JPS623507B2 - - Google Patents
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- JPS623507B2 JPS623507B2 JP10624879A JP10624879A JPS623507B2 JP S623507 B2 JPS623507 B2 JP S623507B2 JP 10624879 A JP10624879 A JP 10624879A JP 10624879 A JP10624879 A JP 10624879A JP S623507 B2 JPS623507 B2 JP S623507B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transfer
- pattern
- bubble
- cylindrical
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は円筒磁区分割兼転送切換え回路に関す
るものである。更に詳しく述べれば面内回転磁場
と軟磁性転送パタン配列を用いて、円筒磁区を分
割しその一方を他の転送路へ導く動作と、一方の
転送路にある円筒磁区と他方の転送路の円筒磁区
を交換する動作を可能とする円筒磁区分割兼転送
切換え回路に関するものである。
るものである。更に詳しく述べれば面内回転磁場
と軟磁性転送パタン配列を用いて、円筒磁区を分
割しその一方を他の転送路へ導く動作と、一方の
転送路にある円筒磁区と他方の転送路の円筒磁区
を交換する動作を可能とする円筒磁区分割兼転送
切換え回路に関するものである。
円筒磁区（以下単にバブルと称する）を用いた
バブル素子に於いて、メジヤー・マイナーループ
方式のバブル転送パターン構成の利点は、既に各
所で述べられている（例えばA.H.Bobeck et
al、Scientific American、Vol 224、No.６、pp78
−90、June1971）。メジヤー・マイナーループ方
式を採るバブル素子に於いて不可欠な機能は、バ
ブルの転送路を切り換えるゲート回路であること
は周知の通りである。
バブル素子に於いて、メジヤー・マイナーループ
方式のバブル転送パターン構成の利点は、既に各
所で述べられている（例えばA.H.Bobeck et
al、Scientific American、Vol 224、No.６、pp78
−90、June1971）。メジヤー・マイナーループ方
式を採るバブル素子に於いて不可欠な機能は、バ
ブルの転送路を切り換えるゲート回路であること
は周知の通りである。
近年に至つては、メジヤーマイナーループ構成
のバブルメモリ素子の情報読出しサイクル時間を
短縮する目的でブロツク・リプリケーターがピ
ー・アイ・ボニハード（P.I.Boneyhard）等によ
つて文献アイ・イー・イー・イー・トランザクシ
ヨンズ・オン・マグネテイクス（IEEE Trans.
Magn.）第MAG−12巻第６号第614頁（1976年）
で提案された。これによつて、マイナーループの
バブル情報をメジヤーループを通じて読み出す
際、読み出したバブルを再びマイナーループに書
き込む必要がなくなつて情報の読み出しサイクル
時間は非常に短縮される様になつた。しかし乍
ら、ブロツクリプリケーターの設計上、マイナー
ループ間の間隔は、マイナーループ内の転送パタ
ン周期の２倍よりも約20％も大きくする必要があ
り、これでは、バブルメモリ素子のバブル記憶密
度がその可能な値（マイナーループ内転送パタン
周期の自乗の逆数）よりも小さくなつて高密度化
に対して不利なメモリ構成となつてしまう。この
ことはその後に発表された各種のブロツクリプリ
ケーターに対しても同じことである。
のバブルメモリ素子の情報読出しサイクル時間を
短縮する目的でブロツク・リプリケーターがピ
ー・アイ・ボニハード（P.I.Boneyhard）等によ
つて文献アイ・イー・イー・イー・トランザクシ
ヨンズ・オン・マグネテイクス（IEEE Trans.
Magn.）第MAG−12巻第６号第614頁（1976年）
で提案された。これによつて、マイナーループの
バブル情報をメジヤーループを通じて読み出す
際、読み出したバブルを再びマイナーループに書
き込む必要がなくなつて情報の読み出しサイクル
時間は非常に短縮される様になつた。しかし乍
ら、ブロツクリプリケーターの設計上、マイナー
ループ間の間隔は、マイナーループ内の転送パタ
ン周期の２倍よりも約20％も大きくする必要があ
り、これでは、バブルメモリ素子のバブル記憶密
度がその可能な値（マイナーループ内転送パタン
周期の自乗の逆数）よりも小さくなつて高密度化
に対して不利なメモリ構成となつてしまう。この
ことはその後に発表された各種のブロツクリプリ
ケーターに対しても同じことである。
更にメジヤーマイナーループ構成に於いて、バ
ブル情報の不要なものと新しい情報との書き換え
時間を短縮する目的で同じボニハードによつて真
交換型トランスフアーゲートが文献アイ・イー・
イー・イー・トランザクシヨンズ・オン・マグネ
テイツクス第MAG−13巻第６号第1785頁（1977
年）で発表された。しかしながらこのタイプのト
ランスフアーゲートもメジヤーループに従来には
なかつた余分の補助転送パタンを設ける必要があ
りそのために上述のブロツクリプリケーターと同
様マイナーループ間のくり返し周期をマイナール
ープ内転送パタン周期の２倍よりも大きくする必
要があり、このためにバブルメモリ素子の記憶密
度が小さくなつてしまう欠点があつた。又その補
助パタンの存在により１転送パタン周期当り１ギ
ヤツプの原則が破れ、メジヤーループの転送特性
の信頼性が劣化する危惧が生じた。
ブル情報の不要なものと新しい情報との書き換え
時間を短縮する目的で同じボニハードによつて真
交換型トランスフアーゲートが文献アイ・イー・
イー・イー・トランザクシヨンズ・オン・マグネ
テイツクス第MAG−13巻第６号第1785頁（1977
年）で発表された。しかしながらこのタイプのト
ランスフアーゲートもメジヤーループに従来には
なかつた余分の補助転送パタンを設ける必要があ
りそのために上述のブロツクリプリケーターと同
様マイナーループ間のくり返し周期をマイナール
ープ内転送パタン周期の２倍よりも大きくする必
要があり、このためにバブルメモリ素子の記憶密
度が小さくなつてしまう欠点があつた。又その補
助パタンの存在により１転送パタン周期当り１ギ
ヤツプの原則が破れ、メジヤーループの転送特性
の信頼性が劣化する危惧が生じた。
又、同じくピー・アイ・ボニハードによる文献
ジヤーナル・オブ・アプライド・フイジツクス
（Journal of Applied Physics）第50巻第３号第
2213頁（1979年）で上で述べたブロツクリプリケ
ーター及び真交換型トランスフアーゲートが同時
に可能なリプリケーター／スワツプゲートの実現
はバブルメモリ素子の効率を大巾に改善するもの
であるとの提唱がなされた。
ジヤーナル・オブ・アプライド・フイジツクス
（Journal of Applied Physics）第50巻第３号第
2213頁（1979年）で上で述べたブロツクリプリケ
ーター及び真交換型トランスフアーゲートが同時
に可能なリプリケーター／スワツプゲートの実現
はバブルメモリ素子の効率を大巾に改善するもの
であるとの提唱がなされた。
本発明の目的は上記のバブルの記憶密度を下げ
ることなく、なおかつリプリケーター／スワツプ
ゲートを可能にする円筒磁区分割兼転送切換え回
路を提供することにある。
ることなく、なおかつリプリケーター／スワツプ
ゲートを可能にする円筒磁区分割兼転送切換え回
路を提供することにある。
この目的を達成するために本発明の回路は次の
様な構成を採つている。即ち、マイナーループの
コーナーに属するバブルを引伸ばす部分をもつ大
転送パタンと、メジヤーループ又はメジヤーライ
ンに属するバブルをその中央部に局在化して存在
せしめる突起状部分をもつ一組の相隣り合う転送
パタンがその突起状部分を前記の大転送パタンの
バブル引伸し部分に相対する様な構成と、大転送
パタンとそのバブル引伸し部分で交差するヘアピ
ン状導体パタンがメジヤーループ又はメジヤーラ
イン（以下メジヤーループと統一的に述べる）の
１組の隣り合う転送パタンの突起状部分に挾まれ
る様な構成をもつている。
様な構成を採つている。即ち、マイナーループの
コーナーに属するバブルを引伸ばす部分をもつ大
転送パタンと、メジヤーループ又はメジヤーライ
ンに属するバブルをその中央部に局在化して存在
せしめる突起状部分をもつ一組の相隣り合う転送
パタンがその突起状部分を前記の大転送パタンの
バブル引伸し部分に相対する様な構成と、大転送
パタンとそのバブル引伸し部分で交差するヘアピ
ン状導体パタンがメジヤーループ又はメジヤーラ
イン（以下メジヤーループと統一的に述べる）の
１組の隣り合う転送パタンの突起状部分に挾まれ
る様な構成をもつている。
以下に実施例を用いて本発明を詳細に説明す
る。第１図は本発明の第１の実施例を示す図であ
る。バブル転送パタン列としてメジヤーループ１
及びマイナーループ２がある。マイナーループ２
には、その180゜コーナーを形成する大転送パタ
ン２１がある。大転送パタン２１にはバブルをそ
れに沿つて引伸ばすためのバブル引伸し部分２２
がある。一方メジヤーループ１には、バブル引伸
し部分２２に対応する位置に二つの転送パタン１
１，１２がある。これらの転送パタンの中央部に
は、部分２２に向う突起状分枝１３がある。メジ
ヤーループの転送パタンはこの単純な形状の一組
の転送パタンを連続的に繰返すことによつて構成
されている。このため、従来のスワツプゲートの
様に複雑な転送パタン構成を必要とせず、したが
つてメジヤーループに平行な方向の記憶密度をい
たづらに下げることはない。
る。第１図は本発明の第１の実施例を示す図であ
る。バブル転送パタン列としてメジヤーループ１
及びマイナーループ２がある。マイナーループ２
には、その180゜コーナーを形成する大転送パタ
ン２１がある。大転送パタン２１にはバブルをそ
れに沿つて引伸ばすためのバブル引伸し部分２２
がある。一方メジヤーループ１には、バブル引伸
し部分２２に対応する位置に二つの転送パタン１
１，１２がある。これらの転送パタンの中央部に
は、部分２２に向う突起状分枝１３がある。メジ
ヤーループの転送パタンはこの単純な形状の一組
の転送パタンを連続的に繰返すことによつて構成
されている。このため、従来のスワツプゲートの
様に複雑な転送パタン構成を必要とせず、したが
つてメジヤーループに平行な方向の記憶密度をい
たづらに下げることはない。
すでに特願昭53−61485号明細書でも述べられ
ている様に転送パタン１１，１２等の突起状部分
は、そこにバブル磁区をほぼ円筒形状を保つたま
ま局在化させ、この部分でのバブルはパタン外へ
トランスフアーし易い性質を有している。導体パ
タン３はヘアピン状部分のスリツト部３３が大転
送パタンの部分２２と交差し、分枝部分３１，３
２が夫々パタン１１，１２の突起状分枝１３の近
傍且つ分枝３１，３２の中心線がパタン１１，１
２の両突起状分枝に挾まれる様に設けられてい
る。ヘアピン導体の両分枝３１，３２の少くとも
一方の側で且つ大転送パタン２１とメジヤールー
プ転送パタン１１，１２の間にバー状補助転送パ
タン４がヘアピン導体とほぼ垂直に設けられてい
る。
ている様に転送パタン１１，１２等の突起状部分
は、そこにバブル磁区をほぼ円筒形状を保つたま
ま局在化させ、この部分でのバブルはパタン外へ
トランスフアーし易い性質を有している。導体パ
タン３はヘアピン状部分のスリツト部３３が大転
送パタンの部分２２と交差し、分枝部分３１，３
２が夫々パタン１１，１２の突起状分枝１３の近
傍且つ分枝３１，３２の中心線がパタン１１，１
２の両突起状分枝に挾まれる様に設けられてい
る。ヘアピン導体の両分枝３１，３２の少くとも
一方の側で且つ大転送パタン２１とメジヤールー
プ転送パタン１１，１２の間にバー状補助転送パ
タン４がヘアピン導体とほぼ垂直に設けられてい
る。
次に本実施例に於ける円筒磁区分割兼転送切換
え動作を図面を用いて説明する。第２図はマイナ
ーループ２にあるバブル情報をメジヤーループ１
へトランスフアーアウトする動作及びバブルを２
個に分割して一方をメジヤーループへトランスフ
アーアウトするリプリケート・アウト動作を説明
している。まずトランスフアー・アウトの場合に
ついて説明する。面内回転磁場が矢印ＨRで示す
方向に回転するに従つてバブルはマイナーループ
を矢印の方向から転送されてくる。面内磁場が矢
印Aoのときパタン２１にあるバブルはパタン上
Aoの位置にある。このときヘアピン導体のスリ
ツト部３３にバブル径を小さくする方向の垂直磁
場成分が発生する電流を面内磁場の回転期間Ao
→A1→B1→C1の間通じる。
え動作を図面を用いて説明する。第２図はマイナ
ーループ２にあるバブル情報をメジヤーループ１
へトランスフアーアウトする動作及びバブルを２
個に分割して一方をメジヤーループへトランスフ
アーアウトするリプリケート・アウト動作を説明
している。まずトランスフアー・アウトの場合に
ついて説明する。面内回転磁場が矢印ＨRで示す
方向に回転するに従つてバブルはマイナーループ
を矢印の方向から転送されてくる。面内磁場が矢
印Aoのときパタン２１にあるバブルはパタン上
Aoの位置にある。このときヘアピン導体のスリ
ツト部３３にバブル径を小さくする方向の垂直磁
場成分が発生する電流を面内磁場の回転期間Ao
→A1→B1→C1の間通じる。
するとバブルは面内磁場の回転に伴ないパタン
２１の回りを転送されずにAo→B1→C1で示す径
路を辿りメジヤーループの転送パタンへトランス
フアーアウトされる。
２１の回りを転送されずにAo→B1→C1で示す径
路を辿りメジヤーループの転送パタンへトランス
フアーアウトされる。
バブルのリプリケート・アウト動作は次の様に
行われる。マイナーループの大転送パタン２１に
あるバブルは、面内磁場がA1で示す方向になる
とパタン２１の辺２２に沿つて引き伸ばされる。
このときにヘアピン導体のスリツト部にバブルを
切断するに足る充分に強いパルス磁場発生用の電
流パルスを導体パタンに通じる。バブルはスリツ
ト３３部で２個に分割される。その後面内磁場の
回転期間A1→B1→C1の間前述のトランスフア
ー・アウト動作時と同じ電流を導体パタンに通じ
ると分割されたバブルの一方はAo→B1→C1の経
路でメジヤーループへ移転する。他方は大転送パ
タン２１の回りを辿つてマイナーループ２に残る
ことになる。
行われる。マイナーループの大転送パタン２１に
あるバブルは、面内磁場がA1で示す方向になる
とパタン２１の辺２２に沿つて引き伸ばされる。
このときにヘアピン導体のスリツト部にバブルを
切断するに足る充分に強いパルス磁場発生用の電
流パルスを導体パタンに通じる。バブルはスリツ
ト３３部で２個に分割される。その後面内磁場の
回転期間A1→B1→C1の間前述のトランスフア
ー・アウト動作時と同じ電流を導体パタンに通じ
ると分割されたバブルの一方はAo→B1→C1の経
路でメジヤーループへ移転する。他方は大転送パ
タン２１の回りを辿つてマイナーループ２に残る
ことになる。
次に第３図を用いてメジヤーループのバブルと
マイナーループのバブルを交換するスワツプ動作
を説明する。このスワツプ動作では、面内磁場が
A1の方向にあるときメジヤーループ１のパタン
上のA1の位置にある白〇印で示されるバブルと
マイナーループの大転送パタン２１のA1の位置
にある陰〇印バブルとが面内磁場の１回転A1→
B1→C1→D1→A2の期間導体パタンに前述のトラ
ンスフアーアウトと同じ電流を通じることにより
交換される。交換された直後のバブル位置は
夫々、メジヤーループパタン上A2及びマイナー
ループ大転送パタンA2にある。これは交換前の
バブル位置に比べて、丁度面内磁場が一回転した
分だけバブル位置が進んだことと対応している。
即ちこのスワツプ動作は真交換である。本発明の
真交換型スワツプゲートはそのメジヤーループの
パタン構成が公知のスワツプゲートに比べて極め
て単純であり、１パタン周期１ギヤツプの原則を
くずさない。従つて公知の真交換型スワツプゲー
トに比べメジヤーループのバブル転送特性が優れ
たメジヤーループを実現出来る。
マイナーループのバブルを交換するスワツプ動作
を説明する。このスワツプ動作では、面内磁場が
A1の方向にあるときメジヤーループ１のパタン
上のA1の位置にある白〇印で示されるバブルと
マイナーループの大転送パタン２１のA1の位置
にある陰〇印バブルとが面内磁場の１回転A1→
B1→C1→D1→A2の期間導体パタンに前述のトラ
ンスフアーアウトと同じ電流を通じることにより
交換される。交換された直後のバブル位置は
夫々、メジヤーループパタン上A2及びマイナー
ループ大転送パタンA2にある。これは交換前の
バブル位置に比べて、丁度面内磁場が一回転した
分だけバブル位置が進んだことと対応している。
即ちこのスワツプ動作は真交換である。本発明の
真交換型スワツプゲートはそのメジヤーループの
パタン構成が公知のスワツプゲートに比べて極め
て単純であり、１パタン周期１ギヤツプの原則を
くずさない。従つて公知の真交換型スワツプゲー
トに比べメジヤーループのバブル転送特性が優れ
たメジヤーループを実現出来る。
次に本発明の第２の実施例を第４図に示す。本
実施例に於いては、マイナーループ２の大転送パ
タン２１とメジヤーループ１の円筒磁区転送切換
え回路を構成する突起状分枝１３をもつ１組の転
送パタン１１，１２の位置関係は第１の実施例の
場合と同様であるが、次の二点で大きく異つてい
る。即ち、ヘアピン状導体パタンの分枝３１，３
２が夫々メジヤーループ転送パタン１１，１２の
突起状分枝１３を囲む様な構成になつている点、
及びマイナーループ大転送パタン２１とメジヤー
ループ転送パタン１１又は１２の間にバー状補助
転送パタンが存在しない点である。補助転送パタ
ンが無くそも、導体パタンによつてパタン２１の
引伸し部分２２と対応するパタン１１，１２の突
起状分枝１３の間が囲われているため、パタント
ランスフアー用の電流パルスによりヘアピン導体
の分枝に囲まれた部分にバブルを局在化させるバ
イアス磁場成分が発生して、バブルはこの囲みの
中を安定にパタン間の移動が行われる。この場合
に於いてもメジヤーループがマイナーループには
複雑な転送パタンが不要であり、高密度メモリ、
安定動作にすぐれた円筒磁区分割兼転送路切換え
回路が容易に実現される。
実施例に於いては、マイナーループ２の大転送パ
タン２１とメジヤーループ１の円筒磁区転送切換
え回路を構成する突起状分枝１３をもつ１組の転
送パタン１１，１２の位置関係は第１の実施例の
場合と同様であるが、次の二点で大きく異つてい
る。即ち、ヘアピン状導体パタンの分枝３１，３
２が夫々メジヤーループ転送パタン１１，１２の
突起状分枝１３を囲む様な構成になつている点、
及びマイナーループ大転送パタン２１とメジヤー
ループ転送パタン１１又は１２の間にバー状補助
転送パタンが存在しない点である。補助転送パタ
ンが無くそも、導体パタンによつてパタン２１の
引伸し部分２２と対応するパタン１１，１２の突
起状分枝１３の間が囲われているため、パタント
ランスフアー用の電流パルスによりヘアピン導体
の分枝に囲まれた部分にバブルを局在化させるバ
イアス磁場成分が発生して、バブルはこの囲みの
中を安定にパタン間の移動が行われる。この場合
に於いてもメジヤーループがマイナーループには
複雑な転送パタンが不要であり、高密度メモリ、
安定動作にすぐれた円筒磁区分割兼転送路切換え
回路が容易に実現される。
以上に述べた様に、本発明を用いれば従来では
実現出来なかつた高記憶密度に適したリプリケー
ト／スワツプゲートが容易に実現出来る。本発明
に於ける実施例として、メジＮ−ループ転送パタ
ンが実質Ｙ字型のパタンを利用して説明して来
た。しかし本発明の特徴は、ゲートを構成するメ
ジヤーループパタンの中央部にバブルがほぼ円筒
形を保つたまま局在化出来る形状であればパター
ンの形状には関係しないことである。従つてシユ
ブロンパタンの様にパタンの中央部で180℃以下
の角度をもつ頂点があるパタンであれば、その頂
点でバブルは局在化され得るので本発明はメジヤ
ーループ転送パタンとしてＹ字型パタンのみに制
限されないことは言うまでもない。
実現出来なかつた高記憶密度に適したリプリケー
ト／スワツプゲートが容易に実現出来る。本発明
に於ける実施例として、メジＮ−ループ転送パタ
ンが実質Ｙ字型のパタンを利用して説明して来
た。しかし本発明の特徴は、ゲートを構成するメ
ジヤーループパタンの中央部にバブルがほぼ円筒
形を保つたまま局在化出来る形状であればパター
ンの形状には関係しないことである。従つてシユ
ブロンパタンの様にパタンの中央部で180℃以下
の角度をもつ頂点があるパタンであれば、その頂
点でバブルは局在化され得るので本発明はメジヤ
ーループ転送パタンとしてＹ字型パタンのみに制
限されないことは言うまでもない。
第１図は本発明の第１の実施例を示す平面図、
第２図は本実施例のトランスフアー・アウト動作
及びリプリケート・アウト動作を説明する平面
図、第３図は本実施例の真交換型スワツプ動作を
説明する図、第４図は本発明の第２の実施例を示
す平面図である。 １はメジヤーループ、２はマイナーループ、３
はヘアピン状導体パタン、４は補助転送パタン、
１１，１２メジヤーループ転送パタン、１３は突
起状パタン分枝、２１はマイナーループの一部を
構成する大転送パタン、２２はバブル引伸し部
分、３１，３２はヘアピン状導体パタン分枝、３
３はヘアピン導体のスリツト部分、ＨRは面内磁
場回転方向、Ao，A1，B1，C1，D1，A2は面内磁
場の印加方向及びそれぞれに対応するバブルの存
在するパタン上の位置を示す。
第２図は本実施例のトランスフアー・アウト動作
及びリプリケート・アウト動作を説明する平面
図、第３図は本実施例の真交換型スワツプ動作を
説明する図、第４図は本発明の第２の実施例を示
す平面図である。 １はメジヤーループ、２はマイナーループ、３
はヘアピン状導体パタン、４は補助転送パタン、
１１，１２メジヤーループ転送パタン、１３は突
起状パタン分枝、２１はマイナーループの一部を
構成する大転送パタン、２２はバブル引伸し部
分、３１，３２はヘアピン状導体パタン分枝、３
３はヘアピン導体のスリツト部分、ＨRは面内磁
場回転方向、Ao，A1，B1，C1，D1，A2は面内磁
場の印加方向及びそれぞれに対応するバブルの存
在するパタン上の位置を示す。
Claims (1)
- １ 円筒磁区を保持し得る磁性体薄膜とその上に
形成され円筒磁区転送路を形成する軟磁性体薄膜
転送パターンと前記磁性体薄膜の面に平行な回転
磁場を印加する手段を有する磁気装置に於いて、
第１の円筒磁区転送路とその近傍に少くとも一つ
の第２の円筒磁区転送路を持ち、該第２の転送路
の一部は第１の転送路に面した円筒磁区引伸し部
分を有する転送パタンから構成され、かつその引
伸し部分と交差したヘアピン状導体パタンと、第
１の転送路を構成する円筒磁区をほぼ円筒形を保
つて局在し得る突起状部分をその引伸し部分に対
面する方向に各々に有する連続した２パタン１組
の転送パタンとを備え、前記ヘアピン状導体パタ
ンが前記１組の突起状部分に実質的に挾まれる様
に配置されていることを特徴とする円筒磁区分割
兼転送切換え回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10624879A JPS5629885A (en) | 1979-08-21 | 1979-08-21 | Switching circuit for cylindrical magnetic domain sectioning and transferring |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10624879A JPS5629885A (en) | 1979-08-21 | 1979-08-21 | Switching circuit for cylindrical magnetic domain sectioning and transferring |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5629885A JPS5629885A (en) | 1981-03-25 |
| JPS623507B2 true JPS623507B2 (ja) | 1987-01-26 |
Family
ID=14428795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10624879A Granted JPS5629885A (en) | 1979-08-21 | 1979-08-21 | Switching circuit for cylindrical magnetic domain sectioning and transferring |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5629885A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57138082A (en) * | 1981-02-18 | 1982-08-26 | Hitachi Ltd | Magnetic bubble memory element |
-
1979
- 1979-08-21 JP JP10624879A patent/JPS5629885A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5629885A (en) | 1981-03-25 |
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