JPS62286948A - 6−ヒドロキシ−2−ナフトンの製造法 - Google Patents
6−ヒドロキシ−2−ナフトンの製造法Info
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- JPS62286948A JPS62286948A JP62126074A JP12607487A JPS62286948A JP S62286948 A JPS62286948 A JP S62286948A JP 62126074 A JP62126074 A JP 62126074A JP 12607487 A JP12607487 A JP 12607487A JP S62286948 A JPS62286948 A JP S62286948A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C45/00—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds
- C07C45/51—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds by pyrolysis, rearrangement or decomposition
- C07C45/54—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds by pyrolysis, rearrangement or decomposition of compounds containing doubly bound oxygen atoms, e.g. esters
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明]
本発明は6−ヒドロキシ−2−アセトナフトン等の6−
ヒドロキシ−2−ナフトンの製造法に関する。
ヒドロキシ−2−ナフトンの製造法に関する。
(発明の背景)
6−ヒドロキシ−2−アセトナフトン(6,2−HA
N )等の6−ヒドロキシ−2−ナフトンは多くの最終
用途を有する種々の製品用の中間体として知られている
。1985年6月18日発行の米国特許第4.524.
217号には芳香族基が2,6−ナフチレンでありうる
ヒドロキシ芳香族ケトンをN−アシル−アシロキシ芳香
族アミン(これは異方性溶融木目を形成できて成形品、
繊維、フィルム等に成形するに適するポリ(エステル−
アミトンの製造に用いうる)の製造用中間体として用い
ることが開示されている。1984年7月24日出願の
米国特許出願第087633.832号には、6.2−
HA N等のヒドロキシ芳香族ケトンを用いて6−アセ
トキシ−2−ナフトエ酸(6,2−ANA)(これは成
形品製造に適する異方性溶融体になしうろポリマーをつ
くるために直接用いうろ)等の1セトキシ芳香族カルボ
ン酸を製造する方法が開示きれている。1984年10
月17日出願の米国特許出願第067661、552号
及び1985年1月7日出願の米国特許出願第0676
89.533号には、8.2−HA N等のにドロキシ
芳香族ケトンを2,6−シヒドロキシナフタレン及びそ
れらのエステル及びエーテル等の芳香族ジオール(これ
らは重合モノマー、写真現像剤、重合禁止剤、染料中間
体及び抗酸化剤としての有用性を持っている)の製造用
中間体として用いる方法が開示されている。
N )等の6−ヒドロキシ−2−ナフトンは多くの最終
用途を有する種々の製品用の中間体として知られている
。1985年6月18日発行の米国特許第4.524.
217号には芳香族基が2,6−ナフチレンでありうる
ヒドロキシ芳香族ケトンをN−アシル−アシロキシ芳香
族アミン(これは異方性溶融木目を形成できて成形品、
繊維、フィルム等に成形するに適するポリ(エステル−
アミトンの製造に用いうる)の製造用中間体として用い
ることが開示されている。1984年7月24日出願の
米国特許出願第087633.832号には、6.2−
HA N等のヒドロキシ芳香族ケトンを用いて6−アセ
トキシ−2−ナフトエ酸(6,2−ANA)(これは成
形品製造に適する異方性溶融体になしうろポリマーをつ
くるために直接用いうろ)等の1セトキシ芳香族カルボ
ン酸を製造する方法が開示きれている。1984年10
月17日出願の米国特許出願第067661、552号
及び1985年1月7日出願の米国特許出願第0676
89.533号には、8.2−HA N等のにドロキシ
芳香族ケトンを2,6−シヒドロキシナフタレン及びそ
れらのエステル及びエーテル等の芳香族ジオール(これ
らは重合モノマー、写真現像剤、重合禁止剤、染料中間
体及び抗酸化剤としての有用性を持っている)の製造用
中間体として用いる方法が開示されている。
ダベンポート及びリンスチットの米国特許第4.593
、125号には、2−ナフトール等の2〜置換ナフタレ
ンを触媒として無水フッ化水素を用いてアシル化して6
−とドロキシ−2−アセトナフトン等の6−置換−2−
ナフトンを製造する方法が開示されている。
、125号には、2−ナフトール等の2〜置換ナフタレ
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−とドロキシ−2−アセトナフトン等の6−置換−2−
ナフトンを製造する方法が開示されている。
ルイスの米国特許第2.833.825号は、ベーター
ナフトール等のフェノール性化合物のヒドロキシアリー
ルアルキルケトンへの転位に触媒として無水フッ化水素
を用いる方法を開示している。この特許の実施例は高級
脂肪酸エステルの転位に限られておりその収率は55〜
95%の範囲である。
ナフトール等のフェノール性化合物のヒドロキシアリー
ルアルキルケトンへの転位に触媒として無水フッ化水素
を用いる方法を開示している。この特許の実施例は高級
脂肪酸エステルの転位に限られておりその収率は55〜
95%の範囲である。
シモンズ等はジャーナル・オブ・ザ・アメリカン・ケミ
カル・ソサエティ (1人C5) 、 62.485及
び488 (1940)で種々の転位反応用の縮合剤と
してのフッ化水素の使用を開示しており、その486頁
には酢酸フェニルの7リ一ス転位によるp−ヒドロキシ
アセトフェノンの製造が開示されている。
カル・ソサエティ (1人C5) 、 62.485及
び488 (1940)で種々の転位反応用の縮合剤と
してのフッ化水素の使用を開示しており、その486頁
には酢酸フェニルの7リ一ス転位によるp−ヒドロキシ
アセトフェノンの製造が開示されている。
アーランゲン大学の応用化学部門の一連の報告の1部に
含まれ、1954年1月7日に受は付けられAn−na
len der Chemie 587 Band、
1〜15頁で公告された学位論文でダン及びミリアス
はフッ化水素中で酢酸フェニルを転位して24時間の反
応後に81%の最高収率で4−ヒドロキシアセトフェノ
ンを得ている。彼らはまたケー・ウェイチャートがAn
ge−*andte ChetaIe 5B、 338
(1943)でこの反応で92%の収率を得たことを
報告しているが、収率の相違はウェイチャートが同伴す
る2−ヒドロキシアセトフェノンを無視したことが原因
の一つではないかということを示唆している。ダンとミ
リアスはまた酢酸m−クレジル、酢酸p−クレジル及び
酢酸グアヤコールのフッ化水素中での転位で幾分低い収
率でとドロキシ芳香族ケトンが得られることを報告して
いる。
含まれ、1954年1月7日に受は付けられAn−na
len der Chemie 587 Band、
1〜15頁で公告された学位論文でダン及びミリアス
はフッ化水素中で酢酸フェニルを転位して24時間の反
応後に81%の最高収率で4−ヒドロキシアセトフェノ
ンを得ている。彼らはまたケー・ウェイチャートがAn
ge−*andte ChetaIe 5B、 338
(1943)でこの反応で92%の収率を得たことを
報告しているが、収率の相違はウェイチャートが同伴す
る2−ヒドロキシアセトフェノンを無視したことが原因
の一つではないかということを示唆している。ダンとミ
リアスはまた酢酸m−クレジル、酢酸p−クレジル及び
酢酸グアヤコールのフッ化水素中での転位で幾分低い収
率でとドロキシ芳香族ケトンが得られることを報告して
いる。
1977年10月27日公開のミニ−ストールファーと
ニーデルプラムのドイツ特開2.618.986号には
、フッ化水素の存在下にフェノールと置換フェノールを
1シルクロリドでアシル化して高収率、高選択率で4−
アシル誘導体を製造する方法が開示されている。彼らは
2−ナフトールと7−クロロ−2−ナフトールが彼らの
方法でアシル化できろことを開示しているがナフトール
誘導体のアシル化法については何も示唆していずまたか
かるナフトール誘導体からどのような異性体が生成する
かも示唆していない。
ニーデルプラムのドイツ特開2.618.986号には
、フッ化水素の存在下にフェノールと置換フェノールを
1シルクロリドでアシル化して高収率、高選択率で4−
アシル誘導体を製造する方法が開示されている。彼らは
2−ナフトールと7−クロロ−2−ナフトールが彼らの
方法でアシル化できろことを開示しているがナフトール
誘導体のアシル化法については何も示唆していずまたか
かるナフトール誘導体からどのような異性体が生成する
かも示唆していない。
(発明の概要)
本発明によれば、触媒としてフッ化水素を用い、予期せ
ざる高転化率と6,2−異性体への高選択率をもって、
2−ナフチルカルボキシレートエステルの7リース(F
ries)転位により、6−ヒドロキシ−2−ナフトン
を得ることができろ。特に本発明方法は6.2−異性体
への高いレギオ選択率をもたらす。ここでレギオ選択率
は2−ナフチルカルボキシレートエステルの全ヒドロキ
シナフトン異性体への転化量に対する6、2−異性体へ
の転化量の比をモル%で示したものである。
ざる高転化率と6,2−異性体への高選択率をもって、
2−ナフチルカルボキシレートエステルの7リース(F
ries)転位により、6−ヒドロキシ−2−ナフトン
を得ることができろ。特に本発明方法は6.2−異性体
への高いレギオ選択率をもたらす。ここでレギオ選択率
は2−ナフチルカルボキシレートエステルの全ヒドロキ
シナフトン異性体への転化量に対する6、2−異性体へ
の転化量の比をモル%で示したものである。
触媒としてフッ化水素を用いる2−ナフチルカルボキシ
レートエステルのフリース転位にょる6−ヒドロキシ−
2−ナフトンの製造は次式に従って進行する: ここでArとAr’はそれぞれ2−ナフチルと2.6−
ナフチレンを示し、未置換体でも、1,3,4゜5.7
又は8位の少なくとも1の核水素が反応を妨害しない基
で置換されていてもよい。かがる置換基の例としては、
炭素原子1〜18、好ましくは1〜4のアルギル、アル
ケニル、アルキニル、アルコキシ又はアルキルチオ、炭
素原子7〜18、好ましくは7〜1oのアラルキル、ハ
ロゲン、たとえば塩素、臭素又1才沃素があり;旧よ、
たとえば炭素原子1〜18、好ましくは1〜4の1価の
有機基である。Rの例としては炭素原子1〜18、好ま
しくは1〜4のフルキル、アルケニル、アルキニル、ア
ルコキシアルキル、アシルアルキル又はアシロキシアル
キル(これらは未置換体でも塩素、臭素、沃素等のハロ
ゲンの如き置換基を有していてもよい);又はフェニル
又は1−1又は2−ナフチルの如きアリール基(これら
は未置換体でも1又は2以上の核水素が、前記Ar、A
r’でのべたと同様な炭素原子1〜12をもつ適宜のl
l置換基置換していてもよい)がある。最も好ましくは
、Arが未置換2−ナフチルで、Ar’が未置換2.6
−ナフチレンで、Rがメチルであり、この場合この方法
は酢酸2−ナフチルのフリース転位にょる6−ヒドロキ
シ−2−アセトナフトン (6,2−HAN)の製造法
に相当し、次式に従って進行する:本発明により特異的
に高収率で6〜ヒドロキシ−2−ナフトンを得るには、
2−ナフチル又はM換2−ナフチルカルボキシレートエ
ステルを、2−ナフチルカルホキシレー51モル当たり
少な(とも約2゜モル、好ましくは約20〜60モルの
フッ化水素と、好ましくは約O〜100℃、より好まし
くは約50〜75℃で、好ましくは約30分〜8時間、
より好ましくは約2〜4時間、接触させる必要がある。
レートエステルのフリース転位にょる6−ヒドロキシ−
2−ナフトンの製造は次式に従って進行する: ここでArとAr’はそれぞれ2−ナフチルと2.6−
ナフチレンを示し、未置換体でも、1,3,4゜5.7
又は8位の少なくとも1の核水素が反応を妨害しない基
で置換されていてもよい。かがる置換基の例としては、
炭素原子1〜18、好ましくは1〜4のアルギル、アル
ケニル、アルキニル、アルコキシ又はアルキルチオ、炭
素原子7〜18、好ましくは7〜1oのアラルキル、ハ
ロゲン、たとえば塩素、臭素又1才沃素があり;旧よ、
たとえば炭素原子1〜18、好ましくは1〜4の1価の
有機基である。Rの例としては炭素原子1〜18、好ま
しくは1〜4のフルキル、アルケニル、アルキニル、ア
ルコキシアルキル、アシルアルキル又はアシロキシアル
キル(これらは未置換体でも塩素、臭素、沃素等のハロ
ゲンの如き置換基を有していてもよい);又はフェニル
又は1−1又は2−ナフチルの如きアリール基(これら
は未置換体でも1又は2以上の核水素が、前記Ar、A
r’でのべたと同様な炭素原子1〜12をもつ適宜のl
l置換基置換していてもよい)がある。最も好ましくは
、Arが未置換2−ナフチルで、Ar’が未置換2.6
−ナフチレンで、Rがメチルであり、この場合この方法
は酢酸2−ナフチルのフリース転位にょる6−ヒドロキ
シ−2−アセトナフトン (6,2−HAN)の製造法
に相当し、次式に従って進行する:本発明により特異的
に高収率で6〜ヒドロキシ−2−ナフトンを得るには、
2−ナフチル又はM換2−ナフチルカルボキシレートエ
ステルを、2−ナフチルカルホキシレー51モル当たり
少な(とも約2゜モル、好ましくは約20〜60モルの
フッ化水素と、好ましくは約O〜100℃、より好まし
くは約50〜75℃で、好ましくは約30分〜8時間、
より好ましくは約2〜4時間、接触させる必要がある。
6.2−異性体へのレギオ選択率は、添加剤として、ア
ルカン酸(たとえば炭素原子1〜4を有する)又はかか
る酸の無水物を用いろことによって更に改善されうる。
ルカン酸(たとえば炭素原子1〜4を有する)又はかか
る酸の無水物を用いろことによって更に改善されうる。
添加剤を用いる場合には2−ナフチルカルボキシレート
のエステル化用酸と同じ酸、たとえば酢酸2−ナフチル
が出発物質である場合は酢酸又は無水酢酸、を用いろこ
とが好ましい。この添加剤は、2−ナフチルカルボキシ
レートエステルのモル当たりたと丸ば01〜20モル、
好ましくは0.7〜13モル用いうる。
のエステル化用酸と同じ酸、たとえば酢酸2−ナフチル
が出発物質である場合は酢酸又は無水酢酸、を用いろこ
とが好ましい。この添加剤は、2−ナフチルカルボキシ
レートエステルのモル当たりたと丸ば01〜20モル、
好ましくは0.7〜13モル用いうる。
反応は、2−ナフチルカルボキシレートエステルと、用
いろ場合には反応用添加剤(酢酸、無水酢酸等)と、フ
ッ化水素触媒とを耐食性反応器中で所望の反応温度で所
望の反応時間接触させることによって開始されろ。たと
えば2−ナフチルエステルと添加剤(用いる場合)とを
まず反応器に入れ、次いでフッ化水素を反応温度より低
い温度で加え、反応温度を所望の温度に調節し所望の時
間反応させる。フッ化水素は当業者に周知の取り扱い技
術に従って液状でもガス状でも加えうる。反応を行うに
際して(ま、窒素等の不活性ガスを用いて反応空間を所
望の圧力、約25〜約500psig (約0.175
〜約35kg/ei)に保持し、HFを反応液と十分接
触させろことが好ましい。
いろ場合には反応用添加剤(酢酸、無水酢酸等)と、フ
ッ化水素触媒とを耐食性反応器中で所望の反応温度で所
望の反応時間接触させることによって開始されろ。たと
えば2−ナフチルエステルと添加剤(用いる場合)とを
まず反応器に入れ、次いでフッ化水素を反応温度より低
い温度で加え、反応温度を所望の温度に調節し所望の時
間反応させる。フッ化水素は当業者に周知の取り扱い技
術に従って液状でもガス状でも加えうる。反応を行うに
際して(ま、窒素等の不活性ガスを用いて反応空間を所
望の圧力、約25〜約500psig (約0.175
〜約35kg/ei)に保持し、HFを反応液と十分接
触させろことが好ましい。
一般的にいって本発明方法により、2−ナフチルエステ
ル、たと丸ば酢酸2−ナフチル、の転化率が少なくとも
約90%、好ましく:よ少なくとも約95%、6−ヒド
ロキシ−2−ナフトン、たと又は6.2−HANへの選
択率が少なくとも約40%、好ましくは少なくとも約6
0%、6−ヒドロキシ−2−ナフトンへのレギオ選択率
が少なくとも約90%、好ましくは少なくとも約95%
の結果が得られろ。
ル、たと丸ば酢酸2−ナフチル、の転化率が少なくとも
約90%、好ましく:よ少なくとも約95%、6−ヒド
ロキシ−2−ナフトン、たと又は6.2−HANへの選
択率が少なくとも約40%、好ましくは少なくとも約6
0%、6−ヒドロキシ−2−ナフトンへのレギオ選択率
が少なくとも約90%、好ましくは少なくとも約95%
の結果が得られろ。
この方法は相対的に低いフッ化水素/ナフチルエステル
比と低い反応mfを用いて相対的に高収率で6−ヒドロ
キシ−2−ナフトン、を二とえば6.2−HANを生成
しうろ。その結果よりm済的な生成物の′teI!l!
とフッ化水素のリサイクルと、低温使用に由来する省エ
ネルギーをもたらす。
比と低い反応mfを用いて相対的に高収率で6−ヒドロ
キシ−2−ナフトン、を二とえば6.2−HANを生成
しうろ。その結果よりm済的な生成物の′teI!l!
とフッ化水素のリサイクルと、低温使用に由来する省エ
ネルギーをもたらす。
(実施態様の記載)
例1〜9
これらの例は本発明方法をさらに例証するものである。
各側では300 ccのへステロイCオートクレーブに
所定量の酢酸2−ナフチルを入れた。例7.8及び9で
は、酢酸2−ナフチル1モル当たり1モルの無水酢酸を
酢酸2−ナフチルと共に用いた。
所定量の酢酸2−ナフチルを入れた。例7.8及び9で
は、酢酸2−ナフチル1モル当たり1モルの無水酢酸を
酢酸2−ナフチルと共に用いた。
オートクレーブを一50℃に冷却し150鴫[[gに減
圧した。この圧力で温度が0℃をこえない速度で無水フ
ッ化水素がシリング−からオートクレーブに移行した。
圧した。この圧力で温度が0℃をこえない速度で無水フ
ッ化水素がシリング−からオートクレーブに移行した。
内容物を反応温度に加温し、予め定めた反応時間曵拌し
た。そ・の間約40psi(の圧力に保たれた。実験の
終わりにフッ化水素を苛性スクラバーを通して除き、オ
ートクレーブの内容物を約30gの氷上に注いだ。50
%水酸化カリウム溶液を用いて混合物のpHを65に調
節し、次に75m1の酢酸エチル(3x)を用いて抽出
した。
た。そ・の間約40psi(の圧力に保たれた。実験の
終わりにフッ化水素を苛性スクラバーを通して除き、オ
ートクレーブの内容物を約30gの氷上に注いだ。50
%水酸化カリウム溶液を用いて混合物のpHを65に調
節し、次に75m1の酢酸エチル(3x)を用いて抽出
した。
有機溶液を無水MgSO4上で乾燥し、濾過し、回転蒸
発器を用いて溶媒を除去して6−ヒドロキシ−2−ナフ
トンを得た。
発器を用いて溶媒を除去して6−ヒドロキシ−2−ナフ
トンを得た。
各側の反応条件と生成物の分析結果を表1に示す。表片
の略号は、温度(T)、反応時間(1)、酢酸2−ナフ
チル1モル当たりのHFのモル(HF)、酢酸2−ナフ
チルの全生成物への転化率(転化率)、酢酸2−ナフチ
ルの2−ナフトールへの転化率%(2−01)、6−ヒ
ドロキシ−2−アセトナフトン(6,2−HAN)、6
−アセドキンー2−アセトナフトン(6,2−AAN)
、3−ヒドロキシ−2−アセトナフトン(3,2−HA
N)、2−ヒドロキシ−1−アセトナフトン(2,1−
HAN)、及び他のヒドロキシアセトナフトン(HAN
)、6.2−A A Nを含む6.2−HANの収率(
6,2−HAN収率)(これは酢酸2−ナフチル(モル
)の転化率を6.2−HA N+6.2−A A N
(モル)の選択率をt卦けて得られろGC又はHPLC
収率である)、6.2−HANへのレギオ選択率(8,
2−HA Nレギオ選)(これは生成したヒドロキシア
セトナフトンの全異性体のモル数の合計で生成した6、
2−HA Nのモル数を割り、100を掛けることに
よって計算される)、炭素アカウンタビリテイ(炭素ア
カウント)(これはガスクロマトグラフィー(GC)又
は高圧液体クロマトグラフィー(HPLC)によって検
出された生成物の総計である)である。またrN/Jは
入手できないことを、rNDJは測定しなかったことを
示す。
の略号は、温度(T)、反応時間(1)、酢酸2−ナフ
チル1モル当たりのHFのモル(HF)、酢酸2−ナフ
チルの全生成物への転化率(転化率)、酢酸2−ナフチ
ルの2−ナフトールへの転化率%(2−01)、6−ヒ
ドロキシ−2−アセトナフトン(6,2−HAN)、6
−アセドキンー2−アセトナフトン(6,2−AAN)
、3−ヒドロキシ−2−アセトナフトン(3,2−HA
N)、2−ヒドロキシ−1−アセトナフトン(2,1−
HAN)、及び他のヒドロキシアセトナフトン(HAN
)、6.2−A A Nを含む6.2−HANの収率(
6,2−HAN収率)(これは酢酸2−ナフチル(モル
)の転化率を6.2−HA N+6.2−A A N
(モル)の選択率をt卦けて得られろGC又はHPLC
収率である)、6.2−HANへのレギオ選択率(8,
2−HA Nレギオ選)(これは生成したヒドロキシア
セトナフトンの全異性体のモル数の合計で生成した6、
2−HA Nのモル数を割り、100を掛けることに
よって計算される)、炭素アカウンタビリテイ(炭素ア
カウント)(これはガスクロマトグラフィー(GC)又
は高圧液体クロマトグラフィー(HPLC)によって検
出された生成物の総計である)である。またrN/Jは
入手できないことを、rNDJは測定しなかったことを
示す。
例10〜13
反応時間を2時間に一定したことを除き例1〜9の方法
をくりかえした。反応条件と生成物の分析結果を表■に
示す。表Iと異なり、ここでは6.2−HA Nと6.
2−A A Nの収率を分けて記載しである。
をくりかえした。反応条件と生成物の分析結果を表■に
示す。表Iと異なり、ここでは6.2−HA Nと6.
2−A A Nの収率を分けて記載しである。
例14〜18
反応器に酢酸エステルの代わりにプロピオン酸2−ナフ
チルを入れた以外は前記例の方法をくりかえした。反応
条件と生成物の分析結果を表■に示す。ここでは前記表
で示したいくつかの値以外にプロピオ′J酸2−ナフチ
ルの6−ヒドロキシ−2−プロピオナフトンへの転化の
選択率%(6,2−HP N )と後者の収率(6,2
−HP N収率)も示す。
チルを入れた以外は前記例の方法をくりかえした。反応
条件と生成物の分析結果を表■に示す。ここでは前記表
で示したいくつかの値以外にプロピオ′J酸2−ナフチ
ルの6−ヒドロキシ−2−プロピオナフトンへの転化の
選択率%(6,2−HP N )と後者の収率(6,2
−HP N収率)も示す。
例19〜23
反応器に1−酪@2−ナフチルを入れ、反応温度を75
℃で一定にした以外前記例の方法をく秒かえした。反応
条件と生成物の分析結果を表■に示す。ここでは前記表
で示したいくつかの値以外に、6−ヒドロキシ−2−n
−プチロナフトンへの選択率%(8,2−HB N )
、6−プトキシー2−n−プチロナフトンへの選択率%
(6,2−B B N )及びそれらの収率(ソfiソ
fi r6.2−HB N収率」、rG、2−BBNl
151p率」)を示す。
℃で一定にした以外前記例の方法をく秒かえした。反応
条件と生成物の分析結果を表■に示す。ここでは前記表
で示したいくつかの値以外に、6−ヒドロキシ−2−n
−プチロナフトンへの選択率%(8,2−HB N )
、6−プトキシー2−n−プチロナフトンへの選択率%
(6,2−B B N )及びそれらの収率(ソfiソ
fi r6.2−HB N収率」、rG、2−BBNl
151p率」)を示す。
例14〜23では、ガス/液体クロマトグラフィー及び
質量分光測定により6−ヒドロキシ−2−ナフトンが他
のすべてのヒドロキシナフトン異性体の合計量よりもか
なり多量に生成したことが確認された。
質量分光測定により6−ヒドロキシ−2−ナフトンが他
のすべてのヒドロキシナフトン異性体の合計量よりもか
なり多量に生成したことが確認された。
これらの例の結果は本発明方法が2−ナフチルカルボキ
シレートエステルからの6−ヒド四キシ−2−ナフトン
の製造を高い2−ナフチルエステル転化率と高い6−ヒ
ドロキシ−2−ナフトンレギオ選択率とをもって可能に
したことを裏付けている。
シレートエステルからの6−ヒド四キシ−2−ナフトン
の製造を高い2−ナフチルエステル転化率と高い6−ヒ
ドロキシ−2−ナフトンレギオ選択率とをもって可能に
したことを裏付けている。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、2−ナフチルカルボキシレートエステルと該2−ナ
フチルエステル1モル当たり少なくとも約20モルのフ
ッ化水素とを接触させることを特徴とする6−ヒドロキ
シ−2−ナフトンの製造法。 2、該反応が次式に従って起こる特許請求の範囲第1項
記載の方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼ 但しArは2−ナフチルであり、Ar′は2,6−ナフ
チレンであり、Rは炭素原子1〜4を有するアルキルで
ある。 3、2−ナフチルエステル1モル当たりフッ化水素を約
20〜60モル用い、反応を約0〜100℃の温度で約
30分〜8時間行う特許請求の範囲第2項記載の方法。 4、該2−ナフチルカルボキシレートエステルが酢酸2
−ナフチルであり、該6−ヒドロキシ−2−ナフトンが
6−ヒドロキシ−2−アセトナフトンである特許請求の
範囲第3項記載の方法。 5、約50〜75℃の温度で約2〜4時間反応を行う特
許請求の範囲第4項記載の方法。 6、反応添加剤として、酢酸2−ナフチル1モル当たり
0.1〜2モルの酢酸又は無水酢酸の存在下に行う特許
請求の範囲第4項記載の方法。 7、酢酸2−ナフチルの転化率が少なくとも90%であ
り、6−ヒドロキシ−2−アセトナフトンへのレギオ選
択率が生成した全ヒドロキシアセトナフトン類の合計に
基づき少なくとも約90モル%である特許請求の範囲第
4項記載の方法。 8、用いる圧力が約2.5〜約500Psig(約0.
175〜約35kg/cm^2)である特許請求の範囲
第3項記載の方法。 9、用いる圧力が約2.5〜約500psig(約0.
175〜約35kg/cm^2)である特許請求の範囲
第5項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/870,062 US4675449A (en) | 1986-06-03 | 1986-06-03 | Process for producing 6-hydroxy-2-naphthones |
US870062 | 1992-04-17 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62286948A true JPS62286948A (ja) | 1987-12-12 |
JPH0825952B2 JPH0825952B2 (ja) | 1996-03-13 |
Family
ID=25354724
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62126074A Expired - Lifetime JPH0825952B2 (ja) | 1986-06-03 | 1987-05-25 | 6−ヒドロキシ−2−ナフトンの製造法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4675449A (ja) |
EP (1) | EP0264168B1 (ja) |
JP (1) | JPH0825952B2 (ja) |
AT (1) | ATE75715T1 (ja) |
CA (1) | CA1271780A (ja) |
DE (1) | DE3778821D1 (ja) |
ES (1) | ES2032443T3 (ja) |
GR (1) | GR3004506T3 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009079024A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-16 | Air Water Inc | 2−ナフトール誘導体の製造方法 |
JP2010116343A (ja) * | 2008-11-12 | 2010-05-27 | Mitsubishi Gas Chemical Co Inc | 新規ナフトール化合物とその製造方法 |
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---|---|---|---|---|
US5087769A (en) * | 1990-09-26 | 1992-02-11 | Hoechst Celanese Corporation | Preparation of 6-substituted-2-vinylnaphthalene |
Family Cites Families (9)
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US2833825A (en) * | 1954-03-22 | 1958-05-06 | California Research Corp | Preparation of acylphenols |
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DE2616986A1 (de) * | 1976-04-17 | 1977-10-27 | Bayer Ag | Verfahren zur herstellung von hydroxyketonen |
GB8315612D0 (en) * | 1983-06-07 | 1983-07-13 | Ici Plc | Chemical process |
GB8315610D0 (en) * | 1983-06-07 | 1983-07-13 | Ici Plc | Chemical process |
US4607125A (en) * | 1985-04-08 | 1986-08-19 | Celanese Corporation | Process for producing hydroxy aromatic ketones |
CA1257291A (en) * | 1984-10-17 | 1989-07-11 | Harold R. Gerberich | Process for producing aromatic diols and their ester and ether derivatives |
US4593125A (en) * | 1985-03-13 | 1986-06-03 | Celanese Corporation | Acylation of naphthalenes |
-
1986
- 1986-06-03 US US06/870,062 patent/US4675449A/en not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-05-25 JP JP62126074A patent/JPH0825952B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1987-05-27 CA CA000538124A patent/CA1271780A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-06-02 AT AT87304851T patent/ATE75715T1/de not_active IP Right Cessation
- 1987-06-02 EP EP87304851A patent/EP0264168B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-06-02 DE DE8787304851T patent/DE3778821D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-06-02 ES ES198787304851T patent/ES2032443T3/es not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-05-07 GR GR910402233T patent/GR3004506T3/el unknown
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JP2009079024A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-16 | Air Water Inc | 2−ナフトール誘導体の製造方法 |
JP2010116343A (ja) * | 2008-11-12 | 2010-05-27 | Mitsubishi Gas Chemical Co Inc | 新規ナフトール化合物とその製造方法 |
Also Published As
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