JPS6228095Y2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6228095Y2
JPS6228095Y2 JP13613480U JP13613480U JPS6228095Y2 JP S6228095 Y2 JPS6228095 Y2 JP S6228095Y2 JP 13613480 U JP13613480 U JP 13613480U JP 13613480 U JP13613480 U JP 13613480U JP S6228095 Y2 JPS6228095 Y2 JP S6228095Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
acoustic wave
surface acoustic
ceramic substrate
wave device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP13613480U
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS5757630U (en
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP13613480U priority Critical patent/JPS6228095Y2/ja
Publication of JPS5757630U publication Critical patent/JPS5757630U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPS6228095Y2 publication Critical patent/JPS6228095Y2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 この考案は、周囲の温度環境、熱的環境の変化
に対して安定な特性を示す弾性表面波装置に関す
るものである。
[Detailed Description of the Invention] This invention relates to a surface acoustic wave device that exhibits stable characteristics against changes in the surrounding temperature environment and thermal environment.

弾性表面波装置としては、たとえば弾性表面波
フイルタ、弾性表面波共振器あるいは弾性表面波
遅延線などがある。このような弾性表面波装置に
は、圧電効果を有するセラミツク材料を用いるの
が一般的である。このような圧電セラミツク材料
としては、チタン酸バリウム系、チタン酸鉛系あ
るいはチタン酸ジルコン酸鉛系などがある。
Examples of surface acoustic wave devices include surface acoustic wave filters, surface acoustic wave resonators, and surface acoustic wave delay lines. Such surface acoustic wave devices generally use ceramic materials that have a piezoelectric effect. Examples of such piezoelectric ceramic materials include barium titanate, lead titanate, and lead zirconate titanate.

最近では、これら弾性表面波装置として高信頼
性のものが要求され、外部環境、特に温度環境や
熱的環境に対して安定した特性が要求されてい
る。
Recently, these surface acoustic wave devices are required to be highly reliable, and are required to have stable characteristics against the external environment, especially the temperature environment and thermal environment.

しかしながら、従来では、厳しい温度環境や熱
的環境においたとき、たとえば高温放置試験や熱
衝撃試験などの特殊試験と呼ばれる試験を行う
と、その圧電特性が低下するという現象がしばし
ば見られる。そのために、従来より種々の改良案
が試みられているが、いまだにこれといつた最善
のものが見いだされていないのが現状である。
However, in the past, it has often been observed that when a material is placed in a severe temperature or thermal environment, its piezoelectric properties deteriorate when it is subjected to a test called a special test such as a high temperature storage test or a thermal shock test. To this end, various improvement plans have been attempted in the past, but the current situation is that the best solution has not yet been found.

つまり、弾性表面波装置等に用いられる強誘電
性基板としては、(1)温度変化によつても周波数や
挿入損失などが変化しないこと、(2)電気機械結合
係数が大きいことなどが重要な特性として要求さ
れている。たとえば、チタン酸ジルコン酸鉛系の
セラミツクス主成分に対して、種々の添加物を加
え、材料それ自体によつて特性の改善を図ること
が行われている。しかしながら、添加物を加える
場合には、先の(1)の特性は満足できても、逆に(2)
の特性が低下するということがある。また、この
他に焼成条件を種々検討することにより、(1)の特
性についての改善も試みられているが、やはり(2)
の特性にばらつきが生じたり、それが低下したり
するという欠点が見られ、しかもその焼成条件の
コントロールも難しい面があり、工業的な生産に
は適したものではない。
In other words, for ferroelectric substrates used in surface acoustic wave devices, etc., it is important that (1) the frequency and insertion loss do not change even with temperature changes, and (2) the electromechanical coupling coefficient is large. required as a characteristic. For example, various additives are added to the main component of lead zirconate titanate ceramics in order to improve the properties of the material itself. However, when adding additives, even if characteristic (1) above is satisfied, conversely, characteristic (2)
properties may deteriorate. In addition, attempts have been made to improve the property (1) by examining various firing conditions; however, (2)
The drawback is that the properties of the calcinations vary or deteriorate, and it is also difficult to control the firing conditions, making them unsuitable for industrial production.

ところで、リードレスタイプの弾性表面波装置
として第1図に示すようなものがある。図におい
て、1は弾性表面波装置ユニツトである。ユニツ
ト1は、たとえばチタン酸ジルコン酸鉛系の強誘
電性セラミツク基板11を含む。そして、この基
板11の一方主表面には入力側のインタデイジタ
ル電極12と出力側のインタデイジタル電極13
とが導電材料によつて形成され、さらに両者の間
には必要に応じシールド電極14が形成されてい
る。強誘電性セラミツク基板11の他方主表面上
には、必要に応じアース電極15が形成されてい
る。入力側のインタデイジタル電極12の1対の
櫛歯電極には、それぞれ、個別的に、引出電極1
6aおよび16bが接続される。また、出力側の
インタデイジタル電極の1対の櫛歯電極には、そ
れぞれ、個別的に引出電極17aおよび17bが
電気的に接続されている。さらに、シールド電極
14には、引出電極16bが電気的に接続され
る。このとき、基板11の裏面に形成されたアー
ス電極15は、導電性ペーストあるいは抵抗性ペ
ーヌト(図示せず)によつてシールド電極14す
なわち引出電極16bに電気的に接続されること
もある。このような弾性表面波装置ユニツト1
は、弾性表面波装置を構成するユニツトとして知
られている。
By the way, there is a leadless type surface acoustic wave device as shown in FIG. In the figure, 1 is a surface acoustic wave device unit. The unit 1 includes a ferroelectric ceramic substrate 11 based on lead zirconate titanate, for example. On one main surface of this substrate 11, there are interdigital electrodes 12 on the input side and interdigital electrodes 13 on the output side.
are made of a conductive material, and a shield electrode 14 is formed between the two as necessary. A ground electrode 15 is formed on the other main surface of the ferroelectric ceramic substrate 11 as required. A pair of comb-shaped electrodes of the interdigital electrodes 12 on the input side are each individually connected to an extraction electrode 1.
6a and 16b are connected. Furthermore, extraction electrodes 17a and 17b are electrically connected to the pair of comb-shaped electrodes of the interdigital electrodes on the output side, respectively. Further, an extraction electrode 16b is electrically connected to the shield electrode 14. At this time, the ground electrode 15 formed on the back surface of the substrate 11 may be electrically connected to the shield electrode 14, that is, the extraction electrode 16b, by a conductive paste or a resistive paste (not shown). Such surface acoustic wave device unit 1
is known as a unit constituting a surface acoustic wave device.

一方、2は絶縁ベースで引出電極16a,16
b,17a,17bに対応する4つの引出端子電
極21a,21b,22a,22bが一例として
メタライズ方法により設けてある。基板11の裏
面側が絶縁性接着剤(図示せず)にて絶縁ベース
2に接着される。ボンデングワイヤ(図示せず)
にて、引出電極16aと引出端子電極21a、引
出電極16bと引出端子電極21b、引出電極1
7aと引出端子電極22a、引出電極17bと引
出端子電極22bがそれぞれ接続される。3は図
における下面が開口したキヤツプで、引出端子電
極21a,21b,22a,22bを部分的に露
出したまま弾性表面波装置ユニツト1を覆うよう
に絶縁ベース2に固定されるものである。
On the other hand, 2 is an insulating base with extraction electrodes 16a, 16
For example, four lead terminal electrodes 21a, 21b, 22a, and 22b corresponding to electrodes b, 17a, and 17b are provided by a metallization method. The back side of the substrate 11 is adhered to the insulating base 2 with an insulating adhesive (not shown). Bonding wire (not shown)
, the extraction electrode 16a and the extraction terminal electrode 21a, the extraction electrode 16b and the extraction terminal electrode 21b, and the extraction electrode 1
7a and the extraction terminal electrode 22a, and the extraction electrode 17b and the extraction terminal electrode 22b are connected, respectively. Reference numeral 3 designates a cap whose lower surface is open in the figure, and is fixed to the insulating base 2 so as to cover the surface acoustic wave device unit 1 with the lead terminal electrodes 21a, 21b, 22a, and 22b partially exposed.

この考案の目的はこのような構造を最大限利用
して厳しい温度環境や熱的環境に対して特性の変
化の少ない弾性表面波装置を提供することであ
る。
The purpose of this invention is to provide a surface acoustic wave device whose characteristics do not change much in severe temperature or thermal environments by making maximum use of such a structure.

この考案は、要約すれば、分極処理を施した強
誘電性セラミツク基板の一方表面にインタデジタ
ル電極を設ける一方、半導体板もしくは抵抗体板
上に引出端子電極を設け、導電性もしくは抵抗分
を有する接着剤で強誘電性セラミツク基板の他方
表面を半導体もしくは抵抗体板上に接着するとと
もに、セラミツク基板の一方表面に設けた電極と
引出端子電極とを導通することにより、強誘電性
セラミツク基板の温度変化によつて正および負電
荷が蓄積された部分間にこの蓄積電荷の放電回路
を構成した弾性表面波装置である。
In summary, this idea is to provide an interdigital electrode on one surface of a polarized ferroelectric ceramic substrate, and to provide a lead terminal electrode on a semiconductor board or a resistor board, which has a conductive or resistive component. By bonding the other surface of the ferroelectric ceramic substrate onto a semiconductor or resistor plate with an adhesive and by connecting the electrode provided on one surface of the ceramic substrate and the lead terminal electrode, the temperature of the ferroelectric ceramic substrate can be adjusted. This is a surface acoustic wave device in which a discharge circuit for the accumulated charges is constructed between parts where positive and negative charges are accumulated due to changes.

この考案の上述の目的およびその他の目的と特
徴は図面を参照して行う以下の詳細な説明から一
層明らかとなろう。
The above objects and other objects and features of the present invention will become clearer from the following detailed description with reference to the drawings.

第2図は、この考案の一実施例を示す分解斜視
図である。第2図において第1図と同一部分には
同一番号を付して説明を省略する。
FIG. 2 is an exploded perspective view showing an embodiment of this invention. In FIG. 2, the same parts as in FIG. 1 are given the same numbers and their explanations will be omitted.

4は半導性もしくは抵抗分を有するセラミツク
ス樹脂からなるベースで、ベース4には、図に示
すように、各引出端子電極21a,21b,22
a,22bに達しない範囲内23に、たとえば後
述するような条件を満たすよう導電性接着剤24
を塗布して、基板11の裏面側を半導体性もしく
は抵抗体ベース4に接着する。導電性接着剤24
に代えて抵抗性接着剤を用いてもよい。このとき
は各引出端子電極21a,21b,22a,22
bに達する範囲にまで塗布してもよい。そして従
来と同様各引出電極16a,16b,17a,1
7bがそれぞれボンデングワイヤにて引出端子電
極21a,21b,22a,22bに接続され
る。したがつて、第3図に図解するように基板1
1の表面側、つまりインタデジタル電極12,1
3、引出電極16a,16b,17a,17b、
場合によつてはシールド電極14が設けられてい
る面が、ボンデングワイヤ、半導体もしくは抵抗
体ベース4、導電性もしくは抵抗性接着剤24を
介して、基板11の裏面側と接続されることにな
る。このような回路を考えた場合、強誘電性セラ
ミツク基板11の、熱衝撃による電荷が発生する
面間の抵抗値をR1とし、この面間に外部接続さ
れた上記回路の総抵抗値をR2とすると、実験の
結果R2<R1とすると熱衝撃による電荷がすみや
かに上記回路を通じて放電してしまい、周囲の温
度環境、熱的環境の変化に対し満足できる安定性
を示した。
Reference numeral 4 denotes a base made of ceramic resin having semiconductivity or resistance, and the base 4 has respective lead terminal electrodes 21a, 21b, 22 as shown in the figure.
For example, a conductive adhesive 24 is applied within a range 23 that does not reach a and 22b so as to satisfy the conditions described below.
The back side of the substrate 11 is adhered to the semiconductor or resistor base 4 by applying the following. Conductive adhesive 24
A resistant adhesive may be used instead. At this time, each lead terminal electrode 21a, 21b, 22a, 22
It may be applied to a range reaching b. As in the conventional case, each extraction electrode 16a, 16b, 17a, 1
7b are connected to the lead terminal electrodes 21a, 21b, 22a, and 22b by bonding wires, respectively. Therefore, as illustrated in FIG.
1, that is, the interdigital electrode 12, 1
3, extraction electrodes 16a, 16b, 17a, 17b,
In some cases, the surface on which the shield electrode 14 is provided may be connected to the back side of the substrate 11 via a bonding wire, a semiconductor or resistor base 4, or a conductive or resistive adhesive 24. Become. When considering such a circuit, the resistance value between the surfaces of the ferroelectric ceramic substrate 11 where electric charges are generated due to thermal shock is set as R1 , and the total resistance value of the circuit externally connected between these surfaces is R. 2 , the experimental results showed that when R 2 <R 1 , the charge due to thermal shock was quickly discharged through the above circuit, and it showed satisfactory stability against changes in the surrounding temperature environment and thermal environment.

このような構成をとると、熱衝撃試験に対し、
挿入損失や中心周波数が変化しなくなるが、この
ように、安定した特性が得られるのは、次のよう
な理由によるものと推察される。
With this configuration, for thermal shock tests,
Although the insertion loss and center frequency do not change, it is presumed that the reason why such stable characteristics are obtained is as follows.

すなわち、チタン酸バリウム系、チタン酸ジル
コン酸鉛系、チタン酸鉛系など強誘電性セラミツ
クから成る弾性表面波装置においては、周囲温度
が変化したとき、分極方向と交差する面に自発分
極の変化によるパイロ(焦電)効果が生まれて、
その面上に電荷が発生する。そして、この電荷は
分極処理時の直流電界方向とは逆向きの、分極を
とるような反電界として働き、その結果基板の圧
電特性が劣化するものと考えられる。しかしなが
ら、上述の実施例のように、基板の両面を、ケー
シングの一部をなすベース自体の半導性もしくは
抵抗分を利用したり、これに加えるに接着剤の抵
抗分も利用して、これらを電気的接続すると、パ
イロ効果により発生した電荷は、この抵抗分を介
して放電され、その結果反電界が生じず、基板の
圧電特性の劣化を防止することができるのであろ
う。したがつて、上記したようにこのときに用い
られる抵抗分としては、基板それ自体の抵抗値よ
りも低い抵抗値を有するものとする必要があろ
う。
In other words, in surface acoustic wave devices made of ferroelectric ceramics such as barium titanate, lead zirconate titanate, and lead titanate, when the ambient temperature changes, a change in spontaneous polarization occurs in the plane intersecting the polarization direction. The pyroelectric effect is created by
A charge is generated on that surface. It is thought that this charge acts as an anti-electric field that takes polarization, which is opposite to the direction of the DC electric field during the polarization process, and as a result, the piezoelectric properties of the substrate deteriorate. However, as in the above-mentioned embodiment, both sides of the board can be formed by using the semiconductivity or resistance of the base itself, which forms part of the casing, or by using the resistance of the adhesive in addition to this. When electrically connected, the charge generated by the pyro effect is discharged through this resistance, and as a result, no counter-electric field is generated, presumably preventing deterioration of the piezoelectric properties of the substrate. Therefore, as described above, the resistance used at this time must have a resistance value lower than the resistance value of the substrate itself.

なお、上述の実施例では、基板11の表面上に
形成する電極として、導電部材で形成した例を示
したが、これはたとえば抵抗体ペーストのような
抵抗膜ないし半導電膜あるいは抵抗体の蒸着、ス
パツタリングで形成してもよい。このときには、
上記した基板の両面に接続される回路の抵抗値
を、電極の抵抗値との関係で選ぶ必要があろう。
半導体もしくは抵抗体ベース4の材料としては、
半導体セラミツク材料や抵抗性樹脂などがあげら
れる。またキヤツプ3の材料としては、セラミツ
ク材料たとえばアルミナ、ホルステライトなどで
も良いし、絶縁性樹脂、たとえばエポキシ樹脂で
も良いし、前述のベース4の材料と同じでもよ
い。なお、アース電極15のない弾性表面波装置
ユニツト1の代りにアース電極15のある弾性表
面波装置ユニツト1を用いてもよいが、アース電
極15によつて引出端子電極21a,21b,2
2a,22b間の不必要な電気的短絡が起きない
よう気をつけねばならない。また、導電性もしく
は抵抗性接着剤24にて弾性表面波装置ユニツト
1の裏面と接続される引出端子電極は、たとえば
1つだけでもよく、必ずしも4つとも接続される
必要はない。さらにシールド電極14が独立電極
のときは、半導体もしくは抵抗体ベース4にシー
ルド電極引出電極を設け、これとシールド電極1
4とをワイヤボンデングしただけでもよいし、上
記先行実施例と組合せてもよい。
In the above-described embodiments, the electrodes formed on the surface of the substrate 11 were made of a conductive material. , or may be formed by sputtering. At this time,
It will be necessary to select the resistance value of the circuits connected to both sides of the above-mentioned substrate in relation to the resistance value of the electrodes.
Materials for the semiconductor or resistor base 4 include:
Examples include semiconductor ceramic materials and resistive resins. The material of the cap 3 may be a ceramic material such as alumina or holsterite, an insulating resin such as an epoxy resin, or the same material as the base 4 described above. Note that the surface acoustic wave device unit 1 with the ground electrode 15 may be used instead of the surface acoustic wave device unit 1 without the ground electrode 15;
Care must be taken to avoid unnecessary electrical short circuits between 2a and 22b. Further, the number of lead-out terminal electrodes connected to the back surface of the surface acoustic wave device unit 1 using the conductive or resistive adhesive 24 may be, for example, only one, and it is not necessarily necessary to connect all four. Furthermore, when the shield electrode 14 is an independent electrode, a shield electrode lead electrode is provided on the semiconductor or resistor base 4, and this and the shield electrode 1
4 may be simply wire-bonded, or it may be combined with the preceding embodiment.

以上のように、この考案によれば、従来ケーシ
ングの一部をなすベースとして半導性もしくは抵
抗性を示すものを用い、かつ従来の絶縁性接着剤
に代えて、導電性もしくは一定の抵抗値を有する
抵抗性接着剤にて弾性表面波装置ユニツトを半導
体もしくは抵抗性ベースに接着するという簡単な
対策で、環境試験の中でも特に酷しい熱衝撃試験
を行なつても弾性表面波装置の各種特性の劣化が
ほとんどなくなり、高安定性を有する弾性表面波
装置を得ることができる。また、そのような弾性
表面波装置が、良品率良くしかも何等の追加の工
程もなく、効率的に生産できる。
As described above, according to this invention, a material that exhibits semiconductivity or resistance is used as the base that forms part of the casing, and instead of the conventional insulating adhesive, it is possible to use conductive or By simply bonding the surface acoustic wave device unit to a semiconductor or a resistive base using a resistive adhesive that has Deterioration of the surface acoustic wave device is almost eliminated, and a highly stable surface acoustic wave device can be obtained. Moreover, such surface acoustic wave devices can be efficiently produced with a high yield rate and without any additional steps.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の弾性表面波装置の分解斜視図、
第2図はこの考案の一実施例弾性表面波装置の分
解斜視図、第3図はこの考案の一実施例弾性表面
波装置の原理図である。 図において、1は弾性表面波装置ユニツト、1
1は強誘電性基板、12,13はインタデイジタ
ル電極、14はシールド電極、15はアース電
極、16a,16b,17a,17bは引出電
極、21a,21b,22a,22bは引出端子
電極、24は導電性もしくは抵抗性接着剤、4は
ベース。
Figure 1 is an exploded perspective view of a conventional surface acoustic wave device.
FIG. 2 is an exploded perspective view of a surface acoustic wave device according to an embodiment of this invention, and FIG. 3 is a diagram showing the principle of a surface acoustic wave device according to an embodiment of this invention. In the figure, 1 is a surface acoustic wave device unit;
1 is a ferroelectric substrate, 12 and 13 are interdigital electrodes, 14 is a shield electrode, 15 is a ground electrode, 16a, 16b, 17a, and 17b are extraction electrodes, 21a, 21b, 22a, and 22b are extraction terminal electrodes, and 24 is an extraction terminal electrode. Conductive or resistive adhesive, 4 is the base.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 分極処理を施した強誘電性セラミツク基板の一
方表面にインダデジタル電極を設ける一方、半導
体板もしくは抵抗体板上に引出端子電極を設け、
導電性もしくは抵抗分を有する接着剤で強誘電性
セラミツク基板の他方表面を半導体もしくは抵抗
体板上に接着するとともに、セラミツク基板の一
方表面に設けた電極と引出端子電極とを導通する
ことにより、強誘電性セラミツク基板の温度変化
によつて正および負電荷が蓄積された部分間にこ
の蓄積電荷の放電回路を構成した弾性表面波装
置。
An inder digital electrode is provided on one surface of a polarized ferroelectric ceramic substrate, and a lead terminal electrode is provided on a semiconductor board or a resistor board.
By bonding the other surface of the ferroelectric ceramic substrate onto the semiconductor or resistor plate with an adhesive having conductivity or resistance, and by connecting the electrode provided on one surface of the ceramic substrate and the lead terminal electrode, A surface acoustic wave device in which a circuit for discharging accumulated charges is constructed between portions of a ferroelectric ceramic substrate in which positive and negative charges are accumulated due to temperature changes.
JP13613480U 1980-09-24 1980-09-24 Expired JPS6228095Y2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13613480U JPS6228095Y2 (en) 1980-09-24 1980-09-24

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13613480U JPS6228095Y2 (en) 1980-09-24 1980-09-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5757630U JPS5757630U (en) 1982-04-05
JPS6228095Y2 true JPS6228095Y2 (en) 1987-07-18

Family

ID=29496257

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13613480U Expired JPS6228095Y2 (en) 1980-09-24 1980-09-24

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6228095Y2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1995024075A1 (en) * 1994-03-02 1995-09-08 Seiko Epson Corporation Surface acoustic wave resonator element, surface acoustic wave resonator, surface-mount surface acoustic wave resonator, and method of manufacture thereof

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1995024075A1 (en) * 1994-03-02 1995-09-08 Seiko Epson Corporation Surface acoustic wave resonator element, surface acoustic wave resonator, surface-mount surface acoustic wave resonator, and method of manufacture thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5757630U (en) 1982-04-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4398162A (en) Ladder-type piezoelectric filters
US3676724A (en) Multi-element piezoelectric circuit component
US4381469A (en) Temperature stable piezoelectric device
US3423700A (en) Piezoelectric resonator
JPH0666630B2 (en) Energy trapped oscillator
US4451753A (en) Piezoelectric device with surface charge shunt
US4287493A (en) Piezoelectric filter
JPH10154920A (en) Ladder filter
JPS6228095Y2 (en)
US6016024A (en) Piezoelectric component
JPH0112423Y2 (en)
JPS6324324B2 (en)
JPS5927559B2 (en) electroacoustic transformer
JPS6236342Y2 (en)
JPS6327890B2 (en)
JPH0235492B2 (en)
JP2555985B2 (en) Piezoelectric transformer and its driving method
JPS5848820Y2 (en) surface acoustic wave device
JP2725603B2 (en) Piezoelectric transformer and its driving method
JPH05299970A (en) Piezoelectric rudder filter
JP2755177B2 (en) Piezoelectric transformer
JPS631459Y2 (en)
JP3244237B2 (en) Piezoelectric resonator
JPH0666634B2 (en) Energy trapping piezoelectric filter
JPH0242809A (en) Surface acoustic wave device