JPS62294948A - Measurement of auger electron and spectroscopic spectrum - Google Patents
Measurement of auger electron and spectroscopic spectrumInfo
- Publication number
- JPS62294948A JPS62294948A JP62118680A JP11868087A JPS62294948A JP S62294948 A JPS62294948 A JP S62294948A JP 62118680 A JP62118680 A JP 62118680A JP 11868087 A JP11868087 A JP 11868087A JP S62294948 A JPS62294948 A JP S62294948A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- voltage
- electron
- auger electron
- detected
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000005259 measurement Methods 0.000 title description 2
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 claims description 7
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract description 19
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 108010083687 Ion Pumps Proteins 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
発明の詳細な説明
本発明は、オージェ電子分光スペクトルの測定方法に関
するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a method for measuring Auger electron spectroscopy.
従来のオージェ電子分光スペク１ヘルを測定する代表的
な方法として、円筒鏡型エネルギー分析器（ＣＭ Ａ
：Ｃｙｌｉｎｄｒｉｃａｌ Ｍｉｒｒｏｒ Ａｎａｌｙ
ｚｅｒ、以下ＣＭＡと記述する。）に直流掃引電圧と微
小振幅変調電圧とを重畳させて、試料から放出される二
次電子（オージェ電子を含む）のうち該変調電圧に同期
した周波数成分のみをロックイン増幅器で位相検波する
ことによってオージェ電子分光スペクトルを検出する方
法を採用している。A typical method for measuring conventional Auger electron spectroscopy spectroscopy is to use a cylindrical mirror energy analyzer (CM A
:Cylindrical Mirror Analysis
zer, hereinafter referred to as CMA. ) by superimposing a DC sweep voltage and a minute amplitude modulation voltage, and phase-detecting only the frequency components synchronized with the modulation voltage among the secondary electrons (including Auger electrons) emitted from the sample using a lock-in amplifier. A method of detecting Auger electron spectroscopy is adopted.
従来のこの測定方法のブロックダイアダラムを第１図に
示す。第１図において１は真空容器でイオンポンプ２に
よって排気されている。−次電子照射系３から試料４に
一次電子を照射し、試料４から放出されたオージェ電子
を含む二次電子はＣＰｖＩ Ａ ５によりエネルギー分
光され、二次電子増倍管６によって増幅され、ロックイ
ン増幅器７に検出される。A block diagram of this conventional measurement method is shown in FIG. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a vacuum container which is evacuated by an ion pump 2. - The sample 4 is irradiated with primary electrons from the secondary electron irradiation system 3, and the secondary electrons including Auger electrons emitted from the sample 4 are energy spectrally separated by the CPvI A 5, amplified by the secondary electron multiplier 6, and locked. is detected by the in-amplifier 7.
ロックイン増幅器７の出力はＸ−Ｙレコーダ８に記録さ
れる。ＣＭＡ５には直流掃引電圧９及び微小変調電圧１
０がトランス１１を介して印加されている。ロックイン
増幅器７はＣＭＡ５に印加された微小変調電圧１０の周
波数と位相に同期整合されており、入力信号のうち前記
周波数と位相をもつ成分のみを増幅することによって入
力信号中の雑音を低減している。The output of lock-in amplifier 7 is recorded on X-Y recorder 8. CMA5 has DC sweep voltage 9 and minute modulation voltage 1
0 is applied via the transformer 11. The lock-in amplifier 7 is synchronously matched to the frequency and phase of the minute modulation voltage 10 applied to the CMA 5, and reduces noise in the input signal by amplifying only the component having the frequency and phase of the input signal. ing.
この測定方法においては、ＣＭＡ５に変調電圧１０を印
加しているため、ＣＭＡ５を通過する電子は全て変調さ
れてしまう、ＣＭＡ５を通過する電子の大部分は、試料
４から放出されて直接飛来する二次電子であるが、その
他に迷走電子と呼ばれる試料４以外から発生する低エネ
ルギーの電子がＣＭＡ５を通過している。これらの迷走
電子には、イオンポンプ２から発生している迷走電子、
ＣＭＡ開口部のメツシュ１２から発生している二次電子
、ＣＭＡ５の内壁から発生している二次電子等が含まれ
る。ＣＭＡＳ内では、試料４から放出されかつ、真の信
号を与える二次電子のみならず、同時に迷走電子も変調
される。この現象はオージェ電子分光スペクトルを検出
する際に、雑音の原因となり、時には低エネルギー領域
でのオージェ電子分光スペクトルの検出を困難にするこ
ともある。特に金属及び半導体デバイス等の素子の表面
を研究していくうえで、低エネルギー領域のオージェ電
子分光スペクトルを測定することはしばしば重要である
。たとえば素子の表面の汚染状態を調べるうえで問題と
なる汚染元素に炭素、酸素、窒素、カリウム等があげら
れるが、これらの元素のオージェ電子分光スペクトルは
、はとんどが数１００ｅｖ以下に存在する。また、素子
表面の化学結合状態を知るなめにも、低エネルギー領域
のオージェ電子分光スペクトルは重要である。たとえば
シリコンの低エネルギーオージェ電子は９２ｅｖである
が、酸化されることによって７６ｅｖの酸化シリコン特
有のオージェ電子を放出する。このように、低エネルギ
ー領域における正確なオージェ電子分光スペクトルを得
るためには、迷走電子を検出系から除去する必要がある
が、従来の測定方法によれば、迷走電子の除去はできな
いという欠点を有する。In this measurement method, since a modulation voltage of 10 is applied to the CMA 5, all the electrons passing through the CMA 5 are modulated. In addition to secondary electrons, low-energy electrons generated from sources other than the sample 4, called stray electrons, are passing through the CMA 5. These stray electrons include stray electrons generated from the ion pump 2,
This includes secondary electrons generated from the mesh 12 of the CMA opening, secondary electrons generated from the inner wall of the CMA 5, and the like. In the CMAS, not only secondary electrons emitted from the sample 4 and giving a true signal but also stray electrons are modulated at the same time. This phenomenon causes noise when detecting Auger electron spectra, and sometimes makes it difficult to detect Auger electron spectra in low energy regions. In particular, when studying the surfaces of elements such as metal and semiconductor devices, it is often important to measure Auger electron spectra in the low energy region. For example, carbon, oxygen, nitrogen, potassium, etc. are contaminant elements that are problematic when investigating the contamination state of the surface of a device, but the Auger electron spectra of these elements mostly exist at a few hundred ev or less. do. Furthermore, the Auger electron spectroscopy spectrum in the low energy region is important for understanding the chemical bonding state on the surface of the device. For example, silicon has a low energy Auger electron of 92 ev, but when it is oxidized, it emits Auger electrons of 76 ev, which are unique to silicon oxide. In this way, in order to obtain accurate Auger electron spectroscopy in the low energy region, it is necessary to remove stray electrons from the detection system, but conventional measurement methods have the disadvantage of not being able to remove stray electrons. have
また、特に半導体デバイス表面の評価において表面の微
小領域でのオージェ電子分光スペクトルを測定すること
が重要になってきている。現在の半導体集積回路におい
ては、１μｍ以下の線幅でパターンを形成することが可
能になり、ユニポーラ型Ｆ Ｅ Ｔ （Ｆｉｅｌｄ Ｅ
ｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ ：電界効果トラン
ジスタ）においては高周波特性を改善するためにゲート
長１μｍ以下のゲート電極を有するものも開発されてい
る。このような微小領域をオージェ電子分光法を用いて
測定評価することは、今後ますます重要になってきてい
る。ＣＭＡ５に微小変調電圧１０を印加する従来の測定
方法においては、微小領域でのオージェ電子分光スペク
トルを検出するためには試料４に照射する一次電子ビー
ムの直径を小さくする必要がある。In addition, particularly in evaluating the surface of a semiconductor device, it has become important to measure Auger electron spectroscopy in a minute region of the surface. In current semiconductor integrated circuits, it is now possible to form patterns with a line width of 1 μm or less, and unipolar FET (Field E
Field effect transistors (field effect transistors) having gate electrodes with a gate length of 1 μm or less have been developed in order to improve high frequency characteristics. Measuring and evaluating such microscopic regions using Auger electron spectroscopy will become increasingly important in the future. In the conventional measurement method of applying a minute modulation voltage 10 to the CMA 5, it is necessary to reduce the diameter of the primary electron beam irradiated onto the sample 4 in order to detect the Auger electron spectra in a minute region.
一般にオージェ電子分光スペクトルを感度良く検出する
ためには、試料６に入射する一次電子ビームの電流量は
１０−５〜１０−’Ａ程度を必要としている。このとき
の−次電子ビームの到達最小ビーム直径は、電子銃フィ
ラメントにタングステンを用いた場合最高性能の電子レ
ンズ系を用いても約１μｍφ程度である。試料４に照射
する一次電子ビームの直径は、試料照射電流量によって
、おおよそ決定されるが、−次電子ビームの直径を１μ
ｍφ以下にするためには、試料に照射される一次電子の
電流量を少なくしなければならない。Generally, in order to detect Auger electron spectroscopy with good sensitivity, the amount of current of the primary electron beam incident on the sample 6 needs to be about 10-5 to 10-'A. At this time, the minimum beam diameter that the -order electron beam can reach is about 1 μmφ even when the highest performance electron lens system is used when tungsten is used for the electron gun filament. The diameter of the primary electron beam irradiated onto the sample 4 is roughly determined by the amount of current applied to the sample, but the diameter of the -order electron beam is set to 1μ.
In order to make it less than mφ, it is necessary to reduce the amount of current of primary electrons irradiated to the sample.
然るにかくなるときは、良好なオージェ電子分光スペク
トルが得られにくく、また、信号が雑音に埋もれてしま
い、何の情報も検出できなくなるという事態を招くこと
が多い。また−次電子ビームの直径を充分細くすること
ができたとしても、−次電子ビームの照射位置のゆらぎ
を制限する必要がある。測定したい微小領域に一次電子
ビームを照射していても、時間の経過と共に照射位置が
ふらつく危険性があり、この場合、正確なオージェ電子
分光スペクトル情報を得ることができない。このように
、ＣＭＡ５に微小変調電圧１ｏを印加する従来の測定方
法においては、試料４の微小領域の測定を制限する要因
は、−次電子ビームの照射系３であり、−次電子ビーム
の直径を小さくし、かつ照射位置のふらつきを減するな
め高度の技術精度を要するという欠点を有している。When this happens, it is difficult to obtain a good Auger electron spectroscopic spectrum, and the signal is often buried in noise, resulting in a situation where no information can be detected. Furthermore, even if the diameter of the -order electron beam can be made sufficiently thin, it is necessary to limit fluctuations in the irradiation position of the -order electron beam. Even if a primary electron beam is irradiated onto a microscopic region to be measured, there is a risk that the irradiation position will fluctuate over time, and in this case, accurate Auger electron spectroscopy information cannot be obtained. In this way, in the conventional measurement method in which a minute modulation voltage 1o is applied to the CMA 5, the factor that limits the measurement of a minute region of the sample 4 is the -order electron beam irradiation system 3, and the diameter of the -order electron beam. It has the disadvantage that it requires a high degree of technical precision to reduce the fluctuation of the irradiation position and to reduce the fluctuation of the irradiation position.
また、特開昭５０−５４３８０号公報にみられるように
、試料に可変遅延電圧、ずなわち、のこぎり波である掃
引電圧に変調電圧を重畳して、試料に流れる全電流を測
定する方法がある。しかし、この方法は感度の向上、装
置の小型化という利点はあるが、同一試料中の異なる微
小領域を互いに独立に、かつ、同時に測定することはで
きない。Furthermore, as seen in Japanese Patent Application Laid-Open No. 50-54380, there is a method in which a variable delay voltage is applied to the sample, that is, a modulation voltage is superimposed on a sawtooth wave sweep voltage to measure the total current flowing through the sample. be. However, although this method has the advantage of improved sensitivity and miniaturization of the device, it is not possible to measure different minute regions in the same sample independently and simultaneously.
本発明の目的は、上記の低エネルギー領域においてオー
ジェ電子分光スペクトルの雑音の原因となる迷走電子の
検出を避け、かつ試ｙ＋に入射する一次電子ビームの直
径を充分に小さくするという必要をなくして、試料中の
異なる領域を同時に正確に分析できる測定方法を提供す
ることにある。The purpose of the present invention is to avoid the detection of stray electrons that cause noise in the Auger electron spectroscopy spectrum in the above-mentioned low energy region, and to eliminate the need to sufficiently reduce the diameter of the primary electron beam incident on the sample y+. The object of the present invention is to provide a measurement method that allows simultaneous and accurate analysis of different regions in a sample.
本発明によれば、試料の複数の領域に変調電圧は各領域
とも同一とし、この変調電圧に重畳して各領域に互いに
異なる電圧の直流バイアス電圧を印加することによって
オージェ電子分光スペクＩ〜ル分析の多重化が可能とな
る。According to the present invention, the modulation voltage is the same in each region of a plurality of regions of the sample, and by superimposing the modulation voltage and applying a DC bias voltage of a different voltage to each region, Auger electron spectroscopy spectra I~ Multiplexing of analyzes becomes possible.
第２図に本発明の詳細な説明するためのブロックダイア
グラムを示す。ＣＭＡ５には直流掃引電圧９のみを印加
し、また試料４には１紋小交流電圧１１のみを印加する
。ただし、ＣＭＡＳ側のアースと、試料４側のアースと
は共通にしている。試料４が導体である場合、変調電圧
１０がアースと短絡することを避けるため高抵抗１３を
試料４とアースとの間に挿入する。こうすることにより
、照射系３より一次電子ビームを試料４に入射させたと
き、試料から放出する二次電子（オージェ電子を含む）
のみが、交流電圧１０により変調を受ける。FIG. 2 shows a block diagram for explaining the present invention in detail. Only a DC sweep voltage 9 is applied to the CMA 5, and only a small AC voltage 11 is applied to the sample 4. However, the ground on the CMAS side and the ground on the sample 4 side are common. If the sample 4 is a conductor, a high resistance 13 is inserted between the sample 4 and the ground to prevent the modulated voltage 10 from shorting with the ground. By doing this, when the primary electron beam is incident on the sample 4 from the irradiation system 3, the secondary electrons (including Auger electrons) emitted from the sample
only is modulated by the alternating current voltage 10.
このとき試料４以外から発生している迷走電子は変調を
受けない。ＣＭ Ａ ５を通過する電子は、変調を受け
た試料４からの二次電子と変調を受けていない迷走電子
とであるが、ロックイン増幅器７で、試料４に印加した
交流電圧１０と同期した周波数成分の信号のみを検出増
幅することによって変調を受けた試料４からの二次電子
の信号のみが検出される。このとき、迷走電子による信
号は検出されないから低エネルギー領域におけるオージ
ェ電子分光スペクトルは非常に雑音の少ないものとなる
。また交流電圧１０を測定したい１紋小領域のみに印加
すれば、その領域から放出する二次電子のみが変調を受
ける。そのため、試料４に入射する一次電子ビームの直
径が、たとえその微小領域以上であっても、その微小領
域以外から放出する二次電子は変調を受けていないため
、ロックイン増幅器７で検出されない。このことは即ち
、試料４に入射する一次電子ビームの直径を実効的に測
定している微小領域に等しくしていることに対応する。At this time, stray electrons generated from sources other than sample 4 are not modulated. The electrons passing through the CM A 5 are secondary electrons from the sample 4 that have been modulated and stray electrons that have not been modulated. By detecting and amplifying only the frequency component signals, only the modulated secondary electron signals from the sample 4 are detected. At this time, since no signal due to stray electrons is detected, the Auger electron spectroscopy spectrum in the low energy region has very little noise. Furthermore, if the alternating current voltage 10 is applied only to a small area of one pattern to be measured, only the secondary electrons emitted from that area will be modulated. Therefore, even if the diameter of the primary electron beam incident on the sample 4 is greater than or equal to the microscopic region, the secondary electrons emitted from outside the microscopic region are not detected by the lock-in amplifier 7 because they are not modulated. In other words, this corresponds to making the diameter of the primary electron beam incident on the sample 4 equal to the microscopic area that is effectively being measured.
このようにして、−次電子ビームの電流量を減少させる
ことなく、−次電子ビームの直径を実効的に小さくする
ことができる。In this way, the diameter of the -order electron beam can be effectively reduced without reducing the amount of current in the -order electron beam.
試料中の微小領域に印加する交流電圧の周波数は同じに
し、この交流電圧に重畳して印加する直流電圧値を異な
った値にすると放出される二次電子はこの直流電圧分だ
け高い運動エネルギーを持っているため各領域からの二
次電子信号を分疏して検出することができる。If the frequency of the AC voltage applied to a minute area in the sample is the same, and the DC voltage value applied superimposed on this AC voltage is different, the emitted secondary electrons will have a higher kinetic energy by the amount of this DC voltage. Because of this, it is possible to separate and detect secondary electron signals from each region.
以下、図面を用いて実施例について説明する。Examples will be described below with reference to the drawings.
第３図は本発明の実施例を示す図で、互いに絶縁された
複数の微小領域に互いに異なる直流バイアスを印加する
方法である。微小領域３１．３２．３３は互いに絶縁さ
れている。微小領域３１．３２．３３に直流バイアス電
圧として、それぞれ０ポルｌ−５■ボルト、２■ボルト
を直流電源３４により印加する。FIG. 3 is a diagram showing an embodiment of the present invention, which is a method of applying mutually different DC biases to a plurality of mutually insulated minute regions. The micro regions 31, 32, 33 are insulated from each other. DC bias voltages of 0 volts and 2 volts are respectively applied to the minute regions 31, 32, and 33 by the DC power supply 34.
こうすることによって微小領域３２から放出する二次電
子、（オージェ電子を含む）はＶボルトだけ余分に運動
エネルギーを供給される。同様に微小頭域３３から放出
する二次電子は、２Ｖボルトだけ余分に運動エネルギー
を供給される。ただしそれぞれの微小領域から検出され
るオージェ電子分光スペクトルが、互いに重なり合わな
いように直流バイアス電圧を選ぶようにしている。微小
頭域３２から得られるオージェ電子分光スペクトルは直
流バイアスを印加しない場合に比べてＶポル１−だけ高
エネルギー側に検出され、同様に微小領域３３から得ら
れるオージェ電子分光スベクＩ〜ルは２Ｖボルトだけ高
エネルギー（則に検出される。このように第４図に示す
方法によれば、同一の交流電圧３５をトランス３６を介
して複数の微小領域３１．３２．３３に印加することが
でき、単数のロックイン増幅器３７により、それぞれの
微小領域３１．３２．３３からのオージェ電子分光スペ
クトルを互いに独立に検出することが可能である。By doing so, the secondary electrons (including Auger electrons) emitted from the minute region 32 are supplied with an extra kinetic energy of V volts. Similarly, the secondary electrons emitted from the minute head region 33 are supplied with an extra kinetic energy of 2 V volts. However, the DC bias voltage is selected so that the Auger electron spectra detected from each micro region do not overlap with each other. The Auger electron spectroscopy spectrum obtained from the microscopic region 32 is detected on the higher energy side by Vpol 1- compared to the case where no DC bias is applied, and similarly the Auger electron spectroscopic spectrum I ~ obtained from the microscopic region 33 is 2V. According to the method shown in FIG. , it is possible to detect the Auger electron spectra from each micro region 31, 32, 33 independently of each other by a single lock-in amplifier 37.
このように、本発明は、試料に交流電圧を印加して迷走
電圧による雑音信号を低減させかつ、試料に照射する一
次電子ビームの直径を考慮することなく測定したい微小
領域のみのオージェ電子分光スペクトルを検出すること
ができ、かつ、オージェ電子分光スペクトル分析の多重
化が可能になるという種々の利点を有する。As described above, the present invention reduces noise signals caused by stray voltages by applying an alternating current voltage to a sample, and also enables Auger electron spectroscopy of only a minute region to be measured without considering the diameter of the primary electron beam irradiating the sample. It has various advantages such as being able to detect and multiplexing Auger electron spectroscopic analysis.
第１図は従来のオージェ電子分光スペクトルの測定方法
を示す概略図であり、第２図は本発明による測定方法を
示す概略図である。第１図、第２図において１は真空容
器、２はイオンポンプ、３は一次電子照射系、４は試料
、５はＣＭＡ、６は二次電子増倍管、７はロックイン増
幅器、８はＸ−Ｙレコーダ、９は直流掃引電圧、１０は
微小変調電圧、１１はトランス、１２はＣＭＡ開口部の
メツシュ、１３は抵抗である。第３図は互いに絶縁され
たそれぞれの微小領域に直流バイアスを印加することに
よってオージェ電子分光スペクトル分析の多重化を行う
方法の実施例を示す図であり、３１．３２．３３は微小
領域、３４は直流バイアス電圧であり、３５は変調電圧
、３６はトランス、３７はロックイ第１図
第２図FIG. 1 is a schematic diagram showing a conventional method for measuring Auger electron spectroscopy, and FIG. 2 is a schematic diagram showing a measuring method according to the present invention. In Figures 1 and 2, 1 is a vacuum vessel, 2 is an ion pump, 3 is a primary electron irradiation system, 4 is a sample, 5 is a CMA, 6 is a secondary electron multiplier, 7 is a lock-in amplifier, and 8 is a 9 is a DC sweep voltage, 10 is a minute modulation voltage, 11 is a transformer, 12 is a mesh of the CMA opening, and 13 is a resistor. FIG. 3 is a diagram showing an embodiment of a method for multiplexing Auger electron spectroscopy by applying a DC bias to each mutually insulated micro region, 31, 32, and 33 are micro regions, 34 is the DC bias voltage, 35 is the modulation voltage, 36 is the transformer, and 37 is the locking voltage.
Claims (1)
る二次電子をエネルギー分析して検出するオージェ電子
分光スペクトル測定方法において、試料内で互いに絶縁
された複数の領域の各々に、共通に同一変調電圧を印加
し、更に互いに異なる電圧の直流バイアス電圧を前記変
調電圧に重畳して前記複数の領域の各々に印加するオー
ジェ電子分光スペクトル測定方法。In the Auger electron spectroscopy measurement method, in which a sample to be measured is irradiated with primary electrons and the secondary electrons emitted from the sample are detected by energy analysis, a common A method for measuring an Auger electron spectroscopic spectrum, in which the same modulation voltage is applied, and DC bias voltages of different voltages are superimposed on the modulation voltage and applied to each of the plurality of regions.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62118680A JPS62294948A (en) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | Measurement of auger electron and spectroscopic spectrum |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62118680A JPS62294948A (en) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | Measurement of auger electron and spectroscopic spectrum |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP491078A Division JPS54139593A (en) | 1978-01-19 | 1978-01-19 | Measuring method of auger electron spectral spectra |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62294948A true JPS62294948A (en) | 1987-12-22 |
| JPH0122577B2 JPH0122577B2 (en) | 1989-04-27 |
Family
ID=14742544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62118680A Granted JPS62294948A (en) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | Measurement of auger electron and spectroscopic spectrum |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62294948A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01242945A (en) * | 1988-03-25 | 1989-09-27 | Nec Corp | Fluorescent x-ray analyzer |
-
1987
- 1987-05-14 JP JP62118680A patent/JPS62294948A/en active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01242945A (en) * | 1988-03-25 | 1989-09-27 | Nec Corp | Fluorescent x-ray analyzer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0122577B2 (en) | 1989-04-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69525005T2 (en) | Device for measuring a decay characteristic | |
| US11756776B2 (en) | Amplifier | |
| Liu et al. | Application of a multichannel detection system to the high-resolution fast electron energy loss spectrometer | |
| Durot et al. | Validation and evaluation of a novel time-resolved laser-induced fluorescence technique | |
| JPH04500126A (en) | Method and apparatus for rapid spectral analysis of signals at single or multiple measurement points | |
| US3670172A (en) | Charged particle generating and utilizing | |
| US4134014A (en) | Spectroscopy | |
| CA1254670A (en) | Method and apparatus for identifying points on a specimen having a defined time-dependent signal | |
| JPH05121030A (en) | Apparatus and method for ion beam for measuring potential by using ion beam | |
| JPS62294948A (en) | Measurement of auger electron and spectroscopic spectrum | |
| US3631238A (en) | Method of measuring electric potential on an object surface using auger electron spectroscopy | |
| JPS6254183A (en) | Method and device for monitoring function of integrated circuit during operation | |
| JPS614147A (en) | Method of detecting voltage of measuring point and forming image as well as devide therefor | |
| JPS63735B2 (en) | ||
| Seah et al. | Quantitative aes: the problems of the energy dependent phase shift and modulation amplitude and of the non-ideal behaviour of the channel electron multiplier | |
| JPH0130101B2 (en) | ||
| JPS6088441A (en) | Method of measuring lapse of signal at measuring point | |
| Hardy et al. | A voltage contrast detector for the SEM | |
| US10866141B2 (en) | Device and method for spectral analysis | |
| JPS606876A (en) | Potential measuring device | |
| Takagi et al. | Phase noise and a low-frequency noise reduction method in bipolar transistors | |
| JP3639238B2 (en) | High frequency magnetic image sensor | |
| US3764803A (en) | Mass spectrometer | |
| GB2552233A (en) | An amplifier | |
| Diebold et al. | Differential photodiode detector for a shock tube laser schlieren system |