other than where the metal thin film pattern 2 is formed (including the glass substrate surface portion having the white defect portion 3) and on the metal thin film pattern 2. do. If the resolution of this resist 4 is such that it does not resolve the dimensions of the white defect area 3, the white defect area 3 will act as if it does not exist in the subsequent exposure and development process, in other words, it will act as if it were not exposed. . In general, the resolution of a negative resist is the highest value determined for that resist under predetermined exposure and development conditions. The defective portion 3 is treated as an unexposed portion.
Note that when changing the exposure and development conditions, the resolution of the resist may also increase.
The resolution of the negative resist in the present invention is not necessarily limited to the resolution listed for each resist material, but can be defined to the extent that it acts as a substantially unexposed area for white defect areas in the subsequent exposure and development process. Bye.
次に、同図ｂにおいて、ガラス基板１の他方の
主面側から、紫外光１６（光量：50mj／cm2）を
照射し、金属薄膜パターン２を通して露光する。
この露光により、金属薄膜パターン２が占めてい
る領域以外のレジスト部分は露光部分１４を形成
し、金属薄膜パターン２上のレジスト部分はもと
より、白欠陥部分３上のレジスト部分は未露光部
分１５を形成する。 Next, in FIG. 1B, ultraviolet light 16 (light intensity: 50 mj/cm 2 ) is irradiated from the other main surface side of the glass substrate 1 and exposed through the metal thin film pattern 2.
Through this exposure, the resist portion other than the area occupied by the metal thin film pattern 2 forms an exposed portion 14, and the resist portion on the metal thin film pattern 2 as well as the resist portion over the white defect portion 3 forms an unexposed portion 15. Form.
次に、同図ｃにおいて、ネガ型レジスト１３に
応じた専用現像液により現像処理され、未露光部
分１５は除去され、露光部分１４はほぼ半分の厚
さの残存レジスト部分１７を形成する。その結
果、金属薄膜パターン２と白欠陥部分３は露出す
る。 Next, as shown in FIG. 3C, development is performed using a special developer suitable for the negative resist 13, the unexposed portion 15 is removed, and the exposed portion 14 forms a remaining resist portion 17 having approximately half the thickness. As a result, the metal thin film pattern 2 and the white defect portion 3 are exposed.
次に、同図ｄにおいて、新たなクロム等の遮光
性金属薄膜１８（膜厚：約700Å）を残存レジス
ト部分１８と金属薄膜パターン２（白欠陥部分３
を含む。）上に真空蒸着等により形成する。 Next, as shown in FIG.
including. ) by vacuum evaporation or the like.
そして、同図ｅにおいて、使用したネガ型レジ
ストに応じたレジスト剥離液（本例：過酸化水素
水と熱濃硫酸の混合液）により残存レジスト部分
１７を剥離し、その残存レジスト部分１７上の金
属薄膜１８をも同時に剥離して、新たな金属薄膜
１９を金属薄膜パターン２上に形成すると共に、
白欠陥部分３に埋設形成する。 Then, as shown in FIG. The metal thin film 18 is also peeled off at the same time, and a new metal thin film 19 is formed on the metal thin film pattern 2.
It is buried in the white defect portion 3.
以上のとおり、本発明によれば、再欠陥の発生
原因となる金属薄膜パターン上の突出部分を除去
し、修正すべき金属薄膜を金属薄膜パターンと白
欠陥部分にほぼ平坦状に形成し、かつ露光工程に
おいて露光径の調整を不用にして、修正方法を容
易にすることができる。 As described above, according to the present invention, the protruding portion on the metal thin film pattern that causes re-defects is removed, the metal thin film to be corrected is formed in a substantially flat shape on the metal thin film pattern and the white defect part, and This makes it unnecessary to adjust the exposure diameter in the exposure process, making the correction method easier.
なお、本発明における材質は前述した実施例に
限定されず、例えばガラス基板についてソーダラ
イムガラス、合成石英等、金属薄膜について酸化
クロム、モリブデン、タングステン、チタン等の
薄膜、及び成膜法としてスパツタリング、イオン
プレーテイング等を使用してもよい。 The materials used in the present invention are not limited to the above-described embodiments, and include, for example, soda lime glass, synthetic quartz, etc. for glass substrates, thin films of chromium oxide, molybdenum, tungsten, titanium, etc. for metal thin films, and sputtering, Ion plating or the like may also be used.
第１図は白欠陥部分を有する金属薄膜パターン
を形成したフオトマスクを示し、同図ａは正面図
及び同図ｂは断面図である。第２図は従来の白欠
陥部分の修正に係るフオトマスクの製造工程を示
す断面図である。第３図は本発明による一実施例
であるフオトマスクのパターン修正方法を示す断
面図である。
１……ガラス基板、２……金属薄膜パターン、
３……白欠陥部分、１３……ネガ型フオトレジス
ト、１４……レジストの露光部分、１５……レジ
ストの未露光部分、１６……紫外光、１７……残
存レジスト部分、１８……新たな金属薄膜、１９
……剥離後の新たな金属薄膜。
FIG. 1 shows a photomask in which a metal thin film pattern having white defect areas is formed, and FIG. 1A is a front view and FIG. 1B is a sectional view. FIG. 2 is a cross-sectional view showing a conventional photomask manufacturing process for correcting white defect portions. FIG. 3 is a sectional view showing a photomask pattern correction method according to an embodiment of the present invention. 1...Glass substrate, 2...Metal thin film pattern,
3...White defect area, 13...Negative photoresist, 14...Exposed part of resist, 15...Unexposed part of resist, 16...Ultraviolet light, 17...Remaining resist part, 18...New resist Metal thin film, 19
...New metal thin film after peeling.
Claims (1)
れた遮光性の金属薄膜パターンに白欠陥部分を有
するフオトマスクのパターン修正方法において、
前記金属薄膜パターンの形成されている以外の領
域における前記ガラス基板の一方の主面上と前記
金属薄膜パターン上とに、後記する露光・現像工
程において前記白欠陥部分に対して実質的に未露
光になる解像度を有するネガ型フオトレジストを
被覆する工程と、前記ガラス基板の他方の主面側
から前記金属薄膜パターンを通して前記ネガ型フ
オトレジストを露光する工程と、前記ネガ型フオ
トレジストを現像して前記金属薄膜パターン上と
前記白欠陥部分上に対する未露光部分を除去する
工程と、前記ネガ型レジストの露光部分が被覆さ
れている面上と前記除去による前記金属薄膜パタ
ーン上とに新たな遮光性の金属薄膜を形成する工
程と、前記露光部分のネガ型フオトレジストを剥
離する工程とを含むことを特徴とするフオトマス
クのパターン修正方法。1. In a pattern repair method for a photomask having a white defect portion in a light-shielding metal thin film pattern formed on one main surface of a light-transmitting glass substrate,
On one main surface of the glass substrate in an area other than where the metal thin film pattern is formed and on the metal thin film pattern, the white defect portion is substantially unexposed in the exposure/development process described later. a step of exposing the negative photoresist through the metal thin film pattern from the other main surface side of the glass substrate, and developing the negative photoresist. removing the unexposed portions on the metal thin film pattern and the white defect portion, and adding new light-shielding properties to the surface covered with the exposed portion of the negative resist and the metal thin film pattern resulting from the removal. 1. A photomask pattern correction method comprising the steps of: forming a metal thin film; and peeling off the negative photoresist at the exposed portion.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58179764A JPS6075836A (en) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | Method for correcting pattern of photomask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58179764A JPS6075836A (en) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | Method for correcting pattern of photomask |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6075836A JPS6075836A (en) | 1985-04-30 |
| JPS6235666B2 true JPS6235666B2 (en) | 1987-08-03 |
Family
ID=16071474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58179764A Granted JPS6075836A (en) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | Method for correcting pattern of photomask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6075836A (en) |
-
1983
- 1983-09-28 JP JP58179764A patent/JPS6075836A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6075836A (en) | 1985-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003255510A (en) | Method for manufacturing electronic device | |
| US5945237A (en) | Halftone phase-shift mask and halftone phase-shift mask defect correction method | |
| US6656646B2 (en) | Fabrication method of semiconductor integrated circuit device | |
| JP3064962B2 (en) | Halftone phase shift mask, mask blanks thereof, and method of manufacturing halftone phase shift mask and defect correction method | |
| JP3630929B2 (en) | Method for manufacturing halftone phase shift mask | |
| JP2007292822A (en) | Defect correction method for photomask having gradation | |
| JPS6235666B2 (en) | ||
| JP2003121989A (en) | Method for modifying halftone phase shifting mask | |
| US20020102468A1 (en) | Method of forming an improved attenuated phase-shifting photomask | |
| JPH07295204A (en) | Method for correcting phase shift mask | |
| JPH10274839A (en) | Correction mask and method for correcting halftone phase shifting mask | |
| JPH0887103A (en) | Correcting method for defect in phase shift mask | |
| JPH10326006A (en) | Method for forming pattern | |
| JPS6235667B2 (en) | ||
| JPS6046556A (en) | Manufacture of photomask | |
| KR100546269B1 (en) | Half-tone phase shift mask and manufacturing method thereof | |
| JP2500526B2 (en) | Photomask blanks and photomasks | |
| JPH07219203A (en) | Phase shift mask and its production | |
| JPS6159506B2 (en) | ||
| JPS63231348A (en) | Photomask | |
| JP2007256491A (en) | Defect correction method for photomask having gradation and photomask having gradation | |
| JPS6050535A (en) | Method for correcting photomask pattern width | |
| JPH03271738A (en) | Manufacture of photomask | |
| KR100476879B1 (en) | A method of forming mask | |
| KR970002449A (en) | How to fix defects on the photomask |