JPS62269103A - 波長板 - Google Patents
波長板Info
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- JPS62269103A JPS62269103A JP11288186A JP11288186A JPS62269103A JP S62269103 A JPS62269103 A JP S62269103A JP 11288186 A JP11288186 A JP 11288186A JP 11288186 A JP11288186 A JP 11288186A JP S62269103 A JPS62269103 A JP S62269103A
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Landscapes
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、直交する2つの直線偏光の間に位相差を生せ
しめる1/4波長板、172波長板、全波長板等の波長
板に関するものである。
しめる1/4波長板、172波長板、全波長板等の波長
板に関するものである。
従来、波長板は水晶の結晶を研磨して、當光と異常光の
位相差が、l/4波長板では(N + 1/4)波長(
Nは整数)、1/2波畏板では(N+1/2)波長、全
波長板でflN波長になるような厚さに調整して製作さ
れている。この工うな結晶研磨による方法以外に誘電体
に形成し友高密度の表面レリーフ終予が複屈折を示すこ
とから、格子を用いる方法も提案されている。表面レリ
ーフ格子を用いた波長板の提案と実験はアプライド・フ
ィジックス−レター(Applied Physic
s Letter )誌第42巻第6号(1983年
3月15日発行)第492〜494頁掲載のり、C,F
landers著の論文、及びアプライド・オグティク
ス(Applied−Opticss )誌第22巻@
20号(1983年・10月15日発行)第3220〜
3228頁掲載のR,C。
位相差が、l/4波長板では(N + 1/4)波長(
Nは整数)、1/2波畏板では(N+1/2)波長、全
波長板でflN波長になるような厚さに調整して製作さ
れている。この工うな結晶研磨による方法以外に誘電体
に形成し友高密度の表面レリーフ終予が複屈折を示すこ
とから、格子を用いる方法も提案されている。表面レリ
ーフ格子を用いた波長板の提案と実験はアプライド・フ
ィジックス−レター(Applied Physic
s Letter )誌第42巻第6号(1983年
3月15日発行)第492〜494頁掲載のり、C,F
landers著の論文、及びアプライド・オグティク
ス(Applied−Opticss )誌第22巻@
20号(1983年・10月15日発行)第3220〜
3228頁掲載のR,C。
EngerとS 、 K 、 Ca5e著の論文に述ヘ
ラレテイるO 格子を用い友波長板は、格子のピッチをd1使用する光
の波長をλとすると、λがdに比べて十分大きい領域で
は格子の溝に平行な方向の屈折率n11と格子の溝に直
交する方向の屈折率n工が異なることを利用しており、
前述のD 、 C、F1ander+s著の論文による
と格子が矩形状の場合、n1lyn工n L : C(
1/nt)”q + (1/nz) (I Q声・・・
・・・ (2) ここでnl i媒質1の屈折率s nlは媒質2の屈折
率、宅ニ格子の1周期中に媒質1の占める割合で1≧q
≧0である0複屈折の大きさΔnは次式で与えられる0 Δn=l n+1−Inl Io ・・・・・・・・
・ (3)ま7’c、 am折の大きさΔn?有する格
子に入射し次光が受ける位相差△φは次式で与えられる
OΔΦ(rad)”−虱・Δn ・・・・・・・・・
(4)λ ここでDは格子の溝深さでめる0(4)式から、大きな
位相差△Φを得るにa1溝深さDを大きくするか、゛ま
たは値屈折の大きさΔnを大きくすれば工い。この関係
は格子形状が矩形である場合に限らず、正弦波法、三角
波状、等の場合でも放り立つ0 表面レリーフ格子による波長板に主に次の2つの方法に
エフ製造できる。
ラレテイるO 格子を用い友波長板は、格子のピッチをd1使用する光
の波長をλとすると、λがdに比べて十分大きい領域で
は格子の溝に平行な方向の屈折率n11と格子の溝に直
交する方向の屈折率n工が異なることを利用しており、
前述のD 、 C、F1ander+s著の論文による
と格子が矩形状の場合、n1lyn工n L : C(
1/nt)”q + (1/nz) (I Q声・・・
・・・ (2) ここでnl i媒質1の屈折率s nlは媒質2の屈折
率、宅ニ格子の1周期中に媒質1の占める割合で1≧q
≧0である0複屈折の大きさΔnは次式で与えられる0 Δn=l n+1−Inl Io ・・・・・・・・
・ (3)ま7’c、 am折の大きさΔn?有する格
子に入射し次光が受ける位相差△φは次式で与えられる
OΔΦ(rad)”−虱・Δn ・・・・・・・・・
(4)λ ここでDは格子の溝深さでめる0(4)式から、大きな
位相差△Φを得るにa1溝深さDを大きくするか、゛ま
たは値屈折の大きさΔnを大きくすれば工い。この関係
は格子形状が矩形である場合に限らず、正弦波法、三角
波状、等の場合でも放り立つ0 表面レリーフ格子による波長板に主に次の2つの方法に
エフ製造できる。
第1の方法は、干渉露光法にエフホトレジストに表面°
レリーフ格子を形成し、その格子からニッケル電路法で
金型を製作し、熱可塑性樹脂にホットプレス法や射出成
形法で転写する。あるいは、光硬化性樹脂に転写する方
法である。
レリーフ格子を形成し、その格子からニッケル電路法で
金型を製作し、熱可塑性樹脂にホットプレス法や射出成
形法で転写する。あるいは、光硬化性樹脂に転写する方
法である。
第2の方法は、誘市体基・成上に第1の方法と同様の方
法でホトレジスト格子を形成し、ホトレジストマスクと
して誘電体基板をイオンエツチング法、または反応性イ
オンエツチング法、またiイオンビームエツチング法ま
たは反応性イオンエツチング法によりエツチングし、表
面レリーフ格子を得る方法である。
法でホトレジスト格子を形成し、ホトレジストマスクと
して誘電体基板をイオンエツチング法、または反応性イ
オンエツチング法、またiイオンビームエツチング法ま
たは反応性イオンエツチング法によりエツチングし、表
面レリーフ格子を得る方法である。
上述の従来の技術には格子の溝幅に対して溝深さが極端
に大きくなる問題点がある。比とえは。
に大きくなる問題点がある。比とえは。
使用波長λtHe−Neレーザの632.8711とす
る。
る。
この波長に対して^II述の第1の製造方法で用いられ
る熱aJ塑性樹脂、たとえばアクリル樹脂、光硬化性樹
脂たとえばスリーボンド社製のUVX−8S−89−1
および第2の製造方法において主に用いられる石英ガラ
スの屈折率はお工そ1,5〜1.6である0以下では熱
可塑性樹脂、光硬化性樹脂おLび石英ガラスを線質1と
し、その屈折率n1を1.55とする。また、媒質2t
−空気とし、その屈折率n2を1.00とする。格子形
状が矩形の場合。
る熱aJ塑性樹脂、たとえばアクリル樹脂、光硬化性樹
脂たとえばスリーボンド社製のUVX−8S−89−1
および第2の製造方法において主に用いられる石英ガラ
スの屈折率はお工そ1,5〜1.6である0以下では熱
可塑性樹脂、光硬化性樹脂おLび石英ガラスを線質1と
し、その屈折率n1を1.55とする。また、媒質2t
−空気とし、その屈折率n2を1.00とする。格子形
状が矩形の場合。
拝賀1が格子の1周期中に占める割合qを0.5とすれ
ば、複屈折の大きさΔnは(1) 、 (2) 、 (
3)式りり0116となる。したがって(4)式より1
/4波長板、】/2波長板、全汲灸板に必要な溝深場り
にそnぞれ1.36μm、2.73μm、5゜46μm
になる。
ば、複屈折の大きさΔnは(1) 、 (2) 、 (
3)式りり0116となる。したがって(4)式より1
/4波長板、】/2波長板、全汲灸板に必要な溝深場り
にそnぞれ1.36μm、2.73μm、5゜46μm
になる。
また格子ピッチdVcPAI、て、尚密度性に基づく複
屈折を得るににス/d≧1.475である必要があるの
で、d≦0.43μmなる条件を満足しなけjLばなら
ない。(/=O,Sでめるから格子の溝幅WはW≦0.
21μtnとなる。 し友がって、溝’tA O,21
a m以下、講深さ1,36μm〜5.46μmの格子
を作製しなければならない。
屈折を得るににス/d≧1.475である必要があるの
で、d≦0.43μmなる条件を満足しなけjLばなら
ない。(/=O,Sでめるから格子の溝幅WはW≦0.
21μtnとなる。 し友がって、溝’tA O,21
a m以下、講深さ1,36μm〜5.46μmの格子
を作製しなければならない。
この工つな66区対して@深場か也めて大きな格子を第
1の製造方法で製造する場合%媒質]と電鋳金型との英
効的な接触表面積が著しく増大する几めに金型面からば
く^lする時の引張りせん断力が大きくなる。このため
に、はく離時に硬化し友媒質1が基板からはがれ、金型
面に残留してしまい、表面レリーフ格子の転写が困難に
なるという問題点がある。
1の製造方法で製造する場合%媒質]と電鋳金型との英
効的な接触表面積が著しく増大する几めに金型面からば
く^lする時の引張りせん断力が大きくなる。このため
に、はく離時に硬化し友媒質1が基板からはがれ、金型
面に残留してしまい、表面レリーフ格子の転写が困難に
なるという問題点がある。
ま之、第2の製造方法でに、エツチングに要する時間が
数時間にも及び、エツチングに耐え得るホトレジストマ
スクは、厚さ数μmになることから、 °
゛ か≠鴫ホトレジストマスクの形成が困難である。
数時間にも及び、エツチングに耐え得るホトレジストマ
スクは、厚さ数μmになることから、 °
゛ か≠鴫ホトレジストマスクの形成が困難である。
まt1ホトレジストに形成した格子をエツチング耐性の
強い物質、たとえばクロムに転写し、その物質をマスク
としてエツチングを行う場合においても、格子溝深さの
増力口に伴い、一度エッチングされ比誘電体の基板表面
への再付着や、溝低部への活性種、イオン、中性粒子の
到達粒子数の永少などに工りエツチングの進行が阻止さ
れ、所望の格子の形成が困難である。
強い物質、たとえばクロムに転写し、その物質をマスク
としてエツチングを行う場合においても、格子溝深さの
増力口に伴い、一度エッチングされ比誘電体の基板表面
への再付着や、溝低部への活性種、イオン、中性粒子の
到達粒子数の永少などに工りエツチングの進行が阻止さ
れ、所望の格子の形成が困難である。
この工うな問題は格子の形状に=らず生じる。
また表面レリーフ格子型の波長板に格子表面の汚染や損
傷に弱いという欠点を有している0以上述べた工うに、
従来技術による表面レリーフ格子型の波長板は製造が困
湖であり、汚染や損傷に弱いという欠点を有している0 本発明の目的に、この工うな従来技術の問題点を解決し
、製造が容易で汚染や損傷に強い位相格子型の波長板を
提供することにある。
傷に弱いという欠点を有している0以上述べた工うに、
従来技術による表面レリーフ格子型の波長板は製造が困
湖であり、汚染や損傷に弱いという欠点を有している0 本発明の目的に、この工うな従来技術の問題点を解決し
、製造が容易で汚染や損傷に強い位相格子型の波長板を
提供することにある。
本発明の波長板は、使用波長λと格子ピッチdとのIa
l係がλ/d≧1.472なる挟置レリーフ格子が設け
らnrc基板誘電体と、この基板誘電体の前記表面レリ
ーフ格子上に充てんされ1表面が平担でめり前記基板誘
電体の屈折率に比べて十分大きい屈折率を有する誘電体
媒質とを含んでa放される。
l係がλ/d≧1.472なる挟置レリーフ格子が設け
らnrc基板誘電体と、この基板誘電体の前記表面レリ
ーフ格子上に充てんされ1表面が平担でめり前記基板誘
電体の屈折率に比べて十分大きい屈折率を有する誘電体
媒質とを含んでa放される。
本発明の作用は次のとおりである0
格子に入射する光が受ける位相差ΔΦは、溝深さDと複
屈折の大きさΔnに比例する。したがって溝深さDt−
大きくせずに所望の位相差ΔΦを得る沈めには複屈折の
大きさΔnt−大きくすれば工い。格子形状が矩形の場
合では、 (1) 、 (2) 、 (3)式から知れ
る工うに複屈折の大きさΔnは媒質1、媒質2の屈折率
nl # nz 2工ひ[負1が格子の1周期に占め
る割合qに工って決まる0 従来では媒質2は空気でめるからH,=l、Qとすれば
、この場合の複屈折の大きさΔ” air +;11、
Δnaiy = (nl”q+ (1−Q))” −(
(1/nt) q十(1−q))″各 ・・・・・・・
・・ (5)で与えられる。この場合n 1 ) n
2である〇一方nt<nz の場合も同様の被屈折が
得られ、この場合の複屈折の大きさΔnh、r、i t
ffΔn h、r、i = (n?L:ff+n、2
(I Q) ) ””−((1/rb)” q +
(]/rb)”(1−q)1凶 °・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・ (6)で与えられるo (5
) = (6)式エフ、1.に比べて十分大きい屈折率
nzt”!する媒質を媒質2として用いればΔnh、r
、i >Δnair ・・・・・・・・・ (7)と
することができる0 第2図はこの条件を満足する媒質2の屈折率を媒質1の
屈折率を変数として求めたものを示すグラフで、斜線で
示した部分が条件を満足する領域である。ここでqは0
.5として計算し友。つまり。
屈折の大きさΔnに比例する。したがって溝深さDt−
大きくせずに所望の位相差ΔΦを得る沈めには複屈折の
大きさΔnt−大きくすれば工い。格子形状が矩形の場
合では、 (1) 、 (2) 、 (3)式から知れ
る工うに複屈折の大きさΔnは媒質1、媒質2の屈折率
nl # nz 2工ひ[負1が格子の1周期に占め
る割合qに工って決まる0 従来では媒質2は空気でめるからH,=l、Qとすれば
、この場合の複屈折の大きさΔ” air +;11、
Δnaiy = (nl”q+ (1−Q))” −(
(1/nt) q十(1−q))″各 ・・・・・・・
・・ (5)で与えられる。この場合n 1 ) n
2である〇一方nt<nz の場合も同様の被屈折が
得られ、この場合の複屈折の大きさΔnh、r、i t
ffΔn h、r、i = (n?L:ff+n、2
(I Q) ) ””−((1/rb)” q +
(]/rb)”(1−q)1凶 °・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・ (6)で与えられるo (5
) = (6)式エフ、1.に比べて十分大きい屈折率
nzt”!する媒質を媒質2として用いればΔnh、r
、i >Δnair ・・・・・・・・・ (7)と
することができる0 第2図はこの条件を満足する媒質2の屈折率を媒質1の
屈折率を変数として求めたものを示すグラフで、斜線で
示した部分が条件を満足する領域である。ここでqは0
.5として計算し友。つまり。
表面レリーフ格子を有する屈折率nlのth電体基板の
レリーフ表面を、 (1−q))−” > (nt” + (1−))”
[(L/nt)”q q + (1−q) ]−” ・・・・・・・・・ (8
)なる条件を満たす屈折1nzt−有する誘電体で充て
んすることにエフ、格子が空気中に露出している場合に
比べC大きな複屈折が得られ、したがって誘電体基板上
に製作する格子の0!深嘔を小さくすることができ、製
作が容易となる。
レリーフ表面を、 (1−q))−” > (nt” + (1−))”
[(L/nt)”q q + (1−q) ]−” ・・・・・・・・・ (8
)なる条件を満たす屈折1nzt−有する誘電体で充て
んすることにエフ、格子が空気中に露出している場合に
比べC大きな複屈折が得られ、したがって誘電体基板上
に製作する格子の0!深嘔を小さくすることができ、製
作が容易となる。
格子が矩形状でなく、正弦波状、三角波状等の場合も同
様で、#’4体基板基板折率に対して十分大きい屈折率
を有する誘電体で格子表面を充てんする事にニジ、大き
な複屈折が得らn1波長板の製作が容易となる。
様で、#’4体基板基板折率に対して十分大きい屈折率
を有する誘電体で格子表面を充てんする事にニジ、大き
な複屈折が得らn1波長板の製作が容易となる。
また、格子を高屈折率誘電体で完全に包み込む仁とから
、格子を損傷から保姦することができ。
、格子を損傷から保姦することができ。
さらに高屈折率誘電体とを気との界面を平担にすること
ができるので、汚染に対しても強くなる。
ができるので、汚染に対しても強くなる。
以下、本発明の実施例について1図面を珍魚して説明す
る。
る。
第1図は本発明の一実施例を示す断面図で、わかりやす
くするために格子を冥際エクもはるかに大きく拡大して
示しである。紡電体基飯1に格子2が形成されており、
その表面に高屈折率誘電体3が充てんされており、誘電
体3が複屈折の大きさを大きくすると+TIJqに格子
2を保護している。
くするために格子を冥際エクもはるかに大きく拡大して
示しである。紡電体基飯1に格子2が形成されており、
その表面に高屈折率誘電体3が充てんされており、誘電
体3が複屈折の大きさを大きくすると+TIJqに格子
2を保護している。
また、高屈折率日を体3と空気との界面に平押であL表
面の汚染に対しても強い。
面の汚染に対しても強い。
実際の製作には、基板誘電体】として光硬化樹脂である
スリーポンド社規のUVX−3S89−1を、高屈折率
誘電体3として新日會化工社製のポリシラスチレンPS
S75を用いた。
スリーポンド社規のUVX−3S89−1を、高屈折率
誘電体3として新日會化工社製のポリシラスチレンPS
S75を用いた。
前者の屈折率は1.52% 後者の屈折率に約2.5で
あり、格子は矩形状であるから(1) 、 (2) 、
(3)式エフq = 0.5のときΔn=0.232
となり、λ/4を製作するのに必要な溝深さはλ=63
28μlの場合0.682μmとなる。
あり、格子は矩形状であるから(1) 、 (2) 、
(3)式エフq = 0.5のときΔn=0.232
となり、λ/4を製作するのに必要な溝深さはλ=63
28μlの場合0.682μmとなる。
光硬化性樹脂である基板銹電体1への格子パターンの転
写は、まずHe−Cdレーザの波長441.6咽の光ビ
ームを用いて干渉計を構成し、ホログラフィックにピッ
チ0.3μmの格子をホトレジストに形成し、ホトレジ
ストヲ現像した後の表面レリーフ格子からニッケル電鋳
法で金型t−製作し、この金型を用いて行った。基板銹
電体1に形成された格子上に液状のポリシラスチレンを
塗布し、溶剤全乾燥させることKより、所望の波長板を
形成した。
写は、まずHe−Cdレーザの波長441.6咽の光ビ
ームを用いて干渉計を構成し、ホログラフィックにピッ
チ0.3μmの格子をホトレジストに形成し、ホトレジ
ストヲ現像した後の表面レリーフ格子からニッケル電鋳
法で金型t−製作し、この金型を用いて行った。基板銹
電体1に形成された格子上に液状のポリシラスチレンを
塗布し、溶剤全乾燥させることKより、所望の波長板を
形成した。
本発明に工れば、汚染、損傷に強い、かつ製作の容易な
波長板が得られる。
波長板が得られる。
第1図は本発明の笑施例を模式的に示す断面図、第2図
は5本発明を実施するに必要な屈折率の関係を示すグラ
フである。 図において、1は訴電体基板、2は格子、3は高屈率誘
電体である。
は5本発明を実施するに必要な屈折率の関係を示すグラ
フである。 図において、1は訴電体基板、2は格子、3は高屈率誘
電体である。
Claims (1)
- 使用波長λと格子ピッチdとの関係がλ/d≧1.47
2なる表面レリーフ格子が設けられた基板誘電体と、こ
の基板誘電体の前記表面レリーフ格子上に充てんされ表
面が平担であり前記基板誘電体の屈折率に比べて十分大
きい屈折率を有する誘電体媒質とを含むことを特徴とす
る波長板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11288186A JPS62269103A (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 波長板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11288186A JPS62269103A (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 波長板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62269103A true JPS62269103A (ja) | 1987-11-21 |
Family
ID=14597860
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11288186A Pending JPS62269103A (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 波長板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62269103A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013195395A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Ricoh Co Ltd | 形状測定方法及び形状測定装置 |
WO2016056148A1 (ja) * | 2014-10-08 | 2016-04-14 | オリンパス株式会社 | 結像光学系、照明装置および観察装置 |
-
1986
- 1986-05-16 JP JP11288186A patent/JPS62269103A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013195395A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Ricoh Co Ltd | 形状測定方法及び形状測定装置 |
WO2016056148A1 (ja) * | 2014-10-08 | 2016-04-14 | オリンパス株式会社 | 結像光学系、照明装置および観察装置 |
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