JPS62238651A - 紫外線透過型半導体装置 - Google Patents
紫外線透過型半導体装置Info
- Publication number
- JPS62238651A JPS62238651A JP8271086A JP8271086A JPS62238651A JP S62238651 A JPS62238651 A JP S62238651A JP 8271086 A JP8271086 A JP 8271086A JP 8271086 A JP8271086 A JP 8271086A JP S62238651 A JPS62238651 A JP S62238651A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ultraviolet
- semiconductor device
- cap
- ultraviolet rays
- ray transmitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract 2
- YREOLPGEVLLKMB-UHFFFAOYSA-N 3-methylpyridin-1-ium-2-amine bromide hydrate Chemical compound O.[Br-].Cc1ccc[nH+]c1N YREOLPGEVLLKMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、紫外線等で消去可能なメモリ素子である紫外
線透過型半導体装置に関する。
線透過型半導体装置に関する。
従来、この種の半導体装置は、第３！ｉ！Ｊに示すよへ
Ｖ 番セリプｑｑｉ−ｒ’身吐ζ幻ｔシσ）ｉ４をΔ１
１の形状が真円であった。同図で３２は容器内に収容さ
れている半導体素子を示す。
Ｖ 番セリプｑｑｉ−ｒ’身吐ζ幻ｔシσ）ｉ４をΔ１
１の形状が真円であった。同図で３２は容器内に収容さ
れている半導体素子を示す。
〔発明が解決し、ｃ５とする問題点〕
このため、大容量メモリの場合索子３２と透光窓３１の
大きさがほぼ同じになることがある。第３図のよ５に素
子３２と透光窓３１の中心が一致して３れば問題はない
が、第４図の工５に素子４２°の固着位置がずれた場合
、紫外線がキャップ４３にし中へいされ素子４２表面に
照射できない不都合が生じることがある。
大きさがほぼ同じになることがある。第３図のよ５に素
子３２と透光窓３１の中心が一致して３れば問題はない
が、第４図の工５に素子４２°の固着位置がずれた場合
、紫外線がキャップ４３にし中へいされ素子４２表面に
照射できない不都合が生じることがある。
本発明の紫外線透過型半導体装置は、透光窓形状を楕円
形にしていることｔ特徴としている。
形にしていることｔ特徴としている。
第１図は１本発明の一実施例の平面図である。
１１は１本発明の特徴である楕円形透光窓で、キャップ
１３に形成されている。同図で１２は紫外線消去型のメ
モリ素子である。
１３に形成されている。同図で１２は紫外線消去型のメ
モリ素子である。
本発明によれば、素子２２の固着位＃が筐２１切のよう
にずれていても、透光窓２１が楕円形のため、紫外線を
素子２２表面に照射でき、従来技術で見られ７を紫外線
がキャップ２３にしゃへいされ。
にずれていても、透光窓２１が楕円形のため、紫外線を
素子２２表面に照射でき、従来技術で見られ７を紫外線
がキャップ２３にしゃへいされ。
素子２２表面に照射できないという不都合は解消できる
。
。
第１図、第２図は本発明半導体装置を示す平面図、第３
図、第４図は従来の半導体装置を示す平面図である。 １１．２１・・・・・・楕円形透光窓、３１．４１・−
・・・・真円形透光窓、１２，２２，３２．４２・・・
・・・半導体素子、１３，２３．３３＃４３・・・・・
・キャップ。 代理人 弁理士 内 原 晋 ゛２庫７Ｆｌ
ｒ 享２国 ゛斗３図 芽４図
図、第４図は従来の半導体装置を示す平面図である。 １１．２１・・・・・・楕円形透光窓、３１．４１・−
・・・・真円形透光窓、１２，２２，３２．４２・・・
・・・半導体素子、１３，２３．３３＃４３・・・・・
・キャップ。 代理人 弁理士 内 原 晋 ゛２庫７Ｆｌ
ｒ 享２国 ゛斗３図 芽４図
Claims (1)
- セラミックパッケージ内に半導体が取付けられ、紫外線
を透過できるキャップにより前記パッケージを封止して
なる紫外線透過型半導体装置において、前記キャップは
、楕円形の紫外線透光窓を有していることを特徴とする
紫外線透過型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8271086A JPS62238651A (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | 紫外線透過型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8271086A JPS62238651A (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | 紫外線透過型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62238651A true JPS62238651A (ja) | 1987-10-19 |
Family
ID=13781959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8271086A Pending JPS62238651A (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | 紫外線透過型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62238651A (ja) |
-
1986
- 1986-04-09 JP JP8271086A patent/JPS62238651A/ja active Pending
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