JPS62206747A - Color picture tube - Google Patents

Color picture tube

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Publication number
JPS62206747A
JPS62206747A JP4608786A JP4608786A JPS62206747A JP S62206747 A JPS62206747 A JP S62206747A JP 4608786 A JP4608786 A JP 4608786A JP 4608786 A JP4608786 A JP 4608786A JP S62206747 A JPS62206747 A JP S62206747A
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JP
Japan
Prior art keywords
shadow mask
electron
absorption layer
color picture
picture tube
Prior art date
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Pending
Application number
JP4608786A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kinji Kida
木田 金治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP4608786A priority Critical patent/JPS62206747A/en
Publication of JPS62206747A publication Critical patent/JPS62206747A/en
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  • Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)

Abstract

PURPOSE:To improve the contrast of the picture and the purity drift property, by furnishing a porous electron absorption layer at the main surface of a shadow mask at the electron gun side, and a specific electron absorption layer at the wall face of a permeable hole at the center side of the shadow mask. CONSTITUTION:At the electron gun 6 side of the main surface 13a of a shadow mask 7 installed closely opposing to a screen 4, a porous electron absorption layer 14a containing at least metallic oxides of silicon and zirconium is formed. On the other hand, at the center side wall surface 13b of a permeable hole, an electron absorption layer 14b consisting of a low conductive crystalline lead borate glass including 75wt% of lead oxide PbO, for example, is furnished. Therefore, the flexible reflection of electron beams at the surface of the shadow mask 7 is reduced, and an expansion with heating of the shadow mask 7 owing to the injection of electron beams is controlled. And the contrast of the picture and the purity drift property are improved.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明はシャドウマスク型カラー受像管に係り、特にそ
のシャドウマスクに関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to a shadow mask type color picture tube, and particularly to a shadow mask thereof.

(従来の技術) 一般にシャドウマスク型カラー受像管は、第1図に示す
ように、実質的に矩形状のペネル0)と、漏斗状のファ
ンネル■及びネック■から真空外囲器が構成されている
。そしてパネル■の内面には赤、緑及び青に夫々発光す
るストライプ状の蛍光体層からなる蛍光体スクリーン(
イ)が被着形成され、ネック■にはパネル■の水平軸に
沿って一列に配列され、赤、緑及び青に対応する3本の
電子ビーム■を射出するいわゆるインライン型電子銃0
が配設されている。また、蛍光体スクリーン(イ)に近
接対向した位置には、多数のスリット状の開孔が垂直方
向に配列され、この垂直配列が水平方向に多数配列され
たシャドウマスク■がマスクフレーム(8)によって支
持固定されている。さらにマスクフレーム(8)は弾性
部材(9)を介してパネル■の直立縁部内壁に埋め込ま
れたスタッドピン0Φで係止されることにより、パネル
内に支持されている。
(Prior Art) Generally, in a shadow mask type color picture tube, as shown in FIG. There is. On the inner surface of the panel ■ is a phosphor screen (made of striped phosphor layers that emit red, green, and blue light respectively).
A) is adhered to the neck ■, and the so-called in-line electron guns 0 are arranged in a line along the horizontal axis of the panel ■ and emit three electron beams corresponding to red, green, and blue.
is installed. In addition, in a position close to and facing the phosphor screen (A), a large number of slit-like openings are arranged vertically, and a shadow mask (■) in which many slit-like openings are arranged horizontally is formed into a mask frame (8). It is supported and fixed by. Further, the mask frame (8) is supported within the panel by being locked with a stud pin 0Φ embedded in the inner wall of the upright edge of the panel (2) via an elastic member (9).

3本のインライン配列の電子ビーム0はファンネル■の
外部の偏向装置02)によって偏向され、矩形状のパネ
ル■に対応する矩形の範囲を走査し、かつシャドウマス
ク■の開孔を介して色選別されてストライプ状蛍光体層
にランディングし、カラー映像を再現させるようになっ
ている。また、電子ビームは、地磁気等の外部磁界の影
響を受け、ストライプ状蛍光体層に正確にランディング
しない場合がおり、再現映像の色純度が劣化するのを防
止するためファンネル■内部に強磁性金属板よりなる磁
気遮蔽体■がフレーム(ハ)を介して係止されている。
The three in-line array electron beams 0 are deflected by a deflection device 02) outside the funnel ■, scan a rectangular area corresponding to the rectangular panel ■, and perform color selection through the apertures of the shadow mask ■. It is designed to land on a striped phosphor layer and reproduce color images. In addition, the electron beam may not land accurately on the striped phosphor layer due to the influence of external magnetic fields such as the earth's magnetism.In order to prevent the color purity of the reproduced image from deteriorating, the electron beam is made of ferromagnetic metal inside the funnel. A magnetic shield (2) made of a plate is secured via a frame (3).

ここでシャドウマスク勿の透孔を通過する有効電子ビー
ム量はその殿構上1/3以下でおり、残りの電子ビーム
はシャドウマスクに射突して熱エネルギーに変換され、
一般テレビの動作中では80’C程度までシャドウマス
クを加熱させる。
Here, the effective amount of electron beams passing through the through holes of the shadow mask is less than 1/3 of its structure, and the remaining electron beams impinge on the shadow mask and are converted into thermal energy.
When a general television is in operation, the shadow mask is heated to about 80'C.

また、航空機のコックピットなどの計示用に使用される
特殊なカラー受像管では、時として200 ’CC前床
で、シャドウマスクの温度が上昇することもある。シャ
ドウマスクωは、一般に熱膨張係数が1.2X10−5
 /’Cと大きい鉄を主成分とするいわゆる冷間圧延鋼
からなる厚さ0.1s〜0.3mの薄板から形成されて
おり、このシャドウマスク■のスカート部を支持するマ
スクフレーム(8)は厚さ11rIIrI前後の強固な
断面り字型の黒化処理を施された同じく冷間圧延鋼から
形成されている。従って、加熱されたシャドウマスク■
は容易に熱膨張を生ずるが、その周辺部は黒化処理を施
された熱容量の大きなマスクフレーム(へ)に対接して
いるため輻射や伝導によりシャドウマスク周辺からマス
クフレームに熱が移動し、シャドウマスク周辺の温度が
中央部よりも低くなる。このためシャドウマスクωの中
央部と周辺部に温度差を生じ、相対的に中央部を主体と
して加熱膨張されたいわゆるドーミング現象を生ずる。
In addition, in special color picture tubes used for indications in aircraft cockpits, the temperature of the shadow mask sometimes rises to 200'CC on the front floor. Shadow mask ω generally has a thermal expansion coefficient of 1.2X10-5
The mask frame (8) is made of a thin plate with a thickness of 0.1 s to 0.3 m and is made of so-called cold-rolled steel whose main component is large iron. is also made of cold-rolled steel with a thickness of approximately 11rIIrI and which has been subjected to a blackening treatment and has a strong cross-sectional shape. Therefore, the heated shadow mask■
easily causes thermal expansion, but since the periphery is in contact with the mask frame, which has a large heat capacity and has been subjected to blackening treatment, heat moves from the periphery of the shadow mask to the mask frame due to radiation and conduction. The temperature around the shadow mask becomes lower than the center. Therefore, a temperature difference is generated between the central portion and the peripheral portion of the shadow mask ω, and a so-called doming phenomenon occurs in which the central portion is relatively heated and expanded.

この結果、シャドウマスク■と蛍光体スクリーン(へ)
との距離が変化し、電子ビームの正確なランディングが
乱され色純度の劣化を生ずる。このようなドーミングに
よるミスランディングの現象は特にカラー受像管の動作
初期において顕著である。また映像面上で部分的に高輝
度の映像が映出され、特にこの高輝度映像部分が一定時
間停止している時は、シャドウマスクに高電子流密度部
が生じ、局部的なドーミング現象を起こす。
As a result, the shadow mask ■ and the phosphor screen (to)
This changes the distance between the two, disrupting the accurate landing of the electron beam, and causing deterioration of color purity. The phenomenon of mislanding due to such doming is particularly noticeable in the early stages of operation of a color picture tube. In addition, when a high-brightness image is partially projected on the image plane, and especially when this high-brightness image part is stopped for a certain period of time, a high electron current density area is generated in the shadow mask, causing a local doming phenomenon. wake up

このようなカラー受像管のドーミング現象に対しては、
シャドウマスクの中央部からの熱の放射の促進という観
点より多数の提案がなされている。
Regarding the doming phenomenon of color picture tubes,
A number of proposals have been made from the viewpoint of promoting heat radiation from the central portion of the shadow mask.

例えば、米国特許第2826538号明1111書では
、シャドウマスクの熱放射を促進すべくシャドウマスク
の表面に黒鉛よりなる黒色層を設ける提案がなされてい
る。このようなカラー受像管ではこの黒鉛層が良好な放
熱器として作用するのでシャドウマスクの温度は低下す
る。しかし、黒鉛より成る黒色層は、−面数のような欠
点も有している。すなわち、カラー受像管の¥A造工程
中の熱工程での熱サイクルにより黒色層の密着性が劣化
し、カラー受像管に撮動が与えられると一部が剥離して
微小片が脱落することがある。このようにして生じた脱
落黒色層は、シャドウマスクに付着する孔詰りを生じて
蛍光面における画像特性を劣化させ、また電子銃に付着
すると、電極間のスパークを誘発して耐電圧特性を劣化
させるなどカラー受像管の品質を著しく低下させる。
For example, US Pat. No. 2,826,538/1111 proposes providing a black layer made of graphite on the surface of a shadow mask in order to promote heat radiation from the shadow mask. In such a color picture tube, this graphite layer acts as a good heat radiator, so that the temperature of the shadow mask is lowered. However, the black layer made of graphite also has drawbacks such as a negative number of faces. In other words, the adhesion of the black layer deteriorates due to thermal cycles during the thermal process during the manufacturing process of the color picture tube, and when the color picture tube is subjected to imaging, part of it peels off and minute pieces fall off. There is. The black layer generated in this way clogs the holes that adhere to the shadow mask, deteriorating the image characteristics on the phosphor screen, and if it adheres to the electron gun, it induces sparks between the electrodes, deteriorating the withstand voltage characteristics. The quality of the color picture tube will be significantly degraded.

一方、本出願と同一出願人により、シャドウマスクの表
面に鉛ほう酸塩ガラスを高温加熱処理により封着接合し
て、このドーミング現象を抑制すると言う提案も特願昭
58−148843で行われている。
On the other hand, the same applicant as the present application also proposed in Japanese Patent Application No. 148,843/1983 that this doming phenomenon could be suppressed by sealing and bonding lead-borate glass to the surface of the shadow mask by high-temperature heat treatment. .

しかし、シャドウマスクの表面に封着接合されたガラス
層に原子番号の非常に高い鉛が含まれるため、シャドウ
マスクに射突する電子の弾性反射を低減することが難し
い。特公昭49−14777号公報では、このような電
子散乱を防ぐ一方法として、電子透過孔付近をニッケル
鍍金する方法が提案されているが、製造方法が複雑すぎ
て実用的でなく、また、透過孔以外のシャドウマスク面
での電子散乱が十分に解消できない。電子散乱はスクリ
ーン上の不所望な部分を発光させるため、画像のコント
ラストを劣化させ、また色純度を低減させる問題がある
However, since the glass layer sealed and bonded to the surface of the shadow mask contains lead, which has a very high atomic number, it is difficult to reduce the elastic reflection of electrons that impinge on the shadow mask. Japanese Patent Publication No. 49-14777 proposes a method of nickel plating the vicinity of the electron transmission hole as a method for preventing such electron scattering, but the manufacturing method is too complicated and is not practical. Electron scattering on the shadow mask surface other than the holes cannot be sufficiently eliminated. Electron scattering causes undesired areas on the screen to emit light, resulting in problems of deteriorating image contrast and reducing color purity.

(発明が解決しようとする問題点) このようにシャドウマスクの表面に黒色層や鉛ほう酸塩
ガラスなどを形成すると、黒色層の剥離の問題、電子の
弾性反射の低減が困難であることおよび電子散乱による
画像の劣化などの問題が依然として残る。
(Problems to be Solved by the Invention) When a black layer, lead-borate glass, etc. are formed on the surface of a shadow mask, there are problems such as peeling of the black layer, difficulty in reducing elastic reflection of electrons, and Problems such as image deterioration due to scattering still remain.

本発明はシャドウマスク表面の電子ビームの弾性反射を
低減し、かつ電子ビーム射突によるシャドウマスクの発
熱にともなう膨張を抑えて、画像のコントラストおよび
ピューリティドリフト特性を改善したカラー受像管を得
ることを目的とするものである。
The present invention provides a color picture tube with improved image contrast and purity drift characteristics by reducing elastic reflection of electron beams on the surface of a shadow mask and suppressing expansion caused by heat generation of the shadow mask due to electron beam impingement. The purpose is to

(発明の構成) (問題点を解決するための手段) 本発明は蛍光体スクリーンに近接して設けた多数の透孔
を有するシャドウマスクと、このシャドウマスクの蛍光
体スクリーンと反対側に設けた電子銃とを備えるカラー
受像管でおり、シャドウマスクの電子銃側主表面にケイ
素とジルコニウムの金属酸化物を含むポーラスな電子吸
収層を設け、かつ透孔のシャドウマスク中心側の壁面に
は結晶性鉛ほう酸塩ガラスからなる電子吸収層を設ける
ことによって、電子ビームの弾性反射によるコントラス
トの低下、およびドーミングによる電子ビームの変位を
効果的に抑制したカラー受像管である。
(Structure of the Invention) (Means for Solving the Problems) The present invention provides a shadow mask having a large number of through holes provided close to a phosphor screen, and a shadow mask provided on the side opposite to the phosphor screen of the shadow mask. The main surface of the shadow mask on the electron gun side is provided with a porous electron absorption layer containing metal oxides of silicon and zirconium, and the wall surface of the through hole on the center side of the shadow mask is provided with crystals. By providing an electron absorption layer made of lead borate glass, this color picture tube effectively suppresses the reduction in contrast due to elastic reflection of the electron beam and the displacement of the electron beam due to doming.

(作 用) シャドウマスクの電子銃側主面と透孔のシャドウマスク
中心側の壁面(以下中心側壁面という)に形成された電
子吸収層に電子ビームが射突すると、この電子吸収層が
電子流密度に対応した強さで負に帯電し、透孔を通過す
る時の電子ビームがこの負帯電部分と反発してこの部分
から遠ざかる方向、すなわちマスク中心側から遠ざかる
ように軌道を修正し、電子流密度に対応して生ずるドー
ミング現象により蛍光体スクリーン上の所定のランディ
ング地点より管軸方向にずれようとする電子ビームのラ
ンディング地点を、元の正確なランディング地点に戻す
ように作用する。
(Function) When an electron beam hits the electron absorption layer formed on the main surface of the shadow mask on the electron gun side and the wall surface of the through hole on the center side of the shadow mask (hereinafter referred to as the center side wall surface), this electron absorption layer absorbs electrons. The electron beam is negatively charged with an intensity corresponding to the flow density, and when passing through the hole, the electron beam is repelled by this negatively charged part and its trajectory is corrected so that it moves away from this part, that is, away from the center of the mask. The landing point of the electron beam, which tends to deviate from a predetermined landing point on the phosphor screen in the tube axis direction due to the doming phenomenon that occurs in response to the electron flow density, is returned to the original accurate landing point.

(発明の実施例〕 以下、本発明について実施例に基き詳細に説明する。尚
、本発明に適用されるカラー受像管の部材構成自体は第
1図に示すものと同様であるので詳細な説明は省略する
(Embodiments of the Invention) The present invention will be described in detail based on Examples below.The component structure itself of the color picture tube applied to the present invention is the same as that shown in FIG. is omitted.

第1図に示すようなカラー受像管において、スクリーン
に)に近接対向して配設されるシャドウマスク■の電子
銃側主面にはケイ素とジルコニウムの金属酸化物を少な
くとも含むポーラスな電子吸収層を形成する。また、透
孔の中心側壁面には、例えば酸化鉛(PbO)を約75
重量%含む低導電の結晶性鉛ほう酸塩ガラスからなる電
子吸収層が設けられている。これらの電子吸収層はパネ
ルωとファンネル■とが封着される前に形成され、電子
銃側主面の層は、下記実施例のようなフィラーとしてジ
ルコン(ZrSiO4>を含んだケイ素とジルコニアの
アルコキシド化合物、例えばZrS 1(OC4H9)
4の懸濁液をシャドウマスクの電子銃側主面に塗布する
In a color picture tube as shown in Fig. 1, a porous electron absorption layer containing at least metal oxides of silicon and zirconium is formed on the electron gun side main surface of the shadow mask (2), which is disposed in close opposition to the screen (2). form. In addition, about 75% of lead oxide (PbO) is applied to the center side wall surface of the through hole.
An electron absorbing layer is provided consisting of a low conductivity crystalline lead borate glass containing % by weight. These electron absorption layers are formed before the panel ω and the funnel ■ are sealed together, and the layer on the main surface on the electron gun side is made of silicon and zirconia containing zircon (ZrSiO4>) as a filler as shown in the example below. Alkoxide compounds, such as ZrS 1 (OC4H9)
Apply the suspension of step 4 to the main surface of the shadow mask on the electron gun side.

実施例 ジルコン     、  ・・・500gまた
、透孔の中心側壁面の電子吸収層は、ニトロセルロース
を数%溶かした酢酸ブチルアルコール溶液で溶かされた
結晶性塩鉛ほう酸塩ガラスを透孔の中心側壁面に塗布し
、このシャドウマスク■をパネル(ト)内に装着する。
Example: Zircon,...500gThe electron absorption layer on the side wall of the center of the hole is made of crystalline salt lead borate glass dissolved in a butyl acetate alcohol solution containing a few percent of nitrocellulose. Apply it to the wall and install this shadow mask ■ inside the panel (G).

そしてこの後、パネル■とファンネル■を所定の枠台に
のせて、最高温度が約440’Cでその保持時間が35
分以上ある炉を通過させると、シャドウマスクの電子銃
側主面にはケイ素とジルコニウムの金EM化物を含むポ
−ラスな電子吸収層が形成され、透孔の中心側壁面には
、結晶化された鉛ほう酸塩ガラスからなる電子吸収層が
形成される。
After this, the panel ■ and the funnel ■ are placed on the specified frame, and the maximum temperature is about 440'C and the holding time is 35
When the shadow mask is passed through a furnace for more than 10 minutes, a porous electron absorption layer containing a gold EM compound of silicon and zirconium is formed on the main surface of the shadow mask on the electron gun side, and a crystallized An electron-absorbing layer of lead-borate glass is formed.

このようにして得られた21型カラー受像管のピユリテ
ィドリフト特性につき、本発明者らが実験した結果は次
の通りでおる。再生画面パターンとして、第2図(A)
の全面白色と、第2図(B)の部分白色パターンを用い
た。(B)では水平方向幅75mの帯状体(51)を左
右に2箇所に中心から各140m1ltして位置するよ
うにスクリーンに再生する。
The results of experiments conducted by the present inventors regarding the purity drift characteristics of the 21-inch color picture tube thus obtained are as follows. Figure 2 (A) shows the playback screen pattern.
The completely white pattern shown in Figure 2 (B) and the partially white pattern shown in Figure 2 (B) were used. In (B), a strip (51) having a width of 75 m in the horizontal direction is reproduced on the screen so that it is positioned at two places on the left and right, each 140 m1lt from the center.

残部は黒色すなわち非発光部でおる。X印が測定点を示
す。ビーム移動量の測定結果を第1表に示す。測定条件
ハE b=26.5kV、 IkG;tパターン(A)
1−1500μA、 パターン(B) r1100μA
、!:L、た。
The remaining part is black, that is, a non-luminescent part. X marks indicate measurement points. Table 1 shows the measurement results of the amount of beam movement. Measurement conditions: E b = 26.5 kV, IkG; t pattern (A)
1-1500μA, pattern (B) r1100μA
,! :L, ta.

第1表 同表において比較量とは、特願昭58−148843で
提案したシャドウマスクの電子銃側表面に鉛ほう酸塩ガ
ラスを高温加熱にて封着接合した21型カラー受像管の
ことでおる。従って、本発明によるカラー受像管のピユ
リティドリフト特性は、従来のカラー受像管のそれより
も良好であるとか確認された。
In Table 1 and the same table, the comparative amount refers to a 21-inch color picture tube in which lead-borate glass was sealed and bonded to the electron gun side surface of the shadow mask by high-temperature heating, which was proposed in Japanese Patent Application No. 58-148843. . Therefore, it was confirmed that the purity drift characteristic of the color picture tube according to the present invention is better than that of the conventional color picture tube.

ここでシャドウマスクのドーミングによる電子ビームの
軌道の変化について第3図及び第4図を用いて説明する
と、(図中同一符号は同一部分を示し第4図は第3図の
(A)部近傍を示す)、第3図及び第4図において、シ
ャドウマスクωがドーミング現象を生じていない状態で
の電子ビーム0はスクリーン(イ)の所定位置Qにラン
ディングする。
Here, the changes in the trajectory of the electron beam due to doming of the shadow mask will be explained using FIGS. 3 and 4. (In the figures, the same reference numerals indicate the same parts, and FIG. ), FIGS. 3 and 4, the electron beam 0 lands at a predetermined position Q on the screen (A) when the shadow mask ω does not cause the doming phenomenon.

ここで仮にシャドウマスクに入射する電子ビーム密度が
増大しシャドウマスクが加熱されドーミング現象を生じ
た場合、即ちシャドウマスク(7a)が加熱状態の電子
ビームelDはシャドウマスク(7a)のドーミングと
共に管軸0方向に移動し、電子ビームのランディングす
べき電子ビームのランディング地点も@から(22a)
へ移動する。即ち、本来地点0ヘランデイングすべき電
子ビームはドーミング現象によって管軸側の地点(22
a)にミスランディングし、地点0と(22a)のミス
ランディング量が各色発光蛍光体群の配列によるランデ
ィング余裕度の限界を超えると色純度の劣化を生ずるこ
とになる。
Here, if the density of the electron beam incident on the shadow mask increases and the shadow mask is heated and a doming phenomenon occurs, that is, the electron beam elD with the shadow mask (7a) in a heated state is Moving in the 0 direction, the landing point of the electron beam where the electron beam should land is also from @ (22a)
Move to. In other words, the electron beam, which should originally land at point 0, lands at a point on the tube axis side (22) due to the doming phenomenon.
If there is a mislanding at point a) and the amount of mislanding at points 0 and (22a) exceeds the limit of the landing margin due to the arrangement of the light emitting phosphor groups of each color, color purity will deteriorate.

ここで本発明の場合、シャドウマスクの電子銃側主面(
13a)および透孔の中心側壁面(13b)に電子吸収
量(1/Ia) 、 (14b)が形成されているので
電子流密度に対応して負に帯電することになる。このこ
とは、この電子吸収層は電子の侵入する平均深ざり程度
又はそれ以上の厚さ、本実施例では約10/jj71を
有すると共に1次電子エネルギー、通常は10KeV乃
至30KcVに対し1以下の2次電子放出係数を有する
ことを意味する。そしてこの負の帯電は、電子ビーム(
20を管軸(ロ)より遠ざかる方向に軌道(5a)を偏
向する。従って、ドーミング現象により所定のランディ
ング地点@より管軸(ロ)方向に移動する筈の電子ビー
ムのランディング地点(22a)を再び元のランディン
グ地点0に戻すように相殺的に作用することとなり、ド
ーミング現象が生じても電子ビームのミスランディング
を抑制減少させることができる。このようなミスランデ
ィング抑制作用は電子吸収層(14a) 、 (?4b
)がシャドウマスクの電子銃側主面(13a)および透
孔の中心側壁面(13b)に形成されているので、主面
各部の電子流密度に対応して電子吸収層(14a) 、
 (14b)の負帯電分布が生じており、通常の映像映
出時の電子流密度程度ではこのランディング抑制作用は
弱く充分ランディング余裕度の範囲内にあるが、ドーミ
ング現象を生ぜしめるような場合にはドーミング抑制作
用と協調してより有効に作用する。また電子吸収層には
管が動作している限り常に電子ビームおよびスクリーン
面等からの2次電子が射突しているので、その作用面積
部分は非常に大きく、また抑制作用の生ずる時間的遅れ
は殆どない。
In the case of the present invention, the main surface of the shadow mask on the electron gun side (
13a) and the center side wall surface (13b) of the through hole have an electron absorption amount (1/Ia) (14b), so that they are negatively charged in accordance with the electron flow density. This means that this electron absorption layer has a thickness equal to or greater than the average depth of penetration of electrons, approximately 10/jj71 in this example, and has a thickness of 1 or less for primary electron energy, usually 10 KeV to 30 KcV. This means that it has a secondary electron emission coefficient. And this negative charge is transferred to the electron beam (
20 to deflect the trajectory (5a) in a direction away from the tube axis (b). Therefore, due to the doming phenomenon, the landing point (22a) of the electron beam, which was supposed to move from the predetermined landing point @ in the direction of the tube axis (B), acts in a countervailing manner to return to the original landing point 0, and the doming Even if this phenomenon occurs, mislanding of the electron beam can be suppressed and reduced. Such a mislanding suppressing effect is achieved by the electron absorption layers (14a) and (?4b).
) are formed on the electron gun side main surface (13a) of the shadow mask and the center side wall surface (13b) of the through hole, so that the electron absorption layer (14a),
A negative charge distribution as shown in (14b) is generated, and at the electron flow density during normal image projection, this landing suppression effect is weak and sufficiently within the landing margin, but if it causes a doming phenomenon, acts more effectively in cooperation with the doming suppressing effect. In addition, as long as the tube is in operation, the electron beam and secondary electrons from the screen surface, etc. are constantly bombarding the electron absorption layer, so the area of action is very large, and there is a time lag in which the suppression effect occurs. There are almost no

の壁面(13C)にも電子吸収層が形成され同様に負に
帯電したとするとシャドウマスクの透孔0Φの中央を通
過する電子ビーム(2Dは透孔Oeの領域内では成層(
14b)に帯電した負電荷による電子ビームの軌道修正
効果を打ち消したり、ミスランディングを助長したたり
することになる。さらに、管軸と反対の壁面に電子吸収
層があると電子ビームの入射角との関係により、その電
子収入層によってビームが蹴られスクリーンに投影され
るビームが初期の目標としているサイズ、形状と異なっ
てしま成層が存在しないのが最も好ましいが、製造上ま
ったく存在しないようにするのは非常に困難であ層の約
115以下であれば負帯電による偏向効果あるいは、そ
の伯の問題に対して影響のないことが確認された。第5
図において、横軸にはシャドウマスクの透孔の中心側壁
面に形成される電子吸収層の厚さに対する管軸と反対側
の壁面に不要に形成される電子吸収層の厚さを示し、縦
軸にはドーミングによる電子ビームの移動量を相対値で
示している。
Assuming that an electron absorption layer is also formed on the wall surface (13C) and is similarly negatively charged, the electron beam passing through the center of the through hole 0Φ of the shadow mask (2D is a layer formed within the area of the through hole Oe)
14b) will cancel out the orbit correction effect of the electron beam due to the negative charge, or encourage mislanding. Furthermore, if there is an electron absorption layer on the wall opposite to the tube axis, the beam will be kicked by the electron absorption layer due to the relationship with the incident angle of the electron beam, and the beam projected on the screen will have a size and shape that are different from the initial target size and shape. It is most preferable that different stratification does not exist, but it is very difficult to eliminate it at all in manufacturing, and if the number of layers is less than about 115, it may be difficult to avoid the deflection effect due to negative charging or the problem of It was confirmed that there was no impact. Fifth
In the figure, the horizontal axis shows the thickness of the electron absorption layer formed on the wall surface on the side opposite to the tube axis, with respect to the thickness of the electron absorption layer formed on the wall surface on the center side of the through hole of the shadow mask. The axis shows the amount of movement of the electron beam due to doming in relative values.

本発明によるピユリティドリフト特性の改善は、前述し
た電子吸収層の帯電による偏向効果の他に、特に電子銃
側主面に設けたケイ素とジルコニウムの全屈酸化物を含
むポーラスな電子吸収層の熱輻射率が、約0.9と従来
のシャドウマスクの熱輻射率よりはるかに大きいため、
シャドウマスクからの熱放散を促進してシャドウマスク
の温度上昇を抑制することも一つの大きな要因となって
いる。
In addition to the deflection effect due to the charging of the electron absorption layer described above, the improvement of the utility drift characteristic by the present invention is achieved by the porous electron absorption layer containing fully bent oxides of silicon and zirconium provided on the main surface on the electron gun side. The thermal emissivity of the shadow mask is approximately 0.9, which is much higher than that of conventional shadow masks.
Another major factor is to promote heat dissipation from the shadow mask and suppress the temperature rise of the shadow mask.

従って、本実施例ではフィラーとしてジルコンを(CO
203)であればこれらのフィラーが黒色顔料として動
く。ざらに、セラミック層の熱輻射率を向上でき、一方
、本発明者らの他の実験では、フィラーとして窒化物や
炭化物でも周等の効果が得られることを確認した。
Therefore, in this example, zircon (CO
203), these fillers act as black pigments. In general, the thermal emissivity of the ceramic layer can be improved, and on the other hand, other experiments by the present inventors have confirmed that even with nitrides and carbides as fillers, similar effects can be obtained.

次に、前述の本発明によるカラー受像管と同じく前述の
特願昭58−148843によるカラー受像管のコント
ラスト特性を比較した。すなわち、第6図に示すように
、スクリーン上に画像パターンを再生した。この画面(
30)は300s X 100mの白色部(31)を画
面中央上方に配置し、残部(32)を黒色としたもので
ある。X印は測定点で画面中心から下方にそれぞれ30
!M1. f3os位置させた。各点をrfl、rf2
とし、暗部輝度結果を第2表に示す。測定条件はカラー
受像管のアノード電圧Eb= 26.5kV、全77ソ
一ドm流IK= 500μA、白色の色は9300’ 
K+27MPCDとした。
Next, the contrast characteristics of the color picture tube according to the present invention and the color picture tube according to Japanese Patent Application No. 58-148843 mentioned above were compared. That is, as shown in FIG. 6, an image pattern was reproduced on the screen. This screen (
30) has a white part (31) of 300 s x 100 m arranged above the center of the screen, and the remaining part (32) is black. The X marks are measurement points, each 30 points downward from the center of the screen.
! M1. I placed f3os. Each point is rfl, rf2
The dark area luminance results are shown in Table 2. The measurement conditions are: color picture tube anode voltage Eb = 26.5kV, total 77 solenoid m current IK = 500μA, white color is 9300'
It was set as K+27MPCD.

第2表 第2表から明らかに、本実施例において暗部輝度を低減
できることがわかる。これは電子の弾性散乱が軽減され
ていることを意味しており、主として電子銃側の電子吸
収層(14a)の構成成分である3iやzrの原子番号
がそれぞれ14.40と比較量の鉛ほう酸塩ガラス層の
PbやBaの82や56に比べて低いことにも依存して
いるためである。
Table 2 It is clear from Table 2 that the brightness of dark areas can be reduced in this example. This means that the elastic scattering of electrons is reduced, mainly because the atomic numbers of 3i and zr, which are the constituent components of the electron absorption layer (14a) on the electron gun side, are 14.40 and a comparative amount of lead. This is because it also depends on the fact that the Pb and Ba of the borate glass layer are lower than 82 and 56.

次に、本実施例のカラー受像管を連続して3000時間
作動させた後、残存エミッション率を測定したところ、
初期動作時に対して80%と向上していることが判明し
た。従来一般に70%が標準とされているから、−割以
上の改善がはかられたことになる。これは本実施例の特
に電子銃側に設けたケイ素とジルコニウムの金IIm化
物を含むポーラスな電子吸収層がガス吸着をしたためと
推定され、特にバインダとして用いた酸化シリコン(S
in2)が有効に作用したと考えられる。
Next, after continuously operating the color picture tube of this example for 3000 hours, the residual emission rate was measured.
It was found that the improvement was 80% compared to the initial operation. Conventionally, 70% has been considered the standard, so this represents an improvement of more than -00%. This is presumed to be because the porous electron absorption layer containing gold IImide of silicon and zirconium provided especially on the electron gun side of this example adsorbed gas, and especially the silicon oxide (S) used as a binder.
It is thought that in2) acted effectively.

また、シャドウマスク表面に緻密な電子吸収層が形成さ
れるため、ガス発生が抑えられたためとも考えられる。
It is also thought that gas generation was suppressed because a dense electron absorption layer was formed on the surface of the shadow mask.

従って、特に電子ビームが直接射突して非常に高温とな
り不安定ガスの発生しやすいシャドウマスクの電子銃側
表面に、前述のような電子吸収層を形成することは有効
である。もちろん若干の作業時間の増加にはなるが、第
4図に示すように、シャドウマスク表面の全域を本発明
によるセラミック層で被覆すればシャドウマスクからの
不安定ガスの発生はほとんど抑制されることは言うまで
もない。
Therefore, it is effective to form an electron absorption layer as described above, particularly on the electron gun side surface of the shadow mask, where the electron beam directly impinges on the shadow mask and the surface becomes extremely hot and tends to generate unstable gas. Of course, the working time will increase slightly, but as shown in Figure 4, if the entire shadow mask surface is covered with the ceramic layer of the present invention, the generation of unstable gas from the shadow mask will be almost suppressed. Needless to say.

(発明の効果〕 以上のように本発明によれば、シャドウマスクの電子銃
側表面にケイ素とジルコニアの金属酸化物を主成分とす
る電子吸収層を形成し、また、透孔の中心側壁面に結晶
性鉛ほう酸塩ガラスからなる電子吸収層を形成すること
により、コントラスト特性、ピユリティドリフト特性を
改善し、ざらに、エミッション寿命特性が良く、工業量
産性に富むカラー受像管を得ることができる。
(Effects of the Invention) As described above, according to the present invention, an electron absorption layer mainly composed of metal oxides of silicon and zirconia is formed on the electron gun side surface of the shadow mask, and the center side wall surface of the through hole is By forming an electron absorption layer made of crystalline lead-borate glass, the contrast characteristics and purity drift characteristics are improved, and a color picture tube with good emission life characteristics and suitable for industrial mass production is obtained. I can do it.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はシャドウマスク型カラー受像管の構成を示す概
略断面図、第2図(A)、第2図(B)は本発明の実施
例のピユリティドリフト特性を説明する再生画像パター
ンの略図、第3図はシャドウマスクのドーミングによる
電子ビームの移動を説明するための模式図、第4図は、
本発明による一実施例を示し、第3図のA部を拡大して
示T模式図、第5図は、シャドウマスクの透孔の中心側
と反対の壁面に形成される電子吸収層の厚さを変化させ
た時のシャドウマスクのドーミングによる電子ビームの
移動量の変化を示す特性図、第6図は本発明の実施例の
コントラスト特性を説明する再生画像パターンの略図で
おる。 に)・・・蛍光体スクリーン、■・・・電子ビーム、■
・・・電子銃、■・・・シャドウマスク、(14a) 
、 (14b) 、−・電子吸収層。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同  大胡典夫 第  1 図
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of a shadow mask type color picture tube, and FIGS. 2(A) and 2(B) are reproduction image patterns illustrating the utility drift characteristics of the embodiment of the present invention. A schematic diagram, FIG. 3 is a schematic diagram for explaining the movement of an electron beam due to doming of a shadow mask, and FIG.
One embodiment of the present invention is shown, and FIG. 5 is a schematic diagram showing an enlarged view of part A in FIG. 3, and FIG. FIG. 6 is a characteristic diagram showing changes in the amount of movement of the electron beam due to doming of the shadow mask when the height is changed. FIG. 6 is a schematic diagram of a reproduced image pattern illustrating the contrast characteristics of the embodiment of the present invention. )...phosphor screen, ■...electron beam, ■
...Electron gun, ■...Shadow mask, (14a)
, (14b), -・electron absorption layer. Agent Patent Attorney Noriyuki Chika Yudo Norio Ogo Figure 1

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)蛍光体スクリーンと、この蛍光体スクリーンに近
接して設置される多数の透孔の穿設されたシャドウマス
クと、このシャドウマスクを介して前記スクリーン上の
蛍光体を選択発光せしめる電子ビームを射突する電子銃
とを備えてなるカラー受像管において、前記シャドウマ
スクの電子銃側表面にケイ素とジルコニウムの金属酸化
物を含む電子吸収層を設けるとともに、少なくとも前記
透孔のシャドウマスクの中心側の壁面に酸化鉛(PbO
)を70重量%乃至85重量%含む結晶性鉛ほう酸塩ガ
ラスからなる電子吸収層を設けたことを特徴とするカラ
ー受像管。
(1) A phosphor screen, a shadow mask with a large number of through holes installed close to the phosphor screen, and an electron beam that selectively causes the phosphors on the screen to emit light through the shadow mask. In the color picture tube, an electron absorption layer containing a metal oxide of silicon and zirconium is provided on the electron gun side surface of the shadow mask, and at least the center of the shadow mask of the through hole is provided. Lead oxide (PbO) is placed on the side wall.
) A color picture tube characterized in that it is provided with an electron absorption layer made of crystalline lead-borate glass containing 70% to 85% by weight of.
(2)シャドウマスクの透孔の前記中心側の壁面と対向
している壁面に形成された電子吸収層の最大の厚さが、
透孔の中心側の壁面に形成された電子吸収層の厚さのほ
ぼ1/5以下であることを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載のカラー受像管。
(2) The maximum thickness of the electron absorption layer formed on the wall surface facing the center side wall surface of the through hole of the shadow mask is
2. The color picture tube according to claim 1, wherein the color picture tube has a thickness that is approximately 1/5 or less of the thickness of the electron absorption layer formed on the wall surface on the center side of the through hole.
(3)シャドウマスクの電子銃側の前記電子吸収層が、
酸化物、窒化物、炭化物のいづれか一つを少なくとも含
んでなることを特徴とする特許請求の範囲第1項または
第2項記載のカラー受像管。
(3) The electron absorption layer on the electron gun side of the shadow mask is
3. The color picture tube according to claim 1 or 2, characterized in that the color picture tube contains at least one of oxide, nitride, and carbide.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0275132A (en) * 1988-09-09 1990-03-14 Hitachi Ltd Shadow mask type color cathode-ray tube
DE19654613A1 (en) * 1996-12-20 1998-07-02 Samsung Display Devices Co Ltd Shadow mask with insulation layer and process for its production

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0275132A (en) * 1988-09-09 1990-03-14 Hitachi Ltd Shadow mask type color cathode-ray tube
DE19654613A1 (en) * 1996-12-20 1998-07-02 Samsung Display Devices Co Ltd Shadow mask with insulation layer and process for its production
DE19654613C2 (en) * 1996-12-20 2001-07-19 Samsung Display Devices Co Ltd Shadow mask with insulation layer and process for its production

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