JPS62256482A - 光伝導素子 - Google Patents
光伝導素子Info
- Publication number
- JPS62256482A JPS62256482A JP61100409A JP10040986A JPS62256482A JP S62256482 A JPS62256482 A JP S62256482A JP 61100409 A JP61100409 A JP 61100409A JP 10040986 A JP10040986 A JP 10040986A JP S62256482 A JPS62256482 A JP S62256482A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoconductive element
- light
- pb2cro5
- conductive layer
- oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 3
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 2
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229940126214 compound 3 Drugs 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004298 light response Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- UNILWMWFPHPYOR-KXEYIPSPSA-M 1-[6-[2-[3-[3-[3-[2-[2-[3-[[2-[2-[[(2r)-1-[[2-[[(2r)-1-[3-[2-[2-[3-[[2-(2-amino-2-oxoethoxy)acetyl]amino]propoxy]ethoxy]ethoxy]propylamino]-3-hydroxy-1-oxopropan-2-yl]amino]-2-oxoethyl]amino]-3-[(2r)-2,3-di(hexadecanoyloxy)propyl]sulfanyl-1-oxopropan-2-yl Chemical compound O=C1C(SCCC(=O)NCCCOCCOCCOCCCNC(=O)COCC(=O)N[C@@H](CSC[C@@H](COC(=O)CCCCCCCCCCCCCCC)OC(=O)CCCCCCCCCCCCCCC)C(=O)NCC(=O)N[C@H](CO)C(=O)NCCCOCCOCCOCCCNC(=O)COCC(N)=O)CC(=O)N1CCNC(=O)CCCCCN\1C2=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C2CC/1=C/C=C/C=C/C1=[N+](CC)C2=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C2C1 UNILWMWFPHPYOR-KXEYIPSPSA-M 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- ZWPVWTIRZYDPKW-UHFFFAOYSA-N chromium(VI) oxide peroxide Inorganic materials [O-2].[O-][Cr]([O-])(=O)=O ZWPVWTIRZYDPKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、少なくとも鉛とクロムとを含む酸化物に導電
層を形成してなる光伝導素子に関するものである。
層を形成してなる光伝導素子に関するものである。
（従来の技術）
光を照射することによって光強度に応じて材料の抵抗値
が変化して電流が流れ易くなる光伝導効果を利用した各
種誘電材料からなる光伝導素子が知られている。
が変化して電流が流れ易くなる光伝導効果を利用した各
種誘電材料からなる光伝導素子が知られている。
本出願人は先に誘電材料として鉛ＰｂとクロムＣｒとを
含む酸化物を用いて構成した光電変換装置を特願昭５３
−２０５８３号（特公昭５５−３５８７４号）として出
願した。ところでこの出願の光電変換装置は光を誘電材
料に照射することによって光起電力が発生する光電変換
効果を利用したものであるが、本願発明者らが種々実験
を行ったところ、照射する光の強度によって抵抗値が変
化するという現象が生ずることを見い出した。しかもそ
の応答速度は極めて速いことが判った。
含む酸化物を用いて構成した光電変換装置を特願昭５３
−２０５８３号（特公昭５５−３５８７４号）として出
願した。ところでこの出願の光電変換装置は光を誘電材
料に照射することによって光起電力が発生する光電変換
効果を利用したものであるが、本願発明者らが種々実験
を行ったところ、照射する光の強度によって抵抗値が変
化するという現象が生ずることを見い出した。しかもそ
の応答速度は極めて速いことが判った。
（発明が解決しようとする問題点）
従来はこの種のもので光応答速度が速いものは得られて
いない。
いない。
本発明は前記のような現象に着目して成されたものであ
りこれを利用して光応答速度の速い光電導素子を（ｑる
ことを目的とするものである。
りこれを利用して光応答速度の速い光電導素子を（ｑる
ことを目的とするものである。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
上記目的を達成するために本発明は、少なくとも鉛とク
ロムとを含む酸化物に導電層を形成して成ることを特徴
とするものである。
ロムとを含む酸化物に導電層を形成して成ることを特徴
とするものである。
（作 用）
例えばガラス基板上に鉛とクロムとを含む酸化物を導電
層を介して形成し、対向電極とする導電層から出力を得
るように構成することによって光伝導素子を実現するこ
とができる。光が照射される側の導電層を透明電極によ
って構成し、この電極に光を照射することによって光の
強度による抵抗値の変化に基づく光電流を得ることによ
り光応答速度の速い光伝導素子を得ることができる。
層を介して形成し、対向電極とする導電層から出力を得
るように構成することによって光伝導素子を実現するこ
とができる。光が照射される側の導電層を透明電極によ
って構成し、この電極に光を照射することによって光の
強度による抵抗値の変化に基づく光電流を得ることによ
り光応答速度の速い光伝導素子を得ることができる。
（実施例）
第１図は本発明実施例の光伝導素子を示すもので、ガラ
ス基板１例えばパイレックスガラス上には部分的に導電
層（Ｓｎ ０２等からなる透明電極）２が設けられる。
ス基板１例えばパイレックスガラス上には部分的に導電
層（Ｓｎ ０２等からなる透明電極）２が設けられる。
これらガラス基板１及び透明電極２の一部を覆うように
例えばＰｂ２ＣｒＯ５酸化物３が形成され、このＰｂ２
Ｃｒｙｓ Ｍ化物３及びガラス基板１の一部を覆うよう
に金等からなる導電層としての対向電極（出力側電極と
なる）４が設けられる。これによってＰｂ２Ｃｒ０５ｉ
！ｌ！２化物３が透明電極２と対向電極４、との間に配
置された構造の光伝導素子を得ることができる。
例えばＰｂ２ＣｒＯ５酸化物３が形成され、このＰｂ２
Ｃｒｙｓ Ｍ化物３及びガラス基板１の一部を覆うよう
に金等からなる導電層としての対向電極（出力側電極と
なる）４が設けられる。これによってＰｂ２Ｃｒ０５ｉ
！ｌ！２化物３が透明電極２と対向電極４、との間に配
置された構造の光伝導素子を得ることができる。
上記Ｐｂ２ＣｒＯ５酸化物３は次のような方法によって
形成される。
形成される。
出発原料として酸化鉛ＰｂＯ及び酸化クロムＣｒ２Ｏ３
を用いＰｂ２ＣｒＯ５の組成比となる如く秤徂した。こ
の原料をポリエチレン製ポットで１０〜１５時間湿式混
合し、乾燥後４００〜５０Ｏ℃にて２時間にわたって仮
焼成を行った。仮焼成後ボールミルにて１０〜１５時間
粉砕を行い粒径約１μｍ程度とした。この仮焼成粉末に
バインダーを加え、１ ｔｏｎ／ＣＩ／ｌで加圧成形し
た。更に成形体を６５０〜９００℃にて２時間焼成し焼
結体を得た。
を用いＰｂ２ＣｒＯ５の組成比となる如く秤徂した。こ
の原料をポリエチレン製ポットで１０〜１５時間湿式混
合し、乾燥後４００〜５０Ｏ℃にて２時間にわたって仮
焼成を行った。仮焼成後ボールミルにて１０〜１５時間
粉砕を行い粒径約１μｍ程度とした。この仮焼成粉末に
バインダーを加え、１ ｔｏｎ／ＣＩ／ｌで加圧成形し
た。更に成形体を６５０〜９００℃にて２時間焼成し焼
結体を得た。
次にこのＰｂ２ＣｒＯ５焼結体からなる焼結体をターゲ
ット（蒸発源）として用い、次のように電子ビーム蒸着
法によってガラス基板上にＰｂ２Ｃｒｙｓ酸化物の薄膜
を形成した。
ット（蒸発源）として用い、次のように電子ビーム蒸着
法によってガラス基板上にＰｂ２Ｃｒｙｓ酸化物の薄膜
を形成した。
すなわち電子ビーム蒸着装置の真空容器内に上記Ｐｂ２
ＣｒＯ５焼結体を円板状となしたターゲットと透明電極
２を設けたガラス基板１とを配置し、ガラス基板１を２
００℃、電子銃加速電圧を５ＫＶ、ｉ大エミッション電
流を１００ｍＡ、容器内の真空度を４ Ｘ １０−５Ｔ
ｏｒｒに保った状態で蒸着を行った。蒸着時間を約１〜
２時間に設定することにより、ガラス基板１上に約１．
１５μｍのＰｂ２Ｃｒ０５ｒ！ｉ化物３を形成した。次
のようにして得られたガラス基板１をＰｂを含んだ雰囲
気内で、４７５℃で１．５時間熱処理を行った。熱処理
俊のＰｂ２ｃｒｏ５ 酸化物３はオレンジ色を呈する薄
膜となった。
ＣｒＯ５焼結体を円板状となしたターゲットと透明電極
２を設けたガラス基板１とを配置し、ガラス基板１を２
００℃、電子銃加速電圧を５ＫＶ、ｉ大エミッション電
流を１００ｍＡ、容器内の真空度を４ Ｘ １０−５Ｔ
ｏｒｒに保った状態で蒸着を行った。蒸着時間を約１〜
２時間に設定することにより、ガラス基板１上に約１．
１５μｍのＰｂ２Ｃｒ０５ｒ！ｉ化物３を形成した。次
のようにして得られたガラス基板１をＰｂを含んだ雰囲
気内で、４７５℃で１．５時間熱処理を行った。熱処理
俊のＰｂ２ｃｒｏ５ 酸化物３はオレンジ色を呈する薄
膜となった。
次にＰｂ２Ｃｒｙｓ ｒ１ｉ化物３及びガラス基板１の
一部にまたがるように対向電極４を形成した。
一部にまたがるように対向電極４を形成した。
対向電極４は一例として厚ざ２５５Ａで面積１×５ｒｒ
ｖＲ２を有するパターンに形成した。
ｖＲ２を有するパターンに形成した。
これによってＡＬＪ／Ｐｂ２ＣｒＯ５薄膜／ Ｓ ｎＯ
２サンドイッチ構造を有する光伝導素子が得られる。
２サンドイッチ構造を有する光伝導素子が得られる。
次に本発明実施例の作用を説明する。
得られた光伝導素子を第２図のような測定回路を用いて
光電流の測定を行った。すなわち透明電極２と接地間に
バイアス電圧Ｖａを加えた状態で、この透明電極２側か
ら光源例えばＯｆ−Ｉ Ｐ （０ｖｅｒｔｌｅａｄ Ｐ
ｒｏｊｅｃｔｉｏｎ 、 ６２５Ｗタングステン）ラン
プからの光を照射することにより、対向電極４がらの出
力電流をオペアンプ５を用いたＩ−Ｖ変換回路によって
測定することにより微小電流の測定が可能となる。この
ようにして得られた光応答特性を第３図に示す。縦軸は
光電流、横軸は時間を示している。バイアス電圧Ｖｅを
０．２Ｖ加えた状態で、光強度が各々６ｍＷ／Ｃｌ７１
．８ｍＷ／Ｃｒ１１及び１０ｍＷ／ｃｍの大きざの光を
照射することにより順次（ａ＞、（ｂ）、（ｃ）のよう
な特性が得られる。この特性は従来に比べかなり速い光
応答速度を示している。この理由としてはＰｂ２ＣｒＯ
５酸化物の薄膜化によってキャリアの輸送距離が短くな
ったことによるものと考えられる。このように照射光の
強度によって抵抗値が変化しているわけである。
光電流の測定を行った。すなわち透明電極２と接地間に
バイアス電圧Ｖａを加えた状態で、この透明電極２側か
ら光源例えばＯｆ−Ｉ Ｐ （０ｖｅｒｔｌｅａｄ Ｐ
ｒｏｊｅｃｔｉｏｎ 、 ６２５Ｗタングステン）ラン
プからの光を照射することにより、対向電極４がらの出
力電流をオペアンプ５を用いたＩ−Ｖ変換回路によって
測定することにより微小電流の測定が可能となる。この
ようにして得られた光応答特性を第３図に示す。縦軸は
光電流、横軸は時間を示している。バイアス電圧Ｖｅを
０．２Ｖ加えた状態で、光強度が各々６ｍＷ／Ｃｌ７１
．８ｍＷ／Ｃｒ１１及び１０ｍＷ／ｃｍの大きざの光を
照射することにより順次（ａ＞、（ｂ）、（ｃ）のよう
な特性が得られる。この特性は従来に比べかなり速い光
応答速度を示している。この理由としてはＰｂ２ＣｒＯ
５酸化物の薄膜化によってキャリアの輸送距離が短くな
ったことによるものと考えられる。このように照射光の
強度によって抵抗値が変化しているわけである。
第４図は照射光をチョッピングすることによって光電流
の応答速度がどのように変化するかを示しており、縦軸
は光電流、横軸はチョッピング周波数である。○印はＶ
ｅ ０．２Ｖで、２ｍＷ／Ｃ１１ｔに対応し、・印はＶ
ｅ ０．６Ｖで、２ｍ＃／Ｃｉ＋ｆに対応し、△印ｋｔ
Ｖｅ ０．２Ｖで、１０ ｍＷ／ ｃｉ ニ対応し、口
中はＶａ ０．２Ｖで、２０ｍＷ／Ｃｒｉに対応した測
定値を示している。各特性において光電流が減少しはじ
める周波数をもって応答速度を考えると、Ｖｏ ０．２
Ｖ、２ｍＷ／ｃｎまでは使用可能な周波数は５ｋｌｌＺ
まで一定であるが、応答速度はバイアス電圧又は光強度
の増加と共に減少している。
の応答速度がどのように変化するかを示しており、縦軸
は光電流、横軸はチョッピング周波数である。○印はＶ
ｅ ０．２Ｖで、２ｍＷ／Ｃ１１ｔに対応し、・印はＶ
ｅ ０．６Ｖで、２ｍ＃／Ｃｉ＋ｆに対応し、△印ｋｔ
Ｖｅ ０．２Ｖで、１０ ｍＷ／ ｃｉ ニ対応し、口
中はＶａ ０．２Ｖで、２０ｍＷ／Ｃｒｉに対応した測
定値を示している。各特性において光電流が減少しはじ
める周波数をもって応答速度を考えると、Ｖｏ ０．２
Ｖ、２ｍＷ／ｃｎまでは使用可能な周波数は５ｋｌｌＺ
まで一定であるが、応答速度はバイアス電圧又は光強度
の増加と共に減少している。
第５図は光電流の光強度依存性を示すもので、Ｏ印はバ
イアス電圧Ｖｅが０．２Ｖ時、Δ印はＶＢが０．６Ｖ時
、口中はＶＢが１．０７時の測定値を示している。弱い
光領域を除くと、光電流は光強度に対して比例的に変化
することを示している。またこの計数は電圧に依存して
大きくなつ′ている。
イアス電圧Ｖｅが０．２Ｖ時、Δ印はＶＢが０．６Ｖ時
、口中はＶＢが１．０７時の測定値を示している。弱い
光領域を除くと、光電流は光強度に対して比例的に変化
することを示している。またこの計数は電圧に依存して
大きくなつ′ている。
第６図は光電流の波長依存性を示すもので、バイアス電
圧Ｖｅ ０．２Ｖ、光強度１７．’ｌＷ／ｄの条件時に
おける測定結果を示している。
圧Ｖｅ ０．２Ｖ、光強度１７．’ｌＷ／ｄの条件時に
おける測定結果を示している。
波長の変化に依存して光電流が変化し約５４００Ａの波
長時光電流は最大となる。
長時光電流は最大となる。
すなわち、第６図から明らかなようにＡｕ／Ｐｂ２Ｃｒ
ｙｓ ／Ｓｎ ０２構造の光伝導素子においては、可視
光領域に感度を有しておりその最大感度は約５４００Ａ
の波長時となる。
ｙｓ ／Ｓｎ ０２構造の光伝導素子においては、可視
光領域に感度を有しておりその最大感度は約５４００Ａ
の波長時となる。
この波長より短い領域で光電流の低下がみられるのは、
短波長側での試料内光吸収が大きいことによるものと考
えられる。この領域でのその吸収計数は約４×１０４〜
１Ｘ１０５／Ｃｍである。
短波長側での試料内光吸収が大きいことによるものと考
えられる。この領域でのその吸収計数は約４×１０４〜
１Ｘ１０５／Ｃｍである。
このように電子ビーム蒸着法等によりＰｂ２Ｃｒｏｓｌ
１２化物の薄膜を形成することができるので、約５４０
０への照射光波長の最大感度を有しかつ光応答速度に優
れた光伝導素子を得ることができる。
１２化物の薄膜を形成することができるので、約５４０
０への照射光波長の最大感度を有しかつ光応答速度に優
れた光伝導素子を得ることができる。
実施例中ではＰｂ２ＣｒＯ５酸化物の形成手段としては
電子ビーム蒸着法について述べたが、これに限らず他に
もスパッタリング法、イオンビーム蒸着法等のその他の
真空中における薄膜形成手段を用いることができ、これ
によっても同様な作用、効果を得ることができる。また
、透明電極２゜対向電極４材料についても同様である。
電子ビーム蒸着法について述べたが、これに限らず他に
もスパッタリング法、イオンビーム蒸着法等のその他の
真空中における薄膜形成手段を用いることができ、これ
によっても同様な作用、効果を得ることができる。また
、透明電極２゜対向電極４材料についても同様である。
尚、Ｐｂ２ＣｒＯ５酸化物の形成後の熱処理温度として
は実施例中で示した値以下の条件では所望のＰｂ２Ｃｒ
Ｏ５薄膜の形成は困難なので、その値以上での熱処理が
望ましい。またＰｂ２ＣｒＯ５酸化物形成時の温度も基
板温度が１００〜３５０℃の範囲であれば基板温度によ
る他に対する影響はないことが、Ｐｂ２ＣｒＯ５薄膜の
Ｘ線回折パターンから確かめられたので、上記範囲内で
所望値を設定することができる。
は実施例中で示した値以下の条件では所望のＰｂ２Ｃｒ
Ｏ５薄膜の形成は困難なので、その値以上での熱処理が
望ましい。またＰｂ２ＣｒＯ５酸化物形成時の温度も基
板温度が１００〜３５０℃の範囲であれば基板温度によ
る他に対する影響はないことが、Ｐｂ２ＣｒＯ５薄膜の
Ｘ線回折パターンから確かめられたので、上記範囲内で
所望値を設定することができる。
第７図は本発明の他の実施例を示すもので、例えばＰｂ
２ＣｒｙｓＷｌｉ化物１３の両面にはアルミニウム等の
導電層からなる対向電極１２．１４が設けられた構造を
有している。上記Ｐｂ２ＣｒＯ５酸化物１３は次のよう
な方法によって形成される。
２ＣｒｙｓＷｌｉ化物１３の両面にはアルミニウム等の
導電層からなる対向電極１２．１４が設けられた構造を
有している。上記Ｐｂ２ＣｒＯ５酸化物１３は次のよう
な方法によって形成される。
出発材料として酸化鉛ＰｂＯ及び酸化クロムＣｒ２Ｏ３
を用いＰｂ２ＣｒＯ５の組成比となる如く秤母した。こ
の原料をポリエヂレン製ポットで１０〜１５時間湿式混
合し、乾燥後４００〜５００℃にて２時間にわたって仮
焼成を行った。
を用いＰｂ２ＣｒＯ５の組成比となる如く秤母した。こ
の原料をポリエヂレン製ポットで１０〜１５時間湿式混
合し、乾燥後４００〜５００℃にて２時間にわたって仮
焼成を行った。
仮焼成後ボールミルにて１０〜１５時間粉砕を行い粒径
約１μ程度とした。
約１μ程度とした。
この仮焼成粉末にバインダーを加え、１ ｔｏｎ／ｃｎ
で加圧形成した。更に成形体を６５０〜９００℃にて２
時間焼成し焼結体を得た。
で加圧形成した。更に成形体を６５０〜９００℃にて２
時間焼成し焼結体を得た。
このＰｂ２ＣｒＯ５焼結体表面にアルミニウム膜を真空
蒸着により被着して第７図のような光伝導素子を形成し
た。
蒸着により被着して第７図のような光伝導素子を形成し
た。
同様にＰｂｓ ＣｒＯ３，ＰｂＣｒ０ａとなる如き組成
比の酸化物の焼結体を形成し、各々電極を設けることに
よって光伝導素子を形成した。
比の酸化物の焼結体を形成し、各々電極を設けることに
よって光伝導素子を形成した。
またＰｂＯとＣｒ２Ｏ３の比率を順次変化させて配合し
、前記実施例と同様な方法で光伝導素子を形成した。そ
の結果Ｃｒ２Ｏ３が７０ｍｏ１％以上となると光伝導効
果は生じなくなった。またＰｂＯが９９．５ｍｏｌ％以
上となった場合も光伝導効果はほとんど生じなくなった
。
、前記実施例と同様な方法で光伝導素子を形成した。そ
の結果Ｃｒ２Ｏ３が７０ｍｏ１％以上となると光伝導効
果は生じなくなった。またＰｂＯが９９．５ｍｏｌ％以
上となった場合も光伝導効果はほとんど生じなくなった
。
各実施例におけるＰｂとＯｒとの組成比は一例を挙げて
説明したが特定比の酸化物に限定されず、Ｐｂとｃｒと
を含む酸化物ならすべてに適用することができる。
説明したが特定比の酸化物に限定されず、Ｐｂとｃｒと
を含む酸化物ならすべてに適用することができる。
［発明の効果］
以上述べて明らかなように本発明によれば、ＰｂとＣｒ
とを含む酸化物を用いて応答速度の速い光伝導素子を実
現することができるので、広範囲の用途への適用が可能
となる。
とを含む酸化物を用いて応答速度の速い光伝導素子を実
現することができるので、広範囲の用途への適用が可能
となる。
第１図は本発明実施例の光伝導素子を示す断面図、第２
図は本発明光伝導素子の充電流測定回路、第３図は本発
明光伝導素子の光応答波形図、第４図は本発明光伝導素
子のチョッピング周波数依存特性図、第５図は本発明光
伝導素子の光強度依存特性図、第６図は本発明光伝導素
子の波長依存特性図、第７図は本発明の他の実施例の光
伝導素子を示す断面図である。 １・・・ガラス基板、２・・・透明電極、３．１３・・
・酸化物、 ４．１２．１４・・・対向電極。 ３ Ｆｂ２Ｃｒり５ｏｉＡ＝ｙｒ ２ｓ、ｔθ２ 第 ２ 図 第５図 浸桐浅− ＣＵＲＲＥＮＴ（ｎＡ）
図は本発明光伝導素子の充電流測定回路、第３図は本発
明光伝導素子の光応答波形図、第４図は本発明光伝導素
子のチョッピング周波数依存特性図、第５図は本発明光
伝導素子の光強度依存特性図、第６図は本発明光伝導素
子の波長依存特性図、第７図は本発明の他の実施例の光
伝導素子を示す断面図である。 １・・・ガラス基板、２・・・透明電極、３．１３・・
・酸化物、 ４．１２．１４・・・対向電極。 ３ Ｆｂ２Ｃｒり５ｏｉＡ＝ｙｒ ２ｓ、ｔθ２ 第 ２ 図 第５図 浸桐浅− ＣＵＲＲＥＮＴ（ｎＡ）
Claims (7)
- （１）少なくとも鉛とクロムとを含む酸化物に導電層を
形成してなることを特徴とする光伝導素子。 - （２）前記酸化物が板状に形成された焼結体磁器である
特許請求の範囲第１項記載の光伝導素子。 - （３）前記酸化物が真空中で形成された薄膜である特許
請求の範囲第１項記載の光伝導素子。 - （４）前記鉛とクロムがＰｂＯに換算して３０〜９９．
５ｍｏｌ％、Ｃｒ＿２Ｏ＿３に換算して０．５〜７０ｍ
ｏｌ％の組成比を有する特許請求の範囲第１項記載の光
伝導素子。 - （５）前記酸化物がＰｂ＿５ＣｒＯ＿３、Ｐｂ＿２Ｃｒ
Ｏ５、ＰｂＣｒＯ＿４の少なくとも一種を含有する特許
請求の範囲第１項記載の光伝導素子。 - （６）前記酸化物が２つの導電層間に配置されてなる特
許請求の範囲第１項記載の光伝導素子。 - （７）前記導電層の一方が透明電極からなる特許請求の
範囲第６項記載の光伝導素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61100409A JPS62256482A (ja) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | 光伝導素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61100409A JPS62256482A (ja) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | 光伝導素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62256482A true JPS62256482A (ja) | 1987-11-09 |
Family
ID=14273178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61100409A Pending JPS62256482A (ja) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | 光伝導素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62256482A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006073669A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | センサ、センサアレイ、電流測定装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5535874A (en) * | 1978-09-05 | 1980-03-13 | Nakagawa Tekkosho:Kk | Incinerator |
-
1986
- 1986-04-28 JP JP61100409A patent/JPS62256482A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5535874A (en) * | 1978-09-05 | 1980-03-13 | Nakagawa Tekkosho:Kk | Incinerator |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006073669A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | センサ、センサアレイ、電流測定装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4201798A (en) | Method of applying an antireflective coating to a solar cell | |
| JPS62256482A (ja) | 光伝導素子 | |
| US4156622A (en) | Tantalum oxide antireflective coating and method of forming same | |
| US4781767A (en) | Photoelectric conversion device | |
| CN106952975A (zh) | 一种无机钙钛矿吸光材料及其制备方法 | |
| JPS62278441A (ja) | 湿度感応素子 | |
| EP0011083A1 (en) | Photoelectric device | |
| JPS62179175A (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
| JPH0620157B2 (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
| JPH07112075B2 (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
| JPH0719910B2 (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
| JPH0754852B2 (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
| JPS62179169A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPH0754853B2 (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
| JPS62179168A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPH0719908B2 (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
| JPH07112074B2 (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
| JPS62179171A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPS62140476A (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
| JPS62259483A (ja) | 位置検出装置 | |
| JPS62140475A (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
| JPS62140478A (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
| CN116768651A (zh) | 釉料、发热体及其制备方法和加热烟具 | |
| US2643277A (en) | Photovoltaic cell | |
| KR920003323B1 (ko) | CdCl₂를 소결 촉진제로 하는 Cd1-xZnxS소결막의 제조방법 |