JPS62249366A - 太陽光蓄電池 - Google Patents
太陽光蓄電池Info
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- JPS62249366A JPS62249366A JP61092711A JP9271186A JPS62249366A JP S62249366 A JPS62249366 A JP S62249366A JP 61092711 A JP61092711 A JP 61092711A JP 9271186 A JP9271186 A JP 9271186A JP S62249366 A JPS62249366 A JP S62249366A
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- positive electrode
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- H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
- H01M10/05—Accumulators with non-aqueous electrolyte
- H01M10/056—Accumulators with non-aqueous electrolyte characterised by the materials used as electrolytes, e.g. mixed inorganic/organic electrolytes
- H01M10/0561—Accumulators with non-aqueous electrolyte characterised by the materials used as electrolytes, e.g. mixed inorganic/organic electrolytes the electrolyte being constituted of inorganic materials only
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
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- H01M10/46—Accumulators structurally combined with charging apparatus
-
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体のp/n接合の光起電力を使った太陽
電池よシ得られる電力を固体電解質二次電池を用いて蓄
電する太陽光蓄電池に関し、さらに詳しくは、前記p/
n接合を構成するp型半導体であるGu2SがCuイオ
ン導電性固体電解質を用いる前記固体電解質二次電池の
正極を兼ねる新規な太陽光蓄電池に関する。
電池よシ得られる電力を固体電解質二次電池を用いて蓄
電する太陽光蓄電池に関し、さらに詳しくは、前記p/
n接合を構成するp型半導体であるGu2SがCuイオ
ン導電性固体電解質を用いる前記固体電解質二次電池の
正極を兼ねる新規な太陽光蓄電池に関する。
従来の技術
半導体のp/n接合の光起電力を使う太陽電池は、それ
自体蓄電機能がないため、太陽電池単独では光が照射さ
れている間しか電力を供給することが出来ない。
自体蓄電機能がないため、太陽電池単独では光が照射さ
れている間しか電力を供給することが出来ない。
又光の照射がない場合でも電力を供給するために、従来
、太陽電池は、ニッケル・カドミウム電池といった二次
電池と組み合わせた太陽光蓄電装置として最ら用いられ
ている。このような目的に用いられる二次電池として、
在来の液体電解質を用いるニッケル・カドミウム電池等
に換えて、電池構成要素がすべて固体状であシ、原理的
に液もれがなく、薄形、小形化が容易な固体電解質二次
電池を用いることで、太陽電池と二次電池の一体化、パ
ッケージの共有化等がはかれるなど数々の従来にはない
利点が得られる。
、太陽電池は、ニッケル・カドミウム電池といった二次
電池と組み合わせた太陽光蓄電装置として最ら用いられ
ている。このような目的に用いられる二次電池として、
在来の液体電解質を用いるニッケル・カドミウム電池等
に換えて、電池構成要素がすべて固体状であシ、原理的
に液もれがなく、薄形、小形化が容易な固体電解質二次
電池を用いることで、太陽電池と二次電池の一体化、パ
ッケージの共有化等がはかれるなど数々の従来にはない
利点が得られる。
本発明者らは先に、このような固体電解質二次電池のう
ち、Cu イオン導電性固体電解質を用いる二次電池
と太陽電池とを複合化した太陽光蓄電装置を提案した。
ち、Cu イオン導電性固体電解質を用いる二次電池
と太陽電池とを複合化した太陽光蓄電装置を提案した。
太陽電池の単セル数と、二次電池の単セル数を好適に組
み合せることで、蓄電効率の優れた装置とすることがで
きるという利点をこの装置は有している。
み合せることで、蓄電効率の優れた装置とすることがで
きるという利点をこの装置は有している。
発明が解決しようとする問題点
しかし、このような太陽光蓄電装置は、正極と負極と電
解質とにより構成される二次電池と、半導体のp/n接
合で構成される太陽電池との2つの独立した素子をあく
までも複合化したもので、各々独立した製造プロセスで
作られた各素子を同一パッケージ内に納めたものである
。構成要素あるいは材料としては少なくとも、正極、負
極、固体電解質の3つの他に、p型、n型の各半導体の
合計5つの要素が必要である。また、電圧の好適な組み
合せを得るためには、各々複数個の素子が必要となる。
解質とにより構成される二次電池と、半導体のp/n接
合で構成される太陽電池との2つの独立した素子をあく
までも複合化したもので、各々独立した製造プロセスで
作られた各素子を同一パッケージ内に納めたものである
。構成要素あるいは材料としては少なくとも、正極、負
極、固体電解質の3つの他に、p型、n型の各半導体の
合計5つの要素が必要である。また、電圧の好適な組み
合せを得るためには、各々複数個の素子が必要となる。
出来上がった装置に高信頼性を期待するとき、構成要素
はできるだけ少ない方が望ましいし、また、太陽電池と
二次電池とが連続したひとつの製造プロセスで構成され
ることが望ましい。
はできるだけ少ない方が望ましいし、また、太陽電池と
二次電池とが連続したひとつの製造プロセスで構成され
ることが望ましい。
問題点を解決するだめの手段
本発明は、太陽電池を構成するp型半導体が、二次電池
の正極としても作用できるCu2Sを正極として用いる
ことで、最/JS限必要な構成要素を5つから4つに減
らすことのできる太陽光蓄電池を提供するものである。
の正極としても作用できるCu2Sを正極として用いる
ことで、最/JS限必要な構成要素を5つから4つに減
らすことのできる太陽光蓄電池を提供するものである。
また、太陽電池と二次電池とが連続したひとつの製造プ
ロセスで構成することが可能となる。
ロセスで構成することが可能となる。
すなわち、本発明に従う太陽光蓄電池は、p型半導体で
あるCu2Sを正極とし、Cu+イオン導電性固体電解
質と、金属銅を主体とする負極から成る起電力が約0.
3〜0.41の固体電解質二次電池である蓄電部(IL
)と、n型半導体であるCdSと前記正極としても作用
するp型半導体であるCu2Sとの接合により形成され
るp/n接合から成る起電力が0.50 Vである発電
部の)より構成される。
あるCu2Sを正極とし、Cu+イオン導電性固体電解
質と、金属銅を主体とする負極から成る起電力が約0.
3〜0.41の固体電解質二次電池である蓄電部(IL
)と、n型半導体であるCdSと前記正極としても作用
するp型半導体であるCu2Sとの接合により形成され
るp/n接合から成る起電力が0.50 Vである発電
部の)より構成される。
CdS層上にCu2Sが形成され、さらにその上に順次
形成されたCu イオン導電性固体電解質層と、金属
銅を主体とする負極層(以下Cu負極層と略す)の4層
より成り、CdS層とCu負極層とを電気的に接続する
ことで本発明による太陽光蓄電池が形成される。Cu負
極層は、光がp/n接合部まで達することが出来るよう
に、網目状、格子状、あるいはくし状等に形成される。
形成されたCu イオン導電性固体電解質層と、金属
銅を主体とする負極層(以下Cu負極層と略す)の4層
より成り、CdS層とCu負極層とを電気的に接続する
ことで本発明による太陽光蓄電池が形成される。Cu負
極層は、光がp/n接合部まで達することが出来るよう
に、網目状、格子状、あるいはくし状等に形成される。
Cu+イオン導電性固体電解質としては、光の透過性を
考慮して、一般式 %式%) で表わされるCu イオン導電性固体電解質が好適に
用いられる。
考慮して、一般式 %式%) で表わされるCu イオン導電性固体電解質が好適に
用いられる。
第3図は、石英ガラス板上に、5 X 10 Tor
rの真空下で抵抗加熱法が形成した前述の一般式でx
= o、sであるRb Cu4I、、 C1155膜(
膜厚3.5μ)の光吸収スペクトルを示したものである
。
rの真空下で抵抗加熱法が形成した前述の一般式でx
= o、sであるRb Cu4I、、 C1155膜(
膜厚3.5μ)の光吸収スペクトルを示したものである
。
450 nm以下で吸収があシ、太陽光の紫外部の光は
通しにくいけれど、実用上問題なく使用することができ
る。また、X:0.25〜o、75の範囲では、RbC
u4r、−xGls+xの分解電圧は約o、e vであ
り、長期間に渡って発電部(b)より0.5Vの電圧が
蓄電部(IL)の充電のために印加された場合でも、C
u+イオン導電性固体電解質層の分解による蓄電部(2
L)の劣化が生じる恐れは全くない。
通しにくいけれど、実用上問題なく使用することができ
る。また、X:0.25〜o、75の範囲では、RbC
u4r、−xGls+xの分解電圧は約o、e vであ
り、長期間に渡って発電部(b)より0.5Vの電圧が
蓄電部(IL)の充電のために印加された場合でも、C
u+イオン導電性固体電解質層の分解による蓄電部(2
L)の劣化が生じる恐れは全くない。
次に、C(13層とCu負極との電気的接続は、必要に
応じ、順方向の電圧降下が0.1〜0.2V程度のダイ
オードを介して行うことができる。このようなダイオー
ドとしては通常ゲルマニウムダイオードが使用できる。
応じ、順方向の電圧降下が0.1〜0.2V程度のダイ
オードを介して行うことができる。このようなダイオー
ドとしては通常ゲルマニウムダイオードが使用できる。
接続は、CdS層からCu負極層に向って電子が流れる
方向が順方向となるようになされる。こうすることで、
光照射がない場合、蓄電部(&)に蓄わえられた電気が
、発電部(b)を通して潴れるのを有効に防止すること
ができる。
方向が順方向となるようになされる。こうすることで、
光照射がない場合、蓄電部(&)に蓄わえられた電気が
、発電部(b)を通して潴れるのを有効に防止すること
ができる。
作用
光が照射している場合、発電部(b)で生じた電圧0.
50Vの電子は、外部負荷へ送られ、そこで利用消費さ
れるとともに、その一部はCdS層とCu負極の電気接
続部を通ってCu負極に至シ、ここで正極層であるCu
2Sよシ遊離し、Cu イオン導電性固体電解質層を
通ってきたCu イオンと結合してCuとしてCu負
極層に蓄えられる。光が照射して込ない場合は、このよ
うにして蓄電部(2L〕に蓄えられた電気は、Cu2S
層を正極とし、Cu負極層を負極とする蓄電部(IL)
より外部負荷へ供給することができる。
50Vの電子は、外部負荷へ送られ、そこで利用消費さ
れるとともに、その一部はCdS層とCu負極の電気接
続部を通ってCu負極に至シ、ここで正極層であるCu
2Sよシ遊離し、Cu イオン導電性固体電解質層を
通ってきたCu イオンと結合してCuとしてCu負
極層に蓄えられる。光が照射して込ない場合は、このよ
うにして蓄電部(2L〕に蓄えられた電気は、Cu2S
層を正極とし、Cu負極層を負極とする蓄電部(IL)
より外部負荷へ供給することができる。
以下、実施例により説明する。
実施例
第1図は本発明の実施例の1つである太陽光蓄電池の構
造を示す断面略図である。
造を示す断面略図である。
厚さ0.2団の銅(Cu )箔1の上に真空蒸着法で厚
さ10μ、大きさ5X5w角のCdS 、% 2を形成
し、さらにその上に厚さ0.1μのCu2S層3をCu
Cβ溶液中にCd5層2を浸して表面のCdをCuに置
換することで形成する。次に、厚さ3.5μのRbCu
411.5 Cl25.5より成るCuイオノ導電性固
体電解質層4を真空蒸着法によりCu、、S層3上に形
成し、さらにこの上に、厚さ0.3μの金属銅膜より成
るCu負極層6が格子状に形成される。
さ10μ、大きさ5X5w角のCdS 、% 2を形成
し、さらにその上に厚さ0.1μのCu2S層3をCu
Cβ溶液中にCd5層2を浸して表面のCdをCuに置
換することで形成する。次に、厚さ3.5μのRbCu
411.5 Cl25.5より成るCuイオノ導電性固
体電解質層4を真空蒸着法によりCu、、S層3上に形
成し、さらにこの上に、厚さ0.3μの金属銅膜より成
るCu負極層6が格子状に形成される。
6は、片面に導電性の酸化インジウム・スズ薄膜6aお
よび6bを有するガラス板であシ、Cu負極層5と導電
性薄膜6a、およびCu2S′層の一部と導電性薄膜6
bとが各々電気的に接続されるように配置されている。
よび6bを有するガラス板であシ、Cu負極層5と導電
性薄膜6a、およびCu2S′層の一部と導電性薄膜6
bとが各々電気的に接続されるように配置されている。
6Cは、Cu2S層3と導電性薄膜6bとを電気的に接
続するためにCu2S層3上にptペーストにより形成
した電気接続端子である。ガラス板6と銅箔1とはエポ
キシ樹脂系接着剤7により接着されている。8は、ゲル
マニウム・ダイオードであり、図中、ダイオードの回路
記号で示したように、Cd5層2から電子がCu負極層
5へ流れ込むように接続されている。9は■極端子、1
oはe極端子である。
続するためにCu2S層3上にptペーストにより形成
した電気接続端子である。ガラス板6と銅箔1とはエポ
キシ樹脂系接着剤7により接着されている。8は、ゲル
マニウム・ダイオードであり、図中、ダイオードの回路
記号で示したように、Cd5層2から電子がCu負極層
5へ流れ込むように接続されている。9は■極端子、1
oはe極端子である。
第2図は、このような太陽光蓄電池を、30分間太陽光
にさらした後、暗所で■極端子9とe極端子1Qを通し
て20℃で50μムの一定電流で3o分間放電した際の
■極端子9とe極端子10間の電圧変化を示したもので
ある。
にさらした後、暗所で■極端子9とe極端子1Qを通し
て20℃で50μムの一定電流で3o分間放電した際の
■極端子9とe極端子10間の電圧変化を示したもので
ある。
図中、1Qサイクル目、100サイクル目トするのは、
30分間太陽光による充を行った後、50μ人で30分
間放電する充・放電サイクルを10サイクル、100サ
イクルくり返した際の放電時の端子間電圧の変化を示し
たものである。1oOサイクル後でもほとんど初期特性
と変りない放電特性を与える。
30分間太陽光による充を行った後、50μ人で30分
間放電する充・放電サイクルを10サイクル、100サ
イクルくり返した際の放電時の端子間電圧の変化を示し
たものである。1oOサイクル後でもほとんど初期特性
と変りない放電特性を与える。
発明の効果
以上のように本発明によれば、太陽光発電部のp型半導
体であるCu2Sを、固体電解質二次電池より成る蓄電
部の正極としても作用させることで、構成要素の数を従
来の5つから4つに減じた太陽光蓄電池を提供できる。
体であるCu2Sを、固体電解質二次電池より成る蓄電
部の正極としても作用させることで、構成要素の数を従
来の5つから4つに減じた太陽光蓄電池を提供できる。
第1図は本発明の実施例の1つである太陽光蓄電池の断
面構造を示す略図、第2図は実施例の太陽光蓄電池の放
電特性を示す図、第3図は本発明の太陽光蓄電池に用い
られるCu イオン導電性固体電解質膜の光吸収スペク
トルを示す図である。 1・・・・・・銅箔、2・・・・・・CdS層、3・・
・・・・Cu2S層、4・・・・・・Cu イオン導
電性固体電解質層、5・・・・・・Cu負極層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名/−
−一釧箔 2−−−cts4 第1図 s−cムヌ極1 第2図 o to zo
、3゜L電時間c公2
面構造を示す略図、第2図は実施例の太陽光蓄電池の放
電特性を示す図、第3図は本発明の太陽光蓄電池に用い
られるCu イオン導電性固体電解質膜の光吸収スペク
トルを示す図である。 1・・・・・・銅箔、2・・・・・・CdS層、3・・
・・・・Cu2S層、4・・・・・・Cu イオン導
電性固体電解質層、5・・・・・・Cu負極層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名/−
−一釧箔 2−−−cts4 第1図 s−cムヌ極1 第2図 o to zo
、3゜L電時間c公2
Claims (3)
- (1)(a)p型半導体Cu_2Sを正極とし、Cu^
+イオン導電性固体電解質と、金属銅を主体とする負極
とにより構成される蓄電部と;(b)n型半導体CdS
と前記蓄電部(a)の正極であるp型半導体Cu_2S
との接合により形成されるp/n接合より成る発電部と
により構成され、前記n型半導体CdSと前記金属銅を
主体とする負極とが電気的に接続されていることを特徴
とする太陽光蓄電池。 - (2)n型半導体CdSと金属銅を主体とする負極とが
、n型半導体CdSから金属銅を主体とする負極へ向か
って電子が流れる方向を順方向として、ダイオードを介
して電気的に接続されることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の太陽光蓄電池。 - (3)Cu^+イオン導電性固体電解質が一般式、Rb
Cu_4I_2_−_xCl_3_+_x(x=0.2
5〜0.75) で表わされる化合物であることを特徴とする特許請求の
範囲第1項又は第2項記載の太陽光蓄電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61092711A JPH07118333B2 (ja) | 1986-04-22 | 1986-04-22 | 太陽光蓄電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61092711A JPH07118333B2 (ja) | 1986-04-22 | 1986-04-22 | 太陽光蓄電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62249366A true JPS62249366A (ja) | 1987-10-30 |
| JPH07118333B2 JPH07118333B2 (ja) | 1995-12-18 |
Family
ID=14062049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61092711A Expired - Lifetime JPH07118333B2 (ja) | 1986-04-22 | 1986-04-22 | 太陽光蓄電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07118333B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01262673A (ja) * | 1988-04-14 | 1989-10-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光二次電池 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5766868U (ja) * | 1980-10-08 | 1982-04-21 | ||
| JPS59107577A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-06-21 | サン−ゴ−バン・ルシエルシユ | 硫化カドミウム−硫化第一銅光電池の製法 |
| JPS60264060A (ja) * | 1984-06-13 | 1985-12-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 太陽光蓄電装置 |
| JPS62102266U (ja) * | 1985-12-17 | 1987-06-29 |
-
1986
- 1986-04-22 JP JP61092711A patent/JPH07118333B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5766868U (ja) * | 1980-10-08 | 1982-04-21 | ||
| JPS59107577A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-06-21 | サン−ゴ−バン・ルシエルシユ | 硫化カドミウム−硫化第一銅光電池の製法 |
| JPS60264060A (ja) * | 1984-06-13 | 1985-12-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 太陽光蓄電装置 |
| JPS62102266U (ja) * | 1985-12-17 | 1987-06-29 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01262673A (ja) * | 1988-04-14 | 1989-10-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光二次電池 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07118333B2 (ja) | 1995-12-18 |
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