JPS622716A - Fet driving circuit for load drive - Google Patents

Fet driving circuit for load drive

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JPS622716A
JPS622716A JP14188685A JP14188685A JPS622716A JP S622716 A JPS622716 A JP S622716A JP 14188685 A JP14188685 A JP 14188685A JP 14188685 A JP14188685 A JP 14188685A JP S622716 A JPS622716 A JP S622716A
Authority
JP
Japan
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power supply
circuit
bit
voltage
load
Prior art date
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Pending
Application number
JP14188685A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yuji Komiya
小宮 優二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP14188685A priority Critical patent/JPS622716A/en
Publication of JPS622716A publication Critical patent/JPS622716A/en
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Abstract

PURPOSE:To attain a large amount of current for the load and at the same time to suppress the increase of the current consumption, by providing a switch circuit which is controlled by the data signal given from a logic circuit for each bit and supplying the power supply voltage higher than that of the logic circuit to a drive circuit via a switch circuit. CONSTITUTION:The power supply voltage of the 3rd power supply 7 is set at a level higher than the voltage of a power supply 1 of a logic circuit 2. The N channel FETs 8-1-8-n for switching are provided for each bit and therefore the gate voltage of an approximately fixed level is secured when the output N channel FETs 4-1-4-n are driven. Then it is conceivable that the variance of the ON voltage Von is produced by the effects of the manufacturing processes. Thus said variance of those ON voltages can be reduced. While the FETs 8-1-8-n are turned off for each bit when the N channel FETs 12-1-12-n receive the data signals from the circuit 2 and are turned on. Thus the increase of the power consumption of the 2nd power supply 7 can be suppressed by increasing enough the values of load resistances 9-1-9-n.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 この発明は、複数ビットの負荷駆動用FITをそれぞれ
駆動する複数ビットの駆動回路を有する負荷駆動用F’
FiT駆動回路に関する。
Detailed Description of the Invention [Technical Field to which the Invention Pertains] The present invention relates to a load driving F' having a multi-bit drive circuit that drives a multi-bit load driving FIT, respectively.
This invention relates to an FiT drive circuit.

〔従来技術とその問題点〕[Prior art and its problems]

この種の負荷駆動用FET駆動回路は1例えばプリンク
用のサーマルヘッド駆動用のMOB−工Cに用いられる
が、このサーマルヘッド駆動用MO8−ICにおいて、
回路は、ロジック回路、駆動回路そしてオープンドレイ
ンの出力NチャンネルFIT (電界効果トランジスタ
)とで構成され、ロジック回路と駆動回路は、電源電圧
5vで使用されるものが多い。また、出力Nチャンネル
FETのドレインは、印字用の発熱抵抗を介して扁電圧
電#(例えば247 ) K接続される。この4会、出
力Nチャ/ネルlFETのゲート電圧は、5Vで駆動さ
れ、ドレインには、この駆動電圧に応じた出力電流が得
られることKなる。
This type of load driving FET driving circuit is used in MOB-C for driving a thermal head for plinking, for example, but in this MO8-IC for driving a thermal head,
The circuit consists of a logic circuit, a drive circuit, and an open-drain output N-channel FIT (field effect transistor), and the logic circuit and drive circuit are often used at a power supply voltage of 5V. Further, the drain of the output N-channel FET is connected to a flat voltage voltage (for example, 247) K via a heating resistor for printing. In this case, the gate voltage of the output N-channel/channel IFET is driven at 5V, and an output current corresponding to this drive voltage is obtained at the drain.

灰に従来例を説明し、大電流化に対する問題点を指摘す
る。第2図は、従来例を示す回路図であシ、図において
、オlの電源l(電圧をVnlとする)に接続されるロ
ジック回w&2、前記ロジック回w&2からの各出力ビ
ットに対応したそれぞれのデータ信号を受けて作動する
(!MOSインバータよりなる駆動回路3〜1〜゛3−
nが設けられ、全ピットの駆動回路の電源は、前記第1
の電源IK接続される。そして、駆動回llIr3−1
〜3− nの出力信号をゲートで受けて駆動される出力
NチャンネルFET 4−1〜4− nのドレインは、
外付の発熱抵抗(負荷)5−1〜5− nを介して牙2
の電源6に接続される。
We will explain the conventional example and point out the problems with increasing the current. FIG. 2 is a circuit diagram showing a conventional example. In the figure, the logic circuit w&2 is connected to the power supply l (the voltage is Vnl), and the logic circuit w&2 corresponds to each output bit from the logic circuit w&2. Drive circuits 3 to 1 to 3-1, each consisting of a MOS inverter, operate in response to the respective data signals.
n is provided, and the power supply of the drive circuit of all the pits is the first
The power supply IK is connected. And the drive circuit llIr3-1
The output N-channel FET is driven by receiving the output signal of ~3-n at its gate.The drain of 4-1~4-n is
Fang 2 via external heating resistors (loads) 5-1 to 5-n
It is connected to the power supply 6 of.

この回路の動作は、ロジック回路2からのデータ信号で
各ビットの駆動回路3−1〜3− nを介してそれぞれ
に対応する出力NチャンネルFFuT 4−1〜4−n
をONにし、発熱抵抗5−1〜5− nに電流を流し、
このときの発熱を利用して感熱紙に印字するものである
。ビット数nl”t、32あるいは64が用いられてい
る。
The operation of this circuit is such that a data signal from the logic circuit 2 is sent to the corresponding output N-channel FFuT 4-1 to 4-n via the drive circuits 3-1 to 3-n for each bit.
Turn on, apply current to heating resistors 5-1 to 5-n,
The heat generated at this time is used to print on thermal paper. A bit number nl''t, 32 or 64 is used.

この例では、前にも述べたように、出力NチャンネルF
KTの駆動電源として5■を使用している。
In this example, as mentioned earlier, the output N channels F
5■ is used as a drive power source for KT.

このため、上記出力NチャンネルFETの出力電流を増
やしたいとの要求に対しては、出力NチャンネルFET
のチャンネル幅Wを増加しなければならない。そうする
とチップサイズが大きくなってコストアップになるとめ
う問題がある。
Therefore, in response to a request to increase the output current of the output N-channel FET,
channel width W must be increased. In this case, there is a problem that the chip size becomes large and the cost increases.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

この発明は、大vt流化に対し、出力NチャンネルFK
Tのサイズを増大することなく、しかも、出力Nチャン
ネルr″ETの駆動回路電源(高い電圧にする)および
駆動回路の変更に伴う消費電流の増加を抑えることがで
きる負荷駆動用FET駆動回路を提供することを目的と
する。
This invention provides output N-channel FK for large VT flow.
We have developed a load driving FET drive circuit that can suppress the increase in current consumption due to changes in the drive circuit power supply (higher voltage) and drive circuit for the output N-channel r''ET without increasing the size of T. The purpose is to provide.

〔発明の要点〕[Key points of the invention]

この発明は、ロジック回路から各ビットに対応して出力
されるデータ信号によυ制御されて複数ビットの負荷駆
動用FETをそれぞれ駆動する複数ビットの駆動回路を
有するFIT駆動回路において、前記複数ビットの各駆
動回路に前記データ信号の対応するビットによシ制御さ
れるスイッチ回路を設け、該スイッチ回路を介して前記
駆動回路に前記ロジック回路よシ高い電源電圧を供給す
るようにすることによって、負荷駆動用FETの高電圧
駆動を可能にして負荷の大電流化を図ると共に、負荷を
駆動しないときには、各スイッチ回路がビット毎にOF
Fするようにして消費を流の増加を少なくしようとする
ものである。
The present invention provides an FIT drive circuit having a plurality of bits of drive circuits each driving a plurality of bits of load driving FETs under the control of a data signal outputted from a logic circuit corresponding to each bit. By providing each drive circuit with a switch circuit controlled by the corresponding bit of the data signal, and supplying the drive circuit with a higher power supply voltage than the logic circuit through the switch circuit, In addition to enabling high voltage drive of the load driving FET to increase the load current, each switch circuit is turned off for each bit when the load is not being driven.
The aim is to reduce the increase in consumption by increasing the F.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

第1図は、この発明の実施例を示す回路図で、第2図と
同一部分には同一番号を付しである。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention, and the same parts as in FIG. 2 are given the same numbers.

図において、N基板上で第1の電源1(電源電圧tl−
vD!こJ゛る)に接続されるロジック回路2と、この
ロジック回路2からの並列複数nビットのデータ信号に
よりバッファ13−1〜13−nを介してNチャンネル
FET 12−1〜12−nが駆動される。このNチャ
ンネルFET 12−1〜12−nのドレインは、それ
ぞれ負荷抵抗9−1〜9− nとスイッチ用Nチャンネ
ルFKT 8−1〜8− nのゲートに接続される。そ
して、上述の負荷抵抗9−1〜9− nの他方とスイッ
チ用NチャンネルFKT 8−1〜B −nのドレイン
は第3の電源7に接続される。この第3の電源7の電源
電圧はロジック回路2の電源1の電圧よりも高く設足し
ておく。また、上述のスイッチ用NチャンネルF’ET
 8−1〜8− nの基板であるP層はアースに接続さ
れ、そのソースからそれぞれ抵抗10−1−10− n
を介して出力NチャンネルFET 4−1〜4− nを
それぞれ駆動する。さらに、各抵抗11−1〜11− 
nが出力NチャンネルIT 4−1〜4− nのゲート
とアース間に接続され、この抵抗11−1〜11−nは
、電源投入時に出力NチャンネルFFjT 4−1〜4
− nがONするのを防止する。そして、出力Nチャン
ネルFET 4−1〜4− nは、一方がこれらのFI
T 4−1〜4− nのドレインにそれぞれ接続され他
方が第2の電源6に接続された発熱抵抗5−1〜5− 
nに通電して発熱させる。向、上述の第2の電源6と第
3の電源フとは同一の電源であってもよい。
In the figure, a first power supply 1 (power supply voltage tl-
vD! N-channel FETs 12-1 to 12-n are connected to N-channel FETs 12-1 to 12-n via buffers 13-1 to 13-n by a parallel plural n-bit data signal from this logic circuit 2. Driven. The drains of the N-channel FETs 12-1 to 12-n are connected to the load resistors 9-1 to 9-n and the gates of the switching N-channel FKTs 8-1 to 8-n, respectively. The other of the load resistors 9-1 to 9-n and the drains of the switching N-channel FKTs 8-1 to B-n are connected to the third power supply 7. The power supply voltage of this third power supply 7 is set higher than the voltage of the power supply 1 of the logic circuit 2. In addition, the above-mentioned N-channel F'ET for the switch
The P layer, which is the substrate of 8-1 to 8-n, is connected to ground, and a resistor 10-1-10-n is connected from its source, respectively.
The output N-channel FETs 4-1 to 4-n are respectively driven through the FETs 4-1 to 4-n. Furthermore, each resistor 11-1 to 11-
n is connected between the gate of the output N-channel IT 4-1 to 4-n and the ground, and this resistor 11-1 to 11-n connects the output N-channel FFjT 4-1 to 4 when the power is turned on.
- Prevent n from turning on. Then, one of the output N-channel FETs 4-1 to 4-n is connected to these FI
Heat generating resistors 5-1 to 5- connected to the drains of T4-1 to T4-n, respectively, and the other connected to the second power supply 6
energize n to generate heat. Alternatively, the second power supply 6 and the third power supply described above may be the same power supply.

ここで、各ビット毎にスイッチ用NチャンネルFICT
 8−1〜8− nを設けたので、各出力Nチャンネル
PI!:T 4−1〜4− nを駆動したときのゲート
電圧はほぼ一定となシ、これらのF’ET 4−1〜4
− nのオン電圧Vonのバラツキは、製造プロセスの
影響のみと考えてよく、小さく抑えることができる。ま
た、第2の電源7の消費電流については、Nチャンネル
FET 12−1〜12− nがロジック回路2からの
データ信号を受けてONすると、スインチ用Nチャンネ
ルFIT 8−1〜8− nがOFFし、これが各ピッ
ト毎に行なわれるので、負荷抵抗9−1〜9− n t
−充分大きな値にしておくことにより、消費電流の増加
は少なくすることができる。
Here, for each bit, the N-channel FICT for switching is
Since 8-1 to 8-n are provided, each output N channel PI! :The gate voltage when driving T4-1~4-n is almost constant, and these F'ET4-1~4-n
- The variation in the on-voltage Von of n can be considered to be only due to the influence of the manufacturing process, and can be suppressed to a small level. Regarding the current consumption of the second power supply 7, when the N-channel FETs 12-1 to 12-n receive the data signal from the logic circuit 2 and are turned on, the N-channel FETs 8-1 to 8-n for the switch turn on. OFF, and this is done for each pit, so the load resistance 9-1 to 9-nt
- By setting a sufficiently large value, the increase in current consumption can be reduced.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上のような本発明によれば、ロジック回路からのデー
タ信号によ)制御されるスイッチ回路をピット毎に設け
、このスイッチ回路を介して駆動回路にロジック回路よ
シ高い電源電圧を供給するようにしたので、負荷駆動用
FITの高電圧駆動が可能となって負荷の大電流化が図
れると共に1負荷を駆動しないときKはスイッチ回路が
ピット毎にOFFされることによ少消費電流の増加を少
なくすることができる。さらに、全ビットONあるいは
1ビツトONで本負荷駆動用FITのゲート電圧はほぼ
同一となシ、Vonのバラツキが少ないものくできる。
According to the present invention as described above, a switch circuit controlled by a data signal from a logic circuit is provided for each pit, and a power supply voltage higher than that of the logic circuit is supplied to the drive circuit through this switch circuit. As a result, the FIT for driving the load can be driven at a high voltage, allowing a large current to be applied to the load, and when not driving one load, the switch circuit is turned off for each pit, resulting in a small increase in current consumption. can be reduced. Furthermore, the gate voltage of the load driving FIT is almost the same when all bits or one bit is turned on, so variations in Von can be minimized.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の実施例を示す回路図、第2図は従来例
を示す回路図である。 1.6.7・・・電源、2・・・ロジック回路、4−1
〜4− n・・・負荷駆動用FET、5−1〜5− n
・・・負荷、8−1〜B −n−・・スイッチ用FKT
 。 箋1図 /Ig2図
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a circuit diagram showing a conventional example. 1.6.7...Power supply, 2...Logic circuit, 4-1
~4-n...Load driving FET, 5-1~5-n
...Load, 8-1~B-n-...FKT for switch
. Notebook 1 diagram/Ig2 diagram

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1)ロジック回路から各ビットに対応して出力されるデ
ータ信号により制御されて複数ビットの負荷駆動用FE
Tをそれぞれ駆動する複数ビットの駆動回路を有する負
荷駆動用FET駆動回路において、前記複数ビットの各
駆動回路に前記データ信号の対応するビットにより制御
されるスイッチ回路を設け、該スイッチ回路を介して前
記駆動回路に前記ロジック回路の電源電圧より高い電源
電圧を供給するようにしたことを特徴とする負荷駆動用
FET駆動回路。
1) FE for driving multi-bit loads controlled by data signals output from logic circuits corresponding to each bit
In a load driving FET drive circuit having a plurality of bits of drive circuits each driving T, a switch circuit controlled by a corresponding bit of the data signal is provided in each of the plurality of bits of drive circuit, and a switch circuit controlled by a corresponding bit of the data signal is provided. A FET drive circuit for driving a load, characterized in that a power supply voltage higher than a power supply voltage of the logic circuit is supplied to the drive circuit.
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