JPS6235477B2 - - Google Patents

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JPS6235477B2
JPS6235477B2 JP4379980A JP4379980A JPS6235477B2 JP S6235477 B2 JPS6235477 B2 JP S6235477B2 JP 4379980 A JP4379980 A JP 4379980A JP 4379980 A JP4379980 A JP 4379980A JP S6235477 B2 JPS6235477 B2 JP S6235477B2
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JP
Japan
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magnetic
ions
plating bath
concentration
tungstate
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JP4379980A
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Japanese (ja)
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JPS56142867A (en
Inventor
Fumio Goto
Tetsuya Aisaka
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NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

本発明は磁気デイスク、磁気テープなどの磁気
記録体に用いられる磁気記憶媒体(磁性膜)を作
製する無電解めつき浴に関するものである。 近年、高密度磁気記録体として、記憶媒体がめ
つき法により作製されためつき磁気デイスク、め
つき磁気テープなどが用いられ始めた。磁気記録
装置は記録再生ヘツドおよび記録媒体の主構成部
から構成され、要求される記録密度、記録再生速
度などにより使用されるヘツドの性能及び記憶媒
体の特性が決定される。記録密度及び出力は同一
ヘツドを用いる場合、記憶媒体の膜厚(δ)並び
に磁気特性としての保磁力(Hc)及び残留磁束
密度(Br)により決まり、次の様な関係があ
る。 (記録密度)∝(Hc/Br・δ)1/2 (1) (出 力)∝(Br・δ・Hc)1/2 (2) 従つて要求される記録密度及び出力に適する磁
性膜を得るためには磁性膜の磁気特性及び膜厚を
一定の許容される範囲内に保つ必要がある。 ところが無電解めつき法を用いて磁性膜を作製
する場合、ある一定組成で調製した無電解めつき
浴より得られる磁性膜の磁気特性を変化させるこ
とは容易でない。電気めつき法の場合は電流密度
を変えることにより得られる磁気特性を容易に変
化させることができるが、無電解めつき法では浴
のPH、浴温などのめつき条件を大幅に変動させる
操作が必要であり、これらの操作は浴寿命の低
下、作業性の低下などを伴うことが多く実用上問
題がある。従つて所要の磁気特性の磁性膜を得る
にはその特性に応じて別個の無電解めつき浴を開
発しなければならないという問題があつた。 本発明の目的は、これらの問題点を改善して無
電解めつき浴にタングステンイオンを加えること
により磁気特性を制御して所要の特性を有する磁
性膜が得られる無電解めつき浴を提供することに
ある。 本発明による無電解めつき浴は、コバルトイオ
ン、またはコバルトイオンおよびニツケルイオ
ン、これら金属イオンの還元剤、PH緩衝剤、PH調
節節剤並びに前記金属イオンの錯化剤としてのマ
ロン酸基を含む水溶液にタングステン酸イオンを
加えることを特徴としており、これにより磁気特
性が制御され所要の特性を有する磁性膜が得られ
る。 本発明において金属イオンとして用いられるコ
バルトイオンあるいはニツケルイオンとしては、
コバルトあるいはニツケルの硫酸塩、塩化塩、酢
酸塩などの可溶性塩を無電解めつき浴中に溶解す
ることによつて供給される。コバルトイオンの濃
度は、0.01〜2mol/の範囲が用いられるが、好
ましくは0.03〜0.2mol/の範囲である。めつき
浴にコバルトイオンおよびニツケルイオンを含む
場合はコバルトイオンのおびニツケルイオンの合
計の濃度は、0.01〜1.5mol/の範囲が用いら
れ、好ましくは0.03〜0.15mol/の範囲であ
り、コバルト濃度/ニツケル濃度の値が100から
0.3の範囲で用いられる。 還元剤としては次亜リン酸塩が普通に用いられ
るが、ヒドラジン塩類、ホウ水素化物なども用い
ることができる。PH緩衝剤としてはアンモニウム
塩、炭酸塩、有機酸塩などが使用され、0.01〜
2mol/の範囲の濃度が用いられる。PH調節剤
としては、PHの上昇にはアンモニア、水酸化ナト
リウムなどのアルカリが用いられ、PHの降下には
硫酸、塩酸などの酸が用いられる。錯化剤として
のマロン酸基は、マロン酸またはマロン酸の可溶
性塩によつて供給され、0.1〜2.5mol/の範囲
の濃度が用いられる。グルコン酸基は、グルコン
酸またはグルコン酸の可溶性塩によつて供給さ
れ、0.01〜1.0mol/の範囲の濃度が用いられ
る。タングステン酸イオンは、タングステン酸の
可溶性塩によつて供給されるが、溶液中で安定に
存在するタングステン酸ナトリウム
(Na2WO42H2O)、タングステン酸カリ
(K2WO4)などの6価のタングステン酸塩が好ま
しい。 以下、本発明による無電解めつき浴の特長を実
施例により説明する。 実施例 1 エタノール脱脂後水洗を行つた銅基板に下記条
件にて活性化処理及び促進化処理を施した後、下
記のめつき浴組成及びめつき条件にてその上に
Co―W―p膜(膜厚500Å)を形成した。 活性化処理条件 HS101B(日立化成製)60c.c./1、塩酸320
c.c./、純水620c.c./を組成とする活性液に3
分間浸漬する。 促進化処理条件 ADP201(日立化成製)200c.c./、純水800
c.c./を組成とする促進液に3分間浸漬する。 めつき浴組成 硫酸コバルト 0.10mol/ 次亜リン酸ナトリウム 0.20mol/ 硫酸アンモニウム 0.50mol/ マロン酸ナトリウム 0.90mol/ グルコン酸 0.50mol/ タングステン酸ナトリウム 0〜0.10mol/ めつき条件 めつき浴のPH9.0(室温にてNH4OHでPH調
節) めつき浴の温度85℃ タングステン酸ナトリウムの濃度を0から
0.10mol/まで変化させてHcに与える効果を調
べた結果を第1図に示す。第1図は横軸にタング
ステン酸ナトリウム濃度をとり、縦軸にめつきさ
れた磁性膜のHcをとつたものである。タングス
テン酸ナトリウムを加えない場合のHcは520エル
ステツド(Oe)であるが、タングステン酸ナト
リウム濃度が0.01mol/以上では約350エルステ
ツドとなつた。めつき浴にタングステン酸ナトリ
ウムを加えることにより得られるHcの値を150エ
ルステツド以上減少させることができた。 なお、タングステン酸ナトリウム濃度により磁
気特性が変化するこれらCo―W―p膜の結晶構
造を明らかにするために、X線回折に適した数μ
mの膜厚の試料を用いてX線回折強度を調べた結
果は次表に示すようになつた。
The present invention relates to an electroless plating bath for producing magnetic storage media (magnetic films) used in magnetic recording bodies such as magnetic disks and magnetic tapes. In recent years, as high-density magnetic recording bodies, storage media such as plated magnetic disks and plated magnetic tapes, which are manufactured by a plating method, have begun to be used. A magnetic recording device consists of the main components of a recording/reproducing head and a recording medium, and the performance of the head used and the characteristics of the storage medium are determined by the required recording density, recording/reproducing speed, etc. When the same head is used, the recording density and output are determined by the film thickness (δ) of the storage medium and the coercive force (Hc) and residual magnetic flux density (Br) as magnetic properties, and have the following relationship. (Recording density)∝(Hc/Br・δ) 1/2 (1) (Output)∝(Br・δ・Hc) 1/2 (2) Therefore, a magnetic film suitable for the required recording density and output must be selected. In order to obtain this, it is necessary to maintain the magnetic properties and film thickness of the magnetic film within a certain allowable range. However, when producing a magnetic film using an electroless plating method, it is not easy to change the magnetic properties of the magnetic film obtained from an electroless plating bath prepared with a certain composition. In the case of electroplating, the magnetic properties obtained can be easily changed by changing the current density, but in the case of electroless plating, the plating conditions such as bath pH and bath temperature must be changed significantly. These operations are often accompanied by a reduction in bath life and workability, which poses practical problems. Therefore, in order to obtain a magnetic film with the desired magnetic properties, a separate electroless plating bath must be developed depending on the properties. The purpose of the present invention is to improve these problems and provide an electroless plating bath in which magnetic properties can be controlled by adding tungsten ions to the electroless plating bath to obtain a magnetic film having desired properties. There is a particular thing. The electroless plating bath according to the present invention contains cobalt ions or cobalt ions and nickel ions, a reducing agent for these metal ions, a PH buffer, a PH regulating agent, and a malonic acid group as a complexing agent for the metal ions. The method is characterized by adding tungstate ions to an aqueous solution, whereby the magnetic properties are controlled and a magnetic film having the desired properties can be obtained. Cobalt ions or nickel ions used as metal ions in the present invention include:
It is provided by dissolving a soluble salt of cobalt or nickel, such as sulfate, chloride, or acetate, in an electroless plating bath. The concentration of cobalt ions used is in the range of 0.01 to 2 mol/, preferably in the range of 0.03 to 0.2 mol/. When the plating bath contains cobalt ions and nickel ions, the total concentration of cobalt ions and nickel ions is in the range of 0.01 to 1.5 mol/, preferably in the range of 0.03 to 0.15 mol/, and the cobalt concentration is /Nickel concentration value starts from 100
Used in the range of 0.3. Hypophosphites are commonly used as reducing agents, but hydrazine salts, borohydrides, and the like can also be used. Ammonium salts, carbonates, organic acid salts, etc. are used as pH buffering agents, and pH buffers range from 0.01 to
Concentrations in the range of 2 mol/l are used. As PH regulators, alkalis such as ammonia and sodium hydroxide are used to raise the PH, and acids such as sulfuric acid and hydrochloric acid are used to lower the PH. The malonic acid groups as complexing agent are provided by malonic acid or soluble salts of malonic acid, and concentrations in the range from 0.1 to 2.5 mol/l are used. Gluconic acid groups are provided by gluconic acid or soluble salts of gluconic acid, and concentrations in the range 0.01-1.0 mol/are used. Tungstate ions are supplied by soluble salts of tungstate, including 6 tungstate ions such as sodium tungstate (Na 2 WO 4 2H 2 O) and potassium tungstate (K 2 WO 4 ), which exist stably in solution. Preferred are tungstates of high valence. Hereinafter, the features of the electroless plating bath according to the present invention will be explained using examples. Example 1 A copper substrate that had been degreased with ethanol and washed with water was subjected to activation treatment and acceleration treatment under the following conditions.
A Co-W-p film (500 Å thick) was formed. Activation treatment conditions HS101B (manufactured by Hitachi Chemical) 60 c.c./1, hydrochloric acid 320
cc/, pure water 620c.c./ in active liquid composition.
Soak for minutes. Acceleration treatment conditions ADP201 (manufactured by Hitachi Chemical) 200 c.c./, pure water 800
cc/ for 3 minutes. Plating bath composition Cobalt sulfate 0.10mol / Sodium hypophosphite 0.20mol / Ammonium sulfate 0.50mol / Sodium malonate 0.90mol / Gluconic acid 0.50mol / Sodium tungstate 0 to 0.10mol / Plating conditions Plating bath PH9.0 (PH adjustment with NH 4 OH at room temperature) Plating bath temperature 85℃ Concentration of sodium tungstate from 0
Figure 1 shows the results of investigating the effect on Hc by varying it up to 0.10 mol/. In FIG. 1, the horizontal axis represents the sodium tungstate concentration, and the vertical axis represents the Hc of the plated magnetic film. Hc was 520 Oe when sodium tungstate was not added, but it became approximately 350 Oe when the sodium tungstate concentration was 0.01 mol/or higher. By adding sodium tungstate to the plating bath, the Hc value obtained could be reduced by more than 150 oersteds. In addition, in order to clarify the crystal structure of these Co-W-p films whose magnetic properties change depending on the sodium tungstate concentration, a sample of several μm suitable for X-ray diffraction was used.
The results of examining the X-ray diffraction intensity using a sample with a film thickness of m are shown in the following table.

【表】【table】

【表】 タングステン酸ナトリウム濃度が0から
0.10mol/に増加するに従つてα―Cc六方晶の
C軸(磁化容易軸)が基板に対して面内方向から
垂直方向に徐々に変化して行く様子が窺われる。
膜面に垂直な方向に磁化容易軸をもつ磁気記録媒
体を用い、膜面に垂直に磁化する垂直磁化記録方
式は、従来一般の磁気デイスク装置に用いられて
いる水平方向の磁化による記録方式に比べて高密
度記録に優れていることが特開昭52―134706号公
報に述べられているが、本実施例によるタングス
テン酸ナトリウム濃度を増加させためつき浴より
得られる磁性膜はこの垂直磁化記録の磁気記録媒
体に用いることができる。 実施例 2 実施例1と同様の手順で、下記のめつき浴組成
及びめつき条件にてCo―Ni―W−P膜(膜厚
500Å)を形成した。 めつき浴組成 硫酸コバルト 0.08mol/ 硫酸ニツケル 0.02mol/ 次亜リン酸ナトリウム 0.20mol/ 硫酸アンモニウム 0.50mol/ マロン酸ナトリウム 0.90mol/ グルコン酸 0.50mol/ タングステン酸ナトリウム 0〜0.10mol/ めつき条件 めつき浴のPH9.0(室温にてNH4OHにてPH調
節) めつき浴の温度85℃ タングステン酸ナトリウムの濃度を0から
0.10mol/まで変化させてHcに与える効果を調
べた結果を第2図に示す。タングステン酸ナトリ
ウムを加えない場合のHcは660エルステツドであ
るが、タングステン酸ナトリウム濃度が
0.01mnl/の時最大値690エルステツドをと
り、それ以上の濃度では減少しタングステン酸ナ
トリウム濃度0.10mol/においてHcは510エル
ステツドとなつた。めつき浴にタングステン酸ナ
トリウムを加えることにより得られるHcの値を
変化させることができた。なお本実施例において
はタングステン酸ナトリウム濃度を増加しても結
晶構造に変化はなく、磁化容易軸は面内配向を示
した。 以上、実施例1、2で示された様に本発明によ
れば、コバルトイオン、またはコバルトイオンお
よびニツケルイオン、これら金属イオンの還元
剤、PH緩衝剤、PH調節剤、並びに前記金属イオン
の錯化剤としてマロン酸塩およびグルコン酸基を
含む水溶液にタングステン酸イオンを加えること
により、磁気特性が制御され所要の特性を有する
磁性膜が得られる。
[Table] Sodium tungstate concentration from 0
It can be seen that as the amount increases to 0.10 mol/, the C axis (axis of easy magnetization) of the α-Cc hexagonal crystal gradually changes from the in-plane direction to the perpendicular direction with respect to the substrate.
The perpendicular magnetization recording method, which uses a magnetic recording medium with an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface and is magnetized perpendicular to the film surface, is different from the recording method using horizontal magnetization used in conventional magnetic disk drives. It is stated in Japanese Unexamined Patent Publication No. 134706/1989 that it is superior in high-density recording compared to the conventional magnetic film, but the magnetic film obtained from the soaking bath in which the sodium tungstate concentration is increased according to this example is superior to perpendicular magnetization recording. It can be used for magnetic recording media. Example 2 A Co-Ni-W-P film (film thickness:
500 Å) was formed. Plating bath composition Cobalt sulfate 0.08mol / Nickel sulfate 0.02mol / Sodium hypophosphite 0.20mol / Ammonium sulfate 0.50mol / Sodium malonate 0.90mol / Gluconic acid 0.50mol / Sodium tungstate 0 to 0.10mol / Plating conditions Plating Bath PH9.0 (PH adjusted with NH 4 OH at room temperature) Plating bath temperature 85℃ Concentration of sodium tungstate from 0
Figure 2 shows the results of investigating the effect on Hc by varying it up to 0.10 mol/. Hc without adding sodium tungstate is 660 oersted, but if the sodium tungstate concentration is
At 0.01 mnl/, Hc reached a maximum value of 690 oersted, and at higher concentrations it decreased to 510 oersted at a sodium tungstate concentration of 0.10 mol/. By adding sodium tungstate to the plating bath, the obtained Hc value could be changed. In this example, even if the concentration of sodium tungstate was increased, the crystal structure did not change, and the axis of easy magnetization showed in-plane orientation. As described above in Examples 1 and 2, according to the present invention, cobalt ions, cobalt ions and nickel ions, reducing agents for these metal ions, PH buffers, PH regulators, and complexes of the metal ions are used. By adding tungstate ions to an aqueous solution containing malonate and gluconic acid groups as a curing agent, magnetic properties can be controlled and a magnetic film having desired properties can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は実施例1のめつき浴における鉄イオン
濃度とHcの関係を示す図、第2図は実施例2の
めつき浴における同様の関係を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing the relationship between iron ion concentration and Hc in the plating bath of Example 1, and FIG. 2 is a diagram showing a similar relationship in the plating bath of Example 2.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 コバルトイオン、またはコバルトイオンおよ
びニツケルイオン、これら金属イオンの還元剤、
PH緩衝剤、PH調節剤並びに前記金属イオンの錯化
剤としてのマロン酸基およびグルコン酸基を含む
水溶液にタングステン酸イオンを加えることを特
徴とする無電解めつき浴。
1 Cobalt ion, or cobalt ion and nickel ion, reducing agent for these metal ions,
An electroless plating bath characterized in that tungstate ions are added to an aqueous solution containing a PH buffer, a PH regulator, and malonic acid groups and gluconic acid groups as complexing agents for the metal ions.
JP4379980A 1980-04-03 1980-04-03 Nonelectrolytic plating bath Granted JPS56142867A (en)

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JPS56142867A JPS56142867A (en) 1981-11-07
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JPH0533380U (en) * 1991-09-06 1993-04-30 ミネソタ マイニング アンド マニユフアクチヤリング カンパニー Tape cartridge and cover for tape cartridge

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN100358482C (en) * 2005-01-31 2008-01-02 武汉理工大学 Multifunctional medical metal stand and production thereof
JP5700846B2 (en) * 2012-03-28 2015-04-15 本田技研工業株式会社 Internal combustion engine

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0533380U (en) * 1991-09-06 1993-04-30 ミネソタ マイニング アンド マニユフアクチヤリング カンパニー Tape cartridge and cover for tape cartridge

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