JPS62230072A - トランスデユ−サ・ミラ−・アセンブリおよびそれの2つの基板の接着方法 - Google Patents

トランスデユ−サ・ミラ−・アセンブリおよびそれの2つの基板の接着方法

Info

Publication number
JPS62230072A
JPS62230072A JP62068155A JP6815587A JPS62230072A JP S62230072 A JPS62230072 A JP S62230072A JP 62068155 A JP62068155 A JP 62068155A JP 6815587 A JP6815587 A JP 6815587A JP S62230072 A JPS62230072 A JP S62230072A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
block
substrate
wall member
mirror
central member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62068155A
Other languages
English (en)
Inventor
ロバート・ジイ・アホーネン
ジヨン・メールニク
ハンス・ピー・メイアーホフ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Honeywell Inc
Original Assignee
Honeywell Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Honeywell Inc filed Critical Honeywell Inc
Publication of JPS62230072A publication Critical patent/JPS62230072A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01CMEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C19/00Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
    • G01C19/58Turn-sensitive devices without moving masses
    • G01C19/64Gyrometers using the Sagnac effect, i.e. rotation-induced shifts between counter-rotating electromagnetic beams
    • G01C19/66Ring laser gyrometers
    • G01C19/661Ring laser gyrometers details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02Constructional details
    • H01S3/03Constructional details of gas laser discharge tubes
    • H01S3/034Optical devices within, or forming part of, the tube, e.g. windows, mirrors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/081Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors
    • H01S3/083Ring lasers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/081Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors
    • H01S3/083Ring lasers
    • H01S3/0835Gas ring lasers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Gyroscopes (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔利用分野〕 本発明は、リング−レーザ角速度セ/すの構造に関し、
更に詳細には、従来の構造よシも製造コストが安価なリ
ング・レーザ角速度センサおよびその!ji!造方法に
関する。
〔従来技術〕
リング・レーザ角速度センサは周知であり、たとえば本
願出願人に譲渡された米国特許第3,373゜650号
および米国特許第3,390.[)6号に示されている
。上記特許の開示は本明細書に含まれるものとする。こ
の棒のリング−レーザ角速度センサは、寸法的に安定し
、しかも熱的および機械的にも安定した材料のブロック
を一般に便用している。このブロックは、三角形、方形
または他の多角形の閉ループ通路をなす、複数の相互連
絡のガス包含トンネルすなわち通路を、通常含んでいる
ミラーおよび相互連絡トンネルのこの配置は、光学閉ル
ープ路を形成している。さらに、少くとも1つのアノー
ドおよび1つのカソードはそれぞれガスと連絡してブロ
ックに取9つけられている。
ミラー、アノード、およびカソードを含んでいる各構成
素子は、気密シールを形成するよう密封されなければな
らない。ブロックは、通常、ヘリウムとネオンの混合物
のようなレージング−ガス(lasing gas )
で充填されている。アノードとカソードとの間に十分に
大きい電位が与えられると、それらの間に放電電流が発
生し、その結果、ブロック中に一対の逆向き伝播レーザ
光線が発生される。
リング・レーザ角速度センサは、通常「ロックイン」と
呼称されているエラー源を伴っている。
このエラー源は、逆向き伝播レーザ光線が通る光学閉ル
ープ路を部分的に形成している各ミラーにおげろ元の後
方散乱によって主に発生されるものと考えられている。
当業者には周知であるようにロックイン・エラーを最小
にするため、−緒に使用される2つの技術が幅広く用い
られている。第1の技術は、米国特許第3.373.6
50号に示されているようなブロックをディザリング(
dithering)することから成っている。レーザ
・ブロックを機械的にディザリングすると、ロックイン
により発生されるエラー源は、リング・レーザ角速度セ
ンサが商業的に受は入れられるよう々許容レベルまで減
少することができる。第2の技術は、その表面において
散乱するレーザ光線を最小にする優れた反射コーティン
グを有している高度に研摩された基板をもたらすように
構成されたミラー・アセンブリの開発により、リング・
レーザ角速度センサの性能を高めることが可能になって
きている。
従来のミラー・アセンブリは、ミラー基板として適切に
研摩された材料のブロックから成っている。このミラー
基板は、通常レーザーブロックの材料と同じ材料なので
、これらは熱膨張係数が整合している。一般に、ミラー
・アセンブリは、たとえば酸化チタン(TiO2)  
のような高誘電体と、たとえば二酸化珪素(SiOz)
のような低誘電体のy互の層から成っており、この層は
、たとえばe−ビーム被着マたはイオンビーム・スパッ
タリング工程のような被着工程や高品質のミラーを達成
する他の適切な工程によってミラー基板上に被着される
また、従来のミラー・アセンブリは、通常、光学接)独
(optical contact )と呼称されてい
る方法によυレーザ・ブロックに固定されている。
光学接触技術は、ミラー基板がブロックに対して押圧さ
れる時光学接舷を形成するよう、ブロックとミラー基板
を高度に研摩する必要がある。光学接触によりレーザ・
ブロックとミラー・ブロックを結合するのは、通常室温
で行なわれる。
前述したミラー・アセンブリは、前述した酸化チタニウ
ムのような、その上に被着テれた反射表面ヲ有する材料
のブロックの形の基板を含んでいる。さらに、ミラー・
アセンブリは、光学路の長さ、配置等を制御するトラン
スデユーサを含んでいる。ミラー・アセンブリは、本出
願人に醸渡された米国特許第3−81,227号、米国
特許第4383゜763号、米国特許第4,160,1
84号、およびり゛ットン・システム・インコーホレー
テッドの英国特許第2JO4283号に示されているも
のと同様である。前述した特許の開示は、参照によシ本
明細書に含まれるものとする。
前述した種類のリング・レーザ・センサは、米国特許第
4ρ07,431号に示されているものと同様の種々の
構造のアノードおよびカンードを含む複数の電極を有し
ている。
これら従来のリング・レーザ角速度センサは、その動作
において極めて満足な結果を示しておシ、1だある種の
用途に対しては幅広く受は入れられ又いる。しかしなか
ら、これら従来のリング・レーザ角速度センサの製造コ
ストは縞かった。
リング・レーザ角速度センサでは、多くの部分、たとえ
ばレーザ・ブロックおよびミラー・アセンブリのために
、寸法的に安定した材料が要求される。なぜならば、閉
ループ光学路は、空所のトンネルとミラーの寸法に関し
て位置的な余裕が少ないからである。リング・レーザ中
アセンブリの許容範囲は、慎単なリニヤ(単一のライン
管)レーザよりもはるかに厳格である。ミラー拳アセン
ブリは、通常、ブロックの特性と同様の熱的および機械
的特性を有している材料の基板を含んでいる。
一般に、ミラー基板とブロックは同じ材料でできている
。そうすれば、ミラー基板とブロックとが同じ熱膨張係
数を有するからである。ブロックとミラー基板の間に他
の種類の材料が入らないよう、ミラー基板は通常、光学
接触と呼ばれているものによってブロックに接着されて
いる。すなわち、ミラー基板のミラー取付面とレーザ・
ブロックの端面は、光学接触をもたらすよう高度に研摩
されている。ブロックとミラー基板は一般に石英状材料
で出来ているので、このような表面の研摩は時間がかか
りかつ高価なものとなっている。
また、エポキシ、インジウム・シール、および他の材料
を含む他の技術によってミラー基板をレーザ・ブロック
に接着する試みがなされてきたが、これらの材料は、セ
ンサ特性および寿命またはその少くとも一方に悪形5を
及ぼすという別の問題と生じる。たとえば、ミラー基板
およびレーザ・ブロック間に接合材料が不均一に用いら
れると、ブロック内のリング・レーザの整合が不十分だ
ったり、得られなくなってしまうことがある。さらに、
このような材料は、レージング・ガスと反応する粒状物
質を生ずることがある。これらすべての問題は、レーザ
の寿命および特性またはその一方に悪影Vを及ぼす。電
極をレーザ・ブロックに接着することは、それほど大し
た問題ではないが、気密シールの形成および材料の整合
は依然として重要である。なお、インジウム・シールは
、電極をレーザ・ブロックに接合する技術として満足の
いくものであることが立証されている。
〔発明の概要〕
本発明の目的は、製造コストの低いリング・レーザ角速
度センサの構造およびその組立方法を提供することであ
る。すなわち、本発明は、薄いフィルム接着剤力・ら成
る熱形成気密シールによってブロックに接着されたミラ
ー・アセンブリを備えた固体ブロックから形成されたリ
ング・レーザ角速度センサを提供する。
さらに、本発明は選択された部品間に薄いガラス・フィ
ルムを使用しているミ2−・アセンブリートランスデユ
ーサの構造を提供する。
〔実施例〕
第1図は、ブロック11を含むガス封入リング・レーザ
角速度センサ10の概要図を示している。
ブロック11は、サーピット(Cervit) +ゼロ
ドウル(ZerodurJ等の石英状材料またはBK−
7(これはショット光学の品番(Schott Opt
icalCommercial Designatio
ns )でおる)のようなガラスから出来ている。ブロ
ック11には複数の三相互連絡トンネル13,15.1
7が、互いに三角形空所を形成するような角度で設けら
れている。また、ブロック11の端面には、ミラー・ア
センブ1,119.21.22が接着され、後述するよ
うな方法で各トンネル13,15.17と交差している
。各ミラーは、1つのトンネルから次のトンネルに光を
反射して、閉ループ光学路を形成する働きをす、乙。
レーザ・ブロック11の端面には、一対のアノード27
.29が接着され、これらアノードは、各相互連絡空所
23、.25を介してレーザ・トンネル13.17と連
絡している。トンネル13,15.17およびこれらと
連絡している他のトンネル中には多量のプラズマ用し−
シングφガス(lasing gas  )が含まれて
いる。このガスは、充填管として使用される7ノード空
所の一方を介してブロック空所に注入され、アノードの
1つ、すなわちアノード29は、密封可能なボートとし
ても働く。
カソード40は、レーザ・ブロック11の1つの端面に
接着され、相互連絡空所43を介して光学閉ループ空所
と連絡している。カソード40は、アノード27.29
とトンネル13.15.17に関して対称的に位置して
いる。一対のアノードおよびカソードのこれら対称的配
置は、周知のように角速度センサの性能に悪影響を及ぼ
すことがあるガス流作用を減少することを渦図している
動作において、カソードとアノードとの間に十分に大き
い電位が印加されると、第1放電電流がカソード40か
ら管15を通ってミラー21へ流れ、てらに¥?13を
通ってアノード27に流れる。
第2放電電流は、カソード40から管15を通ってミラ
ー22へ流れ、さらに管17を通ってアノード29に流
れる。これら2つの放電電流の強さは、通常制御されて
いる。この放電電流の作用は、レーシング・ガスをイオ
ン化し、それによって周知の方法で閉ループ光学空所中
に一対の逆向き伝播レーザ光線を形成することである。
なお、方形レーザ路または他の光学空所構造を備え、立
方体空所を有するリング・レーザ角速度センサを本発明
にしたがってIl成し得ることは、明白でろろう。
前述の各ミラーは、空所においてレーザ元@を向げ厘す
他、様々な作用を行な9゜ミラー19は、元電装d50
に向けられる読出し°死線信号全供給するため、部分透
過性を持つよう構成されている。
ミラー22は、空所中の逆向き伝播レーザ光線の整合お
よび結像を助けるよう湾曲しているのが望ましい。また
、ミラー21は、周知の方法で空所の通路の長さを制御
する、部分的トランスデユーサである。なお、米国特許
第4,152,072号には適切な読出し装置50が示
されている。
前述したリン、グレーザ角速度センサの構造とその性能
は、従来のリングレーザ角速度センサの基本釣動作原理
に基づいている。第2図に示すように、本発明における
製造費を低減するための重要な要因は、相互連絡トンネ
ルを有しているレーザ・ブロック11に各ミラー・アセ
ンブリ19,21.22を接合するのに、熱形成フィル
ム・シールを使用することである。ミラー・アセンブリ
をレーザ・ブロックに接着する技術として熱形成フィル
ムψシールを選択すると、ミラー・7センブリをブロッ
クに固定する光学接触技術に要求されている、ブロック
の端面の高度な研摩を省くことができる。熱形成フィル
ム・シールを適切に選択することにより、光学接触技術
を使用した場合よシも高い突合せ一引張(Butt −
Ten5ile)強度を得ることができ、また前述した
従来の接着技術における熱不整合の問題を回避すること
ができる。
本実施例では、熱形成フィルム・シールは、表面上に真
空スパッターされたガラス・フィルムから成っている。
このフィルムは大変薄いので、フィルムと接着された部
品との間の熱係数の不整合は問題ではない。
第1図および第2図に示した本発明の実施例では、リン
グ−レーザ角速度センサのブロック11は、相互連絡ト
ンネルが貫通している寸法的に安定した材料の固体ブロ
ックである。第2図において、ミラーφアセンブリ21
はレーザーブロック11に接着されている。ミラー・ア
センブリ21は、望ましくはブロックと同じ材料である
寸法的に安定した材料から形成された基板222を含ん
でいる。基板222の表面225上には、イオ/−ビー
ム被膚工柱により、酸化ジルコニウムと二酸化ケイ素の
又互の層から成るオプティカル・コーティング224が
被着されている。なお、適切なイオン−ビーム工程は、
たとえば、米国特許第4.142,958号、発明の名
称[多層オプティカル・フィルムの製造方法」に示され
ている。
レーザ・ブロック11とミラー基板222用の寸法的に
安定している材料は、同じ種類の材料であることが望ま
しいが、本発明の思想においては、必ずしも同じ種類の
材料でなくてもよい。寸法的に安定している材料は前述
したような材料、すなわち、機械的および熱的応力に対
して寸法的に安定している石英状材料またはガラスであ
る。むろん、同じ材料で熱係数の不整合が最小となる仁
とがベストである。
第2図において、オグテイカル命コーティング224は
、入射したレーザ光線を反射するのに十分な領域を肩す
る単なるスポットとして示てれている。基板222の全
表面225がオプティカル・コーティング224 を有
していることは、本発明の思想の範囲内にある。さらに
、オプティカル・コーティング224は、適当な方法に
より、または本発明の技術により、基板222に接着さ
れた基板上のミラー・テップであってもよい。
第2図において、ミラー21は熱的に密封可能な接着剤
226の薄いフィルムによジブロック11の端面51に
接着されている。本実施例では、薄いフィルムの接着剤
は、真空スパッタ被着(VaCuum 5putter
ed deposition )によりミラー基板22
2上に被着されたガラスの薄いフィルム226から成っ
ている。また、非常に薄くしかも均質なフィルムの熱的
に密封可能な接着剤226 を形成するため、ガラスや
他の接着剤を他の適切な工程により基板222上に被着
することもできる。被着の1つの方法では、真空室にお
けるターゲットとしてガラスを選択し、工作物として便
用される基板222上にこのガラスをスパッタしている
使用し得るガラスの例としては、酸化鉛ガラスであるコ
ーニング(Corning)ガラス47594または硼
珪r!R塩ガツガラスO211のような低M膨張ガラス
がある。真空スパッタされたガラスの層厚は、1ミクロ
ン未満から約20ミクロンの範囲にある。
厚さが厚くなると、熱不整合作用が大きくなる傾向があ
り、レーザの寿命が短がくなってしまう。
したがってフィルムの厚さは、所定の接着強度を達成す
るのに最低必要とされている程度の厚さでなGプればな
らない。
基板222をレーザ・ブロック11に接層する際、基板
222は、レーザ・ブロックの端面51に対して整合さ
れた状態で押圧される。端面51は、良好な合せ口を形
成するよう適切に研摩されてい々ければならないが、光
学接触に要するよりもかなりその程度は低くてよい。ブ
ロック11、ガラス・フィルム226、および基板22
2は、ガラス拳フィルムにミラー基板222 とレーザ
・ブロック11を一緒に融着させる温度まで炉で加熱さ
れる。むろん、この温度は、選択されたガラスのより低
い溶融温度すなわち軟化点により決まる。
なお、450℃〜800℃の範囲の炉温度で、好結果が
得られている。
また、このような好結果は、酸化鉛またはマイクロ波で
良く結合する他の物質を含んでいるスパッタされたガラ
ス・フィルムを溶融するマイクロ波でも達成し得る。レ
ーザ・ジャイロ部品間を結合するのにスパッタさルたガ
ラス・フィルムのマイクロ波溶融ヲ使用する利点は、金
属ホイルのようなマイクロ波反射バリヤを使用して、ま
たはスパッタされたガラス・フィルムの接合部にマイク
ロ波エネルギを集中させる導波管を使用して、ミラーψ
コーティング、カンードーコーティング、蒸発可能なゲ
ッタ等、レーザ・センサ・ブロック・アセンブリの電位
的温度感応部材をマイクロ波からシールドすることによ
り、これらを冷えた状態に保持することができることで
ある。3分間のオープン作動時間内で目標の接着を首尾
よく行なうには、浴融されるべきパーツを、たとえばア
ルミナ・ウール絶縁体で絶縁した普通の600 ワット
の家庭用電子オープンが使用されている。
第3図では、アノード27はブロック11の端面52に
接合している。アノード27は、前述した方法で被着さ
れたガラス・フィルム312 を有する取付面310 
f含んでいる。なお、γノード27と基板222は、適
切に相互に整合される部分を位置法めして、これらをい
っしょに加熱することによって、同時にブロック11に
結合され得ることは、当業者には明白であろう。むろん
、これは、アノードまたはカソード材料が、十分に高い
溶融点を有している、たとえばインパールであると仮定
している。
また、前述したこのような構成技術は、アノード27.
29、カソード40、およびミラー拳アセンブリ19,
21.22の全て、またはいずれかにも適用し得ること
は、当業者には明白であろう。
部材およびアセンブリが十分高い融点ft有しているよ
うにするには、適切な材料を選択する必要がある。さら
に、組立の手順すなわち工程には、異なる融点のガラス
材料を考慮しなげればならない。すなわち、最も高い融
点のガラスおよび部材が最初に組立てられ、その後、そ
れより低い融点のガラスおよび部材が低めの温度で組立
てられる。
第4a図および第4b図は、本発明によるミラー・トラ
ンスデユーサΦアセンブリ21の詳細を示している。寸
法的に安定している材料の第1基板401 は、第1中
央部材405を囲んでいる第1外壁部材403を含んで
いる。部材407 は、中央部材405を外壁部材40
3に相互連絡させている。第4a図および第4b図に示
すように、外壁はリムであり、内壁は中央ポストを形成
している。これまで述べてきたような構造は、前述した
米国特許第3,581.227号に示されているトラン
スデユーサに極めて類似している。なお、図において、
中央部材405は、部材401から離れて延びて示され
ている。このような広がりは、必ずしも必要ではなく、
中央部材405が部材407の一部であってもよく、こ
の場合も本発明の範囲内である。
第2基板410は、ポストを形成している中央部材41
3を包囲しているリムの形の外壁部材411をイIして
いる。第1基板と同様に、部材415は、中央ボス)4
13t−外(14111Jム411に相互連絡させてい
る。図面に示すように、外壁部材403の表面403s
と中央部材405の表面405sは同一面にあり、また
外壁411 の表面411S と中央部材413の表面
413S もまた同一面にある。
さらに、基板401 は、部材407  と部材405
゜403と共通の表面420を有している。しかし、外
側リムおよび中央部材は、部材4070表面を越えて延
びる表面を有していてもよい。後述するように、基板4
01 と基板410は相互に結合されているので、中央
部材413 の動きは中央部材405の動きに連動する
ことができる。
トランスデユーサを完成するため、基板410の部材4
15の両側に1一対の圧電ディスクまたはウェハが適切
に接着されている。ウェハ450,451は、中央部材
415を包囲している。圧電ウエノ・450.451 
は、エネルギ源に接続される電極(図示せず)を有して
いる。動作において、ウェハ450.451  に電気
エネルギが適切に供給されると、一方か膨張し、他方が
収縮して、中央部材413の動きを発生し、したがって
周矧の方法で基板403 の外側リム表面403s に
関して中央部材405が移動する。
なお、第4a図はトランスデユーサ基板に取シつけられ
た圧電ウェハの一実施例を単に示しているに過ぎず、所
定の作用を得るため、部材415の一方の側面に、1個
以上の圧電ウェハを取りつけるようにしてもよい。した
がって、圧電ウェハを、前述したような薄いフィルム・
ガラスの構造および工程により接着することは、本発明
の範囲内にある。さらに、第2基板を、第5図に示すよ
うに全く省略してもよい。なおこれについては以下に詳
述する。
第4a図および第4b図に示すように、基板401.4
10は、基板410 の外壁面411sと基板401 
の表面420問および基板410 の中央部材413の
表面413s と基板401の表面420との間にある
薄いガラス・フィルムにより相互に接盾賂れている。ガ
ラスの薄いフィルムラ、基板401 の表面429およ
び表面411s、413sまたはその一方に被部してか
ら相互に加圧し、かつ2つの部材を一緒に供給すなわち
配置して炉またはマイクロ波71111熱のような他の
装置中でそれらを適切な温度まで刀0熱することにより
これらを相互に熱的に密封すなわち融着する。
第5図は、圧電装置510をミラー基板222に適切に
接着した別のトランスデユーサの実施例である。第5図
は、圧電ウェハ510が加えられティる以外は、第2図
の構成素子を有しており、第5図では第2図と同じ参照
番号を便用している。
ミラー・コーティング224は、基板222上に直接的
に被着されているのが望ましい。ガラス・フィルムは、
ブロック11と基板222間にある。
さもなければ、ミラー・コーティングが組立時に加熱す
る時、溶融されたガラス上に[浮いてj1移動してしま
う。第2図と同様に、基板222は前述した方法でレー
ザ・ブロック11に′!&看されている。基板222が
非常に薄く作られているならば、圧電ウェハは、ミラー
・コーティングの表面に直角な方向にミラー拳コーティ
ング224を移動することができる。図示はされていな
いが、圧電ウェハ510 は、前述したようなスパッタ
した薄フィルム・ガラス工程によって接着し得る。
むろん、PzTは高い温度で減極することがあるので、
これはPZTおよび選択された溶融温朋によシ決まる。
本発明のスパッタされたガラス・フィルムは、合せ部分
の一方または両方に、溶融ガラスシールの破損を避ける
のに十分な薄さに被着され得る。
すなわち、コーティングが厚過ぎると、接着しているガ
ラス・フィルムと合せ部分との間の膨張係数の不整合に
よシ破損が生じてしまうことがある。
さらに、スパッタされたガラス・フィルムは、得られた
コーティングがガラス・ターゲットのコーティングと同
じであるという利点の他、多くの利点を有している。ス
パッタされたガラス・フィルムの均質性は、精度を高め
、したがってレーザ・ブロックに関するミラー・アセン
ブリの不整合エラーを避けることができる。最後に、ス
パッタされたガラス・フィルムは寸法的に非常に安定し
ている。
また、他の熱的密封可能!&着剤の薄いフィルムも、本
発明の思想の範囲内にある。フィルムが十分薄ければ、
接漕部の破損は回避できる。
なお、本発明の実施例についてのみ説明してきたが、本
実施例は、本発明の思想から離れることなく改変および
修正し得ることは当業者には明白であろう。
また、全てのガス封入リング・レーザは一般にガス放電
装置であり、かつミラー・アセンブリはガス放電装置の
空所をシールする端部材を形成していることは、当業者
には明白でちろう。さらに、本発明の原理は、す/グ・
レーザとは対照的なリニア・レーザの空所を含んでいる
放電装置の空所構成にも適用し得る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明によるリング・レーザ・アンギュラ・レ
ードセンサの平面図である。 第2図は、本発明によるミラー・ブロック・アセンブリ
の平面図である。 第3図は、レーザ・ブロックに電極が結合している平面
図である。 第4a図および第4b図は、本発明によるミラー・トラ
ンスデユーサ・アセンブリの平面図である。 第5図は本発明によるミラー・トランスデユーサ−アセ
ンブリの他の構造を示している。 11−−・・ブロック、13,15,17・俸・参トン
ネル、19.21.22−ゆ−・ミラー舎アセンブリ、
27.29・・・舎アノード、40・・・−カンード、
50・・・・光電装置、222 ・・・・基板、224
−・φ・オプティカル舎コーティング、312−−−・
 ガラス拳フィルム、401.410  ・・・・基板
、405,413  ・・−・中央部材、403.41
1  ・・部会  外壁部材、450.451  ・・
・・ウニノー。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)第1中央部材を包囲している第1外壁部材と、上
    記第1中央部材を上記第1外壁部材に相互連絡する第1
    部材とを有している寸法的に安定している材料の第1基
    板にして、上記第1外壁部材および上記第1中央部材は
    対向する平坦な第1および第2表面を有し、かつ上記第
    1中央部材の上記第2表面は光反射装置を含んでいる第
    1基板と;第2中央部材を包囲している第2外壁部材と
    、上記第2中央部材を上記第2外壁部材に相互連絡する
    第2部材とを有している第2基板にして、上記第2外壁
    部材および上記第2中央部材は対向する平坦な第1およ
    び第2表面を有し、かつ上記第2中央部材は上記第1中
    央部材に結合している第2基板と; 上記第1外壁部材の上記第1表面と上記第2外壁部材の
    上記第1表面との間にあつてこれらを相互に接着する熱
    的密封可能な接着剤の薄いフィルムと; 上記第2基板に結合され、かつ電気的エネルギーを機械
    的エネルギに変換して上記第1外壁部材に関して上記第
    1中央部材の位置を変えるトランスデューサ装置とから
    成ることを特徴とするトランスデューサ・ミラー・アセ
    ンブリ。
  2. (2)光反射装置を有する第1中央部材を包囲している
    第1外壁部材と、上記第1中央部材を上記第1外壁部材
    に相互連絡する第1部材とを含んでいる寸法的に安定し
    ている材料の第1基板の第1表面上に熱的密封可能な接
    着剤の薄いフィルムを被着する過程にて、上記第1外壁
    部材と上記第1中央部材はそれぞれ上記第1基板の上記
    第1表面を成している表面を有している上記被着する過
    程と;第2中央部材を包囲している第2外壁部材と、上
    記第2中央部材を上記第2外壁部材に相互連絡する第2
    部材とを含んでいる第2基板の第1表面に対して上記第
    1基板の上記第1表面を押圧する過程にして、上記第2
    外壁部材は上記第2基板の上記第1表面を成している表
    面を有している上記押圧する過程と; 上記第1および第2基板の上記第1表面の少くとも一部
    を相互に接着するよう上記薄いフィルムを加熱する過程 とから成ることを特徴とするトランスデューサ・ミラー
    ・アセンブリの2つの基板を相互に接着する方法。
  3. (3)寸法的に安定している材料のブロックと;上記ブ
    ロック中に閉ループ路を形成する複数の相互連絡トンネ
    ルにして、上記相互連絡トンネルの少くとも第1対は上
    記ブロックの第1端面において上記ブロックを貫通する
    部分を有している上記相互連絡トンネルと; 接着面を有しかつ上記端面に位置して上記相互連絡トン
    ネルの上記第1対を密封する端部ミラーと; 上記レーザ・ブロックの端面と上記端部ミラーとの間に
    位置し、上記端部ミラーを上記ブロックに接着する熱的
    に密封可能な接着剤の薄いフィルムと から成ることを特徴とするガス放電装置。
  4. (4)ガスを含んでいる少くとも1つのトンネルを有し
    、かつ上記トンネルの一端に配置されかつ接着面を有し
    ている端部部材を含んでいる寸法的に安定している材料
    のブロックを有するガス放電装置の製造方法において; 上記端部部材の接着面に熱的に密封可能な接着剤の薄い
    フィルムを被着する過程と; 上記レーザ・ブロックの表面部分に対して上記端部部材
    の接着面を押圧する過程と; 上記接着面と上記ブロックを並置して相互に接着するよ
    う、上記薄いフィルムの接着剤を加熱する過程と から成ることを特徴とするガス放電装置の製造方法。
JP62068155A 1986-03-25 1987-03-24 トランスデユ−サ・ミラ−・アセンブリおよびそれの2つの基板の接着方法 Pending JPS62230072A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US84395986A 1986-03-25 1986-03-25
US843959 1986-03-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS62230072A true JPS62230072A (ja) 1987-10-08

Family

ID=25291422

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62068155A Pending JPS62230072A (ja) 1986-03-25 1987-03-24 トランスデユ−サ・ミラ−・アセンブリおよびそれの2つの基板の接着方法

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP0239032B1 (ja)
JP (1) JPS62230072A (ja)
CA (1) CA1293793C (ja)
DE (1) DE3786281T2 (ja)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5717164B2 (ja) * 1976-01-19 1982-04-09

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3390606A (en) * 1965-03-01 1968-07-02 Honeywell Inc Control apparatus
US3777281A (en) * 1970-08-03 1973-12-04 U Hochuli Seal and method of making same
US4817112A (en) * 1985-05-10 1989-03-28 Honeywell Inc. Low cost ring laser angular rate sensor
US4672623A (en) * 1985-08-16 1987-06-09 Honeywell Inc. Cathode construction for a laser

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5717164B2 (ja) * 1976-01-19 1982-04-09

Also Published As

Publication number Publication date
EP0239032B1 (en) 1993-06-23
EP0239032A3 (en) 1989-10-11
CA1293793C (en) 1991-12-31
EP0239032A2 (en) 1987-09-30
DE3786281D1 (de) 1993-07-29
DE3786281T2 (de) 1993-10-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4797896A (en) Solid state optical ring resonator and laser using same
WO1991002878A1 (en) A thermally insulating glass panel and method of construction
US20030010420A1 (en) Monolithic ceramic laser structure and method of making same
US4865436A (en) Low cost ring laser angular rate sensor
US5056920A (en) Low cost ring laser angular rate sensor including thin fiber glass bonding of components to a laser block
US4817112A (en) Low cost ring laser angular rate sensor
US4712917A (en) Readout for a ring laser gyro
US4865451A (en) Silicon substrate mirror assembly for lasers
JPS59155976A (ja) ガスレ−ザ−とその製造方法
EP0251128B1 (en) Method of making a ring laser
JPS62230072A (ja) トランスデユ−サ・ミラ−・アセンブリおよびそれの2つの基板の接着方法
US6704111B2 (en) High temperature electrode seal in a ring laser gyro
JPH0321889B2 (ja)
JPH01223788A (ja) リングレーザジャイロ
US4848909A (en) Ion beam sputtered mirrors for ring laser gyros
US6234378B1 (en) Solid liquid inter-diffusion bonding for ring laser gyroscopes
EP0294459B1 (en) Mirror assembly for lasers
WO1988002103A1 (en) Low cost ring laser angular rate sensor
JP2735063B2 (ja) ガスレーザ管
CA1272788A (en) Ion beam sputtered mirrors for ring laser gyros
JPH0493814A (ja) 光アイソレータの製造方法
JPS62205676A (ja) レ−ザ装置
JPS6324688A (ja) レ−ザブロツク組立体
CA1333758C (en) Readout for a ring laser gyro
JPH0685457B2 (ja) 半導体レ−ザ装置