JPS62286024A - Electrochromic display element - Google Patents

Electrochromic display element

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JPS62286024A
JPS62286024A JP12814986A JP12814986A JPS62286024A JP S62286024 A JPS62286024 A JP S62286024A JP 12814986 A JP12814986 A JP 12814986A JP 12814986 A JP12814986 A JP 12814986A JP S62286024 A JPS62286024 A JP S62286024A
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JP
Japan
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film
conductive film
ion
ion conductive
mosaic
Prior art date
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Pending
Application number
JP12814986A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Kato
寛 加藤
Nobuhiro Sakuta
伸廣 作田
Toshikatsu Sada
佐田 俊勝
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Tokuyama Corp
Original Assignee
Tokuyama Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Tokuyama Corp filed Critical Tokuyama Corp
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Publication of JPS62286024A publication Critical patent/JPS62286024A/en
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  • Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)

Abstract

PURPOSE:To prevent the blurring of a display and to improve a memory characteristic by forming an anisotropic conductive film of a conductive film having anisotropy in the thickness direction and forming an ion conductive film of a mosaic-shaped ion conductive film formed by dividing the film to n and m (n, m are positive integers) segments at the X-axis and Y-axis. CONSTITUTION:The anisotropic conductive film of the constitution laminated with a transparent conductive film, electrochromic film, ion conductive film, counter electrode and anisotropic conductive film is formed of the conductive film having the anisotropy in the thickness direction and the ion conductive film is formed of the mosaic-shaped ion conductive film formed by dividing the film to the n and m (where n, m are positive integer) segments at the X-axis and Y-axis. The mosaic-shaped ion conductive film refers to such a film formed by alternately arranging so-called electrolytic materials which permits the flow of ion current when impressed with a voltage to a mosaic shape with an inert matrix in-between and to such a film which allows the flow of the current in the thickness direction of the film but prohibits the flow of the current in the transverse direction. Such ion conductive film is not limited to a high-molecular ion exchange membrane and includes the film arranged with electrolyte parts contg. an inorg. salt, etc., to the mosaic shape.

Description

【発明の詳細な説明】 3、発明の詳細な説明 (産業上の利用分野) 本発明は、電圧印加により可逆的に発色・消色を示ずエ
レクトロクロミンクディスプレイ素子(以下、ECD素
子と略記する)で、にじみが少なく、メモリ性が良好で
、しかも表示が鮮明な表面書き込み型ECD素子を11
供することにある。
Detailed Description of the Invention 3. Detailed Description of the Invention (Field of Industrial Application) The present invention relates to an electrochromic display element (hereinafter abbreviated as an ECD element) that does not reversibly develop or fade color upon application of a voltage. 11), a surface-writing type ECD element with less bleeding, good memory performance, and clear display.
It is about providing.

(従来技術及び発明の解決しようとする問題点)ECD
素子は電圧を印加することにより無機あるいは有機物質
に起こる可逆的な色変化を利用した表示素子であり、表
示が鮮明なことやメモリー機能を有しでいることなどの
特徴を有している。
(Prior art and problems to be solved by the invention) ECD
The device is a display device that utilizes the reversible color change that occurs in inorganic or organic materials when voltage is applied, and has features such as clear display and a memory function.

ところが、一般にECD素子はエレクトロクロミック膜
(以下、ECIIWと略記する)自体にしきい値特性を
持っていないため、マトリックス駆動が困難であり、そ
のために特定の図柄を着けたり消したりするとか、ある
いはクセグメント表示などの応用が専らであった。
However, in general, ECD elements do not have threshold characteristics in their electrochromic film (hereinafter abbreviated as ECIIW) itself, making matrix driving difficult. Applications such as segment display were exclusive.

一方、特公昭52−46098には、ペン電極によりE
CD素子の表面から書き込むタイプ所謂表面書き込み型
0ECD素子が提案されている。
On the other hand, in Japanese Patent Publication No. 52-46098, E
A so-called surface writing type 0ECD element in which data is written from the surface of the CD element has been proposed.

このECD素子では、ペン電極が触れたところのみに電
流が流れるために、選択的にその部分のみを発色させる
ことが可能であり、文字や複雑な図柄を容易に描&Jる
という特徴がある。しかし、このECD素子ではEC膜
が直接大気に曝されているためEC膜やイオン導電層の
劣化が著しいこと、直接EC膜に電極が接するためEC
膜が傷つき易いこと、それに表示かにじみ易く、メモリ
ー性も良くない等の問題があった。
This ECD element has the feature that since current flows only in the area touched by the pen electrode, it is possible to selectively color only that area, making it easy to draw letters and complex designs. However, in this ECD element, the EC film and the ion conductive layer are significantly deteriorated because the EC film is directly exposed to the atmosphere, and the EC film and the ion conductive layer are in direct contact with the EC film.
There were problems such as the film was easily damaged, the display was prone to smearing, and the memory performance was poor.

(問題点を解決するための手段) 本発明者等は上記問題点を解決すべく鋭意研究を重ねて
きた。その結果、書き込み電極側に、厚み方向に異方性
を有する導電膜を積層して使用すると共にイオン導電膜
をセグメントに分割して積層することにより、表示のに
じみを防止するとともにメモリー性を飛躍的に向上させ
ることができ、更にEC膜を異方性導電膜とは反対側の
透明導電膜側に位置させることにより表示の鮮明度を向
上及び見易さを向−1−させることが可能となることを
知見し、本発明を完成させるに至った。
(Means for Solving the Problems) The present inventors have conducted extensive research to solve the above problems. As a result, by stacking and using a conductive film that has anisotropy in the thickness direction on the write electrode side, and stacking an ion conductive film divided into segments, we have been able to prevent display blurring and dramatically improve memory performance. Furthermore, by positioning the EC film on the transparent conductive film side opposite to the anisotropic conductive film, it is possible to improve the clarity of the display and improve the visibility. The present invention was completed based on this finding.

すなわち、本発明は透明導電膜、エレク!・ロクロミソ
ク膜、イオン導電膜、対向電極及び異方性導電膜を積層
した構造よりなるエレクトロクロミンクディスプレイ素
子において、異方性導電膜が厚み方向に異方性を有する
導電膜でかつイオン導電膜がX軸、Y軸にn及びm(た
だし、n、mは正の整数)のセグメントに分割されてな
るモザイク状イオンR電膜であることを特徴とするエレ
クトロクロミンクディスプレイ素子である。
That is, the present invention is a transparent conductive film, ELEC!・In an electrochromic display element that has a laminated structure of a Rochromisoku film, an ion conductive film, a counter electrode, and an anisotropic conductive film, the anisotropic conductive film is a conductive film that has anisotropy in the thickness direction and is an ion conductive film. This is an electrochromic display element characterized in that it is a mosaic-like ion R electrical film that is divided into n and m (where n and m are positive integers) segments along the X and Y axes.

本発明におりるECD素子は透明導電膜、EC膜、イオ
ン導電膜(以下単にIc膜と略記する場合もある)対向
電極及び異方性導電膜がこの順序で積層されるのが一般
的である。
In the ECD element according to the present invention, a transparent conductive film, an EC film, an ion conductive film (hereinafter sometimes simply abbreviated as an Ic film), a counter electrode, and an anisotropic conductive film are generally laminated in this order. be.

E CD素子自身は種々の形態のものが公知である。本
発明における透明導電DI、EC膜、IC膜及び対向電
極は特に限定されず、公知のものが使用できる。最も好
適に使用されるこれらの代表的なものを例示すると次の
とおりである。例えば透明導電膜については、公知のも
のが使用出来、例えば酸化インジウム−酸化すず(IT
O) 、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化カドミウム、ずず
酸化カドミウム等の酸化物、半導体塗膜、あるいは厚さ
50オングストローム以下の金、銀等の塗膜が好適に使
用される。EC膜については、公知のものが使用でき、
例えば無定形酸化タングステンが最も代表的であるが、
その他最近EC物質として研究されている有機色素、金
属錯体、遷移金属化合物、有機物の高分子体などが適宜
採用される。例えばプルシアンブルー、フタロシアニン
系、ビオロゲン系、スピロピラン系、フタル酸誘導体系
などの有機化合物及びこれらのユニットを含んだ高分子
化合物などである。更にまた対向電極については公知の
ものが使用でき、例えば酸化インジウム、酸化インジう
ムー酸化ずず膜(ITO膜)、金属、無定形酸化タング
ステン、鉄錯体、二酸化マンガン等の遷移金属化合物或
いは」−記化合物とカーボン等の混合物などが挙げられ
る。なお、本発明における対向電極とは、」二記で説明
した公知のものの他、EC膜と透明導電膜との2層から
なり、電極として機能するものをも含む。
ECD elements themselves are known in various forms. The transparent conductive DI, EC film, IC film, and counter electrode in the present invention are not particularly limited, and known ones can be used. Typical examples of these that are most preferably used are as follows. For example, as for the transparent conductive film, publicly known ones can be used, such as indium oxide-tin oxide (IT
O), oxides such as zinc oxide, titanium oxide, cadmium oxide, and cadmium tin oxide, semiconductor coatings, or coatings of gold, silver, etc. having a thickness of 50 angstroms or less are preferably used. As for the EC membrane, known ones can be used.
For example, amorphous tungsten oxide is the most representative,
In addition, organic dyes, metal complexes, transition metal compounds, organic polymers, and the like, which have been recently studied as EC substances, may be appropriately employed. Examples include organic compounds such as Prussian blue, phthalocyanine, viologen, spiropyran, and phthalic acid derivatives, and polymer compounds containing these units. Furthermore, known counter electrodes can be used, such as indium oxide, indium oxide, tin oxide film (ITO film), metals, amorphous tungsten oxide, iron complexes, transition metal compounds such as manganese dioxide, etc. Examples include mixtures of the above compounds and carbon, etc. The counter electrode in the present invention includes, in addition to the known ones described in section 2, those that are composed of two layers of an EC film and a transparent conductive film and function as an electrode.

また本発明で使用するIC膜はX軸、Y軸にn及びm(
但し、n、mは正の整数である)のセグメントに分割さ
れてなるモザイク状イオン導電膜である。
Furthermore, the IC film used in the present invention has n and m (
However, it is a mosaic-like ion conductive film divided into segments (n and m are positive integers).

上記モザイク状イオン導電膜は電圧を印加したときにイ
オン電流が流れることができる所謂電解質物質が不活性
マトリックスをはさんで交互にモザイク状に配列したよ
うな膜であり、膜の厚み方向には電流は流れるが横方向
には電流が流れないような膜のことである。これらのモ
ザイク状イオン導電膜としては、従来公知のモザイク状
イオン交換膜、モザイク荷電膜等と称されるものがある
The above-mentioned mosaic-like ion conductive film is a film in which so-called electrolyte materials through which ionic current can flow when a voltage is applied are arranged alternately in a mosaic pattern with an inert matrix in between. A membrane that allows current to flow, but not in the lateral direction. Examples of these mosaic ion conductive membranes include conventionally known mosaic ion exchange membranes, mosaic charged membranes, and the like.

本発明にあってはこれら公知のものが好適に使用できる
が、本発明のイオン導電膜はこの様な高分子イオン交換
膜に限定されるものではなく、あとで述べる様な無機塩
などを含む電解質部分がモザイク状に配列した膜も含む
In the present invention, these publicly known membranes can be suitably used, but the ion conductive membrane of the present invention is not limited to such polymer ion exchange membranes, and may include inorganic salts as described later. It also includes membranes in which electrolyte portions are arranged in a mosaic pattern.

これらモザイク状イオン導電膜のうち、まずモザイク状
イオン交換膜あるいは、モザイク荷電膜と称されるもの
のうち、特に好適に使用されるものを例示すれば下記の
通りである。
Among these mosaic ion conductive membranes, those called mosaic ion exchange membranes or mosaic charged membranes are particularly preferably used as follows.

ただし、以下に述べるものに、特に限定するものではな
い。例えば電気的中性層とイオン交換基を有する層とで
構成される膜状物であって、該イオン交換基を有する層
が該膜状物の厚み方法に貫通するように存在し、しかも
これらの各層がミクロに相分離して存在するものである
。上記イオン交換基層は公知なモザイク荷電膜にあって
は主に陽イオン交換基又は陰イオン交換基を有する層と
陰イオン交換基又は陽イオン交換基を有する層とが電気
的中性層によって隔てられて存在するものであるが、本
発明にあっては」二記のような形状の膜状物の他に、同
種のイオン交換基を有する層が電気的中性層で隔てられ
て存在するものが好適に使用される。
However, it is not particularly limited to what is described below. For example, a membrane-like material composed of an electrically neutral layer and a layer having an ion-exchange group, the layer having the ion-exchange group exists so as to penetrate through the thickness of the membrane-like material, and Each layer exists as a microscopic phase separation. In the above-mentioned ion exchange base layer, in the known mosaic charged membrane, a layer having a cation exchange group or an anion exchange group and a layer having an anion exchange group or a cation exchange group are separated by an electrically neutral layer. However, in the present invention, in addition to the membrane-shaped material described in 2, a layer having the same type of ion exchange group is present separated by an electrically neutral layer. are preferably used.

」1記ミクロ相分離と言う意味はイオン交換基を有する
層が電気的中性層とミクロに区別出来るように存在して
いることを言い、該イオン交換基を有する層がイオン導
電膜の厚み方向に貫1tfiLで存在していればよい。
1. Microphase separation means that a layer with ion exchange groups exists in a manner that can be microscopically distinguished from an electrically neutral layer, and the layer with ion exchange groups is the same as the thickness of the ion conductive film. It suffices if it exists with a penetration of 1tfiL in the direction.

また上記電気的中性層とは、使用に際して実質的に電気
がimらない層を意味し、イオン交換基が存在していて
も電気抵抗がイオン交換基を有する層の電気抵抗よりも
5倍以上大きいものであれば、その使用に際して実質的
に電気が通らないのでかかる層は電気的中性層となりう
る。
In addition, the above-mentioned electrically neutral layer means a layer that does not substantially conduct electricity during use, and even if ion exchange groups are present, the electrical resistance is 5 times higher than that of the layer having ion exchange groups. If the layer is larger than this, electricity will not substantially pass during use, so the layer can serve as an electrically neutral layer.

本発明で使用するIC膜は上記のような性状であれば特
に限定されず用いうるし、その製造方法も特に限定され
るものではない。該IC膜の製造方法の代表的な方法を
挙げれば次の通りである。
The IC film used in the present invention can be used without any particular limitations as long as it has the above-mentioned properties, and the manufacturing method thereof is also not particularly limited. Typical methods for manufacturing the IC film are as follows.

■ 二元或いは多元のブロック共重合体で一方にはイオ
ン交換基が導入可能である重合体と他方にはイオン交換
基が導入出来ない重合体を適当な溶媒を選択し製膜条件
として、温度勾配をかける等の手段によって製膜し、膜
の厚み方向にイオン導電の貫通があるもの、更に具体的
には、ビニルピリジン類とブタジェンをブロック共重合
し、上記のような相分離を生じるように製膜し、次いで
、アルキルハライドブアルキル化処理して陰イオン交換
基を有する部分がポリスチレンの相の中に分散したもの
■ Binary or multi-component block copolymers, one in which ion-exchange groups can be introduced and the other in which ion-exchange groups cannot be introduced, are prepared by selecting an appropriate solvent and adjusting the temperature and temperature as film-forming conditions. Films are formed by means such as applying a gradient, and have ionic conductivity penetrating in the thickness direction of the film.More specifically, vinylpyridines and butadines are block copolymerized to cause phase separation as described above. The film is formed into a film and then subjected to an alkyl halide alkylation treatment to disperse the anion exchange group-containing part in the polystyrene phase.

■ イオン導電性の薄膜と絶縁性の薄膜を多数枚積層し
て融着或いは接着してブロックとして、これを膜面に対
して垂直方向に薄膜に切削する方法。
■ A method in which a large number of ion conductive thin films and insulating thin films are laminated, fused or glued to form a block, and then this is cut into thin films in a direction perpendicular to the film surface.

■ イオン導電性のある繊維を多数非イオン導電性の高
分子で固めて、これを繊維の長さ方向に対して垂直な面
で切削する方法。
■ A method in which a large number of ionically conductive fibers are consolidated with nonionically conductive polymers and then cut in a plane perpendicular to the length of the fibers.

■ イオン導電性のある微粒子で膜厚と一致する粒径の
ものをイオン導電性のない高分子中に均一に分散し成型
する方法。
■ A method in which ion-conductive fine particles with a particle size that matches the film thickness are uniformly dispersed in a non-ion-conductive polymer and molded.

以下若干の例を挙げたが、本発明はこれらの手段に特定
されるものではなく、膜のイオン交換基を有する層が二
次元方向には貫通しておらず、該イオン交換基を有する
層はもっばら膜の厚み方向に貫通するようなIC膜を作
る方法があれば特に限定されるものではない。
Although some examples are given below, the present invention is not limited to these means, and the layer having an ion exchange group of the membrane does not penetrate in a two-dimensional direction, and the layer having the ion exchange group There is no particular limitation as long as there is a method for making an IC film that penetrates through the film in its thickness direction.

本発明のrc膜を構成するイオン交換基は特に限定され
ず公知のイオン交換基が使用出来る。代表的なイオン交
換基を例示すると、陽イオン交換基としてはスルボン酸
基、カルボン酸基、リン酸基、亜リン酸基、硫酸エステ
ル基、リン酸エステル基、フェノール性水酸基、チオー
ル基、金属錯体で水溶液中で負の電荷を有するものはい
ずれも有効であり、対イオンである陽イオンは水素イオ
ン、アンモニウムイオン、金属イオンその他有機アンモ
ニウム塩基が良好に用いられる。また陰イオン交換基と
しては一級、二級、三級アミン、第四級アンモニウム塩
基、第三級スルホニウム塩基、第四級ホスホニウム塩基
、コバルチジニウム塩基その池水溶液中で正の電荷を有
するものはいずれも有効である。対イオンとしては、ハ
ロゲンイオン、硫酸イオン、硝酸イオン、水酸イオン、
亜硝酸イオン、亜硫酸イオン、リン酸イオン、亜リン酸
イオン、水素酸イオン、次亜塩素酸イオン等の無機イオ
ン及びカルボン酸基、スルホン酸基等の負の電荷を有す
る陰イオンは全て有効である。
The ion exchange group constituting the rc membrane of the present invention is not particularly limited, and any known ion exchange group can be used. Examples of typical ion exchange groups include sulfonic acid groups, carboxylic acid groups, phosphoric acid groups, phosphorous acid groups, sulfate ester groups, phosphoric ester groups, phenolic hydroxyl groups, thiol groups, and metals. Any complex having a negative charge in an aqueous solution is effective, and hydrogen ions, ammonium ions, metal ions, and other organic ammonium bases are preferably used as counter ions. Examples of anion exchange groups include primary, secondary, and tertiary amines, quaternary ammonium bases, tertiary sulfonium bases, quaternary phosphonium bases, and cobaltidinium bases, all of which have a positive charge in an aqueous solution. It is valid. Counter ions include halogen ions, sulfate ions, nitrate ions, hydroxide ions,
Inorganic ions such as nitrite ions, sulfite ions, phosphate ions, phosphite ions, hydroxide ions, hypochlorite ions, and negatively charged anions such as carboxylic acid groups and sulfonic acid groups are all effective. be.

更にまた前記したような本発明で用いるIC膜の陽イオ
ン交換基及び陰イオン交換基は予めイオン交換基になっ
ている必要はなく、使用条件下にイオン交換基となりう
る官能基例えば−8O□X、−COX、−CN、  C
oR,502R,(但し、Xはハロゲン原子、Rはアル
キル基)等の使用条件で陽イオン交換基となりうる官能
基及びエポキシ基、ベンジルハライド基等の使用条件で
陰イオン交換基となりうる官能基であってもよい。
Furthermore, the cation exchange groups and anion exchange groups of the IC membrane used in the present invention as described above do not need to be ion exchange groups in advance, but may be functional groups that can become ion exchange groups under the conditions of use, such as -8O□. X, -COX, -CN, C
oR, 502R, (however, X is a halogen atom, R is an alkyl group), a functional group that can become a cation exchange group under usage conditions, and a functional group that can become an anion exchange group under usage conditions, such as an epoxy group, a benzyl halide group, etc. It may be.

本発明のIC膜を構成している物質は無機物及び有機物
が特に制限なく使用されるが最も好適にはイオン交換基
を有する重合体である。そして陽イオン交換基を有する
重合体としては例えばスチレンスルボン酸の重合体及び
その塩類、或いは該単量体とジビニルベンゼン等の架橋
構造を形成するポリビニル化合物、ポリアリル化合物、
ポリメタリル化合物等が共重合したもの(架橋重合体)
;アクリル酸、メタアクリル酸の重合体及びその塩類或
いはこれらの単量体の架橋重合体、共重合可能な他の単
量体との共重合体、パーフルオロアルキルビニルエーテ
ルスルホニルフルオライドと四弗化エチレンの共重合体
で加水分解処理して、スルホン酸基としたもの、或いは
その塩類:バーフルオロアルキルビニルエーテルカルボ
ン酸メチルエステルと四弗化エチレンの共重合体で加水
分解処理して、カルボン酸基及び塩類としたものなどで
ある。
The materials constituting the IC membrane of the present invention may be inorganic or organic materials without particular limitation, but polymers having ion exchange groups are most preferred. Examples of polymers having cation exchange groups include styrene sulfonic acid polymers and their salts, or polyvinyl compounds and polyallyl compounds that form a crosslinked structure with the monomer and divinylbenzene, etc.
Copolymerized polymethallyl compounds, etc. (crosslinked polymers)
; Acrylic acid, methacrylic acid polymers and their salts, crosslinked polymers of these monomers, copolymers with other copolymerizable monomers, perfluoroalkyl vinyl ether sulfonyl fluoride and tetrafluoride; Hydrolyzed with a copolymer of ethylene to give a sulfonic acid group, or its salts: Hydrolyzed with a copolymer of barfluoroalkyl vinyl ether carboxylic acid methyl ester and tetrafluoroethylene to give a carboxylic acid group and salts.

また陰イオン交換基を有する重合体としては、例えば、
ビニルピリジンの重合体、共重合体、更I に該重合体のN−アルキル化物、クロルメチルスチレン
の重合体、共重合体をアミノ化処理したもの等が用いら
れる。またジビニルベンゼン等の架橋構造を形成するポ
リビニル化合物、ポリアリル化合物、ポリメタリル化合
物等が共重合したもの(架橋重合体)などである。
In addition, examples of polymers having anion exchange groups include:
Polymers and copolymers of vinylpyridine, N-alkylated products of these polymers, and aminated polymers and copolymers of chloromethylstyrene are used. It also includes copolymers (crosslinked polymers) of polyvinyl compounds, polyallyl compounds, polymethallyl compounds, etc. that form a crosslinked structure such as divinylbenzene.

前記イオン交IA基を有する層が電気的中性層にミクロ
相分離して存在するときの該イオン交換基を有する層の
大きさは出来るだけ小さく例えば200μm以下好まし
くは501!m以下であるのが好ましい。
When the layer having the ion-exchanging IA group is present in the electrically neutral layer with microphase separation, the size of the layer having the ion-exchanging group is as small as possible, for example, 200 μm or less, preferably 501 μm or less. It is preferable that it is less than m.

また、本発明のECD素子を構成するIC膜はX軸、Y
軸にn及びm(但し、n、mは正の整数)のセグメント
に分割することによって、該ECD素子の表示のにじみ
を防止するとともに、メモリー性を飛躍的に向」ニさせ
ることが可能となった。
Further, the IC film constituting the ECD element of the present invention is
By dividing the display into segments n and m (where n and m are positive integers) along the axis, it is possible to prevent blurring of the display of the ECD element and to dramatically improve memory performance. became.

上記IC膜をセグメントに分割する方法としては、スク
リーン印刷等により、イオンを導電する部分と絶縁性の
部分を2度に分けて塗る方法や、ECD素子を組み立て
た後に、光を照射し、EC膜に接し°ζいない部分のI
C膜を硬化、あるいは架橋させイオン導電性を低下せし
める方法や、EC膜にイオン交換膜が導入可能な高分子
膜を塗布した後導電性を与えたい部分のみにイオン交換
基を導入する方法等がある。
Methods of dividing the above IC film into segments include coating the ion-conducting part and insulating part in two coats by screen printing, etc., and applying light to the ion-conducting part and insulating part after assembling the ECD element. I of the part that is not in contact with the membrane
A method of curing or cross-linking the C membrane to reduce its ion conductivity, a method of applying an ion exchange membrane capable of introducing a polymer membrane to the EC membrane and then introducing an ion exchange group only to the portion where conductivity is desired, etc. There is.

」1記セグメントの分割数は特に限定的ではなく必要に
応じて決定すればよいが、−・般にはX軸(縦方向)と
Y軸(横方向)にnヶ及びmゲ(n、mは正の整数)の
セグメントに分割するとき、該n、mは数個〜数100
万個の値例えば5〜500万個から選択すればよい。
The number of divisions of the segment 1. is not particularly limited and may be determined as necessary, but in general, m is a positive integer), the n and m range from several to several hundred
The value may be selected from 50,000 to 5,000,000, for example.

本発明で使用する異方性導電膜自身は公知なものであり
、本発明においてもこれら公知のものが特に限定されず
用いうる。該異方性導電膜の代表的なものを例示すると
、例えばビロール類、チオフェン類等の芳香族系化合物
を高分子マトリックス中にパターン状に電解重合し導電
化した高分子フィルムが好適である。上記高分子フィル
ムの製法は特に限定されず、例えば第34同高分子酎鍮
会予稿集、講演番号33FO2(1985年9月)特開
昭60−2531.09号、同60−130004号、
同60−107210号等に記載された製法及び得られ
る異方M導電膜が好適に使用される。本発明で使用する
異方性導電膜は上記電解重合によって得られる膜状物に
限定されるものではなく、熱可塑性樹脂にカーボンや金
属粉末等の導電性充填剤を混入し、それをフィルム化し
たものや、金属細線をフィルム面に対して、垂直方向に
埋め込んだものなども利用出来る。
The anisotropic conductive film used in the present invention itself is well known, and these known films can be used in the present invention without particular limitation. Typical examples of the anisotropic conductive film include polymer films made by electrolytically polymerizing aromatic compounds such as pyrroles and thiophenes in a pattern in a polymer matrix to make them conductive. The manufacturing method of the above-mentioned polymer film is not particularly limited.
The manufacturing method and the resulting anisotropic M conductive film described in Japanese Patent No. 60-107210 and the like are preferably used. The anisotropic conductive film used in the present invention is not limited to the film-like material obtained by the above-mentioned electrolytic polymerization, but is made by mixing a conductive filler such as carbon or metal powder into a thermoplastic resin and forming it into a film. It is also possible to use a film in which thin metal wires are embedded in a direction perpendicular to the film surface.

本発明のF、CD素子を構成する前記各膜状物の厚みは
特に限定されるものではないが、一般には透明性導電膜
は100人〜5000人、EC膜が1、 OO人〜5μ
好ましくは3000〜6000人、IC膜が1000人
〜200μ対向電極力月0 (1人〜80μ及び異方性
導電膜が5〜100μの範囲から選べば好適である。本
発明のECD素子を構成する透明導電膜、EC膜、IC
膜対向電極及び異方性導電膜の各膜状物の積層方法は特
に限定されず、公知の物理的または化学的な方法を採用
して積層すればよい。一般に好適に採用される代表部な
方法を例示すると次のとおりである。
The thickness of each of the above-mentioned film-like materials constituting the F and CD elements of the present invention is not particularly limited, but in general, the thickness of the transparent conductive film is 100 to 5,000 μm, the EC film is 1 μm, and the thickness of OO μm to 5 μm.
Preferably, the number of electrodes is 3,000 to 6,000, the IC film is 1,000 to 200μ, and the counter electrode force is preferably selected from the range of 1 to 80μ, and the anisotropic conductive film is 5 to 100μ.The ECD element of the present invention is configured. Transparent conductive film, EC film, IC
The method of laminating the film-like materials of the membrane counter electrode and the anisotropic conductive film is not particularly limited, and any known physical or chemical method may be used to laminate them. Examples of representative methods that are generally preferably adopted are as follows.

透明導電膜は透明基板例えばガラス、ポリエチレンテレ
フタレートなどの高分子フィルム等に真空蒸着法、スパ
ッタリング法、イオンブレーティング法、あるいはCV
D法等の薄膜形成技術によって容易に積層できる。そし
て透明基板に透明勇−電膜を積層し、該基板とは反対面
にEC膜を積層するのが一般的である。
A transparent conductive film is deposited on a transparent substrate such as glass or a polymer film such as polyethylene terephthalate by vacuum evaporation, sputtering, ion blating, or CV.
Lamination can be easily performed using a thin film forming technique such as the D method. Generally, a transparent electroconductive film is laminated on a transparent substrate, and an EC film is laminated on the opposite side of the substrate.

EC膜ば一般に透明導電膜」−に真空蒸着法、スパッタ
リング法あるいはCVD法等の薄膜形成技術によって容
易に積層できる。特にEC膜材料が無機系の材料である
場合は上記方法が好適である。
An EC film can generally be easily laminated on a transparent conductive film by a thin film forming technique such as a vacuum evaporation method, a sputtering method, or a CVD method. The above method is particularly suitable when the EC film material is an inorganic material.

一方、EC膜材料が有機系の材料である場合は一1=記
の積層手段が使用できないケースがある。この場合はバ
インダーを混合してスピンコーティング法、スクリーン
印刷法等を利用して積層すればよい。
On the other hand, if the EC film material is an organic material, there are cases where the laminating means described in (11) cannot be used. In this case, a binder may be mixed and laminated using spin coating, screen printing, or the like.

またイオン導電膜の積層方法は、」−記透明導電膜とE
C膜との積層物のEC膜」=あるいは、異方性導電膜と
対向電極の積層物の対向電極上にスビフコ−ティング法
、スクリーン印刷法により積層するかあるいはローラー
やへヶで該溶液を塗布した後、溶媒を飛散させることに
よってイオン導電膜を形成できる。
In addition, the method for laminating the ion conductive film is as follows:
EC film of a laminate with a C film = Alternatively, the solution is laminated on the counter electrode of a laminate of an anisotropic conductive film and a counter electrode by a subif coating method or screen printing method, or the solution is applied with a roller or a roller. After coating, an ion conductive film can be formed by scattering the solvent.

また上記透明導電膜とEC膜の積層物と異方性導電膜と
対向電極の積層物とをイオン導電膜を介してはり合せる
方法も好適である。該はり合せる手段は3者をはり合せ
た後1〜1000kg/c+にの圧力で加圧して密着さ
せたり、上記操作と同時に、加熱゛したり、あるいは超
音波振動を加えたりして密着性をさらに向」ニさせる手
段も好ましい。
Also suitable is a method in which the laminate of the transparent conductive film and the EC film and the laminate of the anisotropic conductive film and the counter electrode are laminated together via an ion conductive film. The means for gluing the three parts together is pressurizing them with a pressure of 1 to 1000 kg/c+ to bring them into close contact, or simultaneously applying heat or ultrasonic vibration to improve the adhesion. Also preferred is a means for further enhancing the effect.

なお、本発明0ECD素子は、着消色のコントラストを
とるためにいわゆる反射型として使用する態様も好まし
く、採用され、その場合は、該IC膜を白色とするのが
好ましい。
In addition, it is preferable that the OECD element of the present invention is used as a so-called reflective type in order to obtain a contrast between coloring and fading. In this case, it is preferable that the IC film is white.

そのために、TCp中に白色顔料としてTi0z、Al
2O2、Tames 、などの酸化物やアンチモン酸c
sbzo、、  ・nH20) 、リン酸ジルD−ウム
(Zr (HP 04)2  ・n H2O) 、リン
酸チタン(TI (II P 0a)z  ’ n H
zO)あるいはポリテトラフルオロエチレン粉末などを
IC膜に対して、5〜80重量%、好ましくは、10〜
40重量%加えて、よく混合したものを使用するのが好
ましい。
For this purpose, TiOz and Al are used as white pigments in TCp.
Oxides such as 2O2, Tames, etc. and antimonic acid c
sbzo,, ・nH20), di-D-ium phosphate (Zr (HP 04)2 ・n H2O), titanium phosphate (TI (II P 0a)z' n H
zO) or polytetrafluoroethylene powder in an amount of 5 to 80% by weight, preferably 10 to 80% by weight, based on the IC film.
It is preferable to add 40% by weight and mix well.

更にまた対向電極の積層方法も上記方法が対向電極の材
料に応じて適宜採用される。すなわち、真空蒸着法、ス
パッタリング法、CVD法、スクリーン印刷法等が好適
に採用される。また対向電極材料をバインダーに混合し
、シート状に加工したものを圧着、融着等の手段により
、前記異方性導電膜」二に密着させて積層することもで
きる。また電気メッキや無電解メッキ法等により前記異
方性導電膜上に対向電極物質をメッキする方法なども採
用される。この他に、IC膜中に酸化還元物質を混入さ
せた場合には、特に、対向電極は用いずに前記異方性導
電膜だけで良い場合もある。また、ピロールやチオフェ
ン等の電解重合膜を異方性導電膜として使用した場合に
は、これらの電解重合膜自身が対向電極として作用する
場合もある。
Furthermore, as for the method of laminating the counter electrode, the above-mentioned method is appropriately adopted depending on the material of the counter electrode. That is, a vacuum evaporation method, a sputtering method, a CVD method, a screen printing method, etc. are preferably employed. Alternatively, the material for the counter electrode may be mixed with a binder, processed into a sheet, and then laminated in close contact with the anisotropic conductive film 2 by means of pressure bonding, fusing, or the like. Alternatively, a method of plating a counter electrode material on the anisotropic conductive film by electroplating, electroless plating, or the like may also be adopted. In addition, when a redox substance is mixed into the IC film, it may be sufficient to use only the anisotropic conductive film without using a counter electrode. Furthermore, when electrolytically polymerized films of pyrrole, thiophene, or the like are used as anisotropic conductive films, these electrolytically polymerized films themselves may act as counter electrodes.

なお、本発明0ECD素子においては、対向電極を、I
C膜のイオン導電性部分と一致する様にセグメント化す
ることが素子の表示のにじみを防止し、メモリー性を向
上させる上で極めて重要な技術である。
In addition, in the 0ECD element of the present invention, the counter electrode is I
Segmenting to match the ion conductive portion of the C film is an extremely important technique for preventing smearing of the display of the device and improving memory performance.

本発明0ECD素子は積層体側面も例えばイオン導電膜
が大気と接するケースがあるので、この場合は封止剤で
シールすると好適である。
In the OECD element of the present invention, there are cases where the ion conductive film also comes into contact with the atmosphere on the side surface of the laminate, so in this case, it is preferable to seal it with a sealant.

一般に異方性導電膜、EC膜、イオン導電膜及び対向電
極は固体状の膜状物である場合が多いが、F、C膜及び
IC膜は必要に応じて液状物を前記厚みとなるように膜
状に形成させることもしばしば良好な態様である。
Generally, anisotropic conductive films, EC films, ion conductive films, and counter electrodes are often solid film-like materials, but F, C films, and IC films may be made of liquid materials to the above-mentioned thickness as necessary. It is often a good embodiment to form the film into a film.

また本発明のECD素子においては、該異方性導電膜と
対向電極の間に透明導電膜を挟むことは、本ECD素子
の応答速度を向」ニさせる上で極めて望ましい態様の一
つである。該透明導電膜としては従来公知のものが何ら
制限なく使用でき、例えば酸化インジウム、酸化インジ
ウム−酸化すず(ITO)、酸化ずず、酸化亜鉛、酸化
チタン、酸化カドミウム、すず酸化カドミウム等の酸化
物、半導体薄膜、あるいは金、銀、パラジウム、白金等
の金属薄膜が好適に使用される。
Furthermore, in the ECD element of the present invention, interposing a transparent conductive film between the anisotropic conductive film and the counter electrode is one of the highly desirable embodiments in order to improve the response speed of the ECD element. . As the transparent conductive film, conventionally known ones can be used without any restrictions, such as oxides such as indium oxide, indium oxide-tin oxide (ITO), tin oxide, zinc oxide, titanium oxide, cadmium oxide, and cadmium tin oxide. , semiconductor thin films, or metal thin films such as gold, silver, palladium, and platinum are preferably used.

(効果) ごのよ・うにして得られる本発明のECr)素子は、書
き込み電極側に異方性導電膜を使用するため、任意の文
字や図柄を自由に描くことができろという特徴を有する
とともにIC膜をX軸、Y軸にn及びm (n、mは5
〜500万)のセグメントに分割することによって、表
示のにじみを防+l−するとともに、メモリー性を向上
させることもできる。
(Effects) The ECr) element of the present invention, which is obtained in a similar manner, uses an anisotropic conductive film on the writing electrode side, so it has the characteristic that it can freely draw any characters or designs. In addition, the IC film is located on the X axis and Y axis with n and m (n and m are 5
By dividing the image into segments of up to 5,000,000,000,000, it is possible to prevent display blurring and improve memory performance.

また本発明のECD素子はEC膜が書き込み電極側とは
反対の透明導電膜側に位置するため、きわめて表示が鮮
明で見易くすることができる。
Further, in the ECD element of the present invention, since the EC film is located on the side of the transparent conductive film opposite to the side of the writing electrode, the display can be made extremely clear and easy to see.

(実施例) 以下に本発明を実施例に従って説明するが本発明はこれ
らの実施例に限定されるものではない。
(Examples) The present invention will be described below with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples.

実施例 】 シー]・抵抗10Ω/口のI’l”0ガラスを5C川角
に切り出し、ホトリソグラフィの技術を使って該I T
 O、、JZにレジストで直径100 μrnのF ソ
I・パターンを200IImのスペースをあけて縦横に
規則正しくつくった。この上に全面にSiOを約III
 mの厚さに真空蒸着した後、該レジストとともにその
トのSiOも取り除き、直径100xlrnのトソトパ
ターンのITO電極を得た。該ITO電極l−にポリ塩
化ビニルのテトラヒドロフラン溶液を塗布し、徐々に乾
燥させ30μmのポリ塩化ビニルフィルムを形成した。
Example] A piece of I'l"0 glass with a resistance of 10 Ω/hole was cut into a 5C angle, and the I
F soI patterns with a diameter of 100 μrn were made regularly in the vertical and horizontal directions with a space of 200 II m in the resist on the O,, JZ. On top of this, apply approximately 30% SiO over the entire surface.
After vacuum evaporation to a thickness of m, the resist and the remaining SiO were removed to obtain an ITO electrode with a pattern of 100xlrn in diameter. A solution of polyvinyl chloride in tetrahydrofuran was applied to the ITO electrode l- and gradually dried to form a 30 μm polyvinyl chloride film.

このITO電極−ポリ塩化ビニル一体化物を、ビロール
0.3モル、zM、、!塩素酸テI・ラエチルアンモニ
ウム0.075モル/pを含むアセトニトリル 極としてpt板を使用して2■の定電圧で約90分間、
I T’ O電極を正極にして電解重合を行った。
This ITO electrode-polyvinyl chloride integrated product contains 0.3 mol of virol, zM,...! Using a PT plate as an acetonitrile electrode containing 0.075 mol/p of TeI-laethylammonium chlorate, at a constant voltage of 2 ■ for about 90 minutes,
Electrolytic polymerization was performed using the I T'O electrode as a positive electrode.

電解重合終了後、電解液から取り出し、該ITO電極か
らポリ塩化ビニルフィルムをはがし、アル二1−ルで良
く洗浄した。このようにしてできたポリ塩化ビニルフィ
ルムには、先に述べたIT○電極のドソ]・パターンと
同様のポリピロールのドラ1パターンが形成されており
、かつフィルム面に対して垂直方向には導電性を有すが
、面方向には全く導電性を示さないいわゆる異方性導電
膜を得た。次に、該異方性導電膜を平滑なステンレス仮
にはり付け、さらにその−トに、8 0 tt mの厚
さの銅板に一辺が600μmの正方形をキiイ横300
7+mのスペースをあけて規則正しく穴を開けたマスク
をはり付けた後に真空槽内に設置し、−E真空槽内をI
 X 1 0”’Torr以下まで真空に引いた後、酸
素を導入して5 X ] O−’Torrの真空度にて
.WO3を約11tmの厚さに蒸着し、対向電極とした
After the electrolytic polymerization was completed, the ITO electrode was taken out from the electrolytic solution, the polyvinyl chloride film was peeled off from the ITO electrode, and the electrode was thoroughly washed with al-ni-l. The polyvinyl chloride film made in this way has a polypyrrole dot pattern similar to the doso pattern of the IT○ electrode mentioned above, and in the direction perpendicular to the film surface. A so-called anisotropic conductive film was obtained which had conductivity but showed no conductivity in the plane direction. Next, the anisotropic conductive film was temporarily attached to a smooth stainless steel plate, and then a square with a side of 600 μm was attached to the copper plate with a thickness of 80 ttm.
After attaching a mask with regular holes made with a space of 7+m, place it in the vacuum chamber, and then turn the inside of the -E vacuum chamber into I
After evacuation to below X 1 0''' Torr, oxygen was introduced and .WO3 was deposited to a thickness of about 11 tm at a vacuum level of 5 X ] O-' Torr to form a counter electrode.

次に、厚さ100μ丁n、−辺50mmの正方形のポリ
エチレンテレナフタレートのフィルムに透明導電膜とし
てドFOを約2000人の厚さにスパッタリングした。
Next, on a square polyethylene terenaphthalate film having a thickness of 100 μm and a side of 50 mm, DOFO was sputtered to a thickness of about 2000 mm as a transparent conductive film.

該透明導電膜の全面にwo,を約5000人の厚さに前
記条件に°ζ蒸着しEC膜とした。
On the entire surface of the transparent conductive film, WO was deposited to a thickness of about 5,000 mm under the above conditions to obtain an EC film.

次いで、該EC膜上に、−辺が600μmの正方形状に
、縦横300μm間隔毎に、規則正しくイオン導電性物
質をスクリーン印刷機を用いて印刷した。該イオン導電
性物質としては 過塩素酸リチウム     5重量部 プロピレンカーボネート 45重量部 TiO□           30重量部平均分子g
 400のポリエチレンオキシF20重量部をよく混合
したものを用いた。
Next, on the EC film, an ion conductive material was regularly printed on the EC film in a square shape with a side of 600 μm at intervals of 300 μm in length and width using a screen printer. The ionic conductive substance includes 5 parts by weight of lithium perchlorate 45 parts by weight of propylene carbonate 30 parts by weight of TiO□ Average molecular g
A mixture of 20 parts by weight of polyethylene oxy F 400 and 20 parts by weight was used.

一方、異方性導電膜」−にパターン状に形成した対向電
極の格子状のスペース部分に光硬化性の絶縁5性樹脂を
スクリーン印刷機を用いて印刷した。
On the other hand, a photocurable insulating pentad resin was printed using a screen printer in the grid-like spaces of the counter electrode formed in a pattern on the anisotropic conductive film.

該光硬化性の絶縁性樹脂としては、光硬化性樹脂302
1(株式会社スリーボンド製)70重量部、Ti0.3
3重量部を混合したものを用いた。
As the photocurable insulating resin, photocurable resin 302
1 (manufactured by Three Bond Co., Ltd.) 70 parts by weight, Ti0.3
A mixture of 3 parts by weight was used.

次に、モザイク状のイオン導電性部分と格子状の絶縁性
部分の凹凸が一致する様に両者を貼り合わせた後、高圧
水銀灯を用いて約2分間紫外線を照射し、絶縁性部分の
樹脂を硬化させた。さらに−l−配素子の透明導電膜に
外部へリード線を取り出した後、外周をシリコン系接着
剤でシールし、ECD素子とした。
Next, the mosaic-like ion conductive part and the grid-like insulating part are pasted together so that their unevenness matches, and then UV rays are irradiated for about 2 minutes using a high-pressure mercury lamp to remove the resin in the insulating part. hardened. Furthermore, after lead wires were taken out to the outside of the transparent conductive film of the -l- arrangement element, the outer periphery was sealed with a silicone adhesive to form an ECD element.

−1−記ECI)素子の透明導電膜と、異方性導電膜の
ポリピコロールの各ドツトの間に正あるいは負の2〜3
■の電圧を数秒間印加して該ECD素子の着消色特性及
びメモリー性等を透明導電膜側より観察し調べた。その
結果着消色は極めて速やかに起こることを確認し、また
表示色もきれいな青色を示した。またいくつかのドソ]
・を着色させたまま放置しておいてメモリー性の良否を
調べたところ、少なくとも、10時間以−には、はぼ初
期と同等な着色状態を維持し、メモリー性も良好であっ
た。
-1- ECI) Between the transparent conductive film of the element and each dot of the polypicolol of the anisotropic conductive film, there is a positive or negative 2 to 3
The voltage (2) was applied for several seconds, and the coloring/decoloring properties, memory properties, etc. of the ECD element were observed and investigated from the transparent conductive film side. As a result, it was confirmed that coloring and fading occurred extremely quickly, and the display color also showed a beautiful blue color. Some more doso]
When the coloring was left as it was and the memory property was examined, the coloring state was maintained at the same level as the initial state after at least 10 hours, and the memory property was also good.

実施例2 実施例1と同様にして得たウポリエチレンテレフタレー
ト、ITO及びWO8の積層物をプラズマ重合装置内に
設置し、モノマーガスとして0.2Torrのエチレン
ガスを導入し、高周波電力35Wニテ、約2μmの膜厚
のポリエチレン膜をWo3膜上に全面に亘って形成した
Example 2 A laminate of polyethylene terephthalate, ITO and WO8 obtained in the same manner as in Example 1 was placed in a plasma polymerization apparatus, 0.2 Torr of ethylene gas was introduced as a monomer gas, and high frequency power of 35 W was applied to the apparatus. A polyethylene film with a thickness of 2 μm was formed over the entire surface of the Wo3 film.

次いで、水溶性トライフィルムフォトレジスト、7り7
?−LR1,0(商標:ハーキュレス社製)を用いて上
記試料を覆い、所定のマスクを用いて露光、現像を行な
うことにより一辺が600μmの正方形状にレジスi・
を縦横300.+1mのスペースを開けて規則正しく残
した。これを高周波スルツタ装置内に設置し、SiO□
をターゲソI・とじて用いて該試料−1−にSin、を
約1μmの厚さに積層した。
Next, a water-soluble tri-film photoresist, 7
? - Cover the sample with LR1,0 (trademark: manufactured by Hercules), expose and develop using a predetermined mask to form a resist i.
The length and width are 300. A space of +1m was opened and left regularly. This was installed in a high frequency sultta device, and SiO□
A film of about 1 .mu.m thick was laminated onto the sample-1- using Target Sol I.

次に、この試料を50℃の3%K OH水溶液中に浸漬
して、残っていたフォトレジストとともにその上に堆積
していたSin、も取り除いた。この試料を透明石英ガ
ラスでできた流通式反応槽内に設置し、SO□ガスとC
e2ガスを当量比で2=1の割合で混合したガラスを流
しながら約1時間紫外線を照射した。これによりSin
、で覆われていない部分のポリエチレン膜にのみ−so
、cg基が導入されたことになる。
Next, this sample was immersed in a 3% KOH aqueous solution at 50° C. to remove the remaining photoresist and the Sin deposited thereon. This sample was placed in a flow-through reaction tank made of transparent quartz glass, and SO□ gas and C
Ultraviolet rays were irradiated for about 1 hour while flowing a glass mixture of e2 gas at an equivalent ratio of 2=1. This causes Sin
, only on the parts of the polyethylene membrane that are not covered with -so
, cg group has been introduced.

さらに、この試料を反応槽から取り出し、5%]、i0
H水溶液に10分間浸漬して−so、cg基を一3O3
1,i基に変換し、さらに0.5 M −HCff水溶
液中に浸漬し、−3O3H基に変換した。
Furthermore, this sample was taken out from the reaction tank and 5%], i0
-so, cg groups were immersed in H aqueous solution for 10 minutes to form -3O3
It was converted into a 1,i group, and further immersed in a 0.5 M -HCff aqueous solution to be converted into a -3O3H group.

次いで試料を十分に水洗した後、グリセリン中に浸漬し
て平衡にした。
The sample was then thoroughly washed with water and then immersed in glycerin for equilibration.

次に、実施例1と同様にして得たポリピロールの異方性
導電膜を、平滑なステンレス板にはり付け、さらにその
上に80μmの厚さの銅板に一辺が600メ1mの正方
形を縦横30017mのスペースをあけて規則正しく穴
を開けたマスクをはりつけた。
Next, an anisotropic conductive film of polypyrrole obtained in the same manner as in Example 1 was attached to a smooth stainless steel plate, and on top of that, a square with a side of 600 x 1 m was placed on a copper plate with a thickness of 80 μm, with a length and width of 30,017 m. A mask with regular holes cut out at regular intervals was attached.

次に該試料をスパッタ装置内に設置し、Tr金金属ター
ゲットとして5mT、orrの酸素雰囲気中で反応性ス
パッタを行ない、上記試料」二に酸化イリジウム膜を約
500人の厚さに積層した。
Next, the sample was placed in a sputtering apparatus, and reactive sputtering was performed in an oxygen atmosphere of 5 mT and orr using a Tr gold metal target, and an iridium oxide film was deposited on the sample to a thickness of about 500 mm.

次いで、上記ポリエチレンテレフタレート、ITO1W
03、モザイク状イオン導電膜の積層物と、異方性導電
膜、IreX積層物とを、イオン導電部とTrOxのパ
ターン部の位置が一致するように、はり合わせて、EC
D素子とした。
Next, the above polyethylene terephthalate, ITO1W
03. The laminate of the mosaic ion conductive film, the anisotropic conductive film, and the IreX laminate are glued together so that the positions of the ion conductive part and the TrOx pattern part match, and EC is applied.
It was used as a D element.

実施例1と同様にして上記ECD素子の特性を調べたと
ころ、この素子はイオン導電膜に、白色顔料がはいって
いないため、表示の見ばえは実施例1よりも劣るものの
、良好に作動することを確かめた。
When the characteristics of the above ECD element were investigated in the same manner as in Example 1, it was found that this element operated well, although the appearance of the display was inferior to that in Example 1 because the ion conductive film did not contain white pigment. I made sure to do it.

またメモリー性は実施例1と同様に良好で50時間以上
はほぼ初期と同等の着色状態を維持した。
The memory properties were as good as in Example 1, and the colored state remained almost the same as the initial state for 50 hours or more.

実施例3 完全に脱水精製したテトラヒドロフラン中に蒸留した1
モルのスチレンを溶解し、窒素気流中でブチルリチウム
を加えリビングシニオン重合させ、更にこれをブタジェ
ンをスチレンに対して4倍モル添加して、ブロック共重
合させ、更に1モルのスチレンを加えて、更にまたブタ
ジェンを4モル加えて四元のブロック共重合体とし、こ
れにメタノールを加えて重合反応を停止させた。得られ
たポリ°マー溶液を大量のメタノール中に加えて沈澱を
得、更にテトラヒドロフランに溶解、メタノールへの投
入精製をくり返し、高純度のブロック共重合体を得た。
Example 3 1 Distilled in Completely Dehydrated Tetrahydrofuran
Dissolve one mole of styrene, add butyl lithium in a nitrogen stream to perform living synion polymerization, then add butadiene four times the mole of styrene to perform block copolymerization, and then add one mole of styrene. Furthermore, 4 moles of butadiene was added to form a quaternary block copolymer, and methanol was added to this to terminate the polymerization reaction. The resulting polymer solution was added to a large amount of methanol to obtain a precipitate, which was then dissolved in tetrahydrofuran and poured into methanol for purification, which was repeated to obtain a highly pure block copolymer.

さて、これを溶媒に溶解し、ポリテトラフルオロエチレ
ン製のシートの上に流延して乾燥し、フィルムとした。
This was then dissolved in a solvent, cast on a polytetrafluoroethylene sheet, and dried to form a film.

これを95%の硫酸中に30℃で48時間浸漬してポリ
ブタジェンの部位に架橋反応を行いポリスチレンの部分
にスルボン酸基を導入した。これをエチレングリコール
の中に浸漬して平衡にし、モザイク状イオン導電膜を得
た。
This was immersed in 95% sulfuric acid at 30° C. for 48 hours to cause a crosslinking reaction at the polybutadiene portion and introduce a sulfonic acid group into the polystyrene portion. This was immersed in ethylene glycol to achieve equilibrium, and a mosaic-like ion conductive film was obtained.

次に実施例1と同様にして得たポリエチレンテレフタレ
ート、透明導電膜、WO3積層体と実施例2と同様にし
て得た買方性導電膜、Ire、積層体の間に上記モザイ
ク状イオン導電膜を貼り合わせて加圧密着させECD素
子とした。
Next, the mosaic-like ion conductive film was placed between the polyethylene terephthalate, transparent conductive film, and WO3 laminate obtained in the same manner as in Example 1, and the commercial conductive film, Ire, and laminate obtained in the same manner as in Example 2. They were pasted together and brought into close contact under pressure to form an ECD element.

−F記ECD素子の特性を実施例1と同様にして調べた
ところ、着色むらや、色のにじみはほとんどなく、着消
色の応答も速かった。またメモリー性も10時間以上と
良好であった。
-F The characteristics of the ECD element were examined in the same manner as in Example 1, and there was almost no uneven coloring or color bleeding, and the response of coloring and decoloring was fast. Moreover, the memory property was also good at 10 hours or more.

実施例4 実施例1と同様にして、ポリエチレンテレフタレートに
ITOとWO8を積層させた。
Example 4 In the same manner as in Example 1, ITO and WO8 were laminated on polyethylene terephthalate.

また実施例1と同様にして、異方性導電膜と対向電極(
WO3)の積層体を得た。
In addition, in the same manner as in Example 1, the anisotropic conductive film and the counter electrode (
A laminate of WO3) was obtained.

次に、スクリーン印刷により、光重合性のイオン導電性
物質を」−記EC膜上と対向電極に印刷し、両者を貼り
合わせた。
Next, a photopolymerizable ion conductive substance was printed on the EC film and the counter electrode by screen printing, and the two were bonded together.

光重合性のイオン導電性物質としてはポリエステルアク
リレート15重量部、1.3−ブタンジオールジアクリ
レート20重量部、ベンゾイン2重量部及びN、  N
−ジメチルアニリン2重量部、l i 型の2−アルジ
ルアミド−2−メチル・プロパンスルホン酸モノマー2
0重量部、過塩素酸リチウム0.5重量部、エチレング
リコール8重量部、アンチモン酸のi酸粉末32.5重
量部をよく混合したものを使用した。
The photopolymerizable ionically conductive substances include 15 parts by weight of polyester acrylate, 20 parts by weight of 1,3-butanediol diacrylate, 2 parts by weight of benzoin, and N,N.
- 2 parts by weight of dimethylaniline, 2-aldylamido-2-methyl propanesulfonic acid monomer of l i type 2
A mixture of 0 parts by weight, 0.5 parts by weight of lithium perchlorate, 8 parts by weight of ethylene glycol, and 32.5 parts by weight of antimonic acid powder was used.

次にはり合わせたものに、異方性導電膜の上方よりメタ
ルハライドランプの波長280nm付近の紫外線を利用
し、100 W/cmのパワーで、10秒照射した。こ
のとき、対向電極に使用したWO3ハ」二記波長の光を
吸収するのでその下部のイオン導電膜は重合しないがそ
れ以外の部分では重合が起こり、イオン導電性を大幅に
低下させることができる。
Next, the bonded structure was irradiated with ultraviolet light with a wavelength of around 280 nm from a metal halide lamp from above the anisotropic conductive film at a power of 100 W/cm for 10 seconds. At this time, since the WO3 used for the counter electrode absorbs light with two wavelengths, the ion conductive film below it does not polymerize, but polymerization occurs in other parts, significantly reducing the ionic conductivity. .

」二記ECr)素子の特性を実施例1と同様にして調べ
たところ、表示のにじみはなく、また、4時間以上のメ
モリー性を示した。
When the characteristics of the device were examined in the same manner as in Example 1, it was found that there was no smearing of the display and it had a memory property of 4 hours or more.

実施例5 実施例1と同様にしてポリエチレンテレフタレート、I
TO1WO3積層物を得た。次にスクリ−ン印刷により
、絶縁性物質を300 ml’lのラインが縦横に60
0μm間隔毎にならんだ格子状に印刷した。
Example 5 Polyethylene terephthalate, I
A TO1WO3 laminate was obtained. Next, by screen printing, 60 lines of 300 ml of insulating material were printed vertically and horizontally.
It was printed in a grid pattern arranged at intervals of 0 μm.

絶縁性物質としては、市販のエポキシ接着剤(エポキシ
Eセット11、コニシ株式会社製)70重量部にTi0
z30重量部をよ(混合したものを用いた。次に上記エ
ポキシ接着剤を印刷したものを100℃、1時間熱処理
することにより、エポキシを硬化させた。
As an insulating substance, TiO was added to 70 parts by weight of a commercially available epoxy adhesive (Epoxy E Set 11, manufactured by Konishi Co., Ltd.).
A mixture of 30 parts by weight of ZZ was used. Next, the epoxy adhesive was printed and heat treated at 100° C. for 1 hour to harden the epoxy.

さらに、その上に、光重金製のイオン導電性物質を、先
に印刷した絶縁性物質とは反対のパターン状に印刷し、
高圧水銀灯を用いて、紫外線を約10秒間照射すること
によって光重合を行なわセイオン導電性物質を硬化させ
た。前記光重合性のイオン導電物質としては ポリエチレングリコール400ジアクリレート20重量
部 Li型の2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスル
ホン酸      3o重Ji部ベンゾイン     
       2重量部エチレングリコール     
   3重量部はうフッ化リチウム       0.
5重量部プロビレンカーボネー1−      6重量
部メタノール           3.5重量部Ti
0z              35重量部をよく混
合したものを使用した。
Furthermore, on top of that, an ion conductive material made by Kojukin was printed in a pattern opposite to the previously printed insulating material.
Photopolymerization was performed by irradiating ultraviolet rays for about 10 seconds using a high-pressure mercury lamp to harden the seion conductive material. The photopolymerizable ion conductive substance includes polyethylene glycol 400 diacrylate 20 parts by weight Li-type 2-acrylamido-2-methylpropanesulfonic acid 3o heavy Ji parts benzoin
2 parts by weight ethylene glycol
3 parts by weight of lithium fluoride 0.
5 parts by weight Probylene carbonate 1-6 parts by weight Methanol 3.5 parts by weight Ti
A mixture containing 35 parts by weight of 0z was used.

次に上記イオン導電膜のイオン導電性部分のパターンに
、対向電極物質をスクリーン印刷した。
Next, a counter electrode material was screen printed on the pattern of the ion conductive portion of the ion conductive film.

対向電極物質としては、カーボンペースト(ドータイ1
−FC−404、藤倉化成■製)80重量部、二酸化マ
ンガン20重量部をよく混合したものを用いた。これを
80 ’C1時間加熱して硬化させた。
As the counter electrode material, carbon paste (Dotai 1
A mixture of 80 parts by weight of -FC-404 (manufactured by Fujikura Kasei ■) and 20 parts by weight of manganese dioxide was used. This was cured by heating at 80'C for 1 hour.

次に、上記対向電極物質を印刷しなかった格子状部分に
、前記エポキシ接着剤(エポキシEセットL、コニシ株
式会社製)を印刷し、100℃1時間熱処理し、硬化さ
せた。さらに、上記対向電極」二に同じパターン状に低
抵抗の導電性樹脂(ドータイトI)−550、藤倉化成
■製)をスクリーン印刷し、50°C11h加熱処理す
ることにより硬化させ、これを異方性導電膜とした。
Next, the epoxy adhesive (Epoxy E Set L, manufactured by Konishi Co., Ltd.) was printed on the grid portion where the counter electrode material was not printed, and heat treated at 100° C. for 1 hour to harden it. Furthermore, a low-resistance conductive resin (Dotite I)-550, manufactured by Fujikura Kasei Ltd.) was screen-printed in the same pattern on the above-mentioned counter electrode, and cured by heat treatment at 50°C for 11 hours. It was made into a conductive film.

上記素子の特性を実施例1と同様にして、調べたところ
、表示のにじみはなく、また、10時間以上のメモリー
性を示した。
When the characteristics of the above device were examined in the same manner as in Example 1, it was found that there was no smearing of the display and the device had a memory property of 10 hours or more.

実施例6 実施例1と同様にしてポリエチレンテレフタレート、I
TO,WO2積層膜を得た。
Example 6 Polyethylene terephthalate, I
A TO, WO2 laminated film was obtained.

次いで無機イオン交換体であるリン酸ジルコニウムの微
粉末を成型機によって球状で直径が30μmのものとし
た。これをポリ塩化ビニルをテトラヒドロフランに溶解
した中に均一に分散した。
Next, fine powder of zirconium phosphate, which is an inorganic ion exchanger, was made into a spherical shape with a diameter of 30 μm using a molding machine. This was uniformly dispersed in polyvinyl chloride dissolved in tetrahydrofuran.

これを前記WO3膜上に均一に流延しテトラヒドロフラ
ンを飛散させて、WOx上の球状のリン酸ジルコニウム
が均一に分散したポリ塩化ビニルのフィルムを形成した
This was uniformly cast on the WO3 film and tetrahydrofuran was scattered to form a polyvinyl chloride film in which spherical zirconium phosphate was uniformly dispersed on the WOx.

次に、実施例5と同様にして、対向電極及び異方性導電
膜をスクリーン印刷してECD素子とした。
Next, in the same manner as in Example 5, a counter electrode and an anisotropic conductive film were screen printed to obtain an ECD element.

上記ECD素子の特性を実施例1と同様にして調べたと
ころ、着消色の応答速度は実施例1や2に比べるとやや
遅かったが表示のにしみはなく、また10時間以上のメ
モリー性を示した。
When the characteristics of the above ECD element were investigated in the same manner as in Example 1, the response speed of coloring/decoloring was slightly slower than that of Examples 1 and 2, but there was no smearing of the display, and the memory property was longer than 10 hours. showed that.

実施例7 EC膜としてWO’sを蒸着する際に、80μmの厚さ
の銅板に一辺が600μmの正方形を縦横300μmの
スペースをあけて規則正しく穴を開けたマスクをはり付
けて蒸着し、さらにEC膜上にイオン導電性物質をスク
リーン印刷する際に上記パターン状WO3膜のパターン
と一致する様に印刷する以外は実施例1と同様にECD
素子をつ(す、その特性を調べた。
Example 7 When evaporating WO's as an EC film, a mask with regularly drilled holes in a square with a side of 600 μm and a space of 300 μm in length and width was attached to a copper plate with a thickness of 80 μm, and further EC was applied. ECD was carried out in the same manner as in Example 1, except that when screen printing the ion conductive substance on the membrane, the printing was done so that it matched the pattern of the patterned WO3 membrane.
We tested the element and investigated its characteristics.

その結果着消色特性は良好であった。またメモリー性は
15時間以上を示した。
As a result, the coloring and fading properties were good. Furthermore, the memory property was 15 hours or more.

比較例1 イオン導電性樹脂を全面にわたって印刷し、かつ絶縁性
樹脂を全く印刷しなかったこと以外は全て実施例1と同
様にしてECD素子を作製した。
Comparative Example 1 An ECD element was produced in the same manner as in Example 1 except that the ion conductive resin was printed over the entire surface and the insulating resin was not printed at all.

」二記ECD素子の特性を実施例1と同様にして、調べ
たところ、着消色の応答は速いものの数分〜数10分の
間に、着色部が徐々に広がり、かつ、初期の着色部の着
色濃度が薄くなり、メモリー性も良くなかった。
When the characteristics of the ECD element described in Example 2 were investigated in the same manner as in Example 1, it was found that although the response of coloring and decoloring was quick, the colored area gradually spread over a period of several minutes to several tens of minutes, and the initial coloring The coloring density of the parts became thinner, and the memory properties were not good.

比較例2 対向電極として蒸着したWO3膜の厚みが5000人で
ある以外は実施例1と同様にしてECD素子を作製し、
その特性を調べた。ただし、この場合は、異方性導電膜
側よりECD素子の表示特性を観察した。その結果、応
答速度やメモリー性は実施例1とほぼ同じ程度であった
が、異方性導電膜がほぼ全体的には透明に見えるものの
やはり黒いドツトがあるため実施例1に比べて表示の鮮
明度あるいは見易すさの点において明らかに劣っていた
Comparative Example 2 An ECD element was produced in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the WO3 film deposited as a counter electrode was 5000 mm.
We investigated its characteristics. However, in this case, the display characteristics of the ECD element were observed from the anisotropic conductive film side. As a result, the response speed and memory properties were almost the same as in Example 1, but although the anisotropic conductive film appeared almost entirely transparent, there were still black dots, so the display was poorer than in Example 1. It was clearly inferior in terms of clarity or ease of viewing.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 透明導電膜、エレクトロクロミック膜、イオン導電膜、
対向電極及び異方性導電膜を積層した構造よりなるエレ
クトロクロミックディスプレイ素子に於いて、異方性導
電膜が厚み方向に異方性を有する導電膜で且つ、イオン
導電膜がX軸、Y軸にn及びm(但しn、mは正の整数
である)のセグメントに分割されてなるモザイク状イオ
ン導電膜であることを特徴とするエレクトロクロミック
ディスプレイ素子。
Transparent conductive film, electrochromic film, ion conductive film,
In an electrochromic display element having a structure in which a counter electrode and an anisotropic conductive film are laminated, the anisotropic conductive film is a conductive film having anisotropy in the thickness direction, and the ion conductive film is a conductive film having anisotropy in the thickness direction, and An electrochromic display element characterized in that it is a mosaic-like ion conductive film divided into n and m segments (where n and m are positive integers).
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