JPS6228603A - 非接触式プロフイ−ル測定方法 - Google Patents
非接触式プロフイ−ル測定方法Info
- Publication number
- JPS6228603A JPS6228603A JP16894985A JP16894985A JPS6228603A JP S6228603 A JPS6228603 A JP S6228603A JP 16894985 A JP16894985 A JP 16894985A JP 16894985 A JP16894985 A JP 16894985A JP S6228603 A JPS6228603 A JP S6228603A
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- JP
- Japan
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- eddy current
- profile
- coil
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- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えば熱間圧延ラインの圧延ロール等のプロ
フィールを測定する非接触式プロフィール測定装置の改
良に関する。
フィールを測定する非接触式プロフィール測定装置の改
良に関する。
プロフィールの測定は、鋼板の平坦度、回転電機のロー
タとステータの空隙を一定とするための該ステータの曲
率度、さらには鋼板の板厚形状を適切に制御するための
圧延ロールの真円度等を知る上からも必要不可欠なもの
である。
タとステータの空隙を一定とするための該ステータの曲
率度、さらには鋼板の板厚形状を適切に制御するための
圧延ロールの真円度等を知る上からも必要不可欠なもの
である。
第9図はオンラインによりロールのプロフィールを測定
する図である。同図において1はロール本体であって、
これの両端中心部が主軸体2と心押体3によって保持さ
れている。そして、砥石本体4に内蔵されている駆動源
の回転軸に砥石5が設けられ、砥石本体4611から切
削水をロール本体1の表面に噴射しつつ図示イ矢印方向
に移動させてロール本体表面を切削していく。このロー
ル本体切削後、その砥石5より所定距離を維持させて例
えば砥石5の移動に追従させながら検出器6を移動させ
、ロール本体1のプロフィールを測定している。
する図である。同図において1はロール本体であって、
これの両端中心部が主軸体2と心押体3によって保持さ
れている。そして、砥石本体4に内蔵されている駆動源
の回転軸に砥石5が設けられ、砥石本体4611から切
削水をロール本体1の表面に噴射しつつ図示イ矢印方向
に移動させてロール本体表面を切削していく。このロー
ル本体切削後、その砥石5より所定距離を維持させて例
えば砥石5の移動に追従させながら検出器6を移動させ
、ロール本体1のプロフィールを測定している。
ところで、従来、かかるプロフィール測定用検出器とし
て、接触式のものと非接触式のものがある。接触式のも
のはプロフィールの測定精度が上げられるが、種々の制
約が伴う。例えばプラントの稼動中に圧延ロールのプロ
フィールを測定する場合、ロール冷却水や温度の影響を
直接受け、また所定速度で回転しているので検出器自体
を損傷させる問題がある。
て、接触式のものと非接触式のものがある。接触式のも
のはプロフィールの測定精度が上げられるが、種々の制
約が伴う。例えばプラントの稼動中に圧延ロールのプロ
フィールを測定する場合、ロール冷却水や温度の影響を
直接受け、また所定速度で回転しているので検出器自体
を損傷させる問題がある。
このため、一般にオンライン測定の場合には非接触式の
ものが使用される。この非接触式のものには従来周知の
如く光学式検出器と渦流式検出器がある。光学式検出器
は被測定対象の面部に光を照射し、その反射波をレンズ
等の光学系を介して光電検出素子で検出するものであり
、一方、渦流式検出器はシングルコイルを被測定対象に
対し所定の距離をもって配置し、そのコイルのインピー
ダンス変化から被測定対象までの距離を検出し、プロフ
ィールを測定するものである。
ものが使用される。この非接触式のものには従来周知の
如く光学式検出器と渦流式検出器がある。光学式検出器
は被測定対象の面部に光を照射し、その反射波をレンズ
等の光学系を介して光電検出素子で検出するものであり
、一方、渦流式検出器はシングルコイルを被測定対象に
対し所定の距離をもって配置し、そのコイルのインピー
ダンス変化から被測定対象までの距離を検出し、プロフ
ィールを測定するものである。
しかし、以上のような光学式検出器は、オンライン計測
において例えばロール冷却水を使用するものではその冷
却水の外乱を受けるために、実際上プロフィールを測定
することが不可能である。
において例えばロール冷却水を使用するものではその冷
却水の外乱を受けるために、実際上プロフィールを測定
することが不可能である。
一方1.渦流式検出器にあっては、渦流検出部がシング
ルコイルであるために、測定111Kを上げるために通
常数MHzの高周波の励磁信号(検出信号)が使用され
ている。この結果、例えば測定精度の高い接触式検出器
と前記渦流式検出器とを用いてそれぞれ同一形状の熱間
圧延ロールのプロフィールを測定した場合、第10図に
示すような検出器出力が得られる。図中、(0)は接触
式検出器出力、(ハ)は非接触式渦流式検出器出力を示
す。
ルコイルであるために、測定111Kを上げるために通
常数MHzの高周波の励磁信号(検出信号)が使用され
ている。この結果、例えば測定精度の高い接触式検出器
と前記渦流式検出器とを用いてそれぞれ同一形状の熱間
圧延ロールのプロフィールを測定した場合、第10図に
示すような検出器出力が得られる。図中、(0)は接触
式検出器出力、(ハ)は非接触式渦流式検出器出力を示
す。
従って、この図から明らかなように、非接触式渦流式検
出器の出力は接触式のものと比較してその出力が大幅に
隔たっており、これはロール表面に発生する微細な亀裂
の影響を大きく受けているものと考えられる。
出器の出力は接触式のものと比較してその出力が大幅に
隔たっており、これはロール表面に発生する微細な亀裂
の影響を大きく受けているものと考えられる。
そこで、本発明は以上のような点に着目してなされたも
ので、接触式のものとほぼ同様な測定精度が得られ、か
つオンラインに対しても充分対処し得る非接触式プロフ
ィール測定方法を提供することを目的とする。
ので、接触式のものとほぼ同様な測定精度が得られ、か
つオンラインに対しても充分対処し得る非接触式プロフ
ィール測定方法を提供することを目的とする。
C問題点を解決するための手段〕
本発明は、上記目的を達成するために、被測定対象の表
面までの距離を検出してプロフィールを測定する非接触
式プロフィール測定方法において、コイルを用いて渦流
検出部を構成するとともに、このコイルに供給する励磁
信号の周波数を一定とした状態で前記コイルに現われる
出力電圧の位相弁別を行って被測定対象のプロフィール
を測定するようにしたものである。
面までの距離を検出してプロフィールを測定する非接触
式プロフィール測定方法において、コイルを用いて渦流
検出部を構成するとともに、このコイルに供給する励磁
信号の周波数を一定とした状態で前記コイルに現われる
出力電圧の位相弁別を行って被測定対象のプロフィール
を測定するようにしたものである。
〔作用]
本発明は、以上のような手段とすることにより、渦流検
出部から出力される出力電圧特性を、被測定対象の導電
率とリフトオフ成分とに位相弁別し、リフトオフ成分信
号のみを取出して?1lll定対象プロフィールを測定
することにより、被測定対象の表面に発生する微細な亀
裂等の影響を受けずに接触式と同様な測定精度を得よう
とするものである。
出部から出力される出力電圧特性を、被測定対象の導電
率とリフトオフ成分とに位相弁別し、リフトオフ成分信
号のみを取出して?1lll定対象プロフィールを測定
することにより、被測定対象の表面に発生する微細な亀
裂等の影響を受けずに接触式と同様な測定精度を得よう
とするものである。
以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。一般に、顕微鏡を用いて被測定対象の1つであるロ
ール表面の組織について観察すると、概略第1図に示す
ような模式図をもって表わすことができる。同図におい
て11は黒鉛、12はセメンタイト、13はN1グレン
を示す。従って、第1図に示すような組織構造をもった
ロールに対し、従来のようにシングルコイルを近接配置
してこのコイルに8周波の励磁信号である交流電圧を加
えたとすると、亀裂(クラック)の存在により渦電流を
阻害する大きな抵抗が発生し、その検出信号から正確な
プロフィールを得ることが難しい。
る。一般に、顕微鏡を用いて被測定対象の1つであるロ
ール表面の組織について観察すると、概略第1図に示す
ような模式図をもって表わすことができる。同図におい
て11は黒鉛、12はセメンタイト、13はN1グレン
を示す。従って、第1図に示すような組織構造をもった
ロールに対し、従来のようにシングルコイルを近接配置
してこのコイルに8周波の励磁信号である交流電圧を加
えたとすると、亀裂(クラック)の存在により渦電流を
阻害する大きな抵抗が発生し、その検出信号から正確な
プロフィールを得ることが難しい。
そこで、本発明装置は、従来と同様なシングルコイルを
用いて渦流検出部を構成してもよいが、例えば第2図お
よび第3図に示すように2重コイル構造の渦流検出部を
用い、かつ第4図に示す座標ベクトルに基づいて位相弁
別を行ってリフトオフ成分の出力のみを抽出し、被測定
対象のプロフィール信号を得るものである。具体的には
、1次および2次のコイル14.15と例えば2つの可
変抵抗素子16.17を用いてブリッジ回路を構成する
とともに、これら1次および2次のコイル14.15は
第3図に示すように同芯的に配置して2重コイル構造と
して構成するものである。18はブリッジ回路の各コイ
ル14.15に一定の周波数の励磁信号を供給する信号
供給源である。
用いて渦流検出部を構成してもよいが、例えば第2図お
よび第3図に示すように2重コイル構造の渦流検出部を
用い、かつ第4図に示す座標ベクトルに基づいて位相弁
別を行ってリフトオフ成分の出力のみを抽出し、被測定
対象のプロフィール信号を得るものである。具体的には
、1次および2次のコイル14.15と例えば2つの可
変抵抗素子16.17を用いてブリッジ回路を構成する
とともに、これら1次および2次のコイル14.15は
第3図に示すように同芯的に配置して2重コイル構造と
して構成するものである。18はブリッジ回路の各コイ
ル14.15に一定の周波数の励磁信号を供給する信号
供給源である。
さらに、前記ブリッジ回路の出力は増幅部19によって
所定の増幅度で増幅した後、位相弁別回路20により座
標変換し、後述するZ軸方向の出力、即ちリフトオフ成
分を取出してXYレコーダまたはCRT等の表示部21
に表示するものである・22は被測定対象を示す。
所定の増幅度で増幅した後、位相弁別回路20により座
標変換し、後述するZ軸方向の出力、即ちリフトオフ成
分を取出してXYレコーダまたはCRT等の表示部21
に表示するものである・22は被測定対象を示す。
しかして、第3図において被測定対象21の透磁率μ、
導電率をσ、被測定対象21と渦流検出部であるコイル
とのリフトオフ(ギャップ)をZとし、1次コイルにv
−ioボルトの電圧をかけた場合、横軸を2次コイルに
誘起された1次コイルと同位相の電圧の大きさく実軸)
、縦軸を1次コイルに直交した位相の電圧の大きさく虚
軸)とすると、第4図に示すような座標ベクトル図で表
わすことができる。同図において実線曲線(ニ)はZ−
0、μ−μo k13いて従来と同様な周波数fを用い
て被測定対象21の導電率σを変化させた例である。こ
の図から明らかなように、被測定対象21のμが変化す
ると図示点線(ホ)のように変化し、またリフトオフZ
が大きくなると実線曲線(ニ)が2矢印方向に小さくな
っていくことを示している。
導電率をσ、被測定対象21と渦流検出部であるコイル
とのリフトオフ(ギャップ)をZとし、1次コイルにv
−ioボルトの電圧をかけた場合、横軸を2次コイルに
誘起された1次コイルと同位相の電圧の大きさく実軸)
、縦軸を1次コイルに直交した位相の電圧の大きさく虚
軸)とすると、第4図に示すような座標ベクトル図で表
わすことができる。同図において実線曲線(ニ)はZ−
0、μ−μo k13いて従来と同様な周波数fを用い
て被測定対象21の導電率σを変化させた例である。こ
の図から明らかなように、被測定対象21のμが変化す
ると図示点線(ホ)のように変化し、またリフトオフZ
が大きくなると実線曲線(ニ)が2矢印方向に小さくな
っていくことを示している。
そこで、以上のような座標ベクトル図において実線曲線
(ニ)方向つまり接線方向(へ)は導電率σにより変化
することに看目し、前記信号供給源18から出力される
励磁信号の周波数fが一定のとき被測定対象22の組織
変化により前記導電率σを可変していくと、第5図に示
すようにブリッジ回路出力が異なって出力される。なお
、同図(a)は励磁周波数fが1KH1、同図(b)
は100KHzの場合を示している。従って、この図か
ら明らかなように、励磁周波数fを低い値とするかまた
は導電率の変化成分を除けば、被測定対象22の表面亀
裂等の組織成分の影響を除去できることが分る。
(ニ)方向つまり接線方向(へ)は導電率σにより変化
することに看目し、前記信号供給源18から出力される
励磁信号の周波数fが一定のとき被測定対象22の組織
変化により前記導電率σを可変していくと、第5図に示
すようにブリッジ回路出力が異なって出力される。なお
、同図(a)は励磁周波数fが1KH1、同図(b)
は100KHzの場合を示している。従って、この図か
ら明らかなように、励磁周波数fを低い値とするかまた
は導電率の変化成分を除けば、被測定対象22の表面亀
裂等の組織成分の影響を除去できることが分る。
一方、励磁周波数fを1Klb、100K)tzとした
時、第6図(a)、・(b)に示すようにリフトオフZ
成分は変化を呈する。そして、この第6図(a)の出力
と実際の接触式検出器の出力(第7図)とを比較すると
、その出力はほぼ同じような結果が得られる。
時、第6図(a)、・(b)に示すようにリフトオフZ
成分は変化を呈する。そして、この第6図(a)の出力
と実際の接触式検出器の出力(第7図)とを比較すると
、その出力はほぼ同じような結果が得られる。
ちなみに、圧延ロールの表層組織変化(黒鉛の欠落)は
、第8図(a)、(b)に示すように表面下0.1〜0
.2am程度であり、励磁周波数fを5KH2以下にす
れば、表層の影響をあまり受けないことが分った。
、第8図(a)、(b)に示すように表面下0.1〜0
.2am程度であり、励磁周波数fを5KH2以下にす
れば、表層の影響をあまり受けないことが分った。
従って、本発明装置としては、信号供給源18からブリ
ッジ回路の各コイル14.15に例えば従来と同様の周
波数の交流信号を印加すると、これらのコイル14.1
5より磁束が発生し、よって前記信号供給源18の出力
周波数に応じて被測定対象22に渦電流が流れる。この
結果、かかる渦電流により被測定対象22の表面に磁界
が形成され、コイル14.15のインピーダンスが変化
する。そこで、ブリッジ回路から得られる出力電圧を増
幅部19に導入して所望の増幅度で増幅した後、位相弁
別回路20に導入して座標変換し、そのうち被測定対象
22の表層組織に影響されないリフトオフ成分であるZ
方向のみの成分を取出して出力すれば、前述したように
被測定対象表面の亀裂等の影響を受けないリフトオフ成
分のみの信号が得られ、確実かつ高精度に被測定対象2
2までの距離すなわち被測定対象22のプロフィールを
測定できることになる。
ッジ回路の各コイル14.15に例えば従来と同様の周
波数の交流信号を印加すると、これらのコイル14.1
5より磁束が発生し、よって前記信号供給源18の出力
周波数に応じて被測定対象22に渦電流が流れる。この
結果、かかる渦電流により被測定対象22の表面に磁界
が形成され、コイル14.15のインピーダンスが変化
する。そこで、ブリッジ回路から得られる出力電圧を増
幅部19に導入して所望の増幅度で増幅した後、位相弁
別回路20に導入して座標変換し、そのうち被測定対象
22の表層組織に影響されないリフトオフ成分であるZ
方向のみの成分を取出して出力すれば、前述したように
被測定対象表面の亀裂等の影響を受けないリフトオフ成
分のみの信号が得られ、確実かつ高精度に被測定対象2
2までの距離すなわち被測定対象22のプロフィールを
測定できることになる。
従って、以上のような実施例の構成によれば、信号供給
源18から一定の周波数の信号を渦流検出部に印加し、
コイル14.15によって発生する磁束によって発生す
る渦電流が被測定対象22の内部を流れ、よって被測定
対象22の表面に形成する磁界の強さに応じてコイル1
4.15のインピーダンスが変化するので、このインピ
ーダンスの変化による渦流検出部の出力電圧を、位相弁
別回路20に導入してリフトオフ成分と被測定対象22
の導電率とに位相弁別し、そのうちリフトオフ成分信号
のみを得るようにしたので、従来の接触式とほとんど変
わらない良好な測定結果が得られ、しかも非接触式であ
るためにオンライン計測であっても充分対応し得、例え
ば圧延中の鋼板板厚形状等を高精度に制卸できるもので
ある。
源18から一定の周波数の信号を渦流検出部に印加し、
コイル14.15によって発生する磁束によって発生す
る渦電流が被測定対象22の内部を流れ、よって被測定
対象22の表面に形成する磁界の強さに応じてコイル1
4.15のインピーダンスが変化するので、このインピ
ーダンスの変化による渦流検出部の出力電圧を、位相弁
別回路20に導入してリフトオフ成分と被測定対象22
の導電率とに位相弁別し、そのうちリフトオフ成分信号
のみを得るようにしたので、従来の接触式とほとんど変
わらない良好な測定結果が得られ、しかも非接触式であ
るためにオンライン計測であっても充分対応し得、例え
ば圧延中の鋼板板厚形状等を高精度に制卸できるもので
ある。
なお、上記実施例は2重コイル構造のものを用いて実現
したが、シングルコイルのものを用いて実現してもよい
。また、位相弁別回路は従来周知のものを用いて行うも
のであり、特にその回路構成は問わないものである。
したが、シングルコイルのものを用いて実現してもよい
。また、位相弁別回路は従来周知のものを用いて行うも
のであり、特にその回路構成は問わないものである。
以上詳記したように本発明によれば、被測定対象の表層
の影響を受けずに接触式とほとんど同様な測定精度が得
られ、オンライン計測おいても充分に対処し得る非接触
式プロフィール測定方法を提供できる。
の影響を受けずに接触式とほとんど同様な測定精度が得
られ、オンライン計測おいても充分に対処し得る非接触
式プロフィール測定方法を提供できる。
第1図ないし第8図は本発明の一実施例を説明するため
に示したもので、第1図は被測定対象の表層組織の一例
を示す図、第2図は本発明方法を適用してなる一実施例
としての概略構成図、第3図は2重化コイルの構造図、
第4図は被測定対象の性質(導電率)およびリフトオフ
の変化に対応するブリッジ回路出力のベクトル図、第5
図は信号周波数を変えた時の組織変化成分に起因する出
力図、第6図は信号周波数を変えた時のリフトオフ成分
に起因する出力図、第7図は従来の接触式検出器の出力
図、第8図は信号周波数と渦電流の浸透有効深さとの関
係を示す図、第9図は従来、一般的に行っているプロフ
ィール測定方法の一例図、第10図は接触式のものと従
来の非接触式のものとの比較図である。 14・・・1次コイル、15・・・2次コイル、18・
・・信号供給源、19・・・増幅部、20・・・位相弁
別回路、21・・・表示部、22・・・被測定対象。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦+5 第1図 虚軸 第 4 図 イ 5 N9図 第10図
に示したもので、第1図は被測定対象の表層組織の一例
を示す図、第2図は本発明方法を適用してなる一実施例
としての概略構成図、第3図は2重化コイルの構造図、
第4図は被測定対象の性質(導電率)およびリフトオフ
の変化に対応するブリッジ回路出力のベクトル図、第5
図は信号周波数を変えた時の組織変化成分に起因する出
力図、第6図は信号周波数を変えた時のリフトオフ成分
に起因する出力図、第7図は従来の接触式検出器の出力
図、第8図は信号周波数と渦電流の浸透有効深さとの関
係を示す図、第9図は従来、一般的に行っているプロフ
ィール測定方法の一例図、第10図は接触式のものと従
来の非接触式のものとの比較図である。 14・・・1次コイル、15・・・2次コイル、18・
・・信号供給源、19・・・増幅部、20・・・位相弁
別回路、21・・・表示部、22・・・被測定対象。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦+5 第1図 虚軸 第 4 図 イ 5 N9図 第10図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 被測定対象の表面までの距離を検出してプロフィールを
測定する非接触式プロフィール測定方法において、 コイルを用いて渦流検出部を構成するとともに、このコ
イルに供給する励磁信号の周波数を一定とした状態で該
コイルのインピーダンス変化によつて得られる出力電圧
を位相弁別することにより、被測定対象のプロフィール
を測定することを特徴とする非接触式プロフィール測定
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16894985A JPS6228603A (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 非接触式プロフイ−ル測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16894985A JPS6228603A (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 非接触式プロフイ−ル測定方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6228603A true JPS6228603A (ja) | 1987-02-06 |
Family
ID=15877523
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16894985A Pending JPS6228603A (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 非接触式プロフイ−ル測定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6228603A (ja) |
-
1985
- 1985-07-31 JP JP16894985A patent/JPS6228603A/ja active Pending
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