JPS6235145Y2 - - Google Patents

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JPS6235145Y2
JPS6235145Y2 JP1979139235U JP13923579U JPS6235145Y2 JP S6235145 Y2 JPS6235145 Y2 JP S6235145Y2 JP 1979139235 U JP1979139235 U JP 1979139235U JP 13923579 U JP13923579 U JP 13923579U JP S6235145 Y2 JPS6235145 Y2 JP S6235145Y2
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shim
bimorph
piezo ceramic
voltage
series circuit
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案はバイモルフ素子の駆動回路に係り、特
にバイモルフ素子を用いてトラツキングの補正を
行うようにしたヘリカルスキヤン方式のVTRに
用いて好適なものである。
[Detailed Description of the Invention] The present invention relates to a drive circuit for a bimorph element, and is particularly suitable for use in a helical scan type VTR that uses a bimorph element to perform tracking correction.

回転ヘツド方式のヘリカルスキヤン型VTRに
おいては通常、巻付けられたテープのドラムに対
する傾斜、テープ走行速度及び回転ヘツドの回転
速度等に応じて傾斜した記録トラツクが磁気テー
プ上に形成される。その為磁気テープを記録時の
速度と異つた速度で走行させて再生しようとする
場合、例えば、スチル、スローモーシヨン、倍速
等の各モードにおける再生の場合には、ヘツドの
走査軌跡が上述した記録トラツクとは異なつた傾
斜となる為に、ヘツドは所定の記録トラツクから
外れて走査することになる。このように磁気ヘツ
ドが所定の記録トラツクを外れて走査すると、ガ
ードバンドノイズやクロストークが発生するので
好ましくない。そこでこの種VTRにおいては、
いかなるモードにおいても磁気ヘツドが記録トラ
ツク上を正しく走査するようにする為のトラツキ
ング補正手段が必要となる。このようなトラツキ
ング補正手段として、バイモルフ素子を用いた磁
気ヘツド支持装置が公知である。
In a rotating head type helical scan VTR, a recording track is normally formed on the magnetic tape with an inclination depending on the inclination of the wound tape with respect to the drum, the tape running speed, the rotational speed of the rotary head, etc. Therefore, when playing back a magnetic tape by running it at a speed different from the speed at which it was recorded, for example, when playing in various modes such as still, slow motion, and double speed, the scanning locus of the head is The different slope from the track causes the head to scan off the predetermined recording track. If the magnetic head scans off the predetermined recording track in this way, guard band noise and crosstalk will occur, which is undesirable. Therefore, in this type of VTR,
Tracking correction means is required to ensure that the magnetic head correctly scans the recording track in any mode. As such a tracking correction means, a magnetic head support device using a bimorph element is known.

第1図はこのようなバイモルフ板の原理的な構
造を示している。第1図に示すように、バイモル
フ板1は、その両面に電極2,3がメツキ等によ
つて被着されたピエゾ・セラミツク素子4と、同
じくその両面に電極5,6が被着されたピエゾ・
セラミツク素子7とから成つている。これらのセ
ラミツク素子4,7は、夫々の分極方向が第1図
の矢印で示すように互に逆方向になるようにシム
8を介して、このシム8に対して電極3,5が接
触するように接着によつて接合されている。なお
シム8は補強を目的とするもので、りん青銅、カ
ーボンフアイバ等から成つている。
FIG. 1 shows the basic structure of such a bimorph plate. As shown in FIG. 1, a bimorph plate 1 includes a piezoceramic element 4 having electrodes 2 and 3 adhered to both sides thereof by plating or the like, and electrodes 5 and 6 also adhered to both sides thereof. Piezo・
It consists of a ceramic element 7. The electrodes 3 and 5 of these ceramic elements 4 and 7 are in contact with the shim 8 via the shim 8 so that their polarization directions are opposite to each other as shown by the arrows in FIG. They are joined by adhesive. The shim 8 is for reinforcement and is made of phosphor bronze, carbon fiber, or the like.

このようなバイモルフ板1に第2図に示すよう
に、一対のダイオード15,16とそして一対の
ツエナダイオード17,18とから成る駆動回路
を介して電圧を印加する。なお上記一対のダイオ
ード15,16は整流用であり、また一対のツエ
ナダイオード17,18は、それぞれのピエゾ・
セラミツク素子4,7に加えられる分極方向とは
逆方向の電圧を所定の値以下におさえて、これら
のピエゾ・セラミツク素子4,7の減極を防止す
るためのものである。この回路によつて電圧を印
加すると、セラミツク素子4に対しては、電極2
から電極3の方向(分極方向)の電界がかけられ
るので、圧電気効果により、セラミツク素子4は
矢印で示すように伸びる方向に変形する。またセ
ラミツク素子7に対しては、電極5から電極6の
方向(分極方向と逆方向)の電界がかけられるの
で、セラミツク素子7は縮む方向に変形する。従
つて、バイモルフ板1は第2図において鎖線で示
すようにたわみ、その変位は電界の大きさに応じ
たものとなる。また電界の方向を逆とすれば、変
位の方向も逆となる。すなわち、バイモルフ板1
は分極方向と逆方向に電界が加えられているセラ
ミツク素子の側にその両端が変位する。そしてこ
のバイモルフ板1の一端をヘツドドラム9の所定
位置に片持ち支持するとともに、他端すなわち自
由端に磁気ヘツド10を取付けると、この磁気ヘ
ツド10はヘツドドラム9の外表面に沿つてこの
ドラム9の高さ方向に移動可能に支持されること
になる。従つてこの磁気ヘツド10の変位を印加
電圧によつて適当にコントロールすると、上述の
トラツキング補正が可能となる。
As shown in FIG. 2, a voltage is applied to such bimorph plate 1 through a drive circuit consisting of a pair of diodes 15 and 16 and a pair of Zener diodes 17 and 18. Note that the pair of diodes 15 and 16 are for rectification, and the pair of Zener diodes 17 and 18 are for each piezo
This is to prevent depolarization of the piezo ceramic elements 4, 7 by suppressing the voltage applied to the piezo ceramic elements 4, 7 in the opposite direction to the polarization direction to a predetermined value or less. When a voltage is applied by this circuit, the electrode 2
Since an electric field is applied in the direction of the electrode 3 (polarization direction), the piezoelectric effect deforms the ceramic element 4 in the direction shown by the arrow. Further, since an electric field is applied to the ceramic element 7 in the direction from the electrode 5 to the electrode 6 (in the direction opposite to the polarization direction), the ceramic element 7 is deformed in the direction of shrinkage. Therefore, the bimorph plate 1 bends as shown by the chain line in FIG. 2, and its displacement corresponds to the magnitude of the electric field. Furthermore, if the direction of the electric field is reversed, the direction of displacement will also be reversed. That is, bimorph plate 1
Both ends of the ceramic element are displaced to the side of the ceramic element to which an electric field is applied in the opposite direction to the polarization direction. When one end of the bimorph plate 1 is cantilevered at a predetermined position on the head drum 9 and a magnetic head 10 is attached to the other end, that is, the free end, the magnetic head 10 extends along the outer surface of the head drum 9. It will be supported to be movable in the height direction. Therefore, if the displacement of the magnetic head 10 is appropriately controlled by the applied voltage, the above-mentioned tracking correction becomes possible.

すなわち磁気テープ11は第3図に示すように
一対のテープガイド12,13によつてヘツドド
ラム9の外周面にヘリカルに巻付けられている。
そしてこの磁気テープ11は図外の駆動手段によ
つてV1の速度で走行している。一方磁気ヘツド
10は上述の如くバイモルフ板1を介して回転す
るヘツドドラム9に保持されるとともに、ドラム
9に形成されたスリツト14によつてこのドラム
9の外周面に突出しており、周速V2で走行しな
がら上記磁気テープ11と接触している。従つて
この装置で記録を行うと第4図に示すように、多
数の互に平行な記録トラツクT1が磁気テープ1
1の長さ方向に対して傾斜してこのテープ11上
に形成される。従つて記録時と同じ速度V1で磁
気テープ11を走行させるノルマル再生において
は、磁気ヘツド10は正しく上記記録トラツク
T1上を走査することになり、記録トラツクT1
ら外れることはない。
That is, the magnetic tape 11 is helically wound around the outer peripheral surface of the head drum 9 by a pair of tape guides 12 and 13, as shown in FIG.
This magnetic tape 11 is run at a speed of V1 by a drive means not shown. On the other hand, the magnetic head 10 is held by the rotating head drum 9 via the bimorph plate 1 as described above, and protrudes from the outer circumferential surface of the drum 9 through the slit 14 formed in the drum 9 . The magnetic tape 11 is in contact with the magnetic tape 11 while traveling. Therefore, when recording is performed with this device, a large number of mutually parallel recording tracks T1 are recorded on the magnetic tape 1, as shown in FIG.
It is formed on this tape 11 at an angle with respect to the length direction of the tape 11 . Therefore, during normal reproduction in which the magnetic tape 11 is run at the same speed V1 as during recording, the magnetic head 10 correctly tracks the recording track.
Since the scanning is performed on T1 , the recording track T1 will not be deviated from.

しかし上記V1よりも遅い速度で磁気テープ1
1を走行させながら再生を行う場合、例えばスロ
ーモーシヨンやスチルモーシヨン(V=0とな
る)のモードにおいては、第4図において点線で
示すように磁気ヘツド10の走査軌跡T2の傾斜
角が記録トラツクT1の傾斜角よりも大きくな
る。これによつて記録トラツクT1と磁気ヘツド
10の軌跡とが一致しなくなり、ガードバンドノ
イズやクロストークが生ずることになる。そこで
電圧を印加してバイモルフ板1を適当に変形させ
ることによつて磁気ヘツド10を第2図に示すよ
うに変位させると所定の記録トラツクT1を外れ
ないように走査させることができる。
However, at a speed slower than V 1 above, magnetic tape 1
When performing reproduction while running the magnetic head 10, for example in slow motion or still motion (V=0) mode, the inclination angle of the scanning trajectory T2 of the magnetic head 10 is as shown by the dotted line in FIG. It becomes larger than the inclination angle of the recording track T1 . As a result, the recording track T1 and the locus of the magnetic head 10 no longer match, resulting in guard band noise and crosstalk. Therefore, by applying a voltage to appropriately deform the bimorph plate 1 and displacing the magnetic head 10 as shown in FIG. 2, it is possible to scan the predetermined recording track T1 without deviating from it.

磁気テープ11の走行速度が上記V1よりも速
い場合についてもバイモルフ板1の変形によつて
トラツキング補正がなされる。すなわち、例えば
倍速(V=2V1)においては、第4図において鎖
線で示すように磁気ヘツド10の走査軌跡T3
傾斜角が記録トラツクT1の傾斜角よりも小さく
なる。そこでこの場合にもバイモルフ板1を適当
に変形させ、記録トラツクT1と一致させること
ができる。
Tracking correction is also performed by deforming the bimorph plate 1 even when the running speed of the magnetic tape 11 is faster than V1 . That is, at double speed (V=2V 1 ), for example, the inclination angle of the scanning trajectory T3 of the magnetic head 10 becomes smaller than the inclination angle of the recording track T1 , as shown by the chain line in FIG. Therefore, in this case as well, the bimorph plate 1 can be appropriately deformed to match the recording track T1 .

ところが、第1図および第2図に示すようなバ
イモルフ板1を用いると、ピエゾ・セラミツク素
子4,7は絶縁材であるために、これらのポーリ
ングのばらつきや寸法のばらつきによつて、ある
いはこのバイモルフ板1をヘツドドラム9に取付
ける際の圧電効果等によつて、外部から電圧を加
えなくてもシム8に電圧がチヤージされる。この
電圧によつてバイモルフ板1の先端はわずかでは
あるが変位することになる。この変位は例えば40
μm〜50μm程度のものであるが、磁気ヘツド1
0をヘツドドラム9にマウントする精度が±10μ
m程度であることを考えると、このバイモルフ板
1の先端の変位は無視できないものとなる。そし
てこの変位によつてバイモルフ板1に支持されて
いる磁気ヘツド10の静的な位置決めが出来なく
なつてしまうという問題が生ずる。
However, when the bimorph plate 1 as shown in FIGS. 1 and 2 is used, since the piezo ceramic elements 4 and 7 are insulating materials, variations in poling and dimensions of these elements may cause Due to the piezoelectric effect when the bimorph plate 1 is attached to the head drum 9, a voltage is charged to the shim 8 without applying an external voltage. This voltage causes the tip of the bimorph plate 1 to be slightly displaced. This displacement is for example 40
The magnetic head 1 is of the order of μm to 50 μm.
The accuracy of mounting 0 on the head drum 9 is ±10μ.
Considering that the distance is about m, the displacement of the tip of the bimorph plate 1 cannot be ignored. This displacement causes a problem in that the magnetic head 10 supported by the bimorph plate 1 cannot be statically positioned.

本考案はこのような問題点に鑑みてなされたも
のであつて、その分極方向がそれぞれ異なる一対
のピエゾ・セラミツク素子をシムを介して接合し
てバイモルフ素子を構成し、一方のピエゾ・セラ
ミツク素子の電極間と他方のピエゾ・セラミツク
素子の電極間とにダイオードとツエナダイオード
との直列回路をそれぞれ接続し、一方のピエゾ・
セラミツク素子の前記シムとは反対側の電極と、
他方のピエゾ・セラミツク素子の前記シムとは反
対側でかつ接地されている電極との間に駆動電圧
を印加することにより、それぞれのピエゾ・セラ
ミツク素子に前記直列回路を介して分極方向の駆
動電圧と減極方向の駆動電圧とをそれぞれ供給す
るように構成し、前記直列回路と並列にそれぞれ
抵抗を接続し、前記シムに帯電する静電荷をこれ
らの抵抗を介して放電するようにしたことを特徴
とするバイモルフ素子の駆動回路に係るものであ
る。従つて本考案によると、強度の大きいバイモ
ルフ素子を用いることができ、またバイモルフを
構成する一対のピエゾ・セラミツク素子に簡単な
回路構成の駆動回路で以つて安定した駆動電圧を
供給することができると共に、第2図(第5図)
に示すようなシムが接地されていない簡単な回路
構成の駆動回路で以つて一対のピエゾ・セラミツ
ク素子に駆動電圧が供給されるように構成されて
いても、バイモルフ素子は静的な安定を得ること
ができる。
The present invention was devised in view of these problems. A bimorph element is constructed by bonding a pair of piezo ceramic elements with different polarization directions via a shim, and one piezo ceramic element A series circuit of a diode and a Zener diode is connected between the electrodes of one piezo ceramic element and between the electrodes of the other piezo ceramic element.
an electrode on the opposite side of the ceramic element to the shim;
By applying a driving voltage between the electrode of the other piezoceramic element which is opposite to the shim and which is grounded, a driving voltage in the polarization direction is applied to each piezoceramic element through the series circuit. and a driving voltage in the direction of depolarization, respectively, and resistors are connected in parallel with the series circuit, so that the static charge charged in the shim is discharged through these resistors. The present invention relates to a characteristic drive circuit for a bimorph element. Therefore, according to the present invention, a bimorph element with high strength can be used, and a stable drive voltage can be supplied to the pair of piezo ceramic elements constituting the bimorph with a drive circuit having a simple circuit configuration. Also, Figure 2 (Figure 5)
Even if a drive circuit with a simple circuit configuration in which the shim is not grounded, as shown in Figure 2, is configured to supply drive voltage to a pair of piezo ceramic elements, the bimorph element will still achieve static stability. be able to.

以下本考案の一実施例を第5図につき説明す
る。なお第1図〜第4図に示す従来のものと対応
する部分には同じ符号を符してその説明を省略す
る。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. Note that portions corresponding to those of the conventional device shown in FIGS. 1 to 4 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

第5図に示すように、この実施例においては、
ダイオード15とツエナダイオード17との直列
回路に対して並列に抵抗19が接続され、またダ
イオード16とツエナダイオード18との直列回
路に対して並列に抵抗20が接続されている。従
つてバイモルフ板1のセンタシム8およびこのシ
ム8に接触している電極3,5にチヤージされて
いる電荷が抵抗19,20を通して放電され、バ
イモルフ板1の静的な位置が安定する。従つてこ
のバイモルフ板1の先端に支持されている磁気ヘ
ツド10の位置も安定する。これによつてヘツド
10の静的な位置決めが可能となり、高い精度で
磁気ヘツド10をヘツドドラム9に対してマウン
トすることができる。
As shown in FIG. 5, in this example,
A resistor 19 is connected in parallel to the series circuit of the diode 15 and the Zener diode 17, and a resistor 20 is connected in parallel to the series circuit of the diode 16 and the Zener diode 18. Accordingly, the charges stored in the center shim 8 of the bimorph plate 1 and the electrodes 3, 5 in contact with the shim 8 are discharged through the resistors 19, 20, and the static position of the bimorph plate 1 is stabilized. Therefore, the position of the magnetic head 10 supported at the tip of the bimorph plate 1 is also stabilized. This makes it possible to statically position the head 10 and mount the magnetic head 10 on the head drum 9 with high precision.

すなわちバイモルフ板1は上述の如く、一対の
ピエゾ・セラミツク素子4,7を導電性のシム8
を介して接合したものであり、静電容量を有して
いる。従つて回路的に非導通(オーブン)の状態
で、しかも外力によつて変形している場合や内部
歪が生じている場合には、シム8に生じた電荷は
放出されることなくシム8にチヤージされたまま
になる。この状態はバイモルフ板1に電界を加え
たのと同じことになり、バイモルフ板1の先端は
わずかではあるが変位する。そこでこの電荷を上
記放電用抵抗19,20を介して放電してしまえ
ば、一対のピエゾ・セラミツク素子4,7間は静
電的に短絡状態となり、バイモルフ板1の先端は
変位することなく安定に保たれる。
That is, as described above, the bimorph plate 1 has a pair of piezo ceramic elements 4 and 7 connected to a conductive shim 8.
It is connected via a capacitor and has a capacitance. Therefore, if the circuit is in a non-conducting (oven) state, and if it is deformed by an external force or if internal distortion occurs, the charge generated in the shim 8 will not be released and will be transferred to the shim 8. It remains charged. This state is the same as applying an electric field to the bimorph plate 1, and the tip of the bimorph plate 1 is slightly displaced. Therefore, if this charge is discharged through the discharge resistors 19 and 20, the pair of piezo ceramic elements 4 and 7 will be electrostatically short-circuited, and the tip of the bimorph plate 1 will be stable without being displaced. is maintained.

なおピエゾ・セラミツク素子4,7は比較的大
きな、例えば0.04μFの静電容量を有しており、
従つて放電を速やかに行うためには抵抗19,2
0の抵抗値を小さくすればよいが、抵抗19,2
0の抵抗値をあまり小さくすると、駆動時の消費
電流が多くなり、またこれとは逆に、抵抗値をあ
まり大きくすると、駆動回路の時定数が大きくな
り、応答性が悪くなる。そこでこれら2つの条件
を考慮して適当な値、例えば1MΩ程度のものを
用いるようにするとよい。
Note that the piezo ceramic elements 4 and 7 have a relatively large capacitance, for example, 0.04 μF.
Therefore, in order to discharge quickly, resistors 19 and 2 are required.
It is sufficient to reduce the resistance value of resistor 0, but resistor 19,2
If the resistance value of 0 is made too small, current consumption during driving will increase, and conversely, if the resistance value is made too large, the time constant of the drive circuit will become large and responsiveness will deteriorate. Therefore, it is advisable to consider these two conditions and use an appropriate value, for example, about 1 MΩ.

以上に述べたように本考案は、その分極方向が
それぞれ異なる一対のピエゾ・セラミツク素子を
シムを介して接合してバイモルフ素子を構成し、
一方のピエゾ・セラミツク素子の電極間と他方の
ピエゾ・セラミツク素子の電極間とにダイオード
とツエナダイオードとの直列回路をそれぞれ接続
し、一方のピエゾ・セラミツク素子の前記シムと
は反対側の電極と、他方のピエゾ・セラミツク素
子の前記シムとは反対側でかつ接地されている電
極との間に駆動電圧を印加することにより、それ
ぞれのピエゾ・セラミツク素子に前記直列回路を
介して分極方向の駆動電圧と減極方向の駆動電圧
とをそれぞれ供給するように構成し、前記直列回
路と並列にそれぞれ抵抗を接続し、前記シムに帯
電する静電荷をこれらの抵抗を通して放電するよ
うにしたものである。
As described above, the present invention constructs a bimorph element by joining a pair of piezo ceramic elements with different polarization directions via a shim,
A series circuit of a diode and a Zener diode is connected between the electrodes of one piezo ceramic element and between the electrodes of the other piezo ceramic element, and the electrode on the opposite side of the shim of one piezo ceramic element By applying a driving voltage between the electrode of the other piezo-ceramic element on the opposite side to the shim and grounded, each piezo-ceramic element is driven in the polarization direction through the series circuit. The shim is configured to supply a voltage and a driving voltage in the direction of depolarization, and a resistor is connected in parallel with the series circuit, so that the static charge charged in the shim is discharged through these resistors. .

従つて本考案によれば、一対のピエゾ・セラミ
ツク素子をシムを介して接合してバイモルフ素子
を構成しているので、強度の大きいバイモルフ素
子を用いることができる。
Therefore, according to the present invention, since a bimorph element is constructed by joining a pair of piezo ceramic elements via a shim, a bimorph element with high strength can be used.

またそれぞれのピエゾ・セラミツク素子にダイ
オードとツエナダイオードとの直列回路を介して
分極方向の駆動電圧と減極方向の駆動電圧とをそ
れぞれ供給するように構成したので、各ピエゾ・
セラミツク素子に加えられる分極方向とは逆方向
の電圧を所定の値以下におさえながら駆動するこ
とができる。
In addition, each piezo ceramic element is configured to be supplied with a drive voltage in the polarization direction and a drive voltage in the depolarization direction through a series circuit of a diode and a zener diode.
It is possible to drive the ceramic element while keeping the voltage applied to the ceramic element in the opposite direction to the polarization direction below a predetermined value.

またバイモルフ素子をヘツドドラムに取付ける
際の圧電効果等によつてシムに蓄積される静電荷
を上記抵抗を通して放電させることができるの
で、バイモルフ素子をヘツドドラムに取付ける時
に生じ易いシムの帯電による変位を完全に無くす
ことができ、このために第2図(第5図)に示す
ようなシムが接地されていない簡単な回路構成の
駆動回路で以つて一対のピエゾ・セラミツク素子
に駆動電圧が供給されるように構成されていて
も、バイモルフ素子の静的安定性を得ることがで
きる。
In addition, the static charge accumulated on the shim due to the piezoelectric effect when attaching the bimorph element to the head drum can be discharged through the resistor, completely eliminating displacement due to charging of the shim that tends to occur when attaching the bimorph element to the head drum. Therefore, the drive voltage can be supplied to the pair of piezo ceramic elements using a drive circuit with a simple circuit configuration in which the shim is not grounded, as shown in Figure 2 (Figure 5). The static stability of a bimorph element can be obtained even if the structure is configured as follows.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図はバイモルフ板の構造を示す要部側面
図、第2図はこのバイモルフ板を用いた従来のヘ
ツドの支持装置におけるバイモルフの駆動回路の
回路図、第3図はこの支持装置を有するVTRの
要部平面図、第4図は形成されたトラツクを示す
磁気テープの平面図、第5図は本考案の一実施例
を示すバイモルフ駆動回路の回路図である。 なお図面に用いた符号において、1……バイモ
ルフ板、4……ピエゾ・セラミツク素子、7……
ピエゾ・セラミツク素子、15……ダイオード、
16……ダイオード、19……抵抗、20……抵
抗、である。
Figure 1 is a side view of the main parts showing the structure of a bimorph board, Figure 2 is a circuit diagram of a bimorph drive circuit in a conventional head support device using this bimorph board, and Figure 3 is a VTR equipped with this support device. FIG. 4 is a plan view of the magnetic tape showing formed tracks, and FIG. 5 is a circuit diagram of a bimorph drive circuit showing an embodiment of the present invention. In addition, in the symbols used in the drawings, 1... bimorph plate, 4... piezo ceramic element, 7...
Piezo ceramic element, 15...diode,
16...Diode, 19...Resistor, 20...Resistor.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】 その分極方向がそれぞれ異なる一対のピエゾ・
セラミツク素子をシムを介して接合してバイモル
フ素子を構成し、 一方のピエゾ・セラミツク素子の電極間と他方
のピエゾ・セラミツク素子の電極間とにダイオー
ドとツエナダイオードとの直列回路をそれぞれ接
続し、 一方のピエゾ・セラミツク素子の前記シムとは
反対側の電極と、他方のピエゾ・セラミツク素子
の前記シムとは反対側でかつ接地されている電極
との間に駆動電圧を印加することにより、それぞ
れのピエゾ・セラミツク素子に前記直列回路を介
して分極方向の駆動電圧と減極方向の駆動電圧と
をそれぞれ供給するように構成し、 前記直列回路と並列にそれぞれ抵抗を接続し、 前記シムに帯電する静電荷をこれらの抵抗を介
して放電するようにしたことを特徴とするバイモ
ルフ素子の駆動回路。
[Claims for Utility Model Registration] A pair of piezos with different polarization directions.
Ceramic elements are bonded via shims to form a bimorph element, and a series circuit of a diode and a Zener diode is connected between the electrodes of one piezo ceramic element and between the electrodes of the other piezo ceramic element, respectively. by applying a driving voltage between an electrode of one piezoceramic element on the opposite side of the shim and an electrode of the other piezoceramic element on the opposite side of the shim and which is grounded. A drive voltage in the polarization direction and a drive voltage in the depolarization direction are respectively supplied to the piezo ceramic element through the series circuit, and resistors are connected in parallel with the series circuit to charge the shim. A drive circuit for a bimorph element, characterized in that the static charge caused by the electrostatic charge is discharged through these resistors.
JP1979139235U 1979-10-08 1979-10-08 Expired JPS6235145Y2 (en)

Priority Applications (1)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5492307A (en) * 1977-12-29 1979-07-21 Sony Corp Driving circuit of electrostrictive converter
JPS5499608A (en) * 1978-01-24 1979-08-06 Sony Corp Position control circuit of rotary magnetic head

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