JPS62291985A - Semiconductor laser - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
（発明の技術分野）
本発明はＩｎＡｓ基板を用いた２〜３μｍ帯の半導体レ
ーザに係わり、特にその動作温度範囲の改善に関するも
のである。Detailed Description of the Invention 3. Detailed Description of the Invention (Technical Field of the Invention) The present invention relates to a semiconductor laser in the 2-3 μm band using an InAs substrate, and particularly to improvement of its operating temperature range.
（従来技術とその問題点）
現在、シリカ系の光ファイバの性能は理論的な極限に達
しており、１．５μｍ帯で約０．２ｄＢ／ｋｍという最
低損失の光ファイバが量産されつつある。(Prior art and its problems) Currently, the performance of silica-based optical fibers has reached its theoretical limit, and optical fibers with the lowest loss of about 0.2 dB/km in the 1.5 μm band are being mass-produced.
一方、シリカ系の光ファイバに比べて１桁がら２桁の低
損失化が期待されるフッ化物ガラスファイバの研究が近
年注目されている。この光ファイバが実現されれば、２
〜３μｍ帯の波長域で０，０１〜０．００１ｄＢ／ｋｎ
＋の超低損失伝送路が出現し、数１１０００ｋに及ぶ無
中継伝送が可能となる。On the other hand, research on fluoride glass fibers, which are expected to have one to two orders of magnitude lower loss than silica-based optical fibers, has been attracting attention in recent years. If this optical fiber is realized, 2
~0.01~0.001dB/kn in the wavelength range of ~3μm band
An ultra-low loss transmission line will appear, making it possible to transmit transmissions over 11,000 kilograms without repeating.
２〜３μｍ帯の光伝送に用いられる発光源として、Ｉｎ
Ａｓ基板を用いた半導体レーザが有望視されている。こ
の半４体レーザの従来例は、第１図にその断面が模式的
に示されており、ｎ型ＩｎＡｓ基板Ｉｓｎ型ＩｎＡｓ＋
−ｘ−ｙＰｘＳｂｙ発光層３、および発光層に電子を閉
じ込めるためのｐ型１ｎＡＳ１−ｘ、−ｙ・ＰＸ・Ｓｂ
Ｖ、第１のクラッド層４、正孔を閉じ込めるためのｎ型
ＩｎＡｓ 、 −１１−、Ｐ＋ｃ−Ｓｈｙ’第２のクラ
ッド層２からなっており、５．６は電流を流すための電
極である。ここで、ｘ’＞ｘ ｌ ｙ’＞ｙの関係にな
っており、第１．第２のクラッド層、２とも発光層に比
べて大きな禁制帯幅を有している。また、ｙ＝０．４７
ｘ 、 ｙ”＝０．４７ｘ”の条件のもとで、発光層と
第１、第２クラフト層４，２はＩｎＡｓ基板１に格子整
合する。このような半導体レーザでは７７〜１５０にの
低温においてしかレーザ発振が得られない。また、７７
〜１５０にの間においても発振しきい値の温度依存性が
極めて大きく、実用上大きな問題となっている。As a light emitting source used for optical transmission in the 2-3 μm band, In
Semiconductor lasers using As substrates are considered promising. A conventional example of this half-four-body laser, whose cross section is schematically shown in FIG.
-x-yPxSby light-emitting layer 3, and p-type 1nAS1-x, -y・PX・Sb for confining electrons in the light-emitting layer
It consists of V, first cladding layer 4, n-type InAs for confining holes, -11-, P+c-Shy' second cladding layer 2, and 5.6 is an electrode for flowing current. . Here, the relationship is x'>x l y'>y, and the first. Both of the second cladding layers 2 have a larger forbidden band width than the light emitting layer. Also, y=0.47
The light emitting layer and the first and second craft layers 4 and 2 are lattice matched to the InAs substrate 1 under the condition that x, y''=0.47x''. In such a semiconductor laser, laser oscillation can only be obtained at a low temperature of 77°C to 150°C. Also, 77
The temperature dependence of the oscillation threshold is extremely large even in the range of 150 to 150 nm, which poses a major practical problem.
第２図は、第１図のレーザにおける禁制帯幅の様子を示
したものである。レーザに順方向バイアスを印加すると
、図に示すように発光層３に電子７と正孔８が注入され
る。発光層３の禁制帯幅に比べてクラフト層２および４
の禁制帯域が大きいため、第１のクラッド層であるｐ型
１ｎＡＳ＋−ｘ・−７・ＰＸ・Ｓｂｙ・４が電子７を、
第２のクラッド層であるｎ型１ｎＡ５１−ｘ’ −ｙ’
ＰＫ’ Ｓｂｙ’ ２が正孔８をそれぞれ発光層３に
閉じ込める役割をする。９はフェルミ準位を示す。発光
層３に閉じ込められた電子７と正孔８が波形矢印１１で
示したように再結合し、発光層３の禁制帯幅にほぼ対応
した波長の光１２が放射される。ところで、ＩｎＡｓｎ
Ａｓ基板子整合するＩｎＡｓＰＳｂ系の半導体材料を用
いる場合、ｘ’ ９０．５Ｌｙ″、？０．２４の領域で
は結晶成長が著しく困難となるため、クラッド層の組成
としてＸ′≦０．５１． ｙ＋≦０．２４に制限され
る。従って、クラッド層の禁制帯幅は７７にで高々約０
．６ｅＶとなり、発光Ｍ３の禁制帯幅を０．５ｅＶ （
波要約２．５μｍに対応）とすると、その差ΔＥｇは高
々０．１ｅＶである。発光層３に注入された電子７と正
孔８は７７Ｋ又はそれ以下の低温においては、それぞれ
伝導帯の下部と、価電子帯の上部に分布するので、上記
の禁制帯幅の差０．１ｅＶで効果的に発光層３内に閉じ
込められるが、温度上昇とともに熱エネルギーによって
電子７と正孔８の分布がエネルギー的に広がってくる。FIG. 2 shows the forbidden band width in the laser shown in FIG. When a forward bias is applied to the laser, electrons 7 and holes 8 are injected into the light emitting layer 3 as shown in the figure. Craft layers 2 and 4 compared to the forbidden band width of light emitting layer 3.
Because the forbidden band of is large, the first cladding layer, p-type 1nAS+-x・-7・PX・Sby・4,
n-type 1nA51-x'-y' which is the second cladding layer
PK'Sby' 2 serves to confine the holes 8 in the light emitting layer 3, respectively. 9 indicates the Fermi level. Electrons 7 and holes 8 confined in the light-emitting layer 3 are recombined as shown by a wavy arrow 11, and light 12 having a wavelength approximately corresponding to the forbidden band width of the light-emitting layer 3 is emitted. By the way, InAsn
When using an InAsPSb-based semiconductor material that matches the As substrate, crystal growth becomes extremely difficult in the region of x'90.5Ly'', -0.24, so the composition of the cladding layer should be X'≦0.51.y+ ≦0.24. Therefore, the forbidden band width of the cladding layer is 77 and at most about 0.
．． 6eV, and the forbidden band width of the light emission M3 is 0.5eV (
(corresponding to a wave length of 2.5 μm), the difference ΔEg is at most 0.1 eV. At low temperatures of 77 K or lower, the electrons 7 and holes 8 injected into the light emitting layer 3 are distributed in the lower part of the conduction band and the upper part of the valence band, respectively, so the difference in the forbidden band width is 0.1 eV. However, as the temperature rises, the distribution of electrons 7 and holes 8 expands in terms of energy due to thermal energy.
特にこの材料の電子は有効質量が極めて小さいので、第
２図に示したように、伝導帯の上部にまで広がって分布
する。従って、注入された電子７０大半が０．１ｅＶの
禁制帯幅の差ΔＥｇを超えて発光層３から二重矢印１０
の方向に漏れてしまう。すなわち、電子７は有効に発光
層３に閉じ込められずに、発振しきい値が著しく大きく
なる。In particular, since the effective mass of electrons in this material is extremely small, their distribution extends to the upper part of the conduction band, as shown in FIG. Therefore, most of the injected electrons 70 are transferred from the light emitting layer 3 to the double arrow 10 by exceeding the forbidden band width difference ΔEg of 0.1 eV.
leaks in the direction of That is, the electrons 7 are not effectively confined in the light emitting layer 3, and the oscillation threshold becomes significantly large.
このように、従来のＩｎＡｓ／ ＩｎＡｓＰＳｂ半導体
レーザは、動作温度範囲が非常に近い温度に限定される
という本質的な欠陥を有していた。As described above, conventional InAs/InAsPSb semiconductor lasers had an essential defect in that the operating temperature range was limited to very close temperatures.
（発明の目的）
本発明は、上述のＩｎＡｓ基板およびＩｎＡｓＰＳｂか
ら構成される半導体レーザの欠点を克服するために、発
振闇値を著しく増大させることなく広い動作温度範囲を
有せしめた２〜３μｍ帯の半導体レーザを提供すること
を目的とする。(Object of the Invention) In order to overcome the drawbacks of the semiconductor laser composed of the above-mentioned InAs substrate and InAsPSb, the present invention provides a 2-3 μm band laser that has a wide operating temperature range without significantly increasing the oscillation darkness value. The purpose of the present invention is to provide a semiconductor laser of the type.
（発明の構成）
本発明の特徴は、発光層を挟み、かつ電子を閉し込める
第１のクランド層と正孔を閉じ込める第２のクラッド層
のうち、少なくとも第１のクラッド層の１部または全部
がＩｎとＧａとの少なくとも一方とＡｌ、Ａｓ及びＳｂ
との組合わせからなる４元もしくは５元の化合物半導体
層で形成されたことであり、特に発光層の禁制帯幅と該
第１のクラッド層の禁制帯幅の差を大きくすれば、１５
０に以上の温度条件の下で発光層に電子を閉じ込めるこ
とができる。(Structure of the Invention) A feature of the present invention is that at least a part of the first cladding layer or All contain at least one of In and Ga, Al, As, and Sb
In particular, if the difference between the forbidden band width of the light-emitting layer and the forbidden band width of the first cladding layer is increased, 15
Electrons can be confined in the light-emitting layer under temperature conditions of 0 or higher.
以下に図面を用いて本発明の詳細な説明する。The present invention will be described in detail below using the drawings.
なお、以下の説明では従来と同一構成については同一番
号を付し、説明の重複を省（。In addition, in the following explanation, the same numbers are attached to the same configurations as the conventional one to avoid duplication of explanation.
（実施例１）
第３図は本発明による第１の実施例であり、半導体レー
ザの断面模式図である。(Example 1) FIG. 3 is a first example according to the present invention, and is a schematic cross-sectional view of a semiconductor laser.
ＩｎＡｓ１板１上に正孔を閉じ込める第２のクラッド層
であるｎ型ＩｎＡｓＰＳｂＦｊｆ ２、ｎ型ｒｎＡｓＰ
Ｓｂ発光層３、第１のクラフト層であるｐ型／ｌ ｌ
ＧａＡｓＳｂ層１３とｐ型ＩｎＡｓＰＳｂ層４とを積層
し、電極５及び６を設けた構造となっている。n-type InAsPSbFjf 2, n-type rnAsP, which is the second cladding layer that confines holes on the InAs1 plate 1
Sb light emitting layer 3, p-type/l l which is the first craft layer
It has a structure in which a GaAsSb layer 13 and a p-type InAsPSb layer 4 are laminated, and electrodes 5 and 6 are provided.
従来例の第１図との違いは、発光層３上に設けられたｐ
型Ａ Ｉ ＧａＡｓＳｂ層１３である。Ａ Ｉ ＧａＡ
ｓＳｂ層１３は、ＩｎＡｓ基板１と格子整合を取りつつ
禁制帯幅が約１．５ｅＶ程度に対応する組成まで結晶成
長を行うことが可能である。従って、発光層３との禁制
帯幅の差ΔＥｇを約１ｅＶと非常に大きく取ることがで
き、第４図に示したように、温度上昇に伴い電子７の分
布が広がっても発光層３からｐ型ＡｌＧａＡｓ５ｂＪｉ
Ｊ１３に漏れることはない。従って、電子７も有効に発
光層３に閉じ込められるため、温度上昇に伴う著しい発
振しきい値の増大は避けることができ、室温近くの約３
００″にとかなり高い温度まで動作範囲を広げることが
できる。本実施例では、ｐ型ＩｎＡｓＰＳｂ ４もクラ
フト層であるため、電子７を閉じ込めるための第１のク
ラッド層の１部がＡ Ｉ ＧａＡｓＳｂ層から成る場合
に相当する。また、発光層３の上に薄いｐ型ｒｎＡｓＰ
Ｓｂ層を積層し、さらにその上に厚いｐ型Ａ Ｉ Ｇａ
ＡｓＳｂを配置しても同様な効果が得られる。The difference from the conventional example shown in FIG.
It is a type A I GaAsSb layer 13. A I GaA
The sSb layer 13 can be crystal-grown to a composition corresponding to a forbidden band width of about 1.5 eV while maintaining lattice matching with the InAs substrate 1. Therefore, the difference ΔEg in the forbidden band width with the light-emitting layer 3 can be set to a very large value of about 1 eV, and as shown in FIG. p-type AlGaAs5bJi
It will not leak to J13. Therefore, since the electrons 7 are also effectively confined in the light-emitting layer 3, it is possible to avoid a significant increase in the oscillation threshold due to temperature rise.
The operating range can be expanded to a considerably high temperature such as 00''. In this example, since the p-type InAsPSb 4 is also a kraft layer, a part of the first cladding layer for confining the electrons 7 is made of A I GaAsSb. In addition, a thin p-type rnAsP layer is formed on the light-emitting layer 3.
A Sb layer is laminated, and a thick p-type AI Ga layer is layered on top of the Sb layer.
A similar effect can be obtained by arranging AsSb.
（実施例２）
第５図は、本発明による第２の実施例を示したものであ
る。ここでは発光層３の上の第１のｐ型クラッド層が全
部ｐ型Ａ ｊ！ ＧａＡｓＳｂ層１３となった場合であ
る。さらに、本実施例では、正孔を閉じ込めるための第
２のクラッド層の一部としてｎ型Ａ Ｉ ＧａＡｓＳｂ
層１４を用い、このｎ型Ａ Ｉ ＧａＡｓＳｂ層１４と
ｎ型ＩｎＡｓＰＳｂ層２の境界に４分の１波長シフト１
６を有する回折格子１５を設けた構成となっている。(Example 2) FIG. 5 shows a second example according to the present invention. Here, the first p-type cladding layer on the light-emitting layer 3 is entirely p-type A j! This is the case where the GaAsSb layer 13 is formed. Furthermore, in this example, n-type AI GaAsSb is used as part of the second cladding layer for confining holes.
layer 14, a quarter wavelength shift 1 is applied to the boundary between the n-type A I GaAsSb layer 14 and the n-type InAsPSb layer 2.
It has a configuration in which a diffraction grating 15 having a diameter of 6 is provided.
１７、１８は無反射コーテイング膜である。このような
半導体レーザでは、動作温度範囲が広がるばかりでなく
、４分の１波長シフト回折格子と無反射コーテイング膜
の効果により安定な単一波長発振が得られる。17 and 18 are anti-reflection coating films. In such a semiconductor laser, not only the operating temperature range is widened, but also stable single wavelength oscillation can be obtained due to the effects of the quarter wavelength shift diffraction grating and the non-reflection coating film.
（実施例３）
第６図は本発明による第３の実施例であり・埋め込みス
トライプ構造レーザに応用した場合の断面図を示してい
る０層の構成は第５図と同様であるが、ストライプ幅Ｗ
でメサ状にエツチングした後、ｐ型Ａ Ｉ ＧａＡｓＳ
ｂ層１９．ｐ型ＩｎＡｓＰＳｂ層２０．ｎ型ＩｎＡｓＰ
Ｓｂ層２１．およびｐ型ＩｎＡｓＰＳｂ層２２を同図の
ように順次埋め込み成長したものである。ｐ型Ａ Ｉ
ＧａＡｓＳｂ層１９によって電子は横方向にも発光層３
に有効に閉じ込められるため、動作温度範囲をさらに高
温まで広げることができる。なお、本発明が上述の埋め
込みストライプ構造だけでなく、平凸ｍ波路構造等各種
のストライプ構造にも通用することができる。(Example 3) Figure 6 shows a third example according to the present invention, and shows a cross-sectional view when applied to a buried stripe structure laser.The structure of the zero layer is the same as that in Figure 5, but the stripe Width W
After etching into a mesa shape, p-type AI GaAsS
B layer 19. p-type InAsPSb layer 20. n-type InAsP
Sb layer 21. and a p-type InAsPSb layer 22 are sequentially buried and grown as shown in the figure. p-type AI
Due to the GaAsSb layer 19, electrons can also be transferred laterally to the light emitting layer 3.
This allows the operating temperature range to be extended to even higher temperatures. Note that the present invention can be applied not only to the above-mentioned buried stripe structure but also to various stripe structures such as a plano-convex m-wave path structure.
（実施例４）
第７図は本発明による別の実施例を示したもので、量子
井戸半導体レーザを構成したものである。(Embodiment 4) FIG. 7 shows another embodiment according to the present invention, in which a quantum well semiconductor laser is constructed.
ｎ型ＩｎＡｓ基板１０１上に禁制帯幅約１．５ｅＶのｎ
型Ａ ｌ ｏ、 ｈｓＧａｏ、 ：１ＳＡＳＯ，ｌ ５
Ｓｂｏ、 ｓｓクラッドＪ３ １０２． 次いで斜線
で示したＴｎＡｓ量子井戸発光Ｎ ＜ｒｎＡｓＩ−ｗ−
ｙｐ、Ｓｂ、発光層のｘ＝ｙ＝Ｑの場合に相当）１０４
と禁制帯幅約０．９ｅＶの八ｌ ｏ、 １５Ｇａ６．６
５ＡＳｏ、 Ｉ ｌ５ｂＯ，ａｌｌバリア層１０３から
なる多重量子井戸構造、ｐ型Ａ ７！ｏ、 ｈｓＧａｏ
、 ３ｓＡｓｏ１ｓＳｂｏ、 ｓｓクラッド層１０５お
よびｐ型ＩｎＡｓ層１０６が形成されている。さらに、
横モード安定化と電流狭さくのため、ｐ型Ａ ” ０．
６５Ｇａｏ、３ｓＡｓｏ、 ＋５Ｓｂｏ、 ｓｓ １０
７とｎ型Ａ ＩｔＯ，ａｓｃａｏ、 １ｓＡｓｏ、＋５
Ｓｂｏ、ｓｓ １０８で埋め込んだ埋め込みストライプ
構造となっている。また、１０９は絶縁膜、１１０と１
１１は電極である。ＩｎＡｓ発光層１０４の膜厚を数１
００人あるいはそれ以下に制御することにより、量子効
果による実効的な禁制帯幅の増大を起こすことができ、
発振波長を２．５〜３．０μｍに制御することができる
。Ａ Ｉ ＧａＡｓＳｂクラッド７５１０２を使用する
効果は前述の通りである。このように本発明は量子井戸
半導体レーザにも適用が可能である。An n-type film with a forbidden band width of about 1.5 eV is formed on the n-type InAs substrate 101.
Type A lo, hsGao, :1SASO,l 5
Sbo, ss clad J3 102. Next, the TnAs quantum well emission N <rnAsI-w- shown with diagonal lines
yp, Sb, corresponding to the case where x=y=Q of the light emitting layer) 104
and a forbidden band width of about 0.9eV, 15Ga6.6
5ASo, Il5bO, multi-quantum well structure consisting of all barrier layers 103, p-type A 7! o, hsGao
, 3sAso1sSbo, ss cladding layer 105 and p-type InAs layer 106 are formed. moreover,
For transverse mode stabilization and current narrowing, p-type A ” 0.
65Gao, 3sAso, +5Sbo, ss 10
7 and n-type A ItO, ascao, 1sAso, +5
It has a buried stripe structure filled with Sbo, ss 108. In addition, 109 is an insulating film, 110 and 1
11 is an electrode. The thickness of the InAs light emitting layer 104 is set to several 1
By controlling it to 00 or less, it is possible to increase the effective forbidden band width due to quantum effects,
The oscillation wavelength can be controlled to 2.5 to 3.0 μm. The effect of using A I GaAsSb cladding 75102 is as described above. In this way, the present invention can also be applied to quantum well semiconductor lasers.
以上の説明ではクラッド層の化合物半導体層としてＡ
Ｉ ＧａＡｓＳｂを用いて説明したが、Ａ ｊ！ Ｇａ
ＡｓＳｂの代わりにＩｎＡ Ｉｔ ＡｓＳｂあるいはＩ
ｎＡ ｊ２ ＧａＡｓＳｂの化合物半導体層を用いて、
これらの化合物半導体層の禁制帯幅をＡ Ｉ ＧａＡｓ
Ｓｂクラフト層と同様に約０．７５〜１．７５ｅＶとな
るようにしても良い。In the above explanation, A is used as the compound semiconductor layer of the cladding layer.
I explained using GaAsSb, but A j! Ga
InA It AsSb or I instead of AsSb
Using a compound semiconductor layer of nA j2 GaAsSb,
The forbidden band width of these compound semiconductor layers is A I GaAs
Similarly to the Sb kraft layer, it may be set to about 0.75 to 1.75 eV.
（発明の効果）
以上説明したように、本発明の半導体レーザでは極低温
域だけでなく、室温付近まで電子を発光層３に有効に閉
じ込められる構造となっているため、従来に比べて動作
温度範囲が大きく向上する。(Effects of the Invention) As explained above, the semiconductor laser of the present invention has a structure in which electrons can be effectively confined in the light-emitting layer 3 not only in the extremely low temperature range but also near room temperature, so the operating temperature is higher than that of the conventional one. Range is greatly improved.
従って、２〜３μｍ帯における有用な発光源となり、超
低損失光ファイバ通信に応用することができ、その効果
は極めて大きい。Therefore, it becomes a useful light emitting source in the 2 to 3 μm band, and can be applied to ultra-low loss optical fiber communication, and its effects are extremely large.
第１図は従来例の構造を示す断面略図、第２図は従来例
の禁制帯幅の状態を示した図、第３図は本発明の実施例
を示す断面略図、第４図は第３図の実施例の禁制帯幅の
状態を示した図、第５図。
第６図及び第７図は本発明の他の実施例を示した断面略
図である。
ｌ −−−ｎ型ＩｎＡｓ基板、 ２＋２１””型ＩｎＡ
ｓＰＳｂ層、３ ・・−ｎ型ＩｎＡｓＰＳｂ発光層、
４ 、２０．２２−Ｐ型ＩｎＡｓＰＳｂ層、 ５．６・
・・電極、 ７・・・電子、８・・・正孔、 ９・・・
フェルミ準位、１０・・・電子のオーバーフロ一方向、
１１・・・再結合、１２−・・放出光、 １３．１９
−Ｐ型Ａ ７！ＧａＡｓＳｂ、１４−ｎ型Ａ Ｉｔ Ｇ
ａＡｓＳｂ、 １５＝−回折格子、１６・・・４分の
１波長シフト、 １７．１８・・・無反射コーテイング
膜、１０１・・・ｎ型ＩｎＡｓ基板、１０２−ｎ型Ａ
Ｉ ＧａＡｓＳｂクラッド層、１０３− Ａ ｊ！ Ｇ
ａＡｓＳｂバリア層、１０４・・・ＩｎＡｓ量子井戸発
光層、１０５”’１）型Ａ Ｉ ＧａＡｓＳｂクラッド
層、１０６・１）型ＩｎＡｓ層、 １０７−１）型Ａ
Ｉｔ ＧａＡｓ５ｂＮ、１０８−ｎ型Ａ ｌｌ ＧａＡ
ｓＳｂ層、 １０９・ｋｌ膜、１１０、１１１・・・電
極。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the structure of a conventional example, FIG. 2 is a view showing the forbidden band width state of the conventional example, FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 5 is a diagram showing the state of the forbidden band width in the embodiment shown in the figure. 6 and 7 are schematic cross-sectional views showing other embodiments of the present invention. l ---n type InAs substrate, 2+21"" type InA
sPSb layer, 3...-n-type InAsPSb light emitting layer,
4, 20.22-P-type InAsPSb layer, 5.6.
...electrode, 7...electron, 8...hole, 9...
Fermi level, 10...electron overflow in one direction,
11... Recombination, 12-... Emitted light, 13.19
-P type A 7! GaAsSb, 14-n type A It G
aAsSb, 15=-diffraction grating, 16... quarter wavelength shift, 17.18... anti-reflection coating film, 101... n-type InAs substrate, 102-n-type A
I GaAsSb cladding layer, 103- A j! G
aAsSb barrier layer, 104...InAs quantum well light emitting layer, 105"'1) type A I GaAsSb cladding layer, 106.1) type InAs layer, 107-1) type A
It GaAs5bN, 108-n type All GaA
sSb layer, 109·kl film, 110, 111... electrode.
Claims (5)
発光層の禁制帯幅よりも大なる禁制帯幅を有する第１の
クラッド層と第２のクラッド層とを少なくとも有する半
導体レーザにおいて、前記第１及び第２のクラッド層の
うち少なくとも前記第１のクラッド層の１部もしくは全
部がＩｎとＧａの少なくとも一方とＡｌ、Ａｓ及びＳｂ
との組合わせからなる４元もしくは５元の化合物半導体
層で形成されたことを特徴とする半導体レーザ。(1) A semiconductor laser having at least an InAsPSb light-emitting layer on an InAs substrate, and a first cladding layer and a second cladding layer each having a forbidden band width larger than that of the light-emitting layer. At least a part or all of the first cladding layer of the second cladding layer is made of at least one of In and Ga, Al, As, and Sb.
A semiconductor laser characterized in that it is formed of a quaternary or quinary compound semiconductor layer consisting of a combination of.
ＧａＡｓＳｂ層であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項に記載の半導体レーザ。(2) Part or all of the first cladding layer is made of Al.
The semiconductor laser according to claim 1, wherein the semiconductor laser is a GaAsSb layer.
ＡｌＡｓＳを層であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項に記載の半導体レーザ。(3) Part or all of the first cladding layer is In.
The semiconductor laser according to claim 1, characterized in that the layer is made of AlAsS.
ＡｌＧａＡｓＳｂ層であることを特徴とする特許請求の
範囲第１項に記載の半導体レーザ。(4) Part or all of the first cladding layer is In.
The semiconductor laser according to claim 1, wherein the semiconductor laser is an AlGaAsSb layer.
び第１と第２のクラッド層がそれぞれ格子整合されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の半導
体レーザ。(5) The semiconductor laser according to claim 1, wherein the InAs substrate, the InAsPSb light emitting layer, and the first and second cladding layers are each lattice matched.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13642686A JPS62291985A (en) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | Semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13642686A JPS62291985A (en) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | Semiconductor laser |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62291985A true JPS62291985A (en) | 1987-12-18 |
Family
ID=15174871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13642686A Pending JPS62291985A (en) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | Semiconductor laser |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62291985A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009113685A1 (en) * | 2008-03-14 | 2009-09-17 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | Infrared light emitting device |
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-
1986
- 1986-06-12 JP JP13642686A patent/JPS62291985A/en active Pending
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