JPS62291030A - 表面処理装置 - Google Patents
表面処理装置Info
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- JPS62291030A JPS62291030A JP61133651A JP13365186A JPS62291030A JP S62291030 A JPS62291030 A JP S62291030A JP 61133651 A JP61133651 A JP 61133651A JP 13365186 A JP13365186 A JP 13365186A JP S62291030 A JPS62291030 A JP S62291030A
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- scattering
- scattered
- surface treatment
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- Pending
Links
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Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は、固体表面の処理装置に係り、特に高精度のエ
ツチングと表面改質と表面清浄化と表面への薄膜堆積に
好適な表面処理装置に関する。
ツチングと表面改質と表面清浄化と表面への薄膜堆積に
好適な表面処理装置に関する。
従来、低エネルギーイオンの固体表面での後払散乱現象
については、アプライド、フィジックス、９ （１９７
６） Ｐ、 ２６１ （Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 ９
（１９７６）Ｐ、２６１）において論じられている。前
方散乱現象についてはケミカルフィジックス レター１
００ （１９８３） Ｐ 、 ２１４ （Ｃｈｅｍ、
Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔ；ｔ、ｅｒｓｌ、 ００ （１９８
３） Ｉ）、 ２１４）において、論じられ、散乱現象
と同時にリコイル現象（表面原子が入射イオンにより表
面からたたき出される現象）がおこるとされている。
については、アプライド、フィジックス、９ （１９７
６） Ｐ、 ２６１ （Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 ９
（１９７６）Ｐ、２６１）において論じられている。前
方散乱現象についてはケミカルフィジックス レター１
００ （１９８３） Ｐ 、 ２１４ （Ｃｈｅｍ、
Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔ；ｔ、ｅｒｓｌ、 ００ （１９８
３） Ｉ）、 ２１４）において、論じられ、散乱現象
と同時にリコイル現象（表面原子が入射イオンにより表
面からたたき出される現象）がおこるとされている。
イオン散乱現象を利用し表面処理においては中性化した
粒子線が表面処理を行い、表面帯電現象が少なくなる利
点がある。しか【ッ、前記文献でのりコイル現象を考慮
に入れろと、ｆｔＸ乱固体表面原子が散乱粒子と混ざり
、被処理物の表面へ入射し、表面を汚してしまう問題点
があった、。
粒子線が表面処理を行い、表面帯電現象が少なくなる利
点がある。しか【ッ、前記文献でのりコイル現象を考慮
に入れろと、ｆｔＸ乱固体表面原子が散乱粒子と混ざり
、被処理物の表面へ入射し、表面を汚してしまう問題点
があった、。
本発明の目的は、イオン線が散乱固体原−ｒ−をリコイ
ルせず、散乱粒子線には表面処理に必要な粒子だけが入
射するようにした表面処理装置を提供することにある。
ルせず、散乱粒子線には表面処理に必要な粒子だけが入
射するようにした表面処理装置を提供することにある。
上記目的は、散乱固体を冷却し、その表面にガスを吸着
させることにより達成される。
させることにより達成される。
冷却された散乱固体表面には、ガス吸着層が形成され、
入射するイオンビー１１は、散乱体表面原子ではなく、
ガス吸着層の原子・分子をリコイルする。それによって
、試料表面に入射する粒子としては、散乱粒子と吸着層
からのりコイル粒子とガス分子となって、試料表面処理
への散乱固体表面原子の混入を防止することができる。
入射するイオンビー１１は、散乱体表面原子ではなく、
ガス吸着層の原子・分子をリコイルする。それによって
、試料表面に入射する粒子としては、散乱粒子と吸着層
からのりコイル粒子とガス分子となって、試料表面処理
への散乱固体表面原子の混入を防止することができる。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。本装
置はイオン源１より引き出したイオンビー１１２を散乱
用固体３に照射し、表面で散乱された粒？−４を被処理
物質５へ入射させ表面処理を行う装置の１例である。本
発明では、散乱用固体３を冷却するため冷却装置６を設
けたことに特徴がある。冷却した固体３の表面には、反
応槽内に導入したガス７が吸着する。散乱体３に入射す
るイオンビー１１の大部分は、このガス吸着層で、散乱
される。入射イオンの一部が吸着物をリコイルして表面
から飛び出させる。冷却すると、室温しこお（：３） いて表面に吸着する。したがって、冷却した場合、元の
散乱固体表面原子の種類によらずに、散乱ビ１１とリコ
イルビーｌ）を試料表面５に入射させることができ、冷
却せずリコイルした散乱固体原子が試料表面へ入射し、
汚染源もしくは不純物となる事を防ぐことができる。
置はイオン源１より引き出したイオンビー１１２を散乱
用固体３に照射し、表面で散乱された粒？−４を被処理
物質５へ入射させ表面処理を行う装置の１例である。本
発明では、散乱用固体３を冷却するため冷却装置６を設
けたことに特徴がある。冷却した固体３の表面には、反
応槽内に導入したガス７が吸着する。散乱体３に入射す
るイオンビー１１の大部分は、このガス吸着層で、散乱
される。入射イオンの一部が吸着物をリコイルして表面
から飛び出させる。冷却すると、室温しこお（：３） いて表面に吸着する。したがって、冷却した場合、元の
散乱固体表面原子の種類によらずに、散乱ビ１１とリコ
イルビーｌ）を試料表面５に入射させることができ、冷
却せずリコイルした散乱固体原子が試料表面へ入射し、
汚染源もしくは不純物となる事を防ぐことができる。
散乱固体の温度は導入ガスに応じて違った温度に設定す
ることができる。ガスの液化温度以下でかつ固化温度以
上に設定すると、入射イオンが液体表面で散乱される現
象と液体表面原子をリコイルさせる現象がおき、表面で
散乱した粒子とりコイル粒子の割合が、固体表面で散乱
した場合より大きくなる。ガス液化温度以上では、ガス
の表面への吸着が十分ではなく散乱固体表面の原子もリ
コイルされ、ガスにょろりコイル粒子と混入するが、入
射イオン粒子密度に対し表面へ入射するガス粒子数を多
くすると、混入が少なくなり、本発明の表面処理装置用
散乱体として使用できる。
ることができる。ガスの液化温度以下でかつ固化温度以
上に設定すると、入射イオンが液体表面で散乱される現
象と液体表面原子をリコイルさせる現象がおき、表面で
散乱した粒子とりコイル粒子の割合が、固体表面で散乱
した場合より大きくなる。ガス液化温度以上では、ガス
の表面への吸着が十分ではなく散乱固体表面の原子もリ
コイルされ、ガスにょろりコイル粒子と混入するが、入
射イオン粒子密度に対し表面へ入射するガス粒子数を多
くすると、混入が少なくなり、本発明の表面処理装置用
散乱体として使用できる。
設置温度をガスの固化温度以下に設定すると、散乱固体
表面に吸着するガスが固化する。散乱さく４） れるビーム粒子数とりコイル粒子数の割合は、上記２つ
の温度範囲での割合より大きくなる。より強い散乱ビー
ムと固化したガスからのりコイル粒子からなろビーｌ＼
で表面処理ができ、表面処理にはより効果的となる。
表面に吸着するガスが固化する。散乱さく４） れるビーム粒子数とりコイル粒子数の割合は、上記２つ
の温度範囲での割合より大きくなる。より強い散乱ビー
ムと固化したガスからのりコイル粒子からなろビーｌ＼
で表面処理ができ、表面処理にはより効果的となる。
室温（２０℃）以」二においても大気圧下で液体となる
物質を真空槽内に導入した場合、気化温度以下に設定す
ることで、散乱固体原子がリコイルされ、散乱ビーム中
に混入する現象を小さくすることができる。したがって
、真空槽内に導入する物質の液化温度以下に散乱固体の
温度を設定することにより、リコイル粒子の混入を小さ
くでき、表面処理に効果的となる。
物質を真空槽内に導入した場合、気化温度以下に設定す
ることで、散乱固体原子がリコイルされ、散乱ビーム中
に混入する現象を小さくすることができる。したがって
、真空槽内に導入する物質の液化温度以下に散乱固体の
温度を設定することにより、リコイル粒子の混入を小さ
くでき、表面処理に効果的となる。
２種以上の混合ガスを反応槽内に導入した場合、各ガス
の固化温度の最低温度以下に散乱固体の温度を設定した
場合は、−上記一種類のガス固化温度の場合と同様の効
果がある。各ガスの液化温度の最高温度以」−において
も、上記一種類のガスの場合と同様の効果がある。液化
温度の最高温度以下であり最低固化温度以１−において
は、表面処理を阻害する元素を含むガスが表面に吸着し
固体化しないように温度を設定する方法が効果的となる
。
の固化温度の最低温度以下に散乱固体の温度を設定した
場合は、−上記一種類のガス固化温度の場合と同様の効
果がある。各ガスの液化温度の最高温度以」−において
も、上記一種類のガスの場合と同様の効果がある。液化
温度の最高温度以下であり最低固化温度以１−において
は、表面処理を阻害する元素を含むガスが表面に吸着し
固体化しないように温度を設定する方法が効果的となる
。
散乱固体を設置した真空槽と試料を置いた反応槽を差動
排気した表面処理装置においては、各槽に異なったガス
を導入することが可能であり、上記設定温度に準じて散
乱固体を冷却する方法が表面処理に効果的となる。
排気した表面処理装置においては、各槽に異なったガス
を導入することが可能であり、上記設定温度に準じて散
乱固体を冷却する方法が表面処理に効果的となる。
以上本発明によれば、リコイルによる散乱固体の表面原
子が被処理物表面を汚染することを効果的に防止できる
。
子が被処理物表面を汚染することを効果的に防止できる
。
第１図は本発明の一実施例の表面処理装置の概略図。
Claims (1)
- １、イオン線を固体表面に照射し、その表面において散
乱された粒子線を試料固体表面に入射させて試料表面の
処理を行う装置において、イオン線を散乱させる固体を
冷却する手段とその表面にガス吸着を行わしめる手段と
設けてなることを特徴とする表面処理装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61133651A JPS62291030A (ja) | 1986-06-11 | 1986-06-11 | 表面処理装置 |
| KR1019870000364A KR940000915B1 (ko) | 1986-01-31 | 1987-01-19 | 표면 처리방법 |
| US07/009,784 US4857137A (en) | 1986-01-31 | 1987-02-02 | Process for surface treatment |
| KR1019940016158A KR960009823A (ko) | 1986-01-31 | 1994-07-06 | 에칭방법 |
| KR1019940016157A KR960009822A (ko) | 1986-01-31 | 1994-07-06 | 대전방지방법 및 대전방지용 이온 빔장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61133651A JPS62291030A (ja) | 1986-06-11 | 1986-06-11 | 表面処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62291030A true JPS62291030A (ja) | 1987-12-17 |
Family
ID=15109769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61133651A Pending JPS62291030A (ja) | 1986-01-31 | 1986-06-11 | 表面処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62291030A (ja) |
-
1986
- 1986-06-11 JP JP61133651A patent/JPS62291030A/ja active Pending
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