JPS6232346Y2 - - Google Patents
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- JPS6232346Y2 JPS6232346Y2 JP1980154697U JP15469780U JPS6232346Y2 JP S6232346 Y2 JPS6232346 Y2 JP S6232346Y2 JP 1980154697 U JP1980154697 U JP 1980154697U JP 15469780 U JP15469780 U JP 15469780U JP S6232346 Y2 JPS6232346 Y2 JP S6232346Y2
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 11
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 11
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 17
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 13
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はVTR等の如き記録再生装置における
ヘツド支持装置に関し、特に、記録媒体とヘツド
との相対的な移動によつて前記記録媒体に所定の
記録トラツクを形成し或いはこの記録トラツクに
記録されている情報を再生するようにした記録再
生装置におけるヘツドの移動装置に関するもので
ある。[Detailed Description of the Invention] The present invention relates to a head support device in a recording/reproducing apparatus such as a VTR, and particularly to a head support device for forming a predetermined recording track on the recording medium by relative movement between the recording medium and the head. The present invention relates to a head moving device in a recording/reproducing apparatus which reproduces information recorded on the recording track.
回転ヘツド方式のヘリカルスキヤン型VTR
(ビデオテープレコーダ)においては通常、巻付
けられたテープのヘツドドラムに対する傾斜角、
テープ走行速度及び回転ヘツドの回転速度等に応
じて傾斜した記録トラツクが磁気テープ上に形成
される。そのため、磁気テープを記録時の速度と
異なつた速度で走行させて再生しようとする場
合、例えば、スチル、スローモーシヨン、倍速、
リバース等の各モードにおける再生の場合には、
ヘツドの走査軌跡が上述した記録トラツクとは異
なつた傾斜となり、ヘツドは所定の記録トラツク
から外れて走査することになる。このように磁気
ヘツドが所定の記録トラツクを外れて走査する
と、ガードバンドノイズやクロストークが発生す
るので好ましくない。そこでこの種のVTRにお
いては、各種のモードにおいても磁気ヘツドが記
録トラツク上を正しく走査するようにするために
トラツキング補正手段が必要となる。このような
トラツキング補正手段として、電気−機械変換素
子、例えばバイモルフ板を用いた磁気ヘツド支持
装置がある。 Rotating head type helical scan type VTR
(video tape recorder), the angle of inclination of the wound tape with respect to the head drum,
Inclined recording tracks are formed on the magnetic tape depending on the tape running speed, the rotational speed of the rotary head, and the like. Therefore, when playing back a magnetic tape by running it at a speed different from the speed at which it was recorded, for example, still, slow motion, double speed,
When playing in various modes such as reverse,
The scanning locus of the head has a slope different from that of the recording track described above, causing the head to scan off the predetermined recording track. If the magnetic head scans off the predetermined recording track in this way, guard band noise and crosstalk will occur, which is undesirable. Therefore, in this type of VTR, a tracking correction means is required to ensure that the magnetic head correctly scans the recording track in various modes. As such tracking correction means, there is a magnetic head support device using an electro-mechanical conversion element, for example, a bimorph plate.
第1図はこのようなバイモルフ板の原理的な構
造を示している。第1図に示すように、バイモル
フ板1は、両面に電極2,3がシルク印刷焼付け
等によつて被着されたピエゾ・セラミツク素子4
と、これと同様に両面に電極5,6が被着された
ピエゾ・セラミツク素子7とをそれぞれ具備して
いる。そしてこれらのピエゾ・セラミツク素子
4,7は、各々の分極方向が第1図において矢印
で示すように互いに逆方向になるようにシム8が
これらの間に接着によつて接合され、電極3,5
がシム8にそれぞれ接触している。なおこのシム
8はバイモルフ板1の補強を目的とするもので、
リン青銅、チタン合金、カーボンフアイバー等か
ら成つている。 FIG. 1 shows the basic structure of such a bimorph plate. As shown in FIG. 1, a bimorph plate 1 includes a piezo ceramic element 4 having electrodes 2 and 3 adhered to both sides by silk printing or the like.
and a piezoceramic element 7 having electrodes 5, 6 adhered to both surfaces in the same manner. A shim 8 is bonded between the piezo ceramic elements 4 and 7 so that their polarization directions are opposite to each other as shown by the arrows in FIG. 5
are in contact with shim 8, respectively. The purpose of this shim 8 is to reinforce the bimorph board 1.
It is made of phosphor bronze, titanium alloy, carbon fiber, etc.
このようなバイモルフ板1に第2図に示すよう
に電圧を印加すると、ピエゾ・セラミツク素子4
に対しては、電極2から電極3の方向(分極方向
とは逆の方向)の電界がかけられるので、圧電気
効果により、セラミツク素子4は第2図において
矢印で示すように伸びる方向に変形する。また他
方のセラミツク素子7に対しては、電極5から電
極6の方向(分極方向)の電界がかけられるの
で、このセラミツク素子7は縮む方向に変形す
る。この結果、バイモルフ板1は第2図に示すよ
うに撓み、その偏倚量すなわちバイモルフ板1の
自由端の変位量はセラミツク素子4,7にかけら
れる電界の大きさに応じて増減する。なお電界の
方向を逆とすれば、変位の方向も逆となる。 When a voltage is applied to such a bimorph plate 1 as shown in FIG. 2, the piezo ceramic element 4
Since an electric field is applied from the electrode 2 to the electrode 3 (in the direction opposite to the polarization direction), the ceramic element 4 is deformed in the direction of elongation as shown by the arrow in FIG. 2 due to the piezoelectric effect. do. Further, since an electric field is applied to the other ceramic element 7 in the direction from the electrode 5 to the electrode 6 (polarization direction), this ceramic element 7 is deformed in the direction of contraction. As a result, the bimorph plate 1 is bent as shown in FIG. 2, and the amount of deflection, that is, the amount of displacement of the free end of the bimorph plate 1, increases or decreases depending on the magnitude of the electric field applied to the ceramic elements 4, 7. Note that if the direction of the electric field is reversed, the direction of displacement will also be reversed.
そして第2図〜第4図に示すように、このバイ
モルフ板1の一端を回転ヘツドドラム9の回転ド
ラム9aのヘツド取付部16に片持ち支持すると
共に、その自由端に磁気ヘツド10を取付けれ
ば、この磁気ヘツド10は回転ヘツドドラム9の
外表面に沿つてこのドラム9の高さ方向に移動
(偏倚)可能に支持されることになる。なお第4
図において9bは固定ドラムである。従つて、バ
イモルフ板1に印加される電圧を適当に調整して
磁気ヘツド10の変位量を制御すれば、上述のト
ラツキング補正が可能となる。 As shown in FIGS. 2 to 4, one end of the bimorph plate 1 is cantilevered to the head mounting portion 16 of the rotating drum 9a of the rotating head drum 9, and a magnetic head 10 is attached to the free end of the bimorph plate 1. The magnetic head 10 is supported along the outer surface of the rotary head drum 9 so as to be movable (biasable) in the height direction of the drum 9. Furthermore, the fourth
In the figure, 9b is a fixed drum. Therefore, by appropriately adjusting the voltage applied to the bimorph plate 1 to control the amount of displacement of the magnetic head 10, the above-mentioned tracking correction becomes possible.
即ち、磁気テープ11は第3図に示すように一
対のテープガイド12,13によつて回転ヘツド
ドラム9の外周面に約340゜に亘つてヘリカルに
巻付けられている。そしてこの磁気テープ11は
図外の駆動手段によつてV1の速度で走行してい
る。一方、磁気ヘツド10は上述の如くバイモル
フ板1を介して回転ヘツドドラム9の回転ドラム
9aに取付けられ、第4図に示すようにこの回転
ドラム9aに形成されたスリツト14を介して回
転ドラム9aの外周面から僅かに突出しており、
回転速度V2で走行しながら前記磁気テープ11
と接触している。従つて、この装置で記録を行う
と第5図に示すように、多数の互いに平行な記録
トラツクT1が磁気テープ11の長さ方向に対し
て所定角度だけ傾斜してこの磁気テープ11上に
形成される。なお記録時と同じ速度V1で磁気テ
ープ11を走行させる通常再生時には、磁気ヘツ
ド10は前記記録トラツクT1上を正しく走査す
ることになり、磁気ヘツド10が記録トラツク
T1から外れることはない。 That is, as shown in FIG. 3, the magnetic tape 11 is helically wound around the outer peripheral surface of the rotary head drum 9 by a pair of tape guides 12 and 13 over an angle of approximately 340 degrees. This magnetic tape 11 is run at a speed of V1 by a drive means not shown. On the other hand, the magnetic head 10 is attached to the rotating drum 9a of the rotating head drum 9 through the bimorph plate 1 as described above, and as shown in FIG. It protrudes slightly from the outer surface,
The magnetic tape 11 is rotated while running at a rotational speed of V2 .
is in contact with. Therefore, when recording is performed with this apparatus, a large number of mutually parallel recording tracks T1 are inclined at a predetermined angle with respect to the length direction of the magnetic tape 11, as shown in FIG. It is formed. Note that during normal playback, in which the magnetic tape 11 is run at the same speed V1 as during recording, the magnetic head 10 correctly scans the recording track T1 , and the magnetic head 10 moves along the recording track T1.
It never deviates from T 1 .
しかしV1よりも遅い速度で磁気テープ11を
走行させながら再生を行なう場合、例えばスロー
モーシヨン(V=V1/2,V1/3等)やスチルモー
シヨ
ン(V=0)のモードにおいては、第5図におい
て点線で示すように磁気ヘツド10の走査軌跡
T2の傾斜角が記録トラツクT1の傾斜角よりも大
きくなる。これによつて記録トラツクT1と磁気
ヘツド10の走査軌跡とが一致しなくなり、ガー
ドバンドノイズやクロストークが生ずることにな
る。そこで磁気ヘツド10を支持しているバイモ
ルフ板1に適当な電圧を印加してこのバイモルフ
板1を変形させることによつて、磁気ヘツド10
を第2図に示すように変位させれば、所定の記録
トラツクT1を外れないように走査させることが
できる。 However, when playing back while running the magnetic tape 11 at a speed slower than V 1 , for example in slow motion (V=V 1/2 , V 1/3 , etc.) or still motion (V=0) mode, , the scanning locus of the magnetic head 10 as shown by the dotted line in FIG.
The inclination angle of T2 becomes larger than the inclination angle of recording track T1 . As a result, the recording track T1 and the scanning locus of the magnetic head 10 no longer match, resulting in guard band noise and crosstalk. Therefore, by applying an appropriate voltage to the bimorph plate 1 supporting the magnetic head 10 and deforming the bimorph plate 1, the magnetic head 10 can be deformed.
If it is displaced as shown in FIG. 2, it is possible to scan the predetermined recording track T1 without deviating from it.
また磁気テープ11の走行速度がV1よりも速
い場合についても、バイモルフ板1の変形によつ
てトラツキング補正がなされる。すなわち、例え
ば3倍速再生モード時(V=3V1)においては、
第3図において鎖線で示すように磁気ヘツド10
の走査軌跡T3の傾斜角が記録トラツクT1の傾斜
角よりも小さくなる。そこでこの場合にもバイモ
ルフ板1を適当に変形させ、記録トラツクT1と
一致させることができる。 Further, even when the running speed of the magnetic tape 11 is faster than V1 , tracking correction is performed by deforming the bimorph plate 1. That is, for example, in triple speed playback mode (V=3V 1 ),
As shown by the chain line in FIG. 3, the magnetic head 10
The inclination angle of the scanning trajectory T3 becomes smaller than the inclination angle of the recording track T1 . Therefore, in this case as well, the bimorph plate 1 can be appropriately deformed to match the recording track T1 .
しかしながら、磁気テープ11を通常再生時と
は逆の方向に走行させて再生を行なうようにした
いわゆるリバース再生モード時(例えばV=−
2V1)には、第5図において二点鎖線で示すよう
に磁気ヘツド10の走査軌跡T4の傾斜角が記録
トラツクT1の傾斜角よりも非常に大きくなる。
このため、このリバース再生モード時に磁気ヘツ
ド10の走査軌跡を記録トラツクT1と一致させ
るためには可成り大巾な移動を行なわせる必要が
ある。またリバース速度或いは倍速が大きくなれ
ばなるほど、磁気ヘツド10を大巾に移動させる
必要があるが、この大巾な移動を行なうために
は、バイモルフ板1の有効長すなわちバイモルフ
板1の自由端から片持ち部分までの突出長l1(第
2図及び第3図参照)を充分に長くとるか、或い
はバイモルフ板1に過大な電圧を印加してこのバ
イモルフ板1を大きく撓ませるようにする以外に
方法はなかつた。しかし前記長さl1を長くする
と、固有共振周波数0がこれに伴ない必然的に
低下してしまい、応答速度が遅くなる結果、フラ
イバツク動作時間内ではトラツクピツチ間の飛び
越しを十分には行うことができない。このため、
前記突出長l1は固有共振周波数0との関係で大
きな制約を受け、あまり長くとることができない
のが実状である。またバイモルフ板1を大きく撓
ませるようにすると、ピエゾ・セラミツク素子
4,7がひび割れを生じたり、場合によつては破
損してしはうおそれがある。 However, in a so-called reverse playback mode in which the magnetic tape 11 is played by running in the opposite direction to that during normal playback (for example, V=-
2V 1 ), the inclination angle of the scanning locus T 4 of the magnetic head 10 becomes much larger than the inclination angle of the recording track T 1 as shown by the two-dot chain line in FIG.
Therefore, in order to match the scanning locus of the magnetic head 10 with the recording track T1 during this reverse reproduction mode, it is necessary to make a fairly wide movement. Furthermore, as the reverse speed or double speed increases, it is necessary to move the magnetic head 10 over a wider range. Other than making the protrusion length l 1 (see Figs. 2 and 3) sufficiently long to the cantilevered portion, or applying an excessive voltage to the bimorph plate 1 to cause the bimorph plate 1 to bend greatly. There was no way. However, when the length l1 is increased, the natural resonance frequency 0 inevitably decreases, and as a result, the response speed becomes slower, and as a result, it is not possible to sufficiently jump between track pitches within the flyback operation time. Can not. For this reason,
In reality, the protrusion length l 1 is subject to significant restrictions due to its relationship with the natural resonance frequency of 0 , and cannot be made very long. Furthermore, if the bimorph plate 1 is bent significantly, the piezo ceramic elements 4 and 7 may crack or even be damaged.
本考案は上述の如き実状に鑑みて考案されたも
のであつて、固有共振周波数0を低下させるこ
となしにヘツドの振れ(変位距離)を大きくとる
ことができるように構成した記録再生装置におけ
るヘツド支持装置を提供しようとするものであ
る。 The present invention was devised in view of the above-mentioned actual situation, and is intended for use in a recording/reproducing apparatus which is configured to allow a large head deflection (displacement distance) without reducing the natural resonance frequency 0 . It is intended to provide a support device.
以下、本考案をヘリカルスキヤン型VTRにお
けるヘツド支持装置に適用した実施例に付き第6
図〜第10図を参照して説明する。なお第6図〜
第10図において、第1図及び第2図と共通する
部分には共通の符号を付してその説明を省略す
る。 The following is a sixth example of applying the present invention to a head support device in a helical scan type VTR.
This will be explained with reference to FIGS. In addition, Figure 6~
In FIG. 10, parts common to those in FIGS. 1 and 2 are given the same reference numerals and their explanations will be omitted.
先ず第6図は本考案の第1の実施例を示すもの
であつて、本実施例のヘツド支持装置は既述の如
きバイモルフ板1及び磁気ヘツド10と、このバ
イモルフ板1の一端部を片持ち支持する一対のモ
ノモルフ板18,19とから構成されている。こ
のモノモルフ板18は両面に電極20,21がシ
ルク印刷焼付け等によつて被着されたピエゾ・セ
ラミツク素子22と、電極21に接着剤等により
接合されたシム23とから成り、一方、これと同
様にモノモルフ板19は両面に電極24,25が
シルク印刷焼付け等によつて被着されたピエゾ・
セラミツク素子26と、電極24に接着剤等によ
に接合されたシム27とから成つている。そして
これら一対のモノモルフ板18,19は互いに所
定間隔を隔ててほぼ平行に配されると共に、それ
らの一端部が既述の回転ドラム9aの取付部16
によつて片持ち支持されている。なおモノモルフ
板18,19のシム23,27は互いに対向配置
されている。 First, FIG. 6 shows a first embodiment of the present invention, and the head support device of this embodiment includes the bimorph plate 1 and magnetic head 10 as described above, and one end of the bimorph plate 1. It is composed of a pair of monomorph plates 18 and 19 that are held and supported. This monomorph board 18 consists of a piezo ceramic element 22, on both sides of which electrodes 20, 21 are adhered by silk printing, baking, etc., and a shim 23, which is bonded to the electrode 21 with an adhesive or the like. Similarly, the monomorph plate 19 is a piezoelectric plate with electrodes 24 and 25 adhered to both sides by silk printing or the like.
It consists of a ceramic element 26 and a shim 27 bonded to the electrode 24 with adhesive or the like. The pair of monomorph plates 18 and 19 are arranged substantially parallel to each other at a predetermined interval, and one end thereof is attached to the mounting portion 16 of the rotating drum 9a described above.
It is supported cantilevered by. Note that the shims 23 and 27 of the monomorph plates 18 and 19 are arranged to face each other.
またモノモルフ板18,19の自由端の間には
バイモルフ板1の一端部が差し込まれた状態で接
着剤により剛性的に接着固定され、換言すれば、
このバイモルフ板1の一端部はモノモルフ板1
8,19の自由端によつて挟持された状態で片持
ち支持されている。即ち、バイモルフ板1の電極
2及び6の固定端側の部分がモノモルフ板18,
19のシム23,27の自由端側の部分に接着固
定されている。そしてバイモルフ板1の自由端に
は、磁気ヘツド10が接着固定されている。なお
第6図及び第7図から明らかなように、バイモル
フ板1の片持ち支持されている側の端面29とヘ
ツド取付部16の壁面16aとの間には空間部3
0が設けられている。 Furthermore, one end of the bimorph plate 1 is inserted between the free ends of the monomorph plates 18 and 19 and is rigidly fixed with an adhesive. In other words,
One end of this bimorph plate 1 is connected to the monomorph plate 1.
It is supported in a cantilevered state by being sandwiched between the free ends of 8 and 19. That is, the portion of the bimorph plate 1 on the fixed end side of the electrodes 2 and 6 is the monomorph plate 18,
It is adhesively fixed to the free end side portions of the shims 23 and 27 of No. 19. A magnetic head 10 is adhesively fixed to the free end of the bimorph plate 1. As is clear from FIGS. 6 and 7, there is a space 3 between the cantilevered end surface 29 of the bimorph plate 1 and the wall surface 16a of the head mounting portion 16.
0 is set.
また第6図において矢印で示すように、バイモ
ルフ板1のピエゾ・セラミツク素子4,7の分極
方向は互いに逆方向になつており、一方、モノモ
ルフ板18,19のピエゾ・セラミツク素子2
2,26の分極方向も互いに逆方向になつてい
る。そしてバイモルフ板1のピエゾ・セラミツク
素子4及びモノモルフ板18のピエゾ・セラミツ
ク素子22の分極方向は互いに逆方向であり、バ
イモルフ板1のピエゾ・セラミツク素子7及びモ
ノモルフ板19のピエゾ・セラミツク素子26の
分極方向も互いに逆方向になつている。 Further, as shown by arrows in FIG. 6, the polarization directions of the piezoceramic elements 4 and 7 of the bimorph plate 1 are opposite to each other, while the polarization directions of the piezoceramic elements 2 of the monomorph plates 18 and 19 are opposite to each other.
The polarization directions of 2 and 26 are also opposite to each other. The polarization directions of the piezoceramic element 4 of the bimorph plate 1 and the piezoceramic element 22 of the monomorph plate 18 are opposite to each other. The polarization directions are also opposite to each other.
また図示を省略したが、バイモルフ板1及びモ
ノモルフ板18,19が互いに同一方向に偏倚
(変形)するように、既述の各ピエゾ・セラミツ
ク素子4,7,22,26にはそれぞれ所定方向
の電界がかけられるように構成されている。即
ち、第7図に示すように磁気ヘツド10を下方に
変位(移動)させる場合には、バイモルフ板1及
びモノモルフ板18のピエゾ・セラミツク素子4
及び22には電極2及び20から電極3及び21
にそれぞれ向かう電界がかけられ、この結果、こ
れらのピエゾ・セラミツク素子4,22が第7図
において矢印で示すように伸びる方向に変形す
る。一方、これと同時にバイモルフ板1及びモノ
モルフ板19のピエゾ・セラミツク素子7及び2
6には電極5及び24から電極6及び25にそれ
ぞれ向かう電界がかけられ、この結果、これらの
ピエゾ・セラミツク素子7,26は第7図におい
て矢印で示すように縮む方向に変形するようにな
つている。従つて、バイモルフ板1の自由端ひい
ては磁気ヘツド10の変位距離は、モノモルフ板
18,19の自由端からのバイモルフ板1の突出
部分(第6図においてlで示す部分)の変形によ
る変位距離のみならず、取付部16の壁面16a
からのモノモルフ板18,19の突出部分(第6
図においてLで示す部分)の変形によつて生じる
増加分を加え合わせたものとなる。 Although not shown in the drawings, the piezo ceramic elements 4, 7, 22, and 26 each have a predetermined direction so that the bimorph plate 1 and the monomorph plates 18, 19 are deflected (deformed) in the same direction. It is configured so that an electric field can be applied to it. That is, when the magnetic head 10 is displaced (moved) downward as shown in FIG. 7, the piezo ceramic elements 4 of the bimorph plate 1 and the monomorph plate 18
and 22 from electrodes 2 and 20 to electrodes 3 and 21
As a result, these piezoceramic elements 4, 22 are deformed in the direction of elongation as shown by the arrows in FIG. Meanwhile, at the same time, the piezo ceramic elements 7 and 2 of the bimorph plate 1 and the monomorph plate 19
6 is applied with an electric field directed from electrodes 5 and 24 to electrodes 6 and 25, respectively, and as a result, these piezo ceramic elements 7 and 26 are deformed in the direction of contraction as shown by the arrows in FIG. ing. Therefore, the displacement distance of the free end of the bimorph plate 1 and thus the magnetic head 10 is only the displacement distance due to the deformation of the protruding portion of the bimorph plate 1 from the free ends of the monomorph plates 18 and 19 (the portion indicated by l in FIG. 6). The wall surface 16a of the mounting portion 16
The protruding parts of the monomorph plates 18 and 19 from
This is the sum of the increase caused by the deformation of the portion (indicated by L in the figure).
即ちこの際、モノモルフ板18,19の自由端
は第7図において距離αだけ下方に変位する。ま
た既述の如くこの装置には空間部30が設けられ
ているため、バイモルフ板1及びモノモルフ板1
8,19が互いにオーバーラツプしている部分す
なわち接着部分(片持ち支持部分)においてバイ
モルフ板1は水平面に対して或る角度をもつた状
態で一対のモノモルフ板18,19により支持さ
れる。従つて、モノモルフ板18,19の自由端
の変位距離α(第7図参照)と上述の如くバイモ
ルフ板1が角度付けをされることによるバイモル
フ板1の自由端の変位距離とを加算した距離分
が、バイモルフ板1自体の変形による変位距離に
加え合わされることになる。 That is, at this time, the free ends of the monomorph plates 18, 19 are displaced downward by a distance α in FIG. Furthermore, as described above, since this device is provided with the space 30, the bimorph plate 1 and the monomorph plate 1
The bimorph plate 1 is supported by the pair of monomorph plates 18 and 19 at a certain angle with respect to the horizontal plane at the portion where the bimorph plates 8 and 19 overlap each other, that is, the bonded portion (cantilevered portion). Therefore, the distance is the sum of the displacement distance α of the free ends of the monomorph plates 18 and 19 (see FIG. 7) and the displacement distance of the free ends of the bimorph plate 1 due to the bimorph plate 1 being angled as described above. This is added to the displacement distance due to the deformation of the bimorph plate 1 itself.
なお上述の如き変形時におけるバイモルフ板1
の曲率半径r1及びモノモルフ板18,19の曲率
半径r2は、ヘツド支持体としての剛性及び磁気ヘ
ツド10の振れ感度を考慮してr1<r2となるよう
に構成されている。またモノモルフ板18,19
はバイモルフ板1よりも可成り高剛性となるよう
に構成されている。 In addition, the bimorph plate 1 at the time of deformation as described above
The radius of curvature r 1 of the monomorph plates 18 and 19 and the radius of curvature r 2 of the monomorph plates 18 and 19 are configured so that r 1 <r 2 in consideration of the rigidity of the head support and the vibration sensitivity of the magnetic head 10. Also, monomorph plates 18, 19
is constructed to have considerably higher rigidity than the bimorph plate 1.
一方、磁気ヘツド10を上方に移動する場合に
は、既述の場合とは反対の向きの電界をピエゾ・
セラミツク素子4,7,22,26に加えればよ
い。また磁気ヘツド10の振れの大きさはこれら
のピエゾ・セラミツク素子4,7,22,26に
加えられる電界の大きさを調整することにより制
御されるようになつている。 On the other hand, when moving the magnetic head 10 upward, an electric field in the opposite direction to that in the above case is applied to the piezo
It may be added to the ceramic elements 4, 7, 22, and 26. Further, the magnitude of the deflection of the magnetic head 10 is controlled by adjusting the magnitude of the electric field applied to these piezo ceramic elements 4, 7, 22, and 26.
このように構成したヘツド支持装置によれば、
バイモルフ板1を電気−機械変換素子の一種であ
るモノモルフ板18,19によつてその一端部を
支持すると共にその自由端に磁気ヘツド10を支
持固定し、バイモルフ板1及びモノモルフ板1
8,19を互いに同一方向に偏倚(変形)させる
ようにしたので、磁気ヘツド10の振れを従来の
場合に比べて大きくとることができる。即ち、第
2図に示す如き従来のヘツド支持装置の場合には
バイモルフ板1の固定部分L1は磁気ヘツド10
の変位距離に寄与しないが、本実施例のヘツド支
持装置ではモノモルフ板18,19がバイモルフ
板1と同一方向に偏倚されると共に、これらの接
着部分(オーバーラツプ部分)においてバイモル
フ板1が一対のモノモルフ板18,19により水
平面に対して或る角度分だけ傾斜されることにな
るため、これらのモノモルフ板18,19の突出
長Lの部分の変形が既述の如く磁気ヘツド10の
振れの大きさに寄与することになるからである。
このことを具体的な数値を挙げて説明すると、バ
イモルフ板1の突出長lを16〜18mm程度としかつ
モノモルフ板18,19の突出長Lを9〜11mmと
すれば、磁気ヘツド10の変位距離を第2図に示
す如き従来のヘツド支持装置の場合に比べて約
1.6倍程度にすることが可能である。このためバ
イモルフ板1の突出長lを従来のような長さにし
ても、過大な電圧を印加することなく例えば720
μ程度(従来では460μ程度)の変位距離をとる
ことができるので、リバース1倍速〜3倍速モー
ドを行なうことが充分に可能となる。 According to the head support device configured in this way,
The bimorph plate 1 is supported at one end by monomorph plates 18 and 19, which are a type of electro-mechanical conversion element, and the magnetic head 10 is supported and fixed on the free end of the bimorph plate 1.
Since the magnetic heads 8 and 19 are biased (deformed) in the same direction, the deflection of the magnetic head 10 can be made larger than in the conventional case. That is , in the case of the conventional head support device as shown in FIG.
However, in the head support device of this embodiment, the monomorph plates 18 and 19 are biased in the same direction as the bimorph plate 1, and the bimorph plate 1 is biased against the pair of monomorph plates at their bonded portions (overlapping portions). Since the plates 18 and 19 are tilted by a certain angle with respect to the horizontal plane, the deformation of the protruding length L of these monomorph plates 18 and 19 affects the deflection of the magnetic head 10 as described above. This is because it will contribute to
To explain this using specific numerical values, if the protrusion length l of the bimorph plate 1 is approximately 16 to 18 mm and the protrusion length L of the monomorph plates 18 and 19 is 9 to 11 mm, the displacement distance of the magnetic head 10 is compared to the conventional head support device as shown in Figure 2.
It is possible to increase it to about 1.6 times. For this reason, even if the protruding length l of the bimorph plate 1 is set to the conventional length, for example, 720 mm can be achieved without applying an excessive voltage.
Since a displacement distance of about .mu. (conventionally about 460 .mu.) can be achieved, it is fully possible to perform reverse 1x to 3x speed modes.
また従来の場合と比べて比較的小さな電圧を印
加するだけでバイモルフ板1の自由端ひいては磁
気ヘツド10を充分に変位させることが可能とな
るから、磁気ヘツドの振れ感度を大巾に向上させ
ることができる。 In addition, since it is possible to sufficiently displace the free end of the bimorph plate 1 and thus the magnetic head 10 by applying a relatively small voltage compared to the conventional case, the vibration sensitivity of the magnetic head can be greatly improved. Can be done.
一方、このような利点を有するにも拘わらず、
モノモルフ板18,19はバイモルフ板1よりも
可成り高剛性を有するように構成してあるため、
バイモルフ板1及びモノモルフ板18,19から
成るヘツド支持手段の実質的な固有共振周波数
0はバイモルフ板1の突出長lによつてのみ一義
的に定まり、この0が低下してしまうおそれが
なく、従つて磁気ヘツド10の応答速度は変化す
ることがない。なおバイモルフ板1の突出長l及
びモノモルフ板18,19の突出長Lを適当に選
ぶことによつて、磁気ヘツド10の変位距離(振
れ)を更に大きくしかつ固有共振周波数0を更
に高くすることも可能である。 On the other hand, despite having such advantages,
Since the monomorph plates 18 and 19 are constructed to have considerably higher rigidity than the bimorph plate 1,
Substantial natural resonance frequency of the head support means consisting of bimorph plate 1 and monomorph plates 18, 19
0 is uniquely determined only by the protrusion length l of the bimorph plate 1, and there is no risk that this 0 will drop, so the response speed of the magnetic head 10 will not change. By appropriately selecting the protrusion length l of the bimorph plate 1 and the protrusion length L of the monomorph plates 18 and 19, the displacement distance (runout) of the magnetic head 10 can be further increased and the natural resonance frequency 0 can be further increased. is also possible.
またバイモルフ板1が取付部16によつて支持
されている従来のヘツド支持装置に比較して、本
実施例のヘツド支持装置ではバイモルフ板1がモ
ノモルフ板18,19によつて柔軟に支持されて
いるので、バイモルフ板1が変形する際の第7図
におけるA点への応力集中が緩和される。またバ
イモルフ板4の曲率半r1及びモノモルフ板18,
19の曲率半径r2がr1<r2となるように構成され
ているので、第7図におけるB点での応力も小さ
い。この結果、前記A点及びB点における応力が
緩和されるのでバイモルフ板1及びピエゾ・セラ
ミツク素子4,7,22,26の耐クラツク性が
向上し、ひび割れや破損等を効果的に防止でき
る。またバイモルフ板1とモノモルフ板18,1
9とは互いに同一の材質から構成されているため
温度変化によつてバイモルフ板1のみが熱膨張或
いは熱収縮により撓んで磁気ヘツド10が偏倚し
てしまうおそれが全くなく、電界をかけない限り
通常は常に一定の位置に保持されている。従つ
て、温度変化によるヘツド支持装置の特性変化は
全くない。 Furthermore, compared to the conventional head support device in which the bimorph plate 1 is supported by the mounting portion 16, in the head support device of this embodiment, the bimorph plate 1 is supported flexibly by the monomorph plates 18 and 19. Therefore, stress concentration at point A in FIG. 7 when the bimorph plate 1 deforms is alleviated. Also, the curvature half r 1 of the bimorph plate 4 and the monomorph plate 18,
Since the radius of curvature r 2 of 19 is configured to satisfy r 1 <r 2 , the stress at point B in FIG. 7 is also small. As a result, the stress at the points A and B is relaxed, so that the crack resistance of the bimorph plate 1 and the piezo ceramic elements 4, 7, 22, and 26 is improved, and cracking and breakage can be effectively prevented. In addition, bimorph plate 1 and monomorph plate 18, 1
9 and 9 are made of the same material, there is no risk that only the bimorph plate 1 will bend due to thermal expansion or contraction due to temperature changes and the magnetic head 10 will be deflected. is always held in a fixed position. Therefore, there is no change in the characteristics of the head support device due to temperature changes.
次に、第8図を参照して本考案の第2の実施例
を説明すると、本実施例においては、モノモルフ
板18,19に代えて一対のバイモルフ板32,
33が用いられている。なおこれらの一対のバイ
モルフ板32,33は既述のバイモルフ板1を短
く切断したものであつてよい。 Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 8. In this embodiment, instead of the monomorph plates 18 and 19, a pair of bimorph plates 32,
33 is used. Note that the pair of bimorph plates 32 and 33 may be obtained by cutting the previously described bimorph plate 1 into short pieces.
このように構成した場合でも、各バイモルフ板
1,32,33に適当な電界をかけることによつ
てこれらを同一方向に偏倚させ(撓ませ)れば、
既述の第1の実施例の場合と全く同様の効果を得
ることができる。 Even with this configuration, if an appropriate electric field is applied to each bimorph plate 1, 32, 33 to bias (deflect) them in the same direction,
Exactly the same effects as in the first embodiment described above can be obtained.
次に、第9図を参照して本考案の第3の実施例
を説明すると、本実施例においては、第6図に示
したような構成の装置が2組用いられ、これら2
組の装置が互いに平行に配設されている。そして
一対のバイモルフ板1の自由端は断面コ字状を成
すヘツド支持部材35によつて互いに連結されて
いる。即ち、このヘツド支持部材35の両腕部3
5a,35bは多少の弾性を有しており、これら
の両腕部35a,35bがバイモルフ板1の自由
端にそれぞれ接着されている。そしてヘツド支持
部材35に磁気ヘツド10が接着固定され、これ
により、磁気ヘツド10はバイモルフ板1の自由
端に実質的に取付けられている。 Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 9. In this embodiment, two sets of devices configured as shown in FIG. 6 are used.
The sets of devices are arranged parallel to each other. The free ends of the pair of bimorph plates 1 are connected to each other by a head support member 35 having a U-shaped cross section. That is, both arm portions 3 of this head support member 35
5a and 35b have some elasticity, and both arm portions 35a and 35b are adhered to the free end of the bimorph plate 1, respectively. The magnetic head 10 is adhesively fixed to the head support member 35, so that the magnetic head 10 is substantially attached to the free end of the bimorph plate 1.
このように構成したヘツド支持装置によれば、
バイモルフ板1及びモノモルフ板18,19の変
形時には、第10図に示すように、ヘツド支持部
材35の両腕部35a,35bの弾性により磁気
ヘツド10は第9図に示す位置から平行移動され
ることになる。このため、磁気テープの記録面に
対して磁気ヘツド10を平行に移動させることが
でき、前記記録面に対する磁気ヘツド10の突き
当て角を好ましい状態に保持できる。この結果、
既述の実施例の場合と同様に磁気ヘツド10の振
れを大きくとることができる上に、磁気テープと
磁気ヘツド10との接触面におけるスペーシング
ロスがなくなるため、倍速やリバース再生モード
時のノイズを低減化することができ、再生特性の
向上を図ることができる。 According to the head support device configured in this way,
When the bimorph plate 1 and the monomorph plates 18 and 19 are deformed, as shown in FIG. 10, the magnetic head 10 is translated in parallel from the position shown in FIG. 9 due to the elasticity of both arms 35a and 35b of the head support member 35. It turns out. Therefore, the magnetic head 10 can be moved parallel to the recording surface of the magnetic tape, and the abutment angle of the magnetic head 10 with respect to the recording surface can be maintained in a preferable state. As a result,
As in the case of the previously described embodiments, the deflection of the magnetic head 10 can be increased to a large extent, and since there is no spacing loss at the contact surface between the magnetic tape and the magnetic head 10, noise during double speed or reverse playback mode can be reduced. can be reduced, and reproduction characteristics can be improved.
なお第8図に示すような装置を2組用いて、第
9図の場合と同様に構成してもよく、このように
構成しても上述の如き作用効果を得ることができ
る。 Note that two sets of devices as shown in FIG. 8 may be used and configured in the same manner as in the case of FIG. 9, and even with this configuration, the above-mentioned effects can be obtained.
以上の如く本考案は、それぞれ片持ち支持され
た第1の一対の電気−機械変換素子(例えば、モ
ノモルフ板18,19、バイモルフ板32,3
3)と、前記第1の一対の電気−機械変換素子の
自由端によつてその一端部が挟持された第2の電
気−機械変換素子(例えば、バイモルフ板1)
と、前記第2の電気−機械変換素子の自由端に取
付けられたヘツド(例えば、磁気ヘツド10)と
それぞれ具備し、前記第1及び第2の電気−機械
変換素子に所定方向の電界をかけてこれらを互い
に同一方向に偏倚させることによつて、前記ヘツ
ドを移動させるようにしたものである。故に本考
案のヘツド支持装置によれば、第2の電気−機械
変換素子の自由端の変位距離は、この第2の電気
−機械変換素子の偏倚(変形)と第1の一対の電
気−機械変換素子の偏倚との相乗効果によつて、
従来のものより長く(例えば1.6倍)とることが
でき、この結果、ヘツドの振れを大きくとること
ができる。従つて、例えば1倍速〜3倍速のリバ
ース再生動作やその他の高倍速再生動作が可能と
なる。 As described above, the present invention provides a first pair of electromechanical transducers (for example, monomorph plates 18 and 19, bimorph plates 32 and 3
3) and a second electro-mechanical conversion element (for example, bimorph plate 1), one end of which is held between the free ends of the first pair of electro-mechanical conversion elements.
and a head (e.g., magnetic head 10) attached to the free end of the second electro-mechanical transducer, and applies an electric field in a predetermined direction to the first and second electro-mechanical transducers. The heads are moved by biasing them in the same direction. Therefore, according to the head support device of the present invention, the displacement distance of the free end of the second electro-mechanical transducer is determined by the deflection (deformation) of the second electro-mechanical transducer and the first pair of electro-mechanical transducers. Due to the synergistic effect with the bias of the conversion element,
It can be longer than the conventional one (for example, 1.6 times), and as a result, the deflection of the head can be increased. Therefore, for example, reverse playback operations at 1x to 3x speed and other high speed playback operations are possible.
また第2の電気−機械変換素子に比べて第2の
電気−機械変換素子を可成り高剛性に構成すれ
ば、装置の固有共振周波数0を低下させること
なく、従つて応答速度が変化することなくヘツド
の振れを大きくとることが可能となり、倍速再生
時におけるノイズレス化が可能となる。しかも、
上述の第1及び第2の素子の変形時に作用する応
力は、これらの素子の各々の支点に分散されるた
め、耐クラツク性が改善される利点もある。 Furthermore, if the second electro-mechanical transducer is configured to have considerably higher rigidity than the second electro-mechanical transducer, the response speed can be changed without lowering the natural resonance frequency 0 of the device. This makes it possible to increase the vibration of the head without any noise, making it possible to achieve noiseless playback during double-speed playback. Moreover,
Since the stress that acts upon deformation of the first and second elements described above is dispersed to the fulcrums of each of these elements, there is also the advantage that crack resistance is improved.
第1図〜第5図はバイモルフ板によつて磁気ヘ
ツドを支持するようにした従来のヘツド支持装置
を説明するためのものであつて、第1図はバイモ
ルフ板の構造を示す側面図、第2図はこのバイモ
ルフ板を用いたヘツド支持装置の要部側面図、第
3図はこの装置の回転ヘツドドラムの要部平面
図、第4図はこの回転ヘツドドラムの正面図、第
5図は記録トラツクを示す磁気テープの平面図で
ある。第6図〜第10図は本考案をヘリカルスキ
ヤン型VTRにおけるヘツド支持装置に適用した
実施例を示すものである。第6図及び第7図は本
考案の第1の実施例を示すものであつて、第6図
はヘツド支持装置の側面図、第7図はヘツド支持
装置の動作時における状態を示す側面図、第8図
は本考案の第2の実施例を示すヘツド支持装置の
側面図、第9図及び第10図は本考案の第3の実
施例を示すものであつて、第9図はヘツド支持装
置の側面図、第10図はヘツド支持装置の動作時
における状態を示す側面図である。
なお図面に用いられている符号において、1…
…第2の電気−機械変換素子としてのバイモルフ
板、10……磁気ヘツド、16……取付部、1
8,19……第1の電気−機械変換素子としての
モノモルフ板、32,33……第1の電気−機械
変換素子としてのバイモルフ板、である。
1 to 5 are for explaining a conventional head support device in which a magnetic head is supported by a bimorph plate, and FIG. 1 is a side view showing the structure of the bimorph plate, and FIG. Fig. 2 is a side view of the main part of a head support device using this bimorph plate, Fig. 3 is a plan view of the main part of the rotating head drum of this device, Fig. 4 is a front view of this rotary head drum, and Fig. 5 is a recording track. FIG. 2 is a plan view of a magnetic tape. 6 to 10 show an embodiment in which the present invention is applied to a head support device for a helical scan type VTR. 6 and 7 show a first embodiment of the present invention, in which FIG. 6 is a side view of the head support device, and FIG. 7 is a side view showing the state of the head support device during operation. , FIG. 8 is a side view of a head support device showing a second embodiment of the present invention, and FIGS. 9 and 10 show a third embodiment of the present invention, in which FIG. FIG. 10 is a side view of the head support device showing a state in which the head support device is in operation. In addition, in the symbols used in the drawings, 1...
... Bimorph plate as second electro-mechanical conversion element, 10 ... Magnetic head, 16 ... Mounting part, 1
8, 19...A monomorph plate serving as a first electro-mechanical conversion element, 32, 33...A bimorph plate serving as a first electro-mechanical conversion element.
Claims (1)
記記録媒体に所定の記録トラツクを形成し或いは
この記録トラツクに記録されている情報を再生す
るようにした記録再生装置において、それぞれ片
持ち支持された第1の一対の電気−機械変換素子
と、前記第1の一対の電気−機械変換素子の自由
端によつて一端部が挟持された第2の電気−機械
変換素子と、前記第2の電気−機械変換素子の自
由端に取付けられたヘツドとをそれぞれ具備し、
前記第1及び第2の電気−機械変換素子に所定方
向の電界をかけてこれらを互いに同一方向に偏倚
させることによつて前記ヘツドを移動させるよう
にしたことを特徴とする記録再生装置におけるヘ
ツド支持装置。 In a recording and reproducing apparatus that forms a predetermined recording track on the recording medium or reproduces information recorded on this recording track by relative movement between the recording medium and the head, each head is supported on a cantilever. a first pair of electro-mechanical conversion elements; a second electro-mechanical conversion element, one end of which is held between the free ends of the first pair of electro-mechanical conversion elements; a head attached to the free end of the electro-mechanical transducer;
A head in a recording/reproducing apparatus, characterized in that the head is moved by applying an electric field in a predetermined direction to the first and second electromechanical transducers to bias them in the same direction. Support device.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1980154697U JPS6232346Y2 (en) | 1980-10-29 | 1980-10-29 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1980154697U JPS6232346Y2 (en) | 1980-10-29 | 1980-10-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5779937U JPS5779937U (en) | 1982-05-17 |
JPS6232346Y2 true JPS6232346Y2 (en) | 1987-08-19 |
Family
ID=29513917
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1980154697U Expired JPS6232346Y2 (en) | 1980-10-29 | 1980-10-29 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6232346Y2 (en) |
-
1980
- 1980-10-29 JP JP1980154697U patent/JPS6232346Y2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5779937U (en) | 1982-05-17 |
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