JPS62232985A - Crをド−プした硼酸スカンジウムレ−ザ− - Google Patents

Crをド−プした硼酸スカンジウムレ−ザ−

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JPS62232985A
JPS62232985A JP62073932A JP7393287A JPS62232985A JP S62232985 A JPS62232985 A JP S62232985A JP 62073932 A JP62073932 A JP 62073932A JP 7393287 A JP7393287 A JP 7393287A JP S62232985 A JPS62232985 A JP S62232985A
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laser
laser material
exciting
coherent radiation
pump
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JP62073932A
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ブルース・ヒュアイーツ・チャイ
シュイ・トン・ライ
マーガレット・エヌ・ロング
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はレーザー、さらに詳しくは、レーザー材料(m
edium)がS c B 03 : Cr  または
その異種同形体の単結晶である固体状態のレーザーに関
する。
最初の(固体状態)レーザーが1960年にぬiima
n Kよって示さ几て以来、いくつかの固体(結晶およ
びガラスの両者)がレーザー作用に適していることが見
出された。一般にル−ザー活性材料は結晶質またはガラ
ス質ホスト中に、希土類、アクチニドま7’2+は避移
金属ドーパンH1−含有する。当時仰られた固体状態レ
ーザーの広範囲な取扱いは、Sol id −5tat
e La5er Engineering 。
W、 Koechner、  ニューヨーク州スプリン
ガーーヴエルラーグ、1976年に発表された。さらに
最近では、レーザー結晶のまとめがLa5erCrys
tals 、 A、 A、 Kaminskii、 二
z −E−り州スブリンガー・ヴエルラーグ(1981
)で紹介された。
レーザーとして使える材料の中で、いくらかのクロムを
ドープした材料にはたとえば次のものがあるニガーネッ
トGd、5c2Ga、01.:Cr”(GSGG : 
Cr  ) (A、 Beimowski池、第■回、
被子電子学会、ミュンヘン、1982年6月);アレキ
サンドライトCBeA& (入:Cr  )、クリンペ
リル構造を有する天然の鉱物(米国特許Re31.05
7  および第4,272,736号):エメラルドB
e5Alt (5iOa) : Cr   (M、L、
 5handおよびJ、 C,Walling、 I 
E E E  J、 QuantumElectron
、 Q′E−18,1829,1982年1)月) ;
 KZnF、 : Cr (U、 Branchおよび
U、 Duvv。
Opt、 Com 、 49.61.1984年2月)
;オニびZn WO4: Cr (W、 Kolbe 
、 K、 Petermannお工びG、 Huber
、 IEEE  J、 Quantum Electr
on。
QE−21,1596,1985年10月)。
アレキサンドライト、エメラルド、GSGG:3+ Cr  およびKZ n F3 : Cr  レーザー
の特殊な特徴の中に整調性がある。
本発明では、レーザーは、5cB03:Cr  および
5cBO8の異種同形体たとえばInBOaおよびLu
BO3の単結晶よりなるレーザー材料、およびレーザー
材料を励起して干渉性の輻射線を放射させる手段からな
るものである。一般にル−ザーは、ミラー間のレーザー
発振の維持に適した光共振器を形成するミラーを含んで
いる。レーザーの出力は広範囲に整調可能である;従っ
て、出力は電磁スペクトルの深赤から”近赤外までのノ
くノド上のどの波長でも選択することができる。
調整が可自巨であるということの池の、S c B O
3:Cr3+レーザー材料およびその異種同形体によっ
て持たらされる別の利点は、四レベル操作である。
フォー−レベk (four −1evel )レーザ
ーは、レーザーy’In−6の末端レベルがイオンの基
底状態ではないということ七特徴とする種類のレーザー
である。これらのレーザーでは、レーザーホスト円の非
励起基底状態イオンによるレーザー放射の再吸収はたと
えあるとしてもわずかである。この友め、限界値が低く
、効率が高いレーザーの操作が可能となる。b c B
 03 : Cr  では、池の重子末端(phono
n −terminated )レーザーにおけるよう
に、レーザー遷移には光子と重子の同時放出かあり、従
って、この放出の舛吸収には両者の重子の1町時吸収が
必要でるる。この再吸収の確率は明らかに低く、従って
、5cBO3: Cr   フォー−レベルレーザー作
用の限界値は低い。
このレーザー材料の非常に重要な利点は、5cBO3結
晶構造におけるCr4T 寿命が長いことである。
エメラルドおよびアレキサンドライトおよびZnWO,
の場合、4T2埒命はわずか式ミクロ秒でるる。このよ
うに短い寿命ではフラッシュランプ−ポンプレーザーf
lash lamp−pumped 1aser操作は
きわめて難しい。本発明の材料では、4T2寿命は1)
0ミクロ秒程度であシ、これによって材料はフラッシュ
ランプボンピングしやスくする。
本発明のレーザーは、従来公知の整調可能なレーザーに
まさるいくつかの他の利点を有する。吸収スペクトルは
、ダイオードボンピングとなるように赤にシフトさせる
。このレーザーは、染料を循環させるポンプを必要とす
る、つまシ化学的に不安定なそして毒性、腐食性lたは
両方の傾向のある、染料レーザーよりも単純である。こ
のレーザーは近IRスペクトルの不可視部分で王として
放射し、室温で作用する。染料レーザーと鮫べて、この
レーザーは補助装置をあまシ必要とせずに高出力作用を
持たらし、Q−スイッチ操・作も可能である。
第1図は、5cBO3:Cr  の吸収スペクトルであ
る。
第2図は、5cBO,:Cr  の螢光スペクトルであ
る。
第6図は任意の整調器を有するレーザー装置の略図であ
る。
第4図は発振器−増幅器レーザーシステムの部分横断面
図である。
本発明で用いるレーザー材料は、Cr  でドープした
MBO,の単結晶(MBO3:Cr  )  よシなシ
、Mはスカンジウム、インジウムおよびルテチウムの群
よシ選択したものである。材料は非干渉性または干渉性
輻射線のポンプ源によって励起され、′電磁スペクトル
の深赤ないし近赤外範囲の波長で干渉性輻射線を放出す
る。レーザーは波長整調でさ、出力波長の選択が可能で
ある。
クロムをドープした硼酸スカンジウムおよびこれの異種
同形体(InBO,およびLuBO,)は、三方晶系の
構造(空間群R6c)を有し、Kryopoulosま
たはCzochralski生長のいずれかによって合
成することができる。レーザー材料として使用するため
には、結晶はロッドの形またはスラブの形のものが好ま
しい。スラブはその長手に対して垂直な面で実質的に長
方形の斬面を石しているのが好ましい。
MBO3: Cr   レーザー材料は光学的にポンプ
させる。一般に、レーザー材料合本にわたって均一に吸
収されるポンプ輻射線を有するのが好fしい。吸収はク
ロム纜度によるので、ロッドの直径またはスラブの厚み
と最適なドーバン)i1度との間に逆の関係がある。一
般的な直径および厚みにおいては、クロムドーパント濃
度は、スカンジウム八面体部位に対して、好ましくは約
0.005〜約20原子係、よシ好ましくは約0.1〜
約5原子幅でるる。
適したポンプランプは、MBOs:Cr  が吸収する
波長域で強く放射するものである。第1図は、約400
 nmおよび約800 nmの間の波長域におけるS 
c B 03 : Cr  の吸収係数を図で示すもの
である。S c B O3: Cr  に対しては、約
730nmよシ短い波長で強力な非干渉性の光を放射す
るパルスまたは連続ランプのいずれかが適している。当
業界でよく知られたこのようなランプには、たとえばキ
セノンおよび/またはクリプトンを満たしたそして連続
波(cw)  またはパルス波のいずれかを生じるよう
にした気体放電ランプ、および水銀、ナトリウム、セシ
ウム、ルビジウムおよび/またはカリウムのような金属
蒸気源がある。
CW水銀ランプはCWレーザー操作のポンプ源として、
そしてパルスキセノンアークランプはパルスレーザ−操
作のポンプ源として特に適していることがわかった。ダ
イオードポンピング(MGa A sダイオードのよう
な)も適用できる。
これとは別に、MBOs:Cr   レーザー材料を、
吸収波長駿で放射するパルスまたはcwの干渉性光源で
ポンプさせてもよい。cw励起の場合、クリプトンイオ
ンおよびアルゴンイオンレーザ−が代表的である。パル
スレーザ−励起の場合、十分な出力および750 nm
より下の放射波長を有するほとんどの干渉性源が、5c
BO3:Cr レーザーに効果的なポンプである。適し
た光源の例はダ7”/1zNd : YAG、エキシマ
レーザ−おj びlX レーザーである。
レーザーの基本的部材、すなわちレーザー材料および光
学ポンプ、の他に、本発明のレーザーは任意にQ−スイ
ッチングのだめの手段を含んでいてもよい。Q−スイッ
チはポンプエネルギーが貯えられている間、キャピテイ
のQを″奪う(spoil)”。
ある瞬間で、Q−スイッチは高い増加状態になシ、材料
中の貯蔵エネルギーは非盾に短期間の”巨大パルス”の
状態で突然放たれる。Q−スイッチ手段は飽和可能な染
料吸収剤、音響−光学的Q−スイッチまたは偏光子およ
びビーム路に置いたポケットセルよりなる。レーザーは
また、バンドの幅と逆の関係にあるパルス幅を得るため
に、モードロックしてもよい。
S c B 03 : Cr  レーザーは、2Wcw
入力でポンプして、778〜892 nmにおいて整調
しうる。フリーな操作条件下でのレーザー波長は、多く
の従来公知のCrをドープした固体状態レーザーが放射
する波長よシも有意に長い約842 nmである。
第2図に示すように、螢光バンドの幅(730〜101
000nはGSGG:Cr   のIll!(715〜
815nm)  に較べて有意に赤にシフトしている。
S c B O,の寿命は1)5μsである。1)5μ
Bの寿命はフラッシュランプボンピングまたはロング−
パルスレーザ−ボンピングに最適である。放G S G
 G : Crまたはアレキサンドライトのそれ整調を
行なうために、どのような従来の手段も使用しうる。適
した手段の例としては、プリズム、光学格子、複屈折フ
ィルター、多層誘電被覆(multilayer di
electric coated)フィルターまたは縦
の色収差を有するレンズがある。特に適しているのは、
” Design of a Birefringen
tFilter for High−Power D7
e La5ers”、I EEE  J、 Quant
um Electron、 QE −10(1974)
  でG、I(oltomおよびO,Te5chkeが
記している一般的な種類の複屈折フィルターである。こ
の種類のフィルターは”ライオツドフィルター”(B、
 Lyot 、 Compt、 Rend、 1ヱ1.
1593(1933))と呼ばれることがある。
高出力のMBOa : Cr  レーザーは1発振器ス
テージ”としての上記のような基本的レーザーおよびレ
ーザー増幅器よシなる。発振器ステージは一つ以上の“
増幅器ステージ”のための入力幅射線を持たらし、一般
的には、光学キャピテイ内に取付けたM B O3: 
Cr  結晶およびフラッシュランプ、または他のポン
プ源を含んでいる。
いくつかの他の整調可能な固体状態レーザー材料と比較
したM B 03 * Cr  の利点は、低皿に加え
て、室温およびこれ以上の温度で操作できることである
出力レベルによって5レ一ザーロッド温度をコントロー
ルする手段を含めるのが好ましい。温度コントロール手
段は当業界でよく知られたどのようなものでもよい;た
とえば、レーザー材料から熱を吸収するのにあるいはレ
ーザー材料へ熱を伝えるのに適した循環流体。循環流体
は空気、水、極低己液体等である。ヒーターは必要なと
き液体は度をコントロールするのに更用する。
第6図は、本発明の範囲内のレーザーポンプレーザー装
置の例を示すものである。レーザー材料1)H3cBO
,:Cr  結晶よりなシ、ボンピング源12はレーザ
ーである。ポンプビームは光学部材13. 光チヨツパ
−14、ニュートラルフィルター15および焦点レンズ
を通過する。レーザーキャビティはミラー16および1
7によって定められる。入力ミラー16はポンプ波長に
て良好な透過率を有するが、出力ミラー17はそれを必
要としない。波長の整調は整調部材18で行なう。
これは複屈折整調器である。任意のフィルター19はポ
ンプビームを吸収するが、レーザー出力ビームを通す。
第4図は、フラッシュランプ−ポンプ増幅器ステージを
含む本発明のフラッシュランブーポンプレーザーの例を
示すものである。発振器ステージは、高度に反射性の内
面23が楕円形のキャピテイを定めているハウジング2
0内のレーザー材料21およびフラッシュランプ22よ
シなる。面23での反射は拡散反射または正反射である
。レーザー材料21およびボンピング源22の軸は容器
20によって形成される楕円形のフォーカルラインにそ
って各々配置する。レーザー材料21は通常、従来の誘
電性非反射被覆を有する被覆端24および25を備えて
いる。くぼんだ球状の端は高ポンプ速度でのサーマルレ
ンズ効果を補うために用いうる。完全反射ミラー27、
任意の整調部材26および部分反射ミラー28はレーザ
ー材料21の円筒軸29にそって容器20の外に置く。
ミラー27および28は共に部分反射するものである。
所望の操作温度を維持する必要があるのならば、レーザ
ー材料21およびポンピング源22を、容器20の中を
循環する流体によって冷却する。レーザー作用は、波長
が整調部材26の配向によって決められる、高度に平行
になった干渉性輻射線が放出されることで証明される。
輻射線は部分反射ミラー28から放出される。
増幅器ステージは発振器ステージの出力ビーム内にある
。これは本質的には容器60よシなり、その高度に反射
性の内面63は楕円形容器を定めている。フラッシュラ
ンプ32によって励起された増幅器ロッド61は通常、
従来の誘電性非反射被覆を有する被覆端34および65
を持っている。
増幅器ロッドは発振器ロッド21よりも直径が大きく、
この場合、ビームの大きさをロッドの大きさに釣合わせ
るために、ビームを広げるテレスコープ66をステージ
の間に置く。発振器ステージと違って、増幅器ステージ
は通常、その端にキャピテイを形成するミラーを持たず
、発振器出力の増幅は、レーザービームの増幅器ロッド
へのただ一度の通過の間に行なわれる。しかしながら、
ある用途に対しては、増幅器に部分反射ミラーを取付け
て、増幅器出力の一部を増幅手段へフィードバックしう
る。この再生式発振器の出力のスペクトルおよび一時的
特性は、最初の発振器からの適合した信号を、増幅器へ
のただ一度の通過に用いたのと同様の方法で作用させる
ことによって決めることができる。一つ以上の増幅器ス
テージを使用しうる。矢印37で示す増幅出力は増幅器
ロッド31から出る。
以下の実施例は、本発明をさらに十分に理解するために
示すものである。本発明の原理および実施の説明のため
に示した特定の方法、条件、材料およびデータは好まし
い例であシ、本発明の範囲を限定するものとして解釈す
べきではない。
実施例 ScをCr  で0.4原子パーセント置換した、1、
20 cIrt X 0.5 cm X 0.6 cm
のS c B Os : Cr”平行六面体試料を、第
3図に示すタイプのcwレーザー−ポンプレーザーキャ
ビティ内で使用する。
3Wクリブトンレーザービームヲ光チヨツパーおよびニ
ュートラルフィルターに通し、そしてレンズで焦点を合
わせる。レーザーキャビティはミラーで定められている
。入力ミラーはレーザー波長においてすぐれたレフレク
タ−であp(842nmで999壬の反射率)ポンプ波
長(647,1nm)においてすぐれた透過率を有する
。出力ミラーもまだすぐれたレフレクタ−である( 8
42 nmで98、!1Mの反射率)。入力および出力
ミラーは半径が各々10cmの凹面である。ミラーは〜
19cm離して置き、試料の中心はミラーの(大木の)
共通焦点付近に置く。特に、ポンプビームは5cBO,
:Cr3+試料の中心で約60ミクロメーターのビーム
のくびれの状態で焦点に合わせる。単一部材複屈折フィ
ルターは波長の整調のためにキャピテイニ含める。ポン
プビームはRG−9コーニングフーイルターで止める。
ポンプビームは3係の使用(auty)  サイクルで
チョップして熱作用を減じた( cw水ポンプ比較して
〕。1.20cmの長さの試料にそった2wの吸収工率
では、整調可能なレーザー出力は778 nmから89
2 nmまで測定された。フリーな操作条件では(複屈
折部材なしで)、5cBO,: Or  は841 n
mでレーザー発振する。
【図面の簡単な説明】
第1図は5cBO3:Cr   の吸収スペクトルであ
り、第2図はS c B O3: Cr  の螢光スペ
クトルであり、第6図は任意の整調器を有するレーザー
装置の略図であシ、第4図は発振器−増幅器レーザーシ
ステムの部分横断面図である。 1)・・・レーザー材料、16.17・・・ミラー、1
8・・・整調部材、  12.22・・・ボンピング源
、21・・・発振器ロッド、   61・・・増幅器ロ
ッド、62・・・フラッシュランプ。 (外5名) キ1凹 5c803:Cr”tr+4光JIIIX’S 7 )
 IL/渠考 (1000cm−13

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)MBO_3_+(式中、Mはスカンジウム、イン
    ジウムおよびルテチウムよりなる群から選択したもので
    ある)の単結晶よりなるレーザー材料;および レーザー材料を励起して干渉性の輻射線を放射させる手
    段 よりなるレーザー。
  2. (2)レーザー材料がScSO_3_+である、特許請
    求の範囲第(1)項記載のレーザー。
  3. (3)レーザー材料が実質的に、長手が円筒軸にそって
    いる円筒形ロッドの形をしている、特許請求の範囲第(
    1)項記載のレーザー。
  4. (4)レーザー材料が実質的に、その長手に垂直な面が
    実質的に長方形の断面であるスラブの形をしている、特
    許請求の範囲第(1)項記載のレーザー。
  5. (5)Cr_3_+濃度がスカンジウム八面体部位に対
    して約0.005〜約20原子%の範囲である、特許請
    求の範囲第(1)項記載のレーザー。
  6. (6)レーザー材料を励起する手段が、約730nmよ
    り短い波長で放射するパルス非干渉光源よりなる、特許
    請求の範囲第(1)項記載のレーザー。
  7. (7)レーザー材料を励起する手段が、約730nmよ
    り短い波長で放射する連続非干渉光源よりなる、特許請
    求の範囲第(1)項記載のレーザー。
  8. (8)さらに、レーザーをQ−スイッチングする手段よ
    りなる、特許請求の範囲第(1)項記載のレーザー。
  9. (9)さらに、干渉性輻射線を約778nm〜約892
    nmの範囲で整調する手段よりなる、特許請求の範囲第
    (1)項記載のレーザー。
  10. (10)干渉性輻射線の第一ビームを放射する特許請求
    の範囲第(1)項記載のレーザー; 特許請求の範囲第(1)項のレーザーによって放射され
    た波長でレーザー発振しうる第二レーザー材料; 干渉性輻射線の第二ビームを放射する第二レーザー材料
    を励起する手段 よりなるレーザー増幅器。
JP62073932A 1986-03-27 1987-03-27 Crをド−プした硼酸スカンジウムレ−ザ− Pending JPS62232985A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/845,215 US4841530A (en) 1986-03-27 1986-03-27 Cr-doped scandium borate laser
US845215 1986-03-27

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US (1) US4841530A (ja)
EP (1) EP0238904B1 (ja)
JP (1) JPS62232985A (ja)
AU (1) AU583981B2 (ja)
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05102564A (ja) * 1991-04-04 1993-04-23 Electrox Inc 高出力NdYAGレーザ

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4987575A (en) * 1987-12-04 1991-01-22 Alfano Robert R Tetravalent chromium (Cr4+) as a laser-active ion for tunabale solid-state lasers
US4969154A (en) * 1989-12-22 1990-11-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Room-temperature, flashpumped, 2 micron solid state laser with high slope efficiency
US5003547A (en) * 1989-12-29 1991-03-26 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Room-temperature, flashpumped, 1.96 micron solid state laser
JP2723646B2 (ja) * 1990-03-27 1998-03-09 キヤノン株式会社 光学的情報処理装置
US5488626A (en) * 1991-01-14 1996-01-30 Light Age, Inc. Method of and apparatus for pumping of transition metal ion containing solid state lasers using diode laser sources
US5343327A (en) * 1993-11-05 1994-08-30 University Of Central Florida RbNbB2 O6 crystal and its nonlinear optical devices
US6195372B1 (en) * 1997-08-19 2001-02-27 David C. Brown Cryogenically-cooled solid-state lasers
US6717964B2 (en) * 2001-07-02 2004-04-06 E20 Communications, Inc. Method and apparatus for wavelength tuning of optically pumped vertical cavity surface emitting lasers
AU2003303849A1 (en) * 2003-11-28 2005-06-17 Oleg Victorovich Kuzmin Laser material
JP2005298678A (ja) * 2004-04-12 2005-10-27 Fuji Photo Film Co Ltd セリウム付活ホウ酸ルテチウム系輝尽性蛍光体、放射線像変換パネルおよび放射線画像記録再生方法
CN107573937A (zh) * 2017-08-01 2018-01-12 东南大学 一种用于近红外led的荧光粉材料及其制备方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4272733A (en) * 1978-10-20 1981-06-09 Allied Chemical Corporation Broadly tunable chromium-doped beryllium aluminate lasers and operation thereof
US4490822A (en) * 1982-06-17 1984-12-25 Allied Corporation Cr-Doped yttrium gallium garnet laser

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05102564A (ja) * 1991-04-04 1993-04-23 Electrox Inc 高出力NdYAGレーザ

Also Published As

Publication number Publication date
CA1280198C (en) 1991-02-12
EP0238904A2 (en) 1987-09-30
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AU583981B2 (en) 1989-05-11
US4841530A (en) 1989-06-20

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